本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

以往，已知有在半導(dǎo)體元件中在設(shè)置于基板正面的溝槽內(nèi)形成柵極等電極的構(gòu)成(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。沿溝槽的內(nèi)壁形成絕緣膜，在絕緣膜的內(nèi)側(cè)形成多晶硅等的電極。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2002-353456號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

技術(shù)問題

若使半導(dǎo)體元件逐漸進(jìn)行微細(xì)化，則形成在溝槽的內(nèi)壁的絕緣膜也變薄。其結(jié)果導(dǎo)致溝槽開口附近的絕緣膜的可靠性下降。

技術(shù)方案

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，提供具備半導(dǎo)體基板、虛設(shè)溝槽部和第1正面?zhèn)入姌O的半導(dǎo)體裝置。虛設(shè)溝槽部可以形成在半導(dǎo)體基板的正面。第1正面?zhèn)入姌O可以形成在半導(dǎo)體基板的正面的上方。第1正面?zhèn)入姌O可以含有金屬。虛設(shè)溝槽部可以具有虛設(shè)溝槽、絕緣膜、虛設(shè)導(dǎo)電部和保護(hù)部。虛設(shè)溝槽可以形成在半導(dǎo)體基板的正面。絕緣膜可以形成在虛設(shè)溝槽的內(nèi)壁。虛設(shè)導(dǎo)電部可以在虛設(shè)溝槽的內(nèi)部與絕緣膜相比形成在內(nèi)側(cè)。保護(hù)部可以具有使虛設(shè)導(dǎo)電部的至少一部分露出的開口，并且在半導(dǎo)體基板的正面覆蓋絕緣膜。第1正面?zhèn)入姌O可以具有形成在保護(hù)部的開口內(nèi)的部分。第1正面?zhèn)入姌O可以與虛設(shè)導(dǎo)電部接觸。

半導(dǎo)體裝置還可以具備柵極溝槽部。柵極溝槽部可以形成在半導(dǎo)體基板的正面。柵極溝槽部可以具有柵極溝槽、絕緣膜、柵極導(dǎo)電部和柵極絕緣部。柵極溝槽可以形成在半導(dǎo)體基板的正面。絕緣膜可以形成在柵極溝槽的內(nèi)壁。柵極導(dǎo)電部可以在柵極溝槽的內(nèi)部與絕緣膜相比形成在內(nèi)側(cè)。柵極絕緣部可以設(shè)置在柵極導(dǎo)電部的上方。柵極絕緣部可以使柵極導(dǎo)電部與第1正面?zhèn)入姌O絕緣。

柵極絕緣部可以設(shè)置為在半導(dǎo)體基板的正面覆蓋柵極溝槽。形成于保護(hù)部的開口的寬度可以小于彼此相鄰而設(shè)置的保護(hù)部與柵極絕緣部之間的距離。

第1正面?zhèn)入姌O可以具有虛設(shè)插塞部和電極部。虛設(shè)插塞部可以形成在保護(hù)部的開口內(nèi)。虛設(shè)插塞部可以與虛設(shè)導(dǎo)電部接觸。虛設(shè)插塞部可以是金屬。電極部可以形成在虛設(shè)插塞部的上方。電極部可以是與虛設(shè)插塞部的材料不同的金屬。

虛設(shè)插塞部可以含有鎢。

第1正面?zhèn)入姌O還可以具備臺(tái)面插塞部。臺(tái)面插塞部可以由與虛設(shè)插塞部的材料相同的材料形成。臺(tái)面插塞部可以形成在保護(hù)部與柵極絕緣部之間。臺(tái)面插塞部可以與半導(dǎo)體基板的正面接觸。

虛設(shè)插塞部可以與臺(tái)面插塞部相比在深度方向更長。

虛設(shè)溝槽部可以形成為在半導(dǎo)體基板的正面沿預(yù)先確定的延伸方向延伸。柵極溝槽部可以具有對(duì)置部和突出部。對(duì)置部可以在與虛設(shè)溝槽部對(duì)置的范圍沿延伸方向延伸地形成。突出部可以從對(duì)置部進(jìn)一步延伸，并形成在不與虛設(shè)溝槽部對(duì)置的范圍。半導(dǎo)體裝置可以還具備第2正面?zhèn)入姌O。第2正面?zhèn)入姌O可以形成在突出部的上方。突出部中的柵極導(dǎo)電部可以與第2正面?zhèn)入姌O電連接。

突出部的柵極絕緣部可以具有使柵極導(dǎo)電部露出的開口。第2正面?zhèn)入姌O可以具有柵極插塞部。第2正面?zhèn)入姌O可以形成在柵極絕緣部的開口內(nèi)。第2正面?zhèn)入姌O可以與柵極導(dǎo)電部接觸。第2正面?zhèn)入姌O可以是金屬。

