本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2013年12月18日、申請(qǐng)?zhí)枮?01310697943.x，題為“封裝和電介質(zhì)或各向異性導(dǎo)電(acf)構(gòu)造層”的申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

本公開內(nèi)容的各實(shí)施方式通常涉及集成電路的領(lǐng)域，且尤其涉及用于具有精確的組件-組件對(duì)準(zhǔn)的集成電路(ic)封裝技術(shù)和配置。

背景技術(shù)：

晶圓級(jí)球柵陣列(wlb)技術(shù)已經(jīng)被用來在硅晶片上構(gòu)建集成電路封裝。在wlb封裝中，互連處于扇入(fan-in)配置。相反，嵌入式晶圓級(jí)球柵陣列(ewlb)技術(shù)被用來在由單片芯片和注模材料制成的人造晶圓上構(gòu)建封裝。通常，管芯由取放(pnp)工具面朝下安裝在支承上、過模和固化。然后移除支承，且以扇出配置在管芯的所暴露的面上構(gòu)建互連。

扇出配置提供比傳統(tǒng)的wlb封裝更多的用于互連布線的空間。然而，當(dāng)前的ewlb技術(shù)具有若干缺陷。首先，用來放置組件的取放(pnp)工具是昂貴的，且具有有限的吞吐容量，且并非全部組件都需要相同的放置精度。另外，在成型和固化工藝期間，各組件可能偏移。由于差的管芯(組件)到管芯(組件)的對(duì)準(zhǔn)精度，高密度/高帶寬布線不可行。然后，通過pnp工具把管芯或其他組件放置到支承上的管芯粘附膜(daf)上可以留下陷在管芯或組件下的空腔。最終，可以用激光鉆成的通孔或照相界定的通孔來制作互連，這在成本或性能方面可能不是最優(yōu)的。

附圖說明

結(jié)合附圖，借助下列具體實(shí)施方式將容易理解各實(shí)施方式。為了促進(jìn)這一描述，相同的標(biāo)號(hào)表示相同的結(jié)構(gòu)元件。在附圖的各圖中，作為示例而非限制闡釋各實(shí)施方式。

圖1示意性地闡釋根據(jù)一些實(shí)施方式的示例集成電路(ic)封裝裝配件的橫截面圖。

圖2示意性地闡釋根據(jù)一些實(shí)施方式的另一示例ic封裝裝配件的橫截面圖。

圖3示意性地闡釋根據(jù)一些實(shí)施方式被耦合到電路板的示例ic封裝裝配件的橫截面圖。

圖4是根據(jù)一些實(shí)施方式用于制造ic封裝裝配件的方法的流程圖。

圖5-圖13示意性地闡釋各種制造操作期間或在各種制造操作之后的ic封裝裝配件。

圖5示意性地闡釋根據(jù)一些實(shí)施方式被放置在用于制造示例ic封裝裝配件的支承上的管芯的橫截面圖。

圖6示意性地闡釋根據(jù)一些實(shí)施方式用于制造ic封裝裝配件的示例支承和界面層的橫截面圖。

圖7示意性地闡釋根據(jù)一些實(shí)施方式在把界面層放置在一個(gè)或多個(gè)管芯上之后的示例ic封裝裝配件的組件的橫截面圖。

圖8示意性地闡釋根據(jù)一些實(shí)施方式把界面層放置在一個(gè)或多個(gè)管芯上之后被壓迫在各支承之間的管芯和界面層的橫截面圖。

圖9示意性地闡釋根據(jù)一些實(shí)施方式在從ic封裝裝配件的組件移除支承之后的示例ic封裝裝配件。

圖10示意性地闡釋根據(jù)一些實(shí)施方式在增加電子組件之后的示例ic封裝裝配件。

圖11示意性地闡釋根據(jù)一些實(shí)施方式在增加成型材料之后的示例ic封裝裝配件。

圖12示意性地闡釋根據(jù)一些實(shí)施方式在移除支承之后的示例ic封裝裝配件。

圖13示意性地闡釋根據(jù)一些實(shí)施方式在平整界面層之后的示例ic封裝裝配件。

圖14示意性地闡釋根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)現(xiàn)的計(jì)算設(shè)備。

具體實(shí)施方式

本公開內(nèi)容的各實(shí)施方式描述用于帶有精確的組件到組件對(duì)準(zhǔn)的集成電路(ic)封裝的技術(shù)和配置。在下列描述中，將使用本領(lǐng)域中的技術(shù)人員通常用來向本領(lǐng)域中的其他技術(shù)人員傳播他們的工作要點(diǎn)的術(shù)語來描述說明性實(shí)現(xiàn)的各方面。然而，本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將明顯看出，可以借助于所描述的各方面種的僅一些來實(shí)踐本發(fā)明。出于解釋的目的，陳述了特定的數(shù)字、材料和配置，以便提供對(duì)說明性實(shí)現(xiàn)的透徹理解。然而，本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將明顯看出，不需要特定細(xì)節(jié)就可以實(shí)踐本發(fā)明。在其他實(shí)例中，忽略或簡化了公知的特征，以便不模糊說明性實(shí)現(xiàn)。

