一種GaN基功率電子器件及其制備方法
【專利摘要】一種GaN基功率電子器件，包括襯底和襯底之上的外延層，所述外延層包括GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)層、超晶格結(jié)構(gòu)層和P型蓋帽層，所述超晶格結(jié)構(gòu)層設(shè)置于所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)層之上，所述P型蓋帽層設(shè)置于所述超晶格結(jié)構(gòu)層之上。以及一種GaN基功率電子器件的制備方法。通過該電子器件，進一步擴展了基于P?Al(In,Ga)N蓋帽層技術(shù)制備的GaN基功率電子器件的柵壓擺幅和安全柵壓范圍，并且提高器件的動態(tài)特性，從而推動基于P?Al(In,Ga)N蓋帽層技術(shù)的GaN基功率電子器件的應(yīng)用進程。
【專利說明】
一種GaN基功率電子器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及GaN基功率電子應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種GaN基功率電子器件，以及該電子器件的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]高效功率電子器件(又稱功率開關(guān)器件)在智能電網(wǎng)、工業(yè)控制、新能源發(fā)電、電動汽車以及消費電子等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用價值，全球70%以上的電力電子系統(tǒng)均由基于功率半導(dǎo)體器件的電力管理系統(tǒng)來調(diào)控管理。傳統(tǒng)Si功率電子器件性能已經(jīng)接近Si半導(dǎo)體材料的物理極限，以SiC和GaN為代表的新型寬禁帶半導(dǎo)體器件憑借更高的擊穿電場、更高的工作頻率和更低的導(dǎo)通電阻有望成為下一代高效功率電子技術(shù)的強有力競爭者。
[0003]增強型是功率電子器件安全工作的關(guān)鍵要求，即在高壓工作時，器件即使失去柵控的狀態(tài)下也是安全的，不會導(dǎo)致系統(tǒng)的燒毀。這就要求功率電子器件必須是增強型的(enhancement-mode，也稱normally-off)，即器件的閾值要在OV以上。而目前GaN基增強型功率電子器件主要是基于Al (In，Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備的，依靠Al (In，Ga)N勢皇層和GaN緩沖層間較強的自發(fā)和壓電極化效應(yīng)，在Al(In，Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)溝道中會誘導(dǎo)出高達113CnT2的二維電子氣(2DEG)，因此基于該結(jié)構(gòu)制備的GaN基功率電子器件(包括HEMTs和MIS-HEMTs) —般是耗盡型的，為了實現(xiàn)GaN基增強型器件，目前國際上主要有五種技術(shù):I)柵槽刻蝕減薄Al(In，Ga)N勢皇層;2)在Al (In，Ga)N勢皇層中注入帶負電的氟離子;3)在勢皇層表面生長P-(Al)GaN蓋帽層;4)在勢皇層表面生長InGaN或厚GaN反極化層；5)增強型S1-MOSFET與GaN基耗盡型HEMT/MIS-HEMT級聯(lián)結(jié)構(gòu)。
[0004]?41(111，6&外蓋帽層技術(shù)是利用?齡吉的空間電荷區(qū)效應(yīng)耗盡41(111，6&州六^^異質(zhì)結(jié)溝道的二維電子氣以實現(xiàn)增強型，它是通過MOCVD或MBE在Al (In，Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)上繼續(xù)原位外延生長P_Al(In，Ga)N層，由于外延技術(shù)對厚度和均勻性的控制比較精確，利用P-Al (In，Ga)N蓋帽層技術(shù)一般能獲得較好的閾值一致性，特別是P-Al (In，Ga)N技術(shù)已經(jīng)有相關(guān)的示范產(chǎn)品報道，其中包括美國宜普電源轉(zhuǎn)換公司EPC，日本松下(Panasonic)，韓國三星(samsung)，加拿大GaN systems，甚至是中國臺灣TSMC。
[0005]盡管P_Al(In，Ga)N蓋帽層技術(shù)能將GaN基增強型器件閾值推進到+1.5V，然而當(dāng)柵壓超過P-N結(jié)的正向開啟電壓時，柵極正向漏電會迅速增大，很可能導(dǎo)致柵極的擊穿，影響器件的安全性。因此，研發(fā)基于P_Al(In，Ga)N蓋帽層的柵極漏電抑制技術(shù)，對推動P-AKln，Ga)N蓋帽層技術(shù)在GaN基功率電子中的應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)化至關(guān)重要。
[0006]另一方面，由于表面態(tài)的存在，GaN基功率電子器件在高壓工作時存在嚴(yán)重的電流坍塌，直接導(dǎo)致器件動態(tài)導(dǎo)通電阻和功耗的增加。多項研究表明，這些表面態(tài)很難被完全去除。因此，研發(fā)促進表面態(tài)快速恢復(fù)的技術(shù)，避開界面態(tài)處理難題具有重要的應(yīng)用價值。