柵極插塞部可以由與虛設(shè)插塞部的材料相同的材料形成。

柵極插塞部可以與虛設(shè)插塞部在深度方向上具有相同長度。

應(yīng)予說明，上述的發(fā)明內(nèi)容并未列舉出本發(fā)明的全部特征。另外，這些特征組的再組合也可以成為發(fā)明。

附圖說明

圖1是表示半導(dǎo)體裝置100的一例的俯視圖。

圖2是表示圖1中的a-a'截面的一例的圖。

圖3是將虛設(shè)溝槽部30和柵極溝槽部40的周圍的構(gòu)造進(jìn)行放大后的放大截面圖。

圖4是表示圖1中的b-b'截面的一例的圖。

圖5是表示比較例的半導(dǎo)體裝置200的構(gòu)成的圖。

圖6是表示圖5中的c-c'截面的圖。

圖7是表示圖5中的d-d'截面的圖。

符號(hào)說明

10：半導(dǎo)體基板、12：發(fā)射區(qū)、14：基區(qū)、15：接觸區(qū)、16：蓄積區(qū)、17：阱區(qū)、18：漂移區(qū)、20：緩沖區(qū)、22：集電區(qū)、24：集電極、26：層間絕緣膜、30：虛設(shè)溝槽部、32：絕緣膜、34：虛設(shè)導(dǎo)電部、35：柵極插塞部、36：虛設(shè)插塞部、37：柵極絕緣部、38：保護(hù)部、39：臺(tái)面插塞部、40：柵極溝槽部、41：對(duì)置部、42：絕緣膜、44：柵極導(dǎo)電部、43：突出部、50：柵極、51：柵極端子、52：發(fā)射極、53：發(fā)射極端子、54：接觸孔、55：接觸孔、56：電極部、60：發(fā)射極溝槽部、62：絕緣膜、64：發(fā)射極導(dǎo)電部、70：晶體管部、80：二極管部、82：陰極區(qū)、100：半導(dǎo)體裝置、200：半導(dǎo)體裝置、210：半導(dǎo)體基板、212：發(fā)射區(qū)、214：基區(qū)、215：接觸區(qū)、216：蓄積區(qū)、217：阱區(qū)、218：漂移區(qū)、220：緩沖區(qū)、221：多晶硅層、222：集電區(qū)、224：集電極、225：多晶硅層、226：接觸孔、228：接觸孔、230：虛設(shè)溝槽部、232：絕緣膜、234：虛設(shè)導(dǎo)電部、238：絕緣部、240：柵極溝槽部、242：絕緣膜、244：柵極導(dǎo)電部、248：多晶硅層、249：接觸孔、250：柵極、251：柵極端子、252：發(fā)射極、253：發(fā)射極端子、254：接觸孔、260：發(fā)射極溝槽部、262：絕緣膜、264：發(fā)射極導(dǎo)電部、270：晶體管部、280：二極管部、282：陰極區(qū)。

具體實(shí)施方式

以下，通過本發(fā)明的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明，但以下的實(shí)施方式不限定權(quán)利要求書所涉及的發(fā)明。另外，在實(shí)施方式中說明的特征的全部組合對(duì)于發(fā)明的解決方案不是必須的。

圖1是表示半導(dǎo)體裝置100的一例的俯視圖。本例的半導(dǎo)體裝置100是如下的半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有包括igbt(insulatedgatebipolartransistor：絕緣柵雙極型晶體管)等晶體管在內(nèi)的晶體管部70和包括fwd(freewheeldiode：續(xù)流二極管)等二極管在內(nèi)的二極管部80。在圖1中表示芯片端部周圍的芯片正面，并省略了其它區(qū)域。

另外，在圖1中表示半導(dǎo)體裝置100中的半導(dǎo)體基板的有源區(qū)，但半導(dǎo)體裝置100可以以包圍有源區(qū)的方式具有耐壓構(gòu)造部。有源區(qū)是指在將半導(dǎo)體裝置100控制為導(dǎo)通狀態(tài)的情況下電流流動(dòng)的區(qū)域。耐壓構(gòu)造部緩和半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)鹊碾妶黾?。耐壓?gòu)造部具有例如保護(hù)環(huán)、場板、降低表面場(resurf)和由它們組合而成的構(gòu)造。

本例的半導(dǎo)體裝置100在芯片的正面?zhèn)染哂袞艠O50、發(fā)射極52、柵極溝槽部40、虛設(shè)溝槽部30、發(fā)射極溝槽部60、阱區(qū)17、發(fā)射區(qū)12、基區(qū)14、接觸區(qū)15、接觸孔54和接觸孔55。發(fā)射極52是第1正面?zhèn)入姌O的一例，柵極50是第2正面?zhèn)入姌O的一例。

柵極溝槽部40、虛設(shè)溝槽部30、發(fā)射極溝槽部60、阱區(qū)17、發(fā)射區(qū)12、基區(qū)14和接觸區(qū)15形成在半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)鹊膬?nèi)部，發(fā)射極52和柵極50設(shè)置在半導(dǎo)體基板的正面的上方。

在發(fā)射極52和柵極50與半導(dǎo)體基板的正面之間形成層間絕緣膜，但在圖1中省略。接觸孔54和接觸孔55形成為貫穿該層間絕緣膜。發(fā)射極52通過接觸孔54而與半導(dǎo)體基板接觸。柵極50通過接觸孔55而與半導(dǎo)體基板接觸。