在下列具體實(shí)施方式中，對(duì)附圖進(jìn)行引用，附圖構(gòu)成下列具體實(shí)施方式的部分，其中，類似的數(shù)字始終指定類似的部分，且其中作為闡釋示出可以在其中實(shí)踐的本公開內(nèi)容的主題的實(shí)施方式。應(yīng)理解，在不偏離本公開內(nèi)容的范圍的前提下，可以利用其他實(shí)施方式，且可以做出結(jié)構(gòu)或邏輯改變。因此，不應(yīng)以限制意義來理解下列具體實(shí)施方式，且各實(shí)施方式的范圍由所附權(quán)利要求和它們的等效物界定。

出于本公開內(nèi)容的目的，短語“a和/或b”表示(a)、(b)或(a和b)。出于本公開內(nèi)容的目的，短語“a、b和/或c”表示(a)、(b)、(c)、(a和b)、(a和c)、(b和c)或(a、b和c)。

本描述可以使用基于透視的描述，例如頂部/底部、內(nèi)部/外部、上面/下面等等。這樣的描述僅僅用來促進(jìn)討論，且不預(yù)期把在此描述的實(shí)施方式的應(yīng)用限定為任何具體的取向。

本描述可以使用短語“在一個(gè)實(shí)施方式中”或“在多個(gè)實(shí)施方式中”，兩者均可以是指相同的或不同的實(shí)施方式中的一個(gè)或多個(gè)。此外，在相對(duì)于本公開內(nèi)容的實(shí)施方式使用時(shí)，術(shù)語“包含”、“包括”、“具有”等等是同義的。

在此可以使用術(shù)語“與……耦合”以及其衍生物?！榜詈稀笨梢砸庵敢韵轮械囊粋€(gè)或多個(gè)。“耦合”可以表示兩個(gè)或更多個(gè)元件處于直接物理接觸或電接觸。然而，“耦合”也可以表示兩個(gè)或更多個(gè)元件相互間接地接觸，但仍然相互協(xié)作或交互，且可以表示在被稱為相互耦合的元件之間耦合或連接的一個(gè)或多個(gè)其他元件。術(shù)語“直接耦合”可以意指兩個(gè)或元件處于直接接觸。

在各種實(shí)施方式中，短語“界面層”可以表示被形成、沉積或放置在管芯和集成電路襯底之間的連續(xù)或不連續(xù)層。界面層或其某種部分可以與管芯和集成電路襯底中的一個(gè)或多個(gè)直接接觸(例如，直接物理接觸和/或電接觸)或非直接接觸(例如，由一個(gè)或多個(gè)其他層分開)。

本公開內(nèi)容的各實(shí)施方式描述用于集成電路(ic)封裝的技術(shù)和配置。在一些實(shí)施方式中，ic封裝可以包括經(jīng)過界面層連接到集成電路襯底的一個(gè)或多個(gè)管芯。在一些實(shí)施方式中，界面層可以包括被配置為在一個(gè)或多個(gè)組件之間(例如，在管芯和集成電路襯底之間)相對(duì)于由界面層形成/界定的平面向離開平面的方向傳導(dǎo)電信號(hào)的各向異性部分。例如，界面層可以是充當(dāng)在一個(gè)或多個(gè)管芯和集成電路襯底之間的互連的完全的/連續(xù)的各向異性界面層。備選地，界面層可以是電介質(zhì)或絕緣層。作為另一備選，界面層可以包括各向異性部分、電介質(zhì)部分或絕緣部分和由電介質(zhì)部分或絕緣部分圍繞的一個(gè)或多個(gè)互連結(jié)構(gòu)。各向異性部分可以充當(dāng)在管芯/組件和集成電路襯底之間的互連，且電介質(zhì)部分或絕緣部分可以充當(dāng)在相同的或不同的管芯和集成電路襯底之間的互連。在此相對(duì)于界面層描述的原理不限于這些示例，且在其他實(shí)施方式中可以應(yīng)用到其他類型的襯底(例如，電路板)。

圖1示意性地闡釋根據(jù)一些實(shí)施方式的示例集成電路(ic)封裝裝配件100。ic封裝裝配件100可以包括通過界面層112與集成電路襯底122耦合的一個(gè)或多個(gè)管芯(在下文中稱為“管芯102”)。在一些實(shí)施方式中，一個(gè)或多個(gè)管芯互連結(jié)構(gòu)(在下文中為“互連結(jié)構(gòu)106”)也可以把(各)管芯102連接到集成電路襯底122。在各種實(shí)施方式中，管芯102和集成電路襯底122均可以被稱為“ic襯底”。

