本發(fā)明涉及一體化封裝電路，特別涉及射頻基帶一體化集成的封裝方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的北斗射頻基帶一體化電路，由于受射頻和基帶芯片不同材料制程的限制，無(wú)法實(shí)現(xiàn)soc的高靈敏度集成要求。常規(guī)的sip工藝通常由pcb基板，通過(guò)芯片堆疊組裝而成，其結(jié)構(gòu)參見(jiàn)圖1，其大致包括：位于底部的pcb基板1；位于該pcb基板上方的芯片201，設(shè)置bga焊球3，位于其上方的pcb基板2；其pcb基板2上方安裝芯片301，以及位于該芯片301上方堆疊芯片302?，F(xiàn)有的這種結(jié)構(gòu)，信號(hào)的傳輸會(huì)受到多異質(zhì)芯片201，301,302的影響，信號(hào)干擾較大，201,301,302異質(zhì)芯片間干擾較大，無(wú)法大規(guī)模集成，無(wú)法解決多芯片集成帶來(lái)的信號(hào)完整性問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題，在于提供一種北斗一體化封裝電路結(jié)構(gòu)，可以使北斗多異質(zhì)芯片高密度集成，并使信號(hào)完整性得到改善。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種北斗多異質(zhì)芯片一體化封裝電路，包括：位于主體的多層陶瓷基板；位于該陶瓷基板的下方開(kāi)腔結(jié)構(gòu)，其開(kāi)腔內(nèi)設(shè)置的元器件安裝，位于其內(nèi)部；位于該陶瓷基板上方的開(kāi)腔，其頂部開(kāi)腔內(nèi)部設(shè)置元器件安裝，位于其內(nèi)部；位于頂部開(kāi)腔層頂層蓋板，其頂層蓋板設(shè)置元器件安裝；位于上方表面的元器件安裝；位于陶瓷基板中間層，其內(nèi)部設(shè)置的微波無(wú)源器件；位于多層陶瓷基板，其內(nèi)部設(shè)置多層金屬線路和金屬過(guò)孔；位于陶瓷基板上方的金屬屏蔽蓋板。

在一個(gè)實(shí)施例中，該北斗多異質(zhì)芯片一體化封裝電路還包括：位于該基板中，布置的大規(guī)模金屬線路，金屬化通孔。

該多層陶瓷基板包括25層，該上層區(qū)域由處于上方的9層構(gòu)成，該下層區(qū)域由處于下方的12層構(gòu)成。

該多層陶瓷基板是ltcc材質(zhì)的。

該多層陶瓷基板的電介常數(shù)為7.3，介質(zhì)損耗為0.002，該多層電路板的每層厚度為0.096毫米。

該北斗多異質(zhì)芯片一體化封裝電路上的最小線寬為0.1mm；最小間距為0.2mm；最小孔徑為0.15mm。

該北斗多異質(zhì)芯片一體化封裝電路內(nèi)部芯片是粘片鍵合封裝的，其引腳設(shè)置在該多異質(zhì)芯片電路的底面與側(cè)面。

該至少一元器件是以表面粘片鍵合的方式裝設(shè)在該至少一開(kāi)腔的底部，并且該至少一元器件的頂部是不超出該上層區(qū)域的上表面的。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的北斗一體化封裝電路，通過(guò)采用多層陶瓷基板，并在上層區(qū)域形成開(kāi)腔以收容元器件，可減少模塊的體積，改善系統(tǒng)性能。本發(fā)明的北斗一體化封裝電路，通過(guò)內(nèi)埋隔墻結(jié)構(gòu)和金屬屏蔽結(jié)構(gòu)，可以使無(wú)線信號(hào)的傳輸性能得到改善。本發(fā)明的北斗一體化封裝電路，通過(guò)陶瓷氣密特性和金屬屏蔽體的氣密封裝結(jié)構(gòu)，可以使北斗一體化封裝電路的氣密等級(jí)得到提高，適用惡劣環(huán)境的應(yīng)用。

附圖說(shuō)明

圖1是現(xiàn)有的多芯片封裝電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明的北斗一體化封裝電路實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明的北斗一體化封裝電路實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4時(shí)本發(fā)明的北斗一體化封裝電路電原理圖。

其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下：1pcb底板1、2pcb基板2、201芯片1、202電阻器、203電感器、204芯片2、205電容器、3bga焊球、301芯片3、302芯片4、303金屬屏蔽墻、304芯片5、305芯片6、306芯片7、307芯片8、308陶瓷基板、4、多層陶瓷基板、401濾波器、402多工器、403功分器、404巴倫變換器、405濾波器、406內(nèi)埋屏蔽墻、5金屬蓋板。

具體實(shí)施方式

為了詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的構(gòu)造及特點(diǎn)所在，茲舉以下較佳實(shí)施例并配合附圖說(shuō)明如下。

參見(jiàn)圖2，本發(fā)明的北斗一體化封裝電路實(shí)施例一大致包括：

多層陶瓷基板和設(shè)置在該多層陶瓷基板中間層的的濾波器401、多工器402、功分器403、巴倫變換器404等，該多層電路板劃分成一上層區(qū)域和一下層區(qū)域，該裸芯片設(shè)置在該上層區(qū)域，該表貼器件電容、電感、電感設(shè)置在該下層區(qū)域，該上層區(qū)域設(shè)置有至少一盆腔以裝設(shè)至少一元器件，并可在該元器件表面上堆疊芯片。該上層區(qū)域的上表面是能夠裝設(shè)至少一有源器件的。