發(fā)射極52和柵極50由含有金屬的材料形成。例如，各電極的至少一部分的區(qū)域由鋁形成。各電極也可以具有由含有鎢的材料形成的區(qū)域。

1個(gè)以上的柵極溝槽部40和1個(gè)以上的虛設(shè)溝槽部30在晶體管部70的區(qū)域沿預(yù)定的排列方向以預(yù)定的間隔排列。虛設(shè)溝槽部30形成為在半導(dǎo)體基板的正面沿預(yù)先確定的延伸方向延伸。本例中的虛設(shè)溝槽部30具有直線形狀，形成為沿與上述的排列方向垂直的方向延伸。

柵極溝槽部40具有對(duì)置部41和突出部43。對(duì)置部41形成為在與虛設(shè)溝槽部30對(duì)置的范圍內(nèi)沿上述的延伸方向延伸。也就是說，對(duì)置部41形成為與虛設(shè)溝槽部30平行。突出部43從對(duì)置部41進(jìn)一步延伸，形成在未與虛設(shè)溝槽部30對(duì)置的范圍。在本例中，設(shè)置在虛設(shè)溝槽部30的兩側(cè)的2個(gè)對(duì)置部41通過1個(gè)突出部43連接。突出部43的至少一部分可以具有曲線形狀。

在覆蓋突出部43的絕緣層形成有接觸孔55。接觸孔55可以與在突出部43距離對(duì)置部41最遠(yuǎn)的區(qū)域?qū)?yīng)地形成。本例的突出部43在距離對(duì)置部41最遠(yuǎn)的區(qū)域，具有沿與對(duì)置部41正交的方向延伸的部分。接觸孔55可以與突出部43的該部分對(duì)應(yīng)地形成。

發(fā)射極溝槽部60設(shè)置在二極管部80的區(qū)域。發(fā)射極溝槽部60可以具有與柵極溝槽部40相同的形狀。但是，發(fā)射極溝槽部60的延伸方向上的長度可以比柵極溝槽部40短。本例的發(fā)射極溝槽部60的長度與虛設(shè)溝槽部30相同。

柵極50形成為覆蓋突出部43的一部分。柵極50形成為覆蓋在突出部43設(shè)有接觸孔55的部分。本例的柵極50不形成在對(duì)置部41、虛設(shè)溝槽部30和發(fā)射極溝槽部60的上方。

發(fā)射極52形成在柵極溝槽部40、虛設(shè)溝槽部30、發(fā)射極溝槽部60、阱區(qū)17、發(fā)射區(qū)12、基區(qū)14和接觸區(qū)15的上方。本例的發(fā)射極52形成為覆蓋阱區(qū)17和柵極溝槽部40的一部分。

阱區(qū)17從半導(dǎo)體基板的設(shè)有柵極50的一側(cè)的端部起形成在預(yù)定的范圍。阱區(qū)17的擴(kuò)散深度可以比柵極溝槽部40、虛設(shè)溝槽部30、發(fā)射極溝槽部60的深度深。虛設(shè)溝槽部30、發(fā)射極溝槽部60和對(duì)置部41的柵極50側(cè)的一部分的區(qū)域形成在阱區(qū)17。虛設(shè)溝槽部30的延伸方向的一端的底可以被阱區(qū)17覆蓋。整個(gè)突出部43可以形成在阱區(qū)17。半導(dǎo)體基板具有第1導(dǎo)電型，阱區(qū)17具有與半導(dǎo)體基板不同的第2導(dǎo)電型。本例的半導(dǎo)體基板為n^-型，阱區(qū)17為p⁺型。在本例中，以第1導(dǎo)電型為n型、第2導(dǎo)電型為p型進(jìn)行說明。但是，第1導(dǎo)電型和第2導(dǎo)電型也可以為相反的導(dǎo)電型。

在位于各溝槽部之間的區(qū)域形成有基區(qū)14?；鶇^(qū)14為雜質(zhì)濃度比阱區(qū)17的雜質(zhì)濃度低的第2導(dǎo)電型。本例的基區(qū)14為p^-型。

在基區(qū)14的正面形成有雜質(zhì)濃度比基區(qū)14的雜質(zhì)濃度高的第2導(dǎo)電型的接觸區(qū)15。本例的接觸區(qū)15為p⁺型。另外，在晶體管部70，雜質(zhì)濃度比半導(dǎo)體基板的雜質(zhì)濃度高的第1導(dǎo)電型的發(fā)射區(qū)12選擇性地形成在接觸區(qū)15的正面的一部分。本例的發(fā)射區(qū)12為n⁺型。

接觸區(qū)15和發(fā)射區(qū)12分別以從相鄰的一個(gè)溝槽部起到另一個(gè)溝槽部為止的方式形成。晶體管部70的1個(gè)以上的接觸區(qū)15和1個(gè)以上的發(fā)射區(qū)12以在處于各溝槽部之間的區(qū)域沿溝槽部的延伸方向交替露出的方式形成。

