本發(fā)明涉及l(fā)ed芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種紫外led倒裝芯片。

背景技術(shù)：

紫外led產(chǎn)品在近幾年備受關(guān)注，具有節(jié)能環(huán)保、省電、高效率、響應(yīng)速度快、使用壽命長、且不含汞等優(yōu)點。紫外led產(chǎn)品為了獲得所需要的光效、亮度以及殺菌消毒效果，在led芯片材料外延生長、制備等工藝過程中進(jìn)行不同濃度的摻雜以及后期刻蝕等處理。

與傳統(tǒng)紫外汞燈相比，紫外led芯片有著壽命長、電壓低、波長可調(diào)、環(huán)保、方向性好、迅速切換、抗震耐潮、輕便靈活等優(yōu)點。已有技術(shù)中的紫外led倒裝焊芯片及其外延結(jié)構(gòu)，通過將電極、共晶焊料、導(dǎo)電布線層等固晶到基板上，進(jìn)而完成芯片的封裝，該制備方式會導(dǎo)致芯片散熱不理想、漏電、材料對光線的吸收大，易氧化污染、可靠性差以及紫外led燈珠對靜電較為敏感、容易受到外界靜電的危害，造成芯片失效等問題。因此，隨著技術(shù)的發(fā)展，已有的紫外led倒裝芯片將不再成為未來新型應(yīng)用的主流。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種散熱性好、出光率高、防靜電危害的紫外led倒裝芯片。

本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)：

一種紫外led倒裝芯片，主要包括從下往上依次設(shè)置的基板、用于連接外部線路的布線層和芯片外延層。

具體的，所述芯片外延層內(nèi)部采用三明治結(jié)構(gòu)，主要包括通過外延生長工藝由上而下依次設(shè)置的襯底、緩沖層、未摻雜型algan層、n型algan層、量子阱有源區(qū)、p型algan層、p型gan層、用于連接外部電路的n電極和p電極。所述芯片外延層的一側(cè)通過刻蝕工藝去除量子阱有源區(qū)、p型algan層和p型gan層的一部分，使芯片外延層的一側(cè)形成凹陷，該凹陷區(qū)域用于設(shè)置n電極，與量子阱有源區(qū)以上區(qū)域一同構(gòu)成n型半導(dǎo)體區(qū)域，而所述芯片外延層的另一側(cè)未經(jīng)過刻蝕處理，量子阱有源區(qū)以下區(qū)域構(gòu)成p型半導(dǎo)體區(qū)域。

具體的，所述n型半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)設(shè)有貫穿整個n型algan層的第一內(nèi)部接觸層和用于包裹第一內(nèi)部接觸層的第一絕緣層。所述n電極的一端分別與第一內(nèi)部接觸層和n型algan層連接，另一端固定連接在布線層上。所述p型半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)設(shè)有多個第二內(nèi)部接觸層和用于包裹第二內(nèi)部接觸層的第二絕緣層，所述第二內(nèi)部接觸層和第二絕緣層從n型algan層向下依次貫穿至p型gan層，所述p電極的一端與第二內(nèi)部接觸層連接，另一端固定連接在布線層上。所述第一內(nèi)部接觸層的直徑小于n電極，所述第二內(nèi)部接觸層的直徑小于p電極。這樣設(shè)計的目的在于，n型半導(dǎo)體區(qū)域的第一內(nèi)部接觸層與p型半導(dǎo)體區(qū)域的第二內(nèi)部接觸層接觸并導(dǎo)通，從而共同構(gòu)成一條用于釋放靜電的通道；當(dāng)芯片正常工作發(fā)光時，內(nèi)部pn結(jié)正向?qū)?，電流主要從p電極流進(jìn)芯片外延層，并從n電極流出；當(dāng)芯片受到外界的高壓靜電時，內(nèi)部pn結(jié)反向截止，第一內(nèi)部接觸層和第二內(nèi)部接觸層導(dǎo)通，形成電流釋放通道(電流流向從第一內(nèi)部接觸層到第二內(nèi)部接觸層)，靜電電流從該通道中流過，使芯片免受靜電擊穿傷害。