(各)管芯102可以包括由半導(dǎo)體材料組成的襯底，在該半導(dǎo)體材料上形成有諸如例如晶體管和關(guān)聯(lián)的電路等的電子器件。管芯102的有源側(cè)上可以形成有一個(gè)或多個(gè)晶體管器件。在一些實(shí)施方式中，管芯102可以表示分立的芯片，且可以是、可以包括處理器、存儲(chǔ)器或asic，或者是其部分。

集成電路襯底122可以包括由諸如環(huán)氧樹脂等的聚合物組成的層壓襯底，該聚合物上可以形成有跡線或其他電路。在一些實(shí)施方式中，集成電路襯底122是具有核心和/或一個(gè)或多個(gè)構(gòu)造(bu)層的基于環(huán)氧樹脂的層壓襯底，諸如例如ajinomoto構(gòu)造膜(ajinomotobuild-upfilm，abf)襯底。在其他實(shí)施方式中，集成電路襯底122可以包括其他合適的類型的襯底，包括例如由玻璃、陶瓷或半導(dǎo)體材料制成的襯底。在一些實(shí)施方式中，集成電路襯底122可以是插入層(interposer)。管芯102和集成電路襯底122不限于這些示例材料，且在其他實(shí)施方式中可以包括其他合適的公知的材料。

界面層112可以是各向異性層、電介質(zhì)或電絕緣層、或帶有一個(gè)或多個(gè)各向異性部分和一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)部分的層。在一些實(shí)施方式中，界面層112可以具有在5-30μm(例如，5-25μm、6-20μm、7-15μm)范圍內(nèi)的厚度?？梢园?各)管芯102的第一表面或側(cè)(例如，有源側(cè))附連到界面層112的一側(cè)，且可以把集成電路襯底附連到集成電路襯底122的相對(duì)的第二側(cè)。

在一些實(shí)施方式中，(各)管芯102可以由諸如焊點(diǎn)、柱或其他合適的結(jié)構(gòu)等的一個(gè)或多個(gè)互連結(jié)構(gòu)106連接到集成電路襯底122。在一些實(shí)施方式中，互連結(jié)構(gòu)106可以被配置為傳送去往或來自管芯102的電信號(hào)。電信號(hào)可以包括，例如，與管芯102的操作相關(guān)聯(lián)的輸入/輸出(i/o)信號(hào)和/或電源或地信號(hào)。在一些實(shí)施方式中，互連結(jié)構(gòu)106可以包括被連接到管芯102的有源側(cè)上的焊盤的可焊材料(例如，焊點(diǎn))。在一些實(shí)施方式中，互連結(jié)構(gòu)106可以被配置成焊點(diǎn)的陣列。

集成電路襯底122可以包括被配置為傳送去往或來自管芯102的電信號(hào)的互連元件118。互連元件118可以包括，例如，被放置在集成電路襯底122的一個(gè)或多個(gè)表面上的跡線(未示出)，和/或諸如例如槽、通孔之類的內(nèi)部結(jié)構(gòu)或其他互連結(jié)構(gòu)，以便通過集成電路襯底122傳送電信號(hào)。例如，在一些實(shí)施方式中，互連元件118可以是、或可以包括被配置為容納管芯互連結(jié)構(gòu)106并在管芯102和集成電路襯底122之間傳送電信號(hào)的結(jié)構(gòu)。互連結(jié)構(gòu)106或其部分(例如，可焊材料)可以被連接到集成電路襯底122上的相應(yīng)的互連元件118(例如，管芯焊盤)，以便形成在管芯102和集成電路襯底122之間的導(dǎo)電性接合。

集成電路襯底122可以被配置為使用一個(gè)或多個(gè)封裝互連結(jié)構(gòu)(在下文中為“互連結(jié)構(gòu)124”)來與另一外部組件(例如，諸如圖3的電路板130和/或圖14的主板1402等的電路板)電耦合?；ミB結(jié)構(gòu)124可以包括例如被耦合到互連元件118的可焊材料(例如，焊球)。互連結(jié)構(gòu)124可以被配置為傳送去往或來自集成電路襯底122的電信號(hào)(例如，i/o和/或電源)。在一些實(shí)施方式中，互連結(jié)構(gòu)124可以以球柵陣列(bga)配置排列。

互連結(jié)構(gòu)106、124和互連元件118可以由各種各樣的導(dǎo)電材料中的任何一種構(gòu)成，這些材料包括金屬，諸如例如金、銅、鋁、銀、錫、鈀或鎳。在其他實(shí)施方式中，互連結(jié)構(gòu)106、124和/或互連元件118可以包括與所描述的不同的其他合適的結(jié)構(gòu)或配置，諸如例如柱或其他公知的結(jié)構(gòu)或配置。