在晶體管部70，接觸孔54形成在接觸區(qū)15、發(fā)射區(qū)12和虛設(shè)溝槽部30的各區(qū)域的上方。接觸孔54使虛設(shè)溝槽部30的中央部、發(fā)射區(qū)12和接觸區(qū)15露出，并且，不使虛設(shè)溝槽部30的端部和柵極溝槽部40露出。

本例的半導(dǎo)體裝置100具有沿與虛設(shè)溝槽部30的延伸方向平行的方向延伸而形成的多個(gè)接觸孔54。具體的地，沿各個(gè)虛設(shè)溝槽部30的中央形成接觸孔54。該接觸孔54不使虛設(shè)溝槽部30的端部露出。

另外，在各個(gè)虛設(shè)溝槽部30的兩側(cè)形成有與虛設(shè)溝槽部30隔開的接觸孔54。該接觸孔54形成為遍及1個(gè)以上的接觸區(qū)15和1個(gè)以上的發(fā)射區(qū)12而延伸。該接觸孔54可以不形成在基區(qū)14。形成在虛設(shè)溝槽部30的兩側(cè)的接觸孔54設(shè)置在與沿虛設(shè)溝槽部30的中央形成的接觸孔54對(duì)置的范圍內(nèi)。

另外，該接觸孔54形成為與柵極溝槽部40隔開。該接觸孔54可以配置在柵極溝槽部40與虛設(shè)溝槽部30之間的大致中央。

利用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠使虛設(shè)溝槽部30的中央部與發(fā)射極52接觸，并且利用層間絕緣膜覆蓋虛設(shè)溝槽部30的端部。因此，能夠保護(hù)形成于虛設(shè)溝槽部30的內(nèi)壁的絕緣膜。

另外，在二極管部80中也是同樣，接觸孔54形成在接觸區(qū)15、基區(qū)14和發(fā)射極溝槽部60的各區(qū)域的上方。接觸孔54使發(fā)射極溝槽部60的中央部、接觸區(qū)15和基區(qū)14露出，并且，不使發(fā)射極溝槽部60的端部露出。本例的接觸孔54不形成在多個(gè)基區(qū)14中最靠近柵極50的基區(qū)14。在本例中，晶體管部70的接觸孔54和極管部80的接觸孔54在各溝槽部的延伸方向上具有相同的長度。

利用這樣的構(gòu)成，能夠使發(fā)射極溝槽部60的中央部與發(fā)射極52接觸，并且利用層間絕緣膜覆蓋發(fā)射極溝槽部60的端部。因此，能夠保護(hù)形成于發(fā)射極溝槽部60的內(nèi)壁的絕緣膜。

圖2是表示圖1中的a-a'截面的一例的圖。本例的半導(dǎo)體裝置100在該截面中具有半導(dǎo)體基板10、發(fā)射極52和集電極24。在本例的半導(dǎo)體基板10的正面形成柵極絕緣部37和保護(hù)部38。本例的柵極絕緣部37和保護(hù)部38是形成在半導(dǎo)體基板10的正面的層間絕緣膜的一部分。例如柵極絕緣部37和保護(hù)部38是在半導(dǎo)體基板10的正面以預(yù)定的圖案形成的psg膜或bpsg膜等絕緣膜的一部分。發(fā)射極52形成在半導(dǎo)體基板10的正面。發(fā)射極52與發(fā)射極端子53電連接。

集電極24形成在半導(dǎo)體基板10的背面。集電極24與集電極端子電連接。發(fā)射極52和集電極24由金屬等導(dǎo)電材料形成。另外，在本說明書中，將基板、層、區(qū)域等各部件的發(fā)射極52側(cè)的面稱作正面，將集電極24側(cè)的面稱作背面或底部。另外，將連接發(fā)射極52與集電極24的方向稱作深度方向。

半導(dǎo)體基板10可以是硅基板，也可以是碳化硅基板、氮化物半導(dǎo)體基板等。在半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)刃纬捎衟^-型的基區(qū)14。另外，n⁺型的發(fā)射區(qū)12選擇性地形成在基區(qū)14的正面?zhèn)鹊囊徊糠值膮^(qū)域。

另外，半導(dǎo)體基板10還具有n⁺型的蓄積區(qū)16、n^-型的漂移區(qū)18、n^-型的緩沖區(qū)20、p⁺型的集電區(qū)22和n⁺型的陰極區(qū)82。蓄積區(qū)16形成在基區(qū)14的背面?zhèn)?。蓄積區(qū)16的雜質(zhì)濃度高于漂移區(qū)18的雜質(zhì)濃度。

蓄積區(qū)16形成在相鄰的溝槽之間。例如在晶體管部70，蓄積區(qū)16形成在虛設(shè)溝槽部30與柵極溝槽部40之間。蓄積區(qū)16可以以覆蓋虛設(shè)溝槽部30與柵極溝槽部40之間的全部區(qū)域的方式設(shè)置。通過設(shè)置蓄積區(qū)16，可以提高ie效果，降低導(dǎo)通電壓。