另外，所述布線層上設(shè)有用于隔離n電極和p電極的隔離跑道，該隔離跑道用于n電極和p電極之間的電氣隔離。

進(jìn)一步的，所述芯片外延層還包括提高出光率的反射層，所述反射層設(shè)置在p型gan層與p電極之間，部分光線向下射到反射層后會被反射回來，從而減少光線的損失，提高芯片的出光率。同時，所述第二內(nèi)部接觸層和第二絕緣層均貫穿所述反射層。

再進(jìn)一步的，所述芯片外延層還包括用于加快芯片散熱的透明導(dǎo)電層；所述透明導(dǎo)電層設(shè)置在反射層與p電極之間，這樣設(shè)置既能增加透明導(dǎo)電層與p電極的接觸面積，又能將芯片產(chǎn)生的熱量快速散去，增強芯片的散熱效果，提高芯片的出光率。同時，所述第二內(nèi)部接觸層貫穿所述透明導(dǎo)電層，而所述第二絕緣層只貫穿至反射層。

進(jìn)一步的，所述芯片外延層還包括用于提高出光效率的電流擴展層和電子阻擋層。所述電流擴展層設(shè)置在n型algan層與量子阱有源區(qū)之間，有助于載流子向上流動，增強出光效果。所述電子阻擋層設(shè)置在量子阱有源區(qū)與p型algan層之間，用于減緩或阻礙載流子向下流動，以減弱向下的出光效果。

進(jìn)一步的，所述芯片外延層還包括成核層和aln/algan超晶格。所述成核層設(shè)置在緩沖層與未摻雜型algan層之間，所述aln/algan超晶格設(shè)置在未摻雜型algan層與n型algan層之間，減小了材料內(nèi)部之間的由于熱應(yīng)力、晶格失配以及線性位錯等引起的缺陷，有效提高了晶體質(zhì)量。

進(jìn)一步的，所述芯片外延層還包括導(dǎo)電銀漿層和aln層；所述導(dǎo)電銀漿層和aln層自下而上依次設(shè)置在基板與布線層之間。

作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，為了增強芯片的散熱效果，節(jié)約原材料，本發(fā)明所述p電極和第二內(nèi)部接觸層的數(shù)量均設(shè)為三組，這樣設(shè)計的目的在于增大p電極與其他層之間的接觸面積，使熱量盡快通過三組p電極散發(fā)出去，通過直接在芯片外延層里面設(shè)置金屬或者合金的內(nèi)部接觸層，明顯縮短了外延芯片結(jié)構(gòu)內(nèi)部與外部電極之間的熱路徑；同時設(shè)置多個p電極和第二內(nèi)部接觸層，還避免了單個p電極或者第二內(nèi)部接觸層受到損壞后而造成整體的失效。

作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述n電極設(shè)為用于提高散熱面積的倒l型或z型結(jié)構(gòu)，倒l型或z型結(jié)構(gòu)可以增大n電極與鈍化層之間的接觸面積，并且使電極與芯片外延層的側(cè)壁之間結(jié)合得更緊密，使芯片產(chǎn)生的熱量更容易通過n電極發(fā)散到外界，降低芯片的工作溫度，從而提高芯片的發(fā)光效率。

進(jìn)一步的，所述芯片外延層還包括鈍化層，所述鈍化層用于將n電極與p電極隔離，并對n型半導(dǎo)體區(qū)域和p型半導(dǎo)體區(qū)域的表面進(jìn)行包裹和保護。

作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述布線層上設(shè)有用于連接和散熱的增強型銅箔，所述銅箔設(shè)為十字架形狀，確保與n電極和多個p電極與布線層之間的連接的同時還能并擴大其散熱范圍，使芯片得到有效散熱。

本發(fā)明的工作過程和原理是：本發(fā)明通過刻蝕工藝將芯片外延層的一部分去除，形成用于設(shè)置n電極的區(qū)域，并在芯片外延層內(nèi)分別設(shè)有貫穿n型algan層的第一內(nèi)部接觸層和貫穿p型algan層至透明導(dǎo)電層的第二內(nèi)部接觸層，使芯片內(nèi)部形成一條用于釋放高壓靜電電流釋放通道，從而避免芯片遭受靜電的危害；另外，反射層的設(shè)置可以最大限度反射向下射出的光線，有效提高芯片的出光率；透明導(dǎo)電層的加入可以明顯增大與多個p電極之間的接觸面積，從而加快芯片的散熱速度，獲得更好的散熱效果；最后，本發(fā)明還通過在量子阱有源區(qū)的上方和下方分別設(shè)置電流擴展層和電子阻擋層，加強芯片內(nèi)部載流子向上流動的速度和流量并阻礙載流子的向下流動，使芯片的出光率大大提高。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明還具有以下優(yōu)點：