在一些實(shí)施方式中，中間層112可以充分地填充在管芯102和集成電路襯底122之間的縫隙和在各互連結(jié)構(gòu)106之間的縫隙，例如如圖3中可見。替代地，中間層112可以部分地填充在管芯102和集成電路襯底122之間的縫隙和/或在各互連結(jié)構(gòu)106之間的縫隙，且縫隙的剩余部分可以由底部填充材料、電介質(zhì)/各向異性膜層或另一材料填充。在一些實(shí)施方式中，用來填充縫隙的剩余部分的底部填充材料可以由諸如例如基于丙烯酸的材料或基于環(huán)氧樹脂的材料(例如樹脂材料)的聚合物構(gòu)成。

在一些實(shí)施方式中，例如如圖1中所示出的，中間層112可以包括電介質(zhì)膜。在其他實(shí)施方式中，例如如圖2中所示出的，中間層112可以包括各向異性膜。在一些實(shí)施方式中，中間層112可以包括電介質(zhì)部分和各向異性部分，且各向異性部分充當(dāng)在一些組件之間的互連，且互連結(jié)構(gòu)106充當(dāng)在其他組件之間的互連。各向異性膜或各向異性部分可以被配置為在管芯和集成電路襯底之間相對(duì)于由界面層形成的平面向離開平面的方向傳導(dǎo)電信號(hào)。

圖3示意性地闡釋根據(jù)一些實(shí)施方式耦合到電路板的示例ic封裝裝配件的橫截面圖。在一些實(shí)施方式中，電路板130可以是印刷電路板(pcb)，該印刷電路板(pcb)由諸如環(huán)氧樹脂層壓等的電絕緣材料構(gòu)成。例如，電路板130可以包括由諸如例如聚四氟乙烯、酚醛棉紙材料(例如阻燃劑4(fr-4)、fr-1)、棉紙和環(huán)氧樹脂材料(例如cem-1或cem-3)、或使用環(huán)氧樹脂樹脂預(yù)浸漬體材料層壓在一起的玻璃布材料等的材料構(gòu)成的電絕緣層?？梢源┻^電絕緣層形成諸如跡線、開槽、通孔等的結(jié)構(gòu)(未示出)，以便把(各)管芯102的電信號(hào)傳送通過電路板130。在其他實(shí)施方式中，電路板130可以由其他合適的材料構(gòu)成。

圖3中僅描述電路板130的一部分。電路板130可以包括被配置為穿過電路板130傳送去往或來自(各)管芯102的電信號(hào)的被耦合到電路板的其他電子器件。在一些實(shí)施方式中，電路板130可以是主板(例如，圖14的主板1402)。

圖4是根據(jù)一些實(shí)施方式用于制造ic封裝裝配件(例如，圖1或圖2的ic封裝裝配件100)的方法的流程圖。方法400可以與結(jié)合圖1-圖3和圖5-圖14描述的各實(shí)施方式一致。

在402，方法400可以包括在一個(gè)或多個(gè)管芯的第一表面上形成互連結(jié)構(gòu)(例如，互連結(jié)構(gòu)106)。其他實(shí)施方式，例如如圖2中所示出，可以缺少402。例如，在包括作為界面層112的各向異性膜的實(shí)施例中，可以省略402。

在404，方法400可以包括把一個(gè)或多個(gè)管芯(例如，管芯102)定位在第一支承上(例如，支承104)。如圖5中所示出，(各)管芯102可以被‘面朝上地’定位在第一支承上，以使得暴露帶有互連結(jié)構(gòu)106(如果有的話)管芯的活動(dòng)的第一表面或第一側(cè)，且管芯的相對(duì)的第二表面或第二側(cè)與支承104接觸。在一些實(shí)施方式中，支承104可以具有一層焊接/粘合材料，在該層焊接/粘合材料上，把(各)管芯104放置在期望的位置并保持。在一些實(shí)施方式中，可以使用夾具系統(tǒng)(例如，真空或靜電)來把(各)管芯102定位在支承104上。例如，支承104可以由多孔材料制成，且可以施加真空以便把(各)管芯102保持在支承104上的期望位置。在把(各)管芯102定位在第一支承104上之前，可以拋光(各)管芯102相對(duì)的第二表面。