[0007]但是上述電子器件的低柵極漏電性能還不能滿足電子器件需求，而且閾值控制能力包括電流塌陷自我修復(fù)能力上，也不能滿足電子器件日益苛刻的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008](一)要解決的技術(shù)問題
[0009]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種GaN基功率電子器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，以解決以上所述的至少一項問題。
[0010](二)技術(shù)方案
[0011 ]為實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種GaN基功率電子器件，包括襯底和襯底之上的外延層，中:
[0012]所述外延層包括GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)層、超晶格結(jié)構(gòu)層和P型蓋帽層，
[0013]所述超晶格結(jié)構(gòu)層設(shè)置于所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)層之上，所述P型蓋帽層設(shè)置于所述超晶格結(jié)構(gòu)層之上。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一具體實施方案，所述超晶格結(jié)構(gòu)層為AlN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)、AlGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)、AlN/GaN/AlN量子阱結(jié)構(gòu)或者AlGaN/GaN/AlGaN量子阱結(jié)構(gòu)。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一具體實施方案，所述AlGaN/GaN超晶格中單周期的AlGaN和GaN的厚度分別為X納米、y納米，I Sx彡4，Ky彡4。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一具體實施方案，所述超晶格結(jié)構(gòu)層是P型摻雜的，或者是非摻雜的。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一具體實施方案，所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)層包括緩沖層和其上方的勢皇層，所述緩沖層為GaN緩沖層，所述勢皇層為Al (In，Ga)N勢皇層。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一具體實施方案，所述P型蓋帽層是P-GaN，P_InN或P-AlN二元合金層，也可以是P-AlGaN，P-Al InN或P-1nGaN三元合金層，或者是Al InGaN四元合金層。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種GaN基功率電子器件的制備方法，包括以下步驟:
[0020](I)準(zhǔn)備襯底；
[0021 ] (2)在襯底上制備外延層，所述外延層包括GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)層、超晶格結(jié)構(gòu)層和P型蓋帽層，所述超晶格結(jié)構(gòu)層制備于所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)層之上，所述P型蓋帽層制備于所述超晶格結(jié)構(gòu)層之上。
[0022](3)在外延層上制備柵極，源極，漏極以及鈍化層。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的一具體實施方案，所述柵極與源極，柵極與漏極之間具有或者不具有超晶格層。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的一具體實施方案，所述柵極與源極，柵極與漏極之間的P型蓋帽層采用干法刻蝕去除，制備時所述超晶格結(jié)構(gòu)層作為停止層。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的一具體實施方案，所述器件的柵極是肖特基接觸，或者是歐姆接觸。
[0026](三)有益效果
[0027]從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果:
[0028]1、本發(fā)明提供的GaN基功率電子器件結(jié)構(gòu)及制備方法，從材料生長和能帶工程角度提供一種抑制基于P型Al(In，Ga)N蓋帽層技術(shù)的GaN基增強型功率電子器件的柵極正反向漏電的技術(shù)，通過在P型蓋帽層與異質(zhì)結(jié)構(gòu)之間插入一層Al(Ga)N/GaN超晶格以提高柵極的勢皇高度，從而抑制柵極的正反向漏電，進一步擴展了基于P型蓋帽層技術(shù)制備的GaN基功率電子器件的柵壓擺幅和安全柵壓范圍，從而推動基于P型蓋帽層技術(shù)的GaN基功率電子器件的應(yīng)用進程，促進GaN基功率電子器件的產(chǎn)業(yè)化；