(1)本發(fā)明所提供的紫外led倒裝芯片外延層中，pn結(jié)發(fā)光區(qū)發(fā)出的紫外光線透過p型半導(dǎo)體區(qū)域射出，在發(fā)光微結(jié)構(gòu)表面設(shè)有類似分布式布拉格結(jié)構(gòu)的反射層，將量子阱有源區(qū)發(fā)出的光線反射回芯片的正面后集中出射，從而提高了芯片的出光效率。

(2)本發(fā)明所提供的紫外led倒裝芯片對芯片進(jìn)行鈍化處理，將n電極、多個p電極和芯片外延層之間相互隔絕起來，起到良好的絕緣和保護作用，避免了雜質(zhì)原子在芯片表面上的吸附，隔離了通過臺階周界所產(chǎn)生的漏電路徑，從而減少了芯片表面的漏電流，避免了芯片工作過程中發(fā)生短路而失效。

(3)本發(fā)明所提供的紫外led倒裝芯片外延結(jié)構(gòu)通過刻蝕和再沉積等工藝來形成內(nèi)部歐姆接觸層和絕緣層，在電學(xué)上形成了與algan基led本身相匹配的靜電電流釋放通道，使得靜電釋放效應(yīng)引起的脈沖電流可以流過通道，使得led芯片免受電應(yīng)力的影響，起到了保護的作用；還防止了外界靜電釋放作用對芯片的損害，提高了芯片的可靠性。

(4)本發(fā)明所提供的紫外led倒裝芯片外延結(jié)構(gòu)通過蒸鍍等技術(shù)在p型gan層表面上依次淀積一層鎳金組成的薄膜反射層和帶有微孔的透明導(dǎo)電層，明顯改善了與p型gan層之間的熱傳導(dǎo)性能，增強了電流擴展能力；另外，光線通過微孔直接透射出去，提高了出光效率，減小了電流擴展效應(yīng)對芯片發(fā)光效率的影響。

(5)本發(fā)明所提供的紫外led倒裝芯片外延結(jié)構(gòu)的芯片發(fā)光區(qū)與電極區(qū)不設(shè)計在同一個平面上，由電極區(qū)平面朝向基板結(jié)構(gòu)表面的金屬布線層進(jìn)行共晶焊封裝，省掉了焊線工序；同時等間距地設(shè)有若干個互連的p電極，結(jié)合優(yōu)化后的金屬布線層上的電極形狀，使得電流擴展更加均勻，芯片散熱速度加快，還可以實現(xiàn)led微晶粒間的串并聯(lián)以及完成led高壓等操作。

(6)本發(fā)明所提供的紫外led倒裝芯片的芯片外延層結(jié)合超廣角、全周等光學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計，以及將芯片外延層進(jìn)行表面粗化處理，使得芯片發(fā)光角度增大、光線反射效果增強以及光耗損減小。

附圖說明

圖1是本發(fā)明所提供的紫外led倒裝芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明所提供的另一種紫外led倒裝芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明所提供的布線層的俯視圖。

圖4是本發(fā)明所提供的pn結(jié)及靜電電流釋放通道的等效示意圖。

上述附圖中的標(biāo)號說明：

1-基板，2-導(dǎo)電銀漿，3-aln(氮化鋁)層，4-布線層，5-p電極，6-透明導(dǎo)電層，7-反射層，8-p型gan(氮化鎵)層,9-p型algan(氮化鋁鎵)層,10-電子阻擋層，11-量子阱有源區(qū)，12-電流擴展層，13-n電極，14-鈍化層，15-n型algan層,16-aln/algan超晶格，17-緩沖層，18-襯底，19-內(nèi)部接觸層，20-成核層，21-未摻雜型algan層，22-絕緣層，23-隔離跑道。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