在406，方法400可以還包括把界面層放置在(各)管芯102的第一表面上。例如如圖6中所示出，界面層112可以被耦合到第二支承120。在一些實(shí)施方式中，界面層112可以是、或可以包括管芯附連膜(daf)。在一些實(shí)施方式中，界面層112可以包括電介質(zhì)膜、各向異性膜、或帶有電介質(zhì)部分和各向異性部分的膜、和/或粘合劑(例如，熱塑性粘合劑、環(huán)氧樹脂、樹脂)。界面層112可以是連續(xù)層(例如參見圖2)或不連續(xù)層(例如參見圖1)。在一些實(shí)施方式中，界面層112可以作為連續(xù)膜層被施加到第二支承120，且隨后被處理為變成不連續(xù)層(例如，通過激光、蝕刻和/或平整該界面層)。

在一些實(shí)施方式中，中間層114可以被放置在第二支承120和界面層112之間。中間層114可以被配置為響應(yīng)于特定條件從第二支承120釋放界面層112。在一些實(shí)施方式中，中間層114可以是、或可以包括在暴露到特定條件(例如，光、熱、化學(xué)、ph改變、溶劑)時(shí)溶解、分解、降級(jí)和/或變成液體或半固體的材料。在一些實(shí)施方式中，中間層114可以包括一種或多種聚合物(例如，超分子聚合物、樹枝狀聚合物、超枝化聚合物、共聚物)。在一些實(shí)施方式中，中間層114可以包括在預(yù)先確定溫度軟化、變成低粘度液體、升華或蒸發(fā)的樹枝狀聚合物或超枝化聚合物。在一些實(shí)施方式中，中間層114可以可溶于極性或非極性溶劑。其他實(shí)施方式可以缺少中間層114。在那些實(shí)施方式中，可以通過真空壓力、靜電力或其他已知的方法把界面層112耦合到第二支承120。

可以通過已知的方法(例如，熱、壓迫)把界面層112和/或中間層114施加到第二支承120的一個(gè)表面。在一些實(shí)施方式中，可以有選擇地/不連續(xù)地沉積界面層112和/或中間層114以便形成不連續(xù)層。在一些實(shí)施方式中，可以通過噴霧、旋涂、層壓或其他已知的方法把中間層114施加到第二支承120，且隨后可以在分離的工藝中把界面層112施加到中間層114。在其他實(shí)施方式中，可以在單個(gè)工藝中把界面層112和中間層114施加到第二支承120。例如，在把中間層114和界面層112施加到第二支承120之前，可把中間層114形成在界面層112上。

在一些實(shí)施方式中，可以在中間層114內(nèi)或在中間層114和鄰近結(jié)構(gòu)(例如，界面層112、第二支承120、處理層)之間提供響應(yīng)于溫度的增加而膨脹的物質(zhì)。例如，中間層114可以被沉積在第二支承120的表面的周圍，且界面層112可以被耦合到中間層114，在第二支承120的表面和界面層112之間留下氣穴。把熱施加到中間層114可以引起氣穴膨脹，得到第二支承120與界面層112之間的間隔。

在408，方法400可以還包括把一個(gè)或多個(gè)管芯和界面層壓迫在第一支承和第二支承之間。例如如圖7和圖8中所示出，可以把管芯102和界面層112定位在第一支承104和第二支承120之間?？梢园蚜κ┘拥街С?04/120中的其一或兩者以便把管芯102和界面層112壓迫在一起。在一些實(shí)施方式中，可以把力向上施加到第一支承104的底部和/或向下施加到第二支承120的頂部。在一些實(shí)施方式中，可以在壓力受控腔(例如，高壓釜或其他類型的間歇式爐)內(nèi)進(jìn)行壓迫，且可以包括增加或減少該腔內(nèi)的壓力(例如，在0.01atm或更小的低真空壓力至大約10atm的高壓力的范圍內(nèi))。

在410，方法400可以包括固化界面層。固化界面層可以包括在把管芯102和界面層112壓迫在第一支承和第二支承104/120之間期間或在此之后施加熱。例如，可以在預(yù)先確定的溫度或溫度范圍(例如，80-200℃、100-180℃、150-170℃、170-230℃)下在一個(gè)腔體中加熱組件(在壓迫期間或在此之后)。在各實(shí)施方式中，加熱的持續(xù)時(shí)間可以改變(例如，從100秒到若干小時(shí)，這取決于于材料選擇)。在壓迫/加熱期間，來自支承104/120和/或在腔內(nèi)的壓力可以減少或防止(各)管芯102相對(duì)于第一支承104上的期望位置的偏移。把熱施加到組件可以減少或消除在(各)管芯102和界面層112之間的空隙。在一些實(shí)施方式中，界面層112可以具有足夠的體積來填充在(各)管芯102之間和/或在(各)管芯102和其他組件(例如，集成電路襯底122)之間的空間。替代地，一種或多種其他材料(例如，底部填充材料、成型材料、daf膜等等)可以用來填充剩余的空間。