漂移區(qū)18形成在蓄積區(qū)16的背面?zhèn)?。緩沖區(qū)20形成在漂移區(qū)18的背面?zhèn)?。緩沖區(qū)20的雜質(zhì)濃度高于漂移區(qū)18的雜質(zhì)濃度。緩沖區(qū)20可以作為防止從基區(qū)14的背面?zhèn)葦U(kuò)展的耗盡層達(dá)到集電區(qū)22和陰極區(qū)82的場截止層而發(fā)揮功能。

集電區(qū)22在晶體管部70的區(qū)域中形成在緩沖區(qū)20的背面?zhèn)?。陰極區(qū)82在二極管部80的區(qū)域中形成在緩沖區(qū)20的背面?zhèn)?。另外，集電區(qū)22和陰極區(qū)82的背面設(shè)有集電極24。

在半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)刃纬?個(gè)以上的柵極溝槽部40、1個(gè)以上的虛設(shè)溝槽部30和1個(gè)以上的發(fā)射極溝槽部60。各溝槽部從半導(dǎo)體基板10的正面貫穿基區(qū)14而到達(dá)漂移區(qū)18。在本例中柵極溝槽部40和虛設(shè)溝槽部30從半導(dǎo)體基板10的正面貫穿發(fā)射區(qū)12、基區(qū)14和蓄積區(qū)16而到達(dá)漂移區(qū)18。另外，發(fā)射極溝槽部60從半導(dǎo)體基板10的正面貫穿基區(qū)14和蓄積區(qū)16而到達(dá)漂移區(qū)18。

柵極溝槽部40具有形成在半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)鹊臇艠O溝槽、絕緣膜42、柵極導(dǎo)電部44和柵極絕緣部37。絕緣膜42形成為覆蓋柵極溝槽的內(nèi)壁。絕緣膜42可以由使柵極溝槽的內(nèi)壁的半導(dǎo)體氧化或氮化而形成。柵極導(dǎo)電部44在柵極溝槽的內(nèi)部與絕緣膜42相比形成在內(nèi)側(cè)。也就是說絕緣膜42使柵極導(dǎo)電部44與半導(dǎo)體基板10絕緣。柵極導(dǎo)電部44由多晶硅等導(dǎo)電材料形成。

柵極絕緣部37形成在柵極導(dǎo)電部44的上方，使柵極導(dǎo)電部44與發(fā)射極52絕緣。本例的柵極絕緣部37形成為在半導(dǎo)體基板10的正面覆蓋絕緣膜42和柵極導(dǎo)電部44。柵極絕緣部37的寬度大于柵極溝槽部40的溝槽的寬度。

柵極導(dǎo)電部44至少包括與相鄰的基區(qū)14對(duì)置的區(qū)域。各個(gè)柵極導(dǎo)電部44與柵極端子51電連接。在本例中，如圖1所示，在突出部43，柵極導(dǎo)電部44與柵極50電連接。另外，柵極50與柵極端子51電連接。若經(jīng)由柵極端子51向柵極導(dǎo)電部44施加預(yù)定的電壓，則在基區(qū)14中與柵極溝槽接觸的界面的表層形成溝道。

虛設(shè)溝槽部30具有形成在半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)鹊奶撛O(shè)溝槽、絕緣膜32、保護(hù)部38和虛設(shè)導(dǎo)電部34。絕緣膜32形成為覆蓋虛設(shè)溝槽的內(nèi)壁。

虛設(shè)導(dǎo)電部34在虛設(shè)溝槽的內(nèi)部與絕緣膜32相比形成在內(nèi)側(cè)。絕緣膜32使虛設(shè)導(dǎo)電部34與半導(dǎo)體基板10絕緣。虛設(shè)導(dǎo)電部34可以由與柵極導(dǎo)電部44相同的材料形成。例如虛設(shè)導(dǎo)電部34由多晶硅等導(dǎo)電材料形成。虛設(shè)導(dǎo)電部34可以在深度方向上具有與柵極導(dǎo)電部44相同的長度。

保護(hù)部38具有使虛設(shè)導(dǎo)電部34的至少一部分露出的開口(在本例中，沿圖1所示的虛設(shè)溝槽部30的中央形成的接觸孔54)，并且在半導(dǎo)體基板10的正面覆蓋絕緣膜32。保護(hù)部38以覆蓋露出在半導(dǎo)體基板10的正面的全部絕緣膜32的方式形成。保護(hù)部38覆蓋在半導(dǎo)體基板10的正面比絕緣膜32露出的區(qū)域大的區(qū)域。接觸孔54使虛設(shè)導(dǎo)電部34的正面的一部分露出，并且，不使絕緣膜32露出。發(fā)射極52具有形成在設(shè)置于保護(hù)部38的接觸孔54內(nèi)的部分。發(fā)射極52通過該部分與虛設(shè)導(dǎo)電部34接觸。

另外，在柵極絕緣部37與保護(hù)部38之間也形成接觸孔54(在本例中，形成在圖1所示的虛設(shè)溝槽部30的兩側(cè)的接觸孔)。該接觸孔54使各溝槽之間的發(fā)射區(qū)12的正面露出。應(yīng)予說明，如圖1所示，該接觸孔54也使各溝槽之間的接觸區(qū)15的正面露出。