實施例1：

如圖1所示，本發(fā)明公開了一種紫外led倒裝芯片，該倒裝芯片具有出光率高、散熱性好、可靠性高、防漏電以及防靜電危害等優(yōu)點。主要包括襯底18以及從襯底18上表面依次疊加生長的緩沖層17、未摻雜型algan層21、n型algan層15、量子阱有源區(qū)11、p型algan層9和p型gan層8所構(gòu)成的芯片外延層。該芯片的制備主要包括光刻、icp刻蝕、蒸鍍多個電極、鈍化沉積、減薄劃片、倒裝共晶焊等過程。

具體的，所述紫外led倒裝芯片的規(guī)格為邊長1mm的正方形，基板1規(guī)格為邊長2mm的正方形，厚度為1mm。此時的外延芯片通過金錫共晶焊料沉積、封裝在改進(jìn)型散熱基板1結(jié)構(gòu)上，金錫共晶倒裝焊芯片屬于面面接觸，具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性、潤濕性、耐腐蝕性和抗蠕變性以及機械強度高等優(yōu)點；其工作時產(chǎn)生的熱量直接通過散熱基板1結(jié)構(gòu)進(jìn)行傳導(dǎo)，有效地提高了熱傳導(dǎo)效率，還可耐較大電流沖擊；同時減少了有源區(qū)面積的損失，提高了芯片的出光效率。采用共晶焊技術(shù)將外延芯片與基板1結(jié)構(gòu)相鍵合后形成共晶焊結(jié)構(gòu)，使得外延芯片與基板1結(jié)構(gòu)上的金屬布線層4相匹配后，通過抗紫外焊料進(jìn)行電氣連接，起到了中間橋梁作用，同時減小了虛焊的可能性。

進(jìn)一步的，通過準(zhǔn)確控制倒裝時的溫度，當(dāng)基板1被加熱至500℃的共晶溫度時，金元素滲透到金錫合金層，合金層成份的改變提高了溶點，使得共晶層發(fā)生固化后將led芯片緊固的焊接于基板1上的金屬布線層4等熱沉結(jié)構(gòu)上。橫截面為梯形的共晶焊料受熱以及應(yīng)力后熔解與芯片電性相連，取代了已有技術(shù)中在電極區(qū)域分別設(shè)置芯片焊盤以及在焊盤處涂覆錫膏，使熔解共晶焊料時不會產(chǎn)生大幅度的收縮與推擠，有效避免了芯片傾斜、位置飄移、n型和p型電極兩接觸面直接互連而短路等情況，保證了芯片的使用效果。

所述紫外led倒裝芯片結(jié)構(gòu)中，襯底18上表面設(shè)有緩沖層17，其厚度為50nm。采用與algan晶格匹配度高的sic襯底18，保證了外延芯片的良品率，與在晶片上進(jìn)行激光剝離與化學(xué)腐蝕相比，提高了芯片的發(fā)光效率。外延生長aln緩沖層17時，插入到不同溫度梯度下生長處理進(jìn)而繼續(xù)形成aln成核層20，該成核層20上方設(shè)有未摻雜型algan層21，通過mocvd或movpe等工藝設(shè)備在未摻雜型algan層21上表面生長異質(zhì)結(jié)構(gòu)的aln/algan超晶格16。所述芯片外延層發(fā)光微結(jié)構(gòu)中形成類似分布式布拉格結(jié)構(gòu)的反射層7，將有源區(qū)發(fā)出的光線反射回芯片正面，該反射層7的厚度為0.1um。所述反射層7上設(shè)有帶微孔的透明導(dǎo)電層6，其厚度為0.1um，紫外光可通過微孔透射出去，同時減少了材料對紫外光線的吸收。