在412，方法400可以還包括從一個(gè)或多個(gè)管芯解耦第一支承(例如參見圖9)。在一些實(shí)施方式中，從一個(gè)或多個(gè)管芯解耦第一支承104可以包括抬高第二支承120和耦合到其的組件(例如，界面層112、管芯102)使之離開第一支承104，或反之亦然。在一些實(shí)施方式中，可以通過負(fù)壓力/真空壓力把第一支承104耦合到(各)管芯102，直到在界面層112的壓迫/固化期間/在此之后施加正壓力。負(fù)壓力/真空壓力的釋放可以允許從(各)管芯102移除第一支承104。在其他實(shí)施方式中，可以通過加熱、光、激光、溶劑、或機(jī)械力來移除被放置在第一支承104的表面和(各)管芯102的相對(duì)的第二側(cè)之間的接合層或粘合劑，以便從(各)管芯102移除第一支承104。

在414，方法400可以包括把電子組件耦合到界面層。例如如圖10中所示出，可以旋轉(zhuǎn)或反轉(zhuǎn)第二支承120以便把(各)管芯102定位在第二支承120上面。一個(gè)或多個(gè)電子組件(例如，時(shí)鐘、晶體、電容器)可以被定位在界面層112上。例如，可以通過取放(pnp)工具(例如，芯片射出機(jī))或其他已知的方法/設(shè)備把不要求高放置精度的組件放置在界面層112上。

在416，方法400可以還包括把成型材料施加到一個(gè)或多個(gè)管芯的相對(duì)的第二表面。成型材料(例如，成型材料126)可以包括例如環(huán)氧樹脂材料或其他合適的材料，以便電絕緣ic封裝裝配件100的電子部件。在所敘述的實(shí)施方式中，成型材料126充當(dāng)(各)管芯102的所暴露的表面的密封劑。如圖11中所示出，成型材料126可以部分地或完全地密封(各)管芯102的相對(duì)的第二側(cè)。

在418，方法400可以還包括從界面層移除第二支承。如上所述，中間層114可以被配置為響應(yīng)于特定條件從第二支承120釋放界面層112。因而，從界面層112移除第二支承120可以包括把光、熱、化學(xué)、ph改變、溶劑和/或機(jī)械力施加到中間層114和/或附連到第二支承120的一個(gè)或多個(gè)組件。作為響應(yīng)，中間層114可以溶解、降級(jí)/退化、軟化、變成低粘度液體、升華或蒸發(fā)以便從界面層112釋放第二支承120。在缺少中間層114的一些實(shí)施方式中，移除第二支承可以包括釋放負(fù)壓力、施加機(jī)械力或中和靜電力。圖12示意性地闡釋根據(jù)一些實(shí)施方式在移除第二支承120之后的示例ic封裝裝配件。

在420，方法400可以包括平整界面層以便暴露(各)管芯上的(各)互連元件。例如如圖13中所示出，可以作為一個(gè)單元翻轉(zhuǎn)或反轉(zhuǎn)各組件以便把界面層112定位在成型材料126上面。界面層112可以被平整到暴露(各)管芯102上的互連元件106所需要的程度。在一些實(shí)施方式中，界面層可以被平整到移除互連元件106的一部分和/或互連元件106上的涂層或其他表面處理(例如，保護(hù)性涂層)所要求的深度。

一些實(shí)施方式可以缺少420。例如，在一些實(shí)施方式中，界面層112是相對(duì)于界面層的平面向離開平面的方向傳導(dǎo)信號(hào)各向異性層，且省略了互連元件106。在其他實(shí)施方式中，互連元件106可以作為固化結(jié)果而暴露(例如，由于在加熱時(shí)界面層112的熔融和流動(dòng))。

在422，方法400可以包括把集成電路襯底與界面層耦合在一起。如上所述，集成電路襯底122可以包括一個(gè)或多個(gè)互連元件118(例如，焊盤)。在一些實(shí)施方式中，(各)管芯102可以缺少互連結(jié)構(gòu)106，并且把集成電路襯底122耦合到界面層112可以包括把界面層112放置為面對(duì)集成電路襯底122并把熱和/或壓力施加到那些組件。例如，可以把壓力施加到成型材料126和/或集成電路襯底以便對(duì)著界面層112壓迫集成電路襯底。作為另一示例，可以把熱施加到組件(例如，在高壓釜或其他類型的爐中)以便把集成電路襯底122接合到界面層112。替代地，可以同時(shí)地或不同時(shí)地施加熱和壓力兩者。

在其他實(shí)施方式中，可以沿著界面層112的表面暴露互連結(jié)構(gòu)106，且把集成電路襯底122耦合到界面層112可以包括把互連結(jié)構(gòu)106與互連元件118對(duì)準(zhǔn)并加熱ic封裝以便軟化或熔融互連結(jié)構(gòu)106。這可以引起互連結(jié)構(gòu)106接合到互連元件118。在一些實(shí)施方式中，在加熱ic封裝期間和/或在此之后，可以施加壓力以便對(duì)著集成電路襯底122壓迫互連結(jié)構(gòu)106和界面層112。