[0029]2、本發(fā)明提供的GaN基功率電子器件結(jié)構(gòu)及制備方法，在柵極正向開啟時，位于P型蓋帽層與異質(zhì)結(jié)構(gòu)之間的超晶格中的電子空穴復(fù)合發(fā)光能促進柵漏和柵源間異質(zhì)結(jié)表面和體內(nèi)深能級捕獲電子的釋放，實現(xiàn)器件電流坍塌的同步自我恢復(fù)，從而有效抑制器件動態(tài)導(dǎo)通電阻的升高；
[0030]3、本發(fā)明提供的GaN基功率電子器件結(jié)構(gòu)及制備方法，位于P型蓋帽層與異質(zhì)結(jié)構(gòu)之間的超晶格可充當(dāng)干法刻蝕P型蓋帽層的停止層，從而提高器件導(dǎo)通電阻的均勻性和器件的成品率。
【附圖說明】
[0031]圖1a和Ib是根據(jù)本發(fā)明具體實施方案提供的兩種GaN基功率電子器件結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖2a和2b是干法刻蝕圖1中柵極以外區(qū)域P型Al(In，Ga)N層的示意圖；
[0033]圖3是根據(jù)對比在？型六1(111，6&州層與41(111，6&州八^~異質(zhì)結(jié)構(gòu)之間插入41(6&)N/GaN超晶格層前后的能帶圖對比。
[0034]圖4&和413分別是圖1a和Ib中本發(fā)明提供的兩種GaN基功率電子器件在柵極正向開啟時柵下Al(Ga)N/GaN超晶格插入層的發(fā)光和傳播不意圖。
【具體實施方式】
[0035]本發(fā)明中，“之上”及“之下”用語僅表示相應(yīng)層結(jié)構(gòu)的相對位置關(guān)系，相應(yīng)層可以為接觸與非接觸。另外，在下面的詳細描述中，為便于解釋，闡述了許多具體的細節(jié)以提供對本披露實施例的全面理解。然而明顯地，一個或多個實施例在沒有這些具體細節(jié)的情況下也可以被實施。在其他情況下，公知的結(jié)構(gòu)和裝置以附圖的方式體現(xiàn)以簡化附圖。
[0036]根據(jù)本發(fā)明總體上的發(fā)明構(gòu)思，提供一種GaN基功率電子器件，包括襯底和襯底之上的外延層，其中，所述外延層包括GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)層、超晶格結(jié)構(gòu)層和P型蓋帽層，所述超晶格結(jié)構(gòu)層設(shè)置于所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)層之上，所述P型蓋帽層設(shè)置于所述超晶格結(jié)構(gòu)層之上。
[0037]對于所述襯底，可以為硅襯底、SiC襯底、藍寶石襯底或者是同質(zhì)外延的GaN襯底。
[0038]對于各外延層的制備方法，可以采用金屬有機物化學(xué)氣相沉積或分子束外延技術(shù)進行制備。對于包含GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)層、超晶格結(jié)構(gòu)層和P型蓋帽層的外延層結(jié)構(gòu)，其具有增強型柵結(jié)構(gòu)。
[0039]對于超晶格結(jié)構(gòu)層，優(yōu)選的，所述超晶格結(jié)構(gòu)層為多周期Al(Ga)N/GaN超晶格結(jié)構(gòu);進一步優(yōu)選的，所述多周期Al (Ga)N/GaN超晶格結(jié)構(gòu)為AlN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)、AlGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)、AlN/GaN/AlN量子阱結(jié)構(gòu)或者AlGaN/GaN/AlGaN量子阱結(jié)構(gòu)；對于超晶格中周期層的厚度選擇，優(yōu)選的，所述Al(Ga)N/GaN超晶格中單周期的Al(Ga)N和GaN的厚度分別為X納米、y納米，ISx彡4，ISy彡4。處于P型蓋帽層與GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)之間的超晶格不僅能有效抑制GaN基電子器件的柵極正反向漏電，同時在柵極正向開啟時該超晶格中的電子空穴復(fù)合發(fā)光能促進柵漏和柵源間異質(zhì)結(jié)表面和體內(nèi)深能級捕獲電子的釋放，實現(xiàn)器件電流坍塌的同步自我恢復(fù)。
[0040]對于超晶格層的組成，所述超晶格結(jié)構(gòu)層可以是P型摻雜層或者非摻雜層。
[0041]對于異質(zhì)結(jié)構(gòu)層，所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)層包括緩沖層和其上方的勢皇層，所述緩沖層為GaN緩沖層，所述勢皇層為Al (In，Ga)N勢皇層。
[0042]所述勢皇層的厚度為3-30nm。優(yōu)選的，上述Al(In，Ga)N勢皇層為AlGaN或AlInN三元合金勢皇層，或者是Al InGaN四元合金勢皇層。
[0043]對于P型蓋帽層選擇，優(yōu)選P型蓋帽層為P-Al(In，Ga)N層，進一步優(yōu)選的是P-GaN，P-1nN或P-AlN二元合金層，也可以是P-AlGaN，P-Al InN或P-1nGaN三元合金層，或者是Al InGaN四元合金層。
[0044]優(yōu)選的，在所述ρ型蓋帽層之上還設(shè)置有柵極金屬，它可以是歐姆接觸，也可以是肖特基接觸。