所述芯片外延層中，采用兩種不同折射率和厚度的材料，在250～500℃的低溫沉積工藝下，交替使用sio2和tio2或者金剛石薄膜來進(jìn)行鈍化處理，使得芯片外延層形成鈍態(tài)，維持了芯片的表面機構(gòu)以及形態(tài)結(jié)構(gòu)。所形成的薄膜鈍化層14隔離了n型半導(dǎo)體區(qū)域、p型半導(dǎo)體區(qū)域，以及外延芯片結(jié)構(gòu)之間臺階周界所形成的漏電路徑；該薄膜牢固地吸附在芯片外延層表面上，使得芯片外延層與外界介質(zhì)完全隔開，防止了芯片外延層表面與雜質(zhì)接觸而造成污染；對n型半導(dǎo)體區(qū)域和p型半導(dǎo)體區(qū)域的表面也進(jìn)行了包裹和保護，避免了工作過程中瞬間的電場或電流產(chǎn)生的熱對led燈珠局部造成的損害，弱化了電場或電流對led燈珠中絕緣鈍化層14的破壞，使芯片維持正常工作、延長使用壽命以及吸收和阻擋了雜質(zhì)離子向芯片外延層中的擴散，避免了漏電流造成短路而使得芯片失效；同時還形成了類似分布式布拉格反射結(jié)構(gòu)，增強了芯片外延層內(nèi)部光線的反射效果，提高了芯片的亮度。

進(jìn)一步的，蒸鍍的鈍化層14太厚，會影響到芯片的出光效率、增大出光損耗以及出現(xiàn)芯片自身發(fā)熱嚴(yán)重、散熱困難等問題；而鈍化層14太薄，也會影響到芯片的出光效率，本發(fā)明將鈍化層14的厚度優(yōu)化地設(shè)置為1nm。由于pecvd工藝沉積的薄膜具有組份和厚度均勻性好、膜密度較高、針孔和空洞相對較少、熱膨脹系數(shù)與晶格相匹配的、覆蓋性好等優(yōu)點，采用該工藝制備的薄膜作為一種高導(dǎo)熱的、絕緣的鈍化層14，進(jìn)而保護led芯片，該鈍化層14對外延芯片的臺階表面實現(xiàn)了良好的保形覆蓋以及填充小尺寸結(jié)構(gòu)能力。所述鈍化層14被腐蝕后形成若干個凹槽結(jié)構(gòu)，通過等離子體、icp等工藝刻蝕芯片臺面處的n型、p型半導(dǎo)體區(qū)域后，再往凹槽里面沉積一定深度的內(nèi)部接觸層19和絕緣層22。所述內(nèi)部接觸層19位于相對應(yīng)區(qū)域的電極下面，經(jīng)過電極處的光線總會被直接反射回去，減小了出光損耗。

每個凹槽里面分別交替蒸鍍并沉積不同的金屬合金，該區(qū)域處再分別設(shè)有對應(yīng)的擴展型n電極13和多個p電極5，導(dǎo)電銀漿2將該結(jié)構(gòu)處的aln層3和基板1相連接，通過對電極施加壓力，使得芯片固定并連接在改進(jìn)型基板1表面處的金屬布線層4固晶面上。外延芯片與布線層4之間屬于面面接觸，芯片通過電極倒裝在基板1結(jié)構(gòu)的布線層4上，其工作時產(chǎn)生的熱量直接通過布線層4、aln層3和基板1進(jìn)行傳導(dǎo)，提高了熱傳導(dǎo)效率和機械強度，還可耐較大電流沖擊，提供了芯片穩(wěn)定的工作性能。

進(jìn)一步的，所述芯片外延層還包括用于提高出光效率的電流擴展層12和電子阻擋層10。所述電流擴展層12設(shè)置在n型algan層與量子阱有源區(qū)之間，有助于載流子向上流動，增強出光效果。所述電子阻擋層10設(shè)置在量子阱有源區(qū)與p型algan層之間，用于減緩或阻礙載流子向下流動，以減弱向下的出光效果。

將紫外led芯片倒裝到改進(jìn)型基板1時，晶粒底部采用金錫合金來作為接觸面處的金屬布線層4，晶粒焊接于鍍有金屬布線層4的改進(jìn)型基板1上。共晶層和基板1熱沉結(jié)構(gòu)完全鍵合為一體，打破了散熱系統(tǒng)中從芯片到基板1的熱瓶頸，延長了led壽命。所述基板1結(jié)構(gòu)中aln層3表面上設(shè)有的布線層4平面被劃開，形成一道絕緣的隔離跑道23，防止了金屬布線層4直接相導(dǎo)通引起短路而造成芯片失效，金屬布線層4兩端處還分別相應(yīng)地設(shè)有若干個與金屬布線層4之間相互導(dǎo)通的金屬電極導(dǎo)電條。