在一些實(shí)施方式中，方法400可以還包括在界面層112中形成一個(gè)或多個(gè)通孔。例如，在一些實(shí)施方式中，界面層112可以包括被放置在電子組件或管芯102的一部分上的電介質(zhì)部分?？梢酝ㄟ^已知的方法(例如，激光)在電介質(zhì)部分中形成通孔，以便把組件或管芯的部分連接到集成電路襯底122。替代地，在一些實(shí)施方式中，可以省略通孔。例如，在界面層112是各向異性和/或具有把每一管芯/電子組件連接到集成電路襯底的各向異性部分的實(shí)施方式中，可以省略通孔。

在一些實(shí)施方式中，方法400可以還包括把電路板耦合到ic封裝裝配件。例如如圖3中所示出，電路板(例如，電路板130)可以被耦合到集成電路襯底122。在一些實(shí)施方式中，把電路板130耦合到ic封裝裝配件(例如，ic封裝裝配件100)可以包括把互連結(jié)構(gòu)124(例如，焊球)耦合到集成電路襯底122的互連元件118并耦合到電路板130的相應(yīng)的互連元件132(例如，焊盤)，以便形成被配置為進(jìn)一步把(各)管芯102的電信號(hào)傳送到電路板130的相應(yīng)焊點(diǎn)。

以最有助于理解所要求保護(hù)的本主題的方式把各種操作按順序描述為多個(gè)分離的操作。然而，描述的順序不應(yīng)被解釋成暗示這些操作必定是跟順序有關(guān)的。本公開內(nèi)容的各實(shí)施方式可以被實(shí)現(xiàn)成使用任何合適的硬件和/或軟件來根據(jù)期望配置的系統(tǒng)。圖14示意性地闡釋根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)現(xiàn)的計(jì)算設(shè)備1400。計(jì)算設(shè)備1400可以容納諸如主板1402等的板。主板1402可以包括多個(gè)組件，包括但不限于處理器1404和至少一個(gè)通信芯片1406。處理器1404可以物理耦合和電耦合到主板1402。在一些實(shí)現(xiàn)中，至少一個(gè)通信芯片1406也可以物理耦合和電耦合到主板1402。在進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)中，通信芯片1406可以處理器1404的一部分。

取決于其應(yīng)用，計(jì)算設(shè)備1400可以包括可以物理耦合和電耦合到主板1402或者不物理耦合和電耦合到主板1402的其他組件。這些其他組件可以包括但不限于易失性存儲(chǔ)器(例如，dram)、非易失性存儲(chǔ)器(例如，rom)、閃存、圖形處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、加密處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(gps)設(shè)備、羅盤、加速度計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器、照相機(jī)和大容量存儲(chǔ)設(shè)備(例如硬盤驅(qū)動(dòng)器、緊致盤(cd)、數(shù)字多用盤(dvd)等等)。

通信芯片1406可以允許用于傳送去往或來自計(jì)算設(shè)備1400的數(shù)據(jù)的無線通信。術(shù)語“無線”及其派生詞可以用來描述可以通過使用經(jīng)調(diào)制電磁輻射穿過非固態(tài)介質(zhì)傳輸數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等等。該術(shù)語不暗示關(guān)聯(lián)的設(shè)備不包含任何線路，但在一些實(shí)施方式中它們可以不包含任何線路。通信芯片1406可以實(shí)現(xiàn)多種包括但不限于電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(ieee)標(biāo)準(zhǔn)的無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任何，這些標(biāo)準(zhǔn)包括wi-fi(ieee802.11系列)、ieee802.16標(biāo)準(zhǔn)(例如，ieee802.16-2005修訂)，長期演進(jìn)(lte)以及任何修訂、更新和/或修改(例如，高級(jí)lte項(xiàng)目，超移動(dòng)寬帶(umb)項(xiàng)目(也稱為“3gpp2”)等等)。ieee802.16兼容寬帶無線接入網(wǎng)絡(luò)通常被稱為wimax網(wǎng)絡(luò)，這是代表微波接入全球互通(worldwideinteroperabilityformicrowaveaccess)的縮寫，它是通過ieee802.16標(biāo)準(zhǔn)的一致性和互操作性測試的產(chǎn)品的認(rèn)證標(biāo)志。通信芯片1406可以根據(jù)全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(gsm)、通用分組無線業(yè)務(wù)(gprs)、通用移動(dòng)電信系統(tǒng)(umts)、高速分組接入(hspa)、演進(jìn)式hspa(e-hspa)或lte網(wǎng)絡(luò)操作。通信芯片1406可以操作根據(jù)增強(qiáng)數(shù)據(jù)率gsm演進(jìn)(edge)、gsmedge無線接入網(wǎng)絡(luò)(geran)、通用陸地?zé)o線接入網(wǎng)絡(luò)(utran)或演進(jìn)式utran(e-utran)操作。通信芯片1406可以根據(jù)碼分多址(cdma)、時(shí)分多址(tdma)、數(shù)字增強(qiáng)型無繩通信(dect)，演進(jìn)式數(shù)據(jù)優(yōu)化(ev-do)、其衍生物以及被稱為3g、4g、5g和更高的任何其他無線協(xié)議操作。在其他實(shí)施方式中，通信芯片1406可以根據(jù)其他無線協(xié)議操作。