發(fā)射極52具有形成于該接觸孔54內(nèi)的部分。發(fā)射極52通過該部分而與發(fā)射區(qū)12和接觸區(qū)15接觸。

根據(jù)本例的半導(dǎo)體裝置100，通過設(shè)置虛設(shè)溝槽部30，能夠提高向漂移區(qū)的載流子注入促進(jìn)效果(ie效果)并降低導(dǎo)通電壓。并且，具有保護(hù)虛設(shè)溝槽部30中的絕緣膜32的保護(hù)部3。因此，能夠提高虛設(shè)溝槽部30的溝槽開口附近的絕緣膜32的可靠性。

例如，即使在對(duì)半導(dǎo)體裝置100進(jìn)行了引線鍵合的情況下在溝槽開口附近的絕緣膜32產(chǎn)生應(yīng)力，也能夠保持絕緣膜32的絕緣性。另外，隨著對(duì)半導(dǎo)體裝置100進(jìn)行微細(xì)化，在溝槽開口附近容易產(chǎn)生絕緣膜32的缺損，但通過設(shè)置保護(hù)部38對(duì)該缺損進(jìn)行遮蓋，能夠保持絕緣性。

在本例中柵極溝槽部40和虛設(shè)溝槽部30如圖2所示在預(yù)定的排列方向上交替地配置。另外，各溝槽部可以以固定的間隔配置。但是，各溝槽的配置不限于上述的例子。在2個(gè)虛設(shè)溝槽部30之間可以配置多個(gè)柵極溝槽部40。另外，設(shè)置在各個(gè)虛設(shè)溝槽部30之間的柵極溝槽部40的數(shù)量也可以是不固定的。虛設(shè)溝槽部30和柵極溝槽部40的深度方向上的長度可以是相同的。

二極管部80設(shè)置在與晶體管部70相鄰的區(qū)域。二極管部80具有與晶體管部70位于同一層的基區(qū)14、蓄積區(qū)16、漂移區(qū)18和緩沖區(qū)20。在二極管部80的緩沖區(qū)20的背面?zhèn)仍O(shè)有陰極區(qū)82。另外，二極管部80具有1個(gè)以上的發(fā)射極溝槽部60。另外，在二極管部80不形成發(fā)射區(qū)12。

發(fā)射極溝槽部60形成為從基區(qū)14的正面?zhèn)蓉灤┗鶇^(qū)14和蓄積區(qū)16，到達(dá)漂移區(qū)18為止。各個(gè)發(fā)射極溝槽部60與虛設(shè)溝槽部30同樣，具有絕緣膜62、保護(hù)部38和發(fā)射極導(dǎo)電部64。發(fā)射極溝槽部60可以具有與虛設(shè)溝槽部30相同的構(gòu)造。

絕緣膜62形成為覆蓋發(fā)射極溝槽的內(nèi)壁。發(fā)射極導(dǎo)電部64在發(fā)射極溝槽的內(nèi)部與絕緣膜62相比形成在內(nèi)側(cè)。絕緣膜62使發(fā)射極導(dǎo)電部64與半導(dǎo)體基板10絕緣。發(fā)射極導(dǎo)電部64可以由與虛設(shè)導(dǎo)電部34相同的材料形成。例如發(fā)射極導(dǎo)電部64由多晶硅等導(dǎo)電材料形成。發(fā)射極導(dǎo)電部64可以在深度方向上具有與虛設(shè)導(dǎo)電部34相同的長度。

保護(hù)部38具有使發(fā)射極導(dǎo)電部64的至少一部分露出的開口(在本例中為接觸孔54)，并且，在半導(dǎo)體基板10的正面覆蓋絕緣膜62。保護(hù)部38以覆蓋露出在半導(dǎo)體基板10的正面的全部絕緣膜62的方式形成。保護(hù)部38覆蓋在半導(dǎo)體基板10的正面比絕緣膜62露出的區(qū)域更大的區(qū)域。接觸孔54使發(fā)射極導(dǎo)電部64的正面的一部分露出，并且，不使絕緣膜62露出。發(fā)射極52具有在設(shè)置于保護(hù)部38的接觸孔54內(nèi)形成的部分。發(fā)射極52通過該部分而與發(fā)射極導(dǎo)電部64接觸。根據(jù)本例的半導(dǎo)體裝置100，能夠提高發(fā)射極溝槽部60的溝槽開口附近的絕緣膜62的可靠性。

另外，本例中的晶體管部70中的溝槽部的間隔與二極管部80中的發(fā)射極溝槽部60的間隔相同。如圖2所示，在晶體管部70，柵極溝槽部40與虛設(shè)溝槽部30交替配置，在此情況下，柵極溝槽部40和虛設(shè)溝槽部30之間的間隔與發(fā)射極溝槽部60彼此之間的間隔可以相同。