[0045]優(yōu)選的，電子器件還包括源極和漏極，源極和漏極通過刻蝕掉P型蓋帽層或超晶格層后制備，與相應(yīng)層為歐姆接觸。
[0046]在某些方案中，電子器件優(yōu)選為場效應(yīng)晶體管。其中，柵源和柵漏間P型蓋帽層被刻蝕掉，但是柵源和柵漏間的超晶格結(jié)構(gòu)層可以刻蝕掉，也可以保留。
[0047]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明提供一種GaN基功率電子器件的制備方法，其特征在于包括以下步驟:
[0048](I)準(zhǔn)備襯底；
[0049](2)在襯底上制備外延層，所述外延層包括GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)層、超晶格結(jié)構(gòu)層和P型蓋帽層，所述超晶格結(jié)構(gòu)層制備于所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)層之上，所述P型蓋帽層制備于所述超晶格結(jié)構(gòu)層之上。
[0050]對于各外延層的制備，在制備過程中，可以采用金屬有機物化學(xué)氣相沉積或分子束外延技術(shù)進行制備。
[0051]對于柵極與源極，柵極與漏極之間的P型蓋帽層采用干法刻蝕去除，制備時所述超晶格結(jié)構(gòu)層成作為停止層。
[0052]優(yōu)選的，在步驟(2)后，采用先柵工藝或后柵工藝在該外延層結(jié)構(gòu)之上形成柵極、源極、漏極以及鈍化保護層。
[0053]上述方案中，所述先柵工藝是先在外延層結(jié)構(gòu)之上制備柵極，然后刻蝕去掉柵極以外的P型蓋帽層制備源極及漏極歐姆接觸，最后在柵極與源極以及柵極與漏極之間的接入?yún)^(qū)域制備鈍化保護層；
[0054]上述方案中，所述后柵工藝是在外延層結(jié)構(gòu)之上，首先刻蝕去掉源極和漏極區(qū)域的P型蓋帽層制備源漏歐姆接觸，然后在P型蓋帽層上制備柵極，最后刻蝕去掉柵源以及柵漏間的P型蓋帽層層制備鈍化保護層。
[0055]下面通過實施方案，并結(jié)合附圖，對本發(fā)明的技術(shù)方案作進一步具體的說明。下述參照附圖對本發(fā)明實施方式的說明旨在對本發(fā)明的總體發(fā)明構(gòu)思進行解釋，而不應(yīng)當(dāng)理解為對本發(fā)明的一種限制。
[0056]本發(fā)明提供的兩種GaN基功率電子器件結(jié)構(gòu)，如圖1a和Ib所示，包括:襯底;形成于襯底之上的GaN基高電子迀移率Al (In，Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)；形成于高電子迀移率Al (In，Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之上的多周期Al(Ga)N/GaN超晶格結(jié)構(gòu);形成于超晶格結(jié)構(gòu)之上的P型Al(In，Ga)N層。該電子器件是一種場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，包含源極，柵極和漏極，其中柵極是制作在P-Al (In，Ga)N上，柵極是歐姆接觸或肖特基接觸。源極和漏極通過刻蝕掉P-Al (In，Ga)N層或P-Al (In，Ga)N/(Al (Ga)N/GaN)SL后制備的，是歐姆接觸。另外，柵源和柵漏間P-Al (In，Ga)N層是被刻蝕掉的，但是柵源和柵漏間的Al (Ga)N/GaN超晶格結(jié)構(gòu)層可以刻蝕掉(圖la)，也可以保留(圖lb)。
[0057]圖1a 和 Ib 中，P-Al(In，Ga)N/(Al(Ga)N/GaN)sL/Al(In，Ga)N/GaN 外延層結(jié)構(gòu)是利用金屬有機物化學(xué)氣相沉積或分子束外延技術(shù)直接在襯底上依次外延GaN緩沖層，Al(In，Ga)N勢皇層，(Al (Ga)N/GaN)SL超晶格，P型Al (In，Ga)N層而形成，以實現(xiàn)增強型柵結(jié)構(gòu)Al (In，Ga)N勢皇層是AlGaN或AlInN三元合金勢皇層，或者是AlInGaN四元合金勢皇層。(Al (Ga)N/GaN)SL超晶格層是AlN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)，或者是AlGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)，或者是AlN/GaN/AIN量子阱結(jié)構(gòu)，或者是AI GaN/GaN/A I GaN量子阱結(jié)構(gòu)；它可以是AI (Ga) N/GaN (2nm/ 2nm)超晶格，或者是Al(Ga)N/GaN(x nm/y nm)超晶格；它可以是P型摻雜層，或者是非摻雜的。P-Al(In1Ga) N層是 P-GaN，P-1nN 或 P-A1N 二元合金層，也可以是 P-AlGaN，P-Al InN 或 P-1nGaN 三元合金層，或者是Al InGaN四元合金層。襯底為硅襯底、SiC襯底、藍寶石襯底或同質(zhì)外延的GaN襯底。
[0058]圖2a和2b是干法刻蝕圖1中柵極以外區(qū)域P型Al(In，Ga)N層的示意圖。在柵極掩膜的掩蔽下，用Cl基等離子體(Cl2，BCl3)干法刻蝕柵極以外區(qū)域P型Al(In，Ga)N層(圖2a)，直至IjAl(Ga)N/GaN超晶格停止層(圖2b)。