所述的該北斗一體化封裝電路是指將接收到的北斗衛(wèi)星信號(hào)進(jìn)行接收、放大、濾波、變頻、模數(shù)轉(zhuǎn)換、數(shù)字基帶處理，或者，將基帶輸出的發(fā)射信號(hào)進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換、變頻、濾波、放大功能。需要說(shuō)明的是，這里所說(shuō)的多工器、濾波器、巴倫變換器電路設(shè)置在該陶瓷基板內(nèi)部是指構(gòu)成的多工器、濾波器、巴倫變換器的線路及一些被動(dòng)元件在中間層區(qū)域中實(shí)現(xiàn)，多工器、濾波器、巴倫變換器實(shí)現(xiàn)中所涉及到的有源器件以及一些不便在下層區(qū)域直接實(shí)現(xiàn)的元器件，則還是需要設(shè)置在該上層區(qū)域的上表面上和/或盆腔中；類(lèi)似地，這里所說(shuō)的射頻電路設(shè)置在該上層區(qū)域是指構(gòu)成的射頻電路的線路及數(shù)字電路的線路和一些被動(dòng)元件在上層區(qū)域中實(shí)現(xiàn)，一體化電路實(shí)現(xiàn)中所涉及到的有源器件以及一些不便在中間層區(qū)域直接實(shí)現(xiàn)的元器件，則還是需要設(shè)置在該上層區(qū)域的上表面上和/或盆腔中。

所述的北斗一體化封裝電路，包括：gaas低噪聲放大器、saw濾波器、gaas射頻開(kāi)關(guān)、sige射頻變頻器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、基帶芯片、以及l(fā)tcc射頻無(wú)源器件、電容、電阻、電感等。

參見(jiàn)圖2所示的本發(fā)明的北斗一體化封裝電路實(shí)施例1，其適用于通信衛(wèi)星的射頻信號(hào)傳輸，其包括射頻信號(hào)，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需要可以包含多個(gè)通道，以將多個(gè)通道的信號(hào)進(jìn)行合成，或者將一個(gè)信號(hào)分配到多個(gè)通道。

實(shí)施例2：參見(jiàn)圖3，與實(shí)施例1區(qū)別在于：所述底層的元器件204可以是裸芯片，頂層元器件307也可以是裸芯片。封裝體為氣密封裝，延長(zhǎng)了封裝器件的使用壽命。

優(yōu)選地，該介質(zhì)層4為低溫?zé)Y(jié)陶瓷材質(zhì)。在其他實(shí)施例中，該介質(zhì)層4也可以是其它介質(zhì)材質(zhì)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的北斗一體化封裝電路的有益效果包括：通過(guò)采用多層陶瓷基板，并在上層區(qū)域形成盆腔以埋置元器件，并結(jié)合微組裝工藝，實(shí)現(xiàn)多芯片的堆疊工藝，中間層埋置多種微波無(wú)源器件，包括：多工器、濾波器、功分器、巴倫變換器等，下層開(kāi)腔以組裝元器件，實(shí)現(xiàn)北斗一體化封裝電路的三維組裝，利用陶瓷多層走線和過(guò)孔結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)較好的電磁屏蔽，占用體積較小，信號(hào)完整性較好。

雖然以上描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但是熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，我們所描述的具體的實(shí)施例只是說(shuō)明性的，而不是用于對(duì)本發(fā)明的范圍的限定，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在依照本發(fā)明的精神所做的等效的修飾以及變化，都應(yīng)當(dāng)涵蓋本發(fā)明的權(quán)利要求所保護(hù)的范圍內(nèi)。

總之，以上僅為本發(fā)明之較佳實(shí)施例，意在進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，而非對(duì)其進(jìn)行限定。凡根據(jù)上述之文字和附圖所公開(kāi)的內(nèi)容進(jìn)行的簡(jiǎn)單的替換，都在本專利的權(quán)利保護(hù)范圍之列。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種北斗一體化封裝電路。本發(fā)明提供一種北斗一體化封裝電路的方法。包括：主要載體為多層陶瓷基板；位于該陶瓷基板的下方開(kāi)腔結(jié)構(gòu)，其開(kāi)腔內(nèi)設(shè)置的芯片安裝，位于其內(nèi)部；位于該陶瓷基板上方的開(kāi)腔，其頂部開(kāi)腔內(nèi)部設(shè)置芯片安裝，位于其內(nèi)部；位于頂部開(kāi)腔層頂層蓋板，其頂層蓋板設(shè)置芯片安裝；位于上方表面的芯片安裝；位于陶瓷基板中間層，其內(nèi)部設(shè)置的微波無(wú)源器件；位于多層陶瓷基板，其內(nèi)部設(shè)置多層金屬線路和金屬過(guò)孔；位于陶瓷基板上方的金屬屏蔽蓋板。該陶瓷基板的多層金屬線路，分別適用于信號(hào)的傳輸和多異質(zhì)芯片的組裝基板，并保證元器件間的信號(hào)隔離，最終實(shí)現(xiàn)北斗多異質(zhì)芯片封裝的一體化封裝。

技術(shù)研發(fā)人員：于歡;黃勇;熊錦康
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州博海創(chuàng)業(yè)微系統(tǒng)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.19
技術(shù)公布日：2017.10.13