圖3是表示將虛設(shè)溝槽部30和柵極溝槽部40的周圍的構(gòu)造進(jìn)行放大后的放大截面圖。如上所述，柵極溝槽部40和虛設(shè)溝槽部30形成為從半導(dǎo)體基板10的正面貫穿發(fā)射區(qū)12、基區(qū)14和蓄積區(qū)16。

在虛設(shè)溝槽部30和柵極溝槽部40的各溝槽內(nèi)形成絕緣膜(32、42)和導(dǎo)電部(34、44)。在本例中虛設(shè)溝槽部30和柵極溝槽部40中的絕緣膜(32、42)和導(dǎo)電部(34、44)的形狀和大小相同。

柵極絕緣部37在半導(dǎo)體基板10的正面覆蓋全部柵極溝槽。與此相對(duì)地，保護(hù)部38覆蓋露出在半導(dǎo)體基板10的正面的全部絕緣膜32和虛設(shè)導(dǎo)電部34的一部分。在保護(hù)部38形成有使虛設(shè)導(dǎo)電部34的正面露出的開口。

柵極絕緣部37和保護(hù)部38隔開間隔地形成。在本例中，在相鄰的柵極絕緣部37與保護(hù)部38之間，形成具有預(yù)定的寬度w1和深度d1的開口。與柵極絕緣部37相鄰的保護(hù)部38是指在1個(gè)以上的保護(hù)部38之中，與柵極絕緣部37的距離最近的保護(hù)部38。

利用該開口，使臺(tái)面部的發(fā)射區(qū)12露出。開口的寬度是指將柵極溝槽部40和虛設(shè)溝槽部30以最短距離連接的直線的方向上的寬度。另外，開口的寬度是指半導(dǎo)體裝置100的最靠近正面?zhèn)鹊膶挾?。也就是說，在開口設(shè)置為從發(fā)射極52側(cè)起到半導(dǎo)體基板10側(cè)為止的情況下，開口的寬度是指發(fā)射極52側(cè)處的開口的寬度。

形成于保護(hù)部38且使虛設(shè)導(dǎo)電部34的正面露出的開口具有預(yù)定的寬度w2和深度d2。形成于保護(hù)部38的開口的寬度w2可以小于形成在柵極絕緣部37與保護(hù)部38之間的開口的寬度w1。通過增大寬度w1，可以確保發(fā)射區(qū)12與發(fā)射極52的接觸面積。另外，通過減小寬度w2，可以減小半導(dǎo)體裝置100的尺寸。由于在虛設(shè)導(dǎo)電部34與發(fā)射極52之間電流不流動(dòng)，因此即使減小開口的寬度w2使電阻提高也不會(huì)增大損耗。

發(fā)射極52具有與各個(gè)虛設(shè)溝槽部30對(duì)應(yīng)設(shè)置的虛設(shè)插塞部36、與各個(gè)臺(tái)面部對(duì)應(yīng)設(shè)置的臺(tái)面插塞部39和電極部56。

虛設(shè)插塞部36形成在保護(hù)部38的開口內(nèi)，與虛設(shè)導(dǎo)電部34的正面接觸。虛設(shè)導(dǎo)電部34的正面的中央可以具有與其它部分相比凹陷的形狀。保護(hù)部38的開口使虛設(shè)導(dǎo)電部34的中央露出，虛設(shè)插塞部36與虛設(shè)導(dǎo)電部34的包括中央在內(nèi)的區(qū)域接觸。虛設(shè)插塞部36由含有鎢的材料形成。由此，在寬度w2小的開口也能夠容易地形成虛設(shè)插塞部36。

虛設(shè)導(dǎo)電部34的正面可以與發(fā)射區(qū)12的正面相比配置在半導(dǎo)體基板10的背面?zhèn)?。也就是說，從半導(dǎo)體基板10的正面觀察，虛設(shè)導(dǎo)電部34的正面可以配置在與發(fā)射區(qū)12的正面相比更深的位置。本例的虛設(shè)導(dǎo)電部34的邊緣部分配置在比發(fā)射區(qū)12的正面更深的位置。在此情況下，虛設(shè)插塞部36在深度方向上的長度d2比臺(tái)面插塞部39的長度d1更長。

保護(hù)部38覆蓋虛設(shè)導(dǎo)電部34的正面的邊緣部分。利用這樣的構(gòu)成，能夠防止圖3的區(qū)域a那樣的虛設(shè)導(dǎo)電部34的邊緣部分附近處的絕緣部件的缺損。

在區(qū)域a中，使半導(dǎo)體裝置100越微細(xì)化則越容易發(fā)生絕緣部件的缺損(例如鳥嘴的發(fā)生)。對(duì)此，根據(jù)半導(dǎo)體裝置100，通過設(shè)置保護(hù)部38，能夠保持虛設(shè)導(dǎo)電部34與其它區(qū)域的絕緣可靠性。