[0059]圖3是對比了在P型Al (In，Ga)N層與Al (In，Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之間插入Al (Ga)N/GaN超晶格層前后的能帶圖對比。可以看出，由于Al (Ga)N/GaN超晶格的存在，P型Al (Iη，Ga)N層與Al (In1Ga)N/GaN間的勢皇高度明顯升高，從而能有效抑制柵極的正反向漏電。
[0060]本發(fā)明提供的兩種具有自恢復(fù)能力的低柵極漏電GaN基增強型功率電子器件中，其中處于P型Al (In，Ga)N層與GaN基高電子迀移率Al (In，Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之間的Al (Ga)N/GaN超晶格不僅能有效抑制GaN基增強型功率電子器件的柵極正反向漏電，同時在柵極正向開啟時該Al (Ga)N/GaN超晶格中的電子空穴復(fù)合發(fā)光，如圖4a和4b發(fā)光不意圖所不，該發(fā)光能促進柵漏和柵源間Al(In，Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)表面和體內(nèi)深能級捕獲電子的釋放，實現(xiàn)器件電流坍塌的同步自我恢復(fù)。
[0061]以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種GaN基功率電子器件，包括襯底和襯底之上的外延層，其特征在于: 所述外延層包括GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)層、超晶格結(jié)構(gòu)層和P型蓋帽層， 所述超晶格結(jié)構(gòu)層設(shè)置于所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)層之上，所述P型蓋帽層設(shè)置于所述超晶格結(jié)構(gòu)層之上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基功率電子器件，其特征在于，所述超晶格結(jié)構(gòu)層為AlN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)、AlGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)、AlN/GaN/AIN量子阱結(jié)構(gòu)或者AlGaN/GaN/AlGaN量子講結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaN基功率電子器件，其特征在于，所述AlGaN/GaN超晶格中單周期的AlGaN和GaN的厚度分別為X納米、y納米，Kx<4，Ky <4。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaN基功率電子器件，其特征在于，所述超晶格結(jié)構(gòu)層是P型摻雜的，或者是非摻雜的。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基功率電子器件，其特征在于，所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)層包括緩沖層和其上方的勢皇層，所述緩沖層為GaN緩沖層，所述勢皇層為Al(In，Ga)N勢皇層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基功率電子器件，其特征在于，所述P型蓋帽層是P-GaN，P-1nN或P-AlN 二元合金層，也可以是P-AlGaN，P-Al InN或P-1nGaN三元合金層，或者是Al InGaN四元合金層。7.一種GaN基功率電子器件的制備方法，其特征在于包括以下步驟: (1)準(zhǔn)備襯底； (2)在襯底上制備外延層，所述外延層包括GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)層、超晶格結(jié)構(gòu)層和P型蓋帽層，所述超晶格結(jié)構(gòu)層制備于所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)層之上，所述P型蓋帽層制備于所述超晶格結(jié)構(gòu)層之上； (3)在外延層上制備柵極，源極，漏極以及鈍化層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的GaN基功率電子器件的制備方法，其特征在于，所述柵極與源極，柵極與漏極之間具有或者不具有超晶格層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的GaN基功率電子器件的制備方法，其特征在于，所述柵極與源極，柵極與漏極之間的P型蓋帽層采用干法刻蝕去除，制備時所述超晶格結(jié)構(gòu)層作為停止層。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的GaN基功率電子器件的制備方法，其特征在于，所述器件的柵極是肖特基接觸，或者是歐姆接觸。
【文檔編號】H01L21/335GK105895526SQ201610265883
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年4月26日
【發(fā)明人】黃森, 劉新宇, 王鑫華, 魏珂, 包琦龍, 王文武, 趙超
【申請人】中國科學(xué)院微電子研究所