計(jì)算設(shè)備1400可以包括多個(gè)通信芯片1406。舉例來說，第一通信芯片1406可以專用于諸如wi-fi和藍(lán)牙等的短距離無線通信，且第二通信芯片1406可以專用于諸如gps、edge、gprs、cdma、wimax、lte、ev-do和其他等的遠(yuǎn)距離無線通信。

計(jì)算設(shè)備1400的處理器1404可以包括在此描述的ic封裝裝配件(例如，圖1或圖2中的ic封裝裝配件100)中的管芯(例如，圖1或圖2的第一管芯102或第二管芯102)。術(shù)語“處理器”可以是指處理來自寄存器和/或存儲(chǔ)器的電子數(shù)據(jù)以便把該電子數(shù)據(jù)變換成可以被存儲(chǔ)在寄存器和/或存儲(chǔ)器中的其他電子數(shù)據(jù)的任何設(shè)備或設(shè)備的部分。

通信芯片1406也可以包括在此描述的ic封裝裝配件(例如，圖1或圖2的ic封裝裝配件100)中的管芯(例如，圖1或圖2的第一管芯102或第二管芯102)。在進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)中，計(jì)算設(shè)備1400內(nèi)容納的另一組件(例如，存儲(chǔ)器設(shè)備或其他集成電路設(shè)備)可以包含在此描述的ic封裝裝配件(例如，圖1或圖2的ic封裝裝配件100)中的管芯(例如，圖1或圖2的第一管芯102或第二管芯102)。

計(jì)算設(shè)備1400可以被配置為執(zhí)行被存儲(chǔ)在本文描述的存儲(chǔ)介質(zhì)上的指令以執(zhí)行各種動(dòng)作。在各種實(shí)現(xiàn)中，計(jì)算設(shè)備1400可以是膝上型計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本、超極本、智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、超移動(dòng)pc、移動(dòng)電話、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂控制單元、數(shù)碼相機(jī)、便攜式音樂播放器或數(shù)字錄像機(jī)。在進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)中，計(jì)算設(shè)備1400可以是處理數(shù)據(jù)的任何其他電子設(shè)備。

本公開內(nèi)容的各實(shí)施方式可以提供具有改善的性能、較低的成本和/或減少的尺寸(例如，用于較小的形狀因子)的ic封裝?？梢园迅鶕?jù)在此描述的各實(shí)施方式的技術(shù)和配置應(yīng)用到cpu/處理器、芯片組、圖形設(shè)備、無線設(shè)備和/或包括與一個(gè)或多個(gè)其他設(shè)備組合的cpu的多芯片/3d封裝。相比于先前的技術(shù)和配置，在此公開的各實(shí)施方式可以提供較高的在芯片/管芯之間的通孔密度、較高的在芯片/管芯之間的傳輸密度和/或改善的組件(芯片/管芯)到組件(芯片/管芯)的對(duì)準(zhǔn)(例如，從15μm到少于5μm的標(biāo)準(zhǔn)差，或從15μm到約2μm的標(biāo)準(zhǔn)差)。

上面對(duì)所闡釋的本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)的描述，包括摘要中所描述的內(nèi)容，不預(yù)期是詳盡的或把本發(fā)明限制在所公開的確切形式。盡管在此出于說明性目的描述了本發(fā)明的特定實(shí)現(xiàn)及其示例，但如相關(guān)領(lǐng)域中的技術(shù)人員將明白的，在本發(fā)明的范圍內(nèi)的各種等效的修改也是可能的。

根據(jù)上面的具體實(shí)施方式，可以對(duì)本發(fā)明做出這些修改。下列的權(quán)利要求中所使用的術(shù)語不應(yīng)被解釋為把本發(fā)明限制在說明書和權(quán)利要求所公開的特定實(shí)現(xiàn)。相反，本發(fā)明的范圍應(yīng)完全由下列權(quán)利要求確定，下列權(quán)利要求應(yīng)根據(jù)所確立的權(quán)利要求解釋原理來解釋。