技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種超結(jié)器件，包括：N型外延層分成上下兩部分；超結(jié)結(jié)構(gòu)的P型柱由填充于形成于N型外延層中的超結(jié)溝槽中的P型外延層組成；上部分的摻雜濃度比下部分的摻雜濃度淡10％以上，通過下部分和P型柱的摻雜濃度相匹配，能使P型柱的匹配的變化范圍位于和擊穿電壓的二次曲線的左右兩側(cè)；上部分較淡的摻雜使P型柱在匹配的變化范圍內(nèi)的摻雜濃度都大于上部分的摻雜濃度，使N型柱的上部分在耗盡時(shí)形成的耗盡區(qū)由P型柱的耗盡決定。本發(fā)明還公開了一種超結(jié)器件的制造方法。本發(fā)明能提升器件的EAS能力和EAS的面內(nèi)均勻性，還能同時(shí)擴(kuò)大了擊穿電壓的工藝窗口。

技術(shù)研發(fā)人員：李昊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.27
技術(shù)公布日：2017.09.22