相應(yīng)地，每個凹槽以下部分的p型半導(dǎo)體區(qū)域處,內(nèi)部接觸層19從透明導(dǎo)電層6開始沉積，并一直貫穿到n型algan層15，而對內(nèi)部接觸層19進(jìn)行包裹的絕緣層22則只從反射層7開始貫穿到n型algan層15，該內(nèi)部接觸層19和絕緣層22均為圓柱狀年輪結(jié)構(gòu)，選用鈦鋁共晶或雙層金屬材料來制備圓柱體內(nèi)芯處的內(nèi)部接觸層19；n型半導(dǎo)體區(qū)域處，設(shè)有貫穿整個n型algan層15的內(nèi)部接觸層19和絕緣層22，該內(nèi)部接觸層19選用鉑金共晶材料。優(yōu)化的，通過內(nèi)含保護材料的電極支架將n電極13延伸至部分p型半導(dǎo)體區(qū)域上，中間使用鈍化層14隔離開來，同時確保了p電極5和n電極13的高度處于同一平面上。

如圖1和圖2所示的方案中，通過等間距地設(shè)置多個p電極5，使得電流擴展更加均勻，有效地降低了熱阻、提高了熱導(dǎo)率，使倒裝芯片滿功率運行；布線層4上設(shè)置的高導(dǎo)熱的金屬電極導(dǎo)電條、多個擴展型p電極5等結(jié)構(gòu)，使得芯片工作時產(chǎn)生的高密度熱量及時地、直接地傳導(dǎo)出去，實現(xiàn)了光與熱的分離，提高了led光源的可靠性。

所述紫外led倒裝芯片結(jié)構(gòu)中，基板1上表面蒸鍍一層厚度為0.1mm的導(dǎo)電銀漿2；接著再生長一層散熱性好的aln層3，厚度為0.4mm；aln層3上表面設(shè)有一層厚度為0.02mm的金屬布線層4。本發(fā)明所述外延芯片層結(jié)構(gòu)，該散熱基板1結(jié)構(gòu)的俯視圖如圖3所示，金屬布線層4被劃開后形成一道隔離的絕緣跑道23，被劃開后的兩塊金屬布線層4分別與p型、n型半導(dǎo)體區(qū)域一一相對應(yīng)，再將外延芯片通過設(shè)置的電極直接倒裝在散熱基板1的金屬布線層4上。該基板1結(jié)構(gòu)由高導(dǎo)熱率的覆銀陶瓷材料組成，有效地控制了芯片結(jié)溫；芯片內(nèi)部產(chǎn)生的熱量通過多個p電極5快速散發(fā)到基板1散熱結(jié)構(gòu)處，有效地提高了芯片的電流擴展和負(fù)載能力，提升了散熱性能以及芯片的光輸出功率，確保了后期芯片封裝密度的可行性。

本發(fā)明所述紫外led芯片外延層，結(jié)合該結(jié)構(gòu)的等效電路進(jìn)行分析，如圖4所示。當(dāng)對外延芯片施加一定的正向偏壓時，電流主要通過pn結(jié)從p電極5到n電極13路徑流過芯片，形成歐姆接觸類型的algan基led；同時由于人體表面處存在靜電放電效應(yīng)，電脈沖會引起反向偏置電壓，此時的pn結(jié)截止，靜電放電電流主要通過位于n型半導(dǎo)體區(qū)域的內(nèi)部接觸層19和位于p型半導(dǎo)體區(qū)域的三個內(nèi)部接觸層19從n電極13到p電極5路徑流過內(nèi)部接觸層19，進(jìn)而形成一條用于釋放靜電電流的通道。兩種不同的結(jié)構(gòu)相結(jié)合形成了完整的閉合回路，避免了靜電放電對芯片的損害，提高了芯片的可靠性。

上述實施例為本發(fā)明較佳的實施方式，但本發(fā)明的實施方式并不受上述實施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。