臺(tái)面插塞部39形成在保護(hù)部38與柵極絕緣部37之間的開口內(nèi)，與半導(dǎo)體基板10的正面處的發(fā)射區(qū)12接觸。發(fā)射區(qū)12的正面可以比虛設(shè)導(dǎo)電部34的正面更平坦。正面更平坦是指正面的最大高低差更小。臺(tái)面插塞部39可以由與虛設(shè)插塞部36相同的材料形成。例如臺(tái)面插塞部39由含有鎢的材料形成。

電極部56形成在虛設(shè)插塞部36和臺(tái)面插塞部39的上方，與虛設(shè)插塞部36和臺(tái)面插塞部39連接。電極部56可以形成在設(shè)有圖1所示的發(fā)射極52的整個(gè)區(qū)域。電極部56可以由與虛設(shè)插塞部36不同的金屬材料形成。例如電極部56由不含有鎢的金屬材料形成。作為一例，電極部56為鋁電極。應(yīng)予說明，在圖3中雖然表示了虛設(shè)溝槽部30中的保護(hù)部38和虛設(shè)插塞部36，但發(fā)射極溝槽部60中的保護(hù)部38和發(fā)射極插塞部也可以具有相同的構(gòu)造。

圖4是表示圖1中的b-b'截面的一例的圖。本例的半導(dǎo)體裝置100在該截面中具有半導(dǎo)體基板10、層間絕緣膜26、柵極50、發(fā)射極52和集電極24。層間絕緣膜26形成在柵極50和發(fā)射極52與半導(dǎo)體基板10之間。在層間絕緣膜26形成開口(在本例中為接觸孔55)。

接觸孔55在半導(dǎo)體基板10的正面使柵極溝槽部40的突出部43中的柵極導(dǎo)電部44的至少一部分露出。柵極50通過接觸孔55而與突出部43中的柵極導(dǎo)電部44接觸。柵極50可以具有形成在接觸孔55內(nèi)的金屬的柵極插塞部35。

柵極插塞部35與柵極導(dǎo)電部44的正面接觸。柵極插塞部35可以由與虛設(shè)插塞部36相同的材料形成。例如柵極插塞部35由含有鎢的金屬材料形成。

柵極導(dǎo)電部44可以具有與圖3所示的虛設(shè)導(dǎo)電部34相同的形狀。在此情況下，柵極插塞部35也可以具有與圖3所示的虛設(shè)插塞部36相同的長度。柵極插塞部35可以具有與虛設(shè)插塞部36相同的寬度。柵極插塞部35的寬度是指圖1中的b-b'方向上的寬度。本例中的柵極插塞部35的寬度是指柵極插塞部35在虛設(shè)溝槽部30延伸的延伸方向上的寬度。

接著，對(duì)從圖1到圖4所示的半導(dǎo)體裝置100的制造方法的一例進(jìn)行說明。但是，半導(dǎo)體裝置100的制造方法不限于本例。首先，準(zhǔn)備與漂移區(qū)18相同的導(dǎo)電型(在本例中以n^-型進(jìn)行說明)的半導(dǎo)體基板10。

接著，在半導(dǎo)體基板10的正面設(shè)置預(yù)定的圖案的蝕刻掩模，形成用于柵極溝槽部40、虛設(shè)溝槽部30和發(fā)射極溝槽部60的多個(gè)溝槽。在形成溝槽之后，在溝槽的內(nèi)壁形成絕緣膜。然后，將導(dǎo)電材料填充到溝槽的內(nèi)部。

接著，從半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)茸⑷雙型雜質(zhì)，在1100℃左右的溫度下進(jìn)行2小時(shí)左右的熱處理，在半導(dǎo)體基板10的整個(gè)正面形成比溝槽淺的p^-型基區(qū)14。接著，從半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)茸⑷雗型雜質(zhì)，形成比基區(qū)14深且比溝槽淺的n⁺型蓄積區(qū)16。例如，通過以加速電壓2.8mev、5.0×10¹²/cm²左右將磷以離子的方式注入，由此形成n⁺型蓄積區(qū)16。

接著，使用與發(fā)射區(qū)12對(duì)應(yīng)的部分開口的掩模，從半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)冗x擇性地注入n型雜質(zhì)。由此，在p^-型基區(qū)14的內(nèi)部選擇性地形成n⁺型發(fā)射區(qū)12。

之后，在半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)刃纬深A(yù)定的圖案的層間絕緣膜26。層間絕緣膜26的一部分作為柵極絕緣部37和保護(hù)部38發(fā)揮作用。能夠通過在半導(dǎo)體基板10的整個(gè)正面形成絕緣膜，之后以預(yù)定的掩模圖案進(jìn)行蝕刻來形成層間絕緣膜26。在層間絕緣膜26形成接觸孔54和接觸孔55。然后，形成發(fā)射極52和柵極50?？梢栽谛纬蓶艠O插塞部35、虛設(shè)插塞部36和臺(tái)面插塞部39之后，在半導(dǎo)體基板10的正面形成各電極。

接著，從半導(dǎo)體基板10的背面?zhèn)纫岳?.0×10¹⁴/cm²左右將硒以離子方式注入，之后在900℃左右的溫度下進(jìn)行2小時(shí)左右的熱處理。由此，在半導(dǎo)體基板10的背面?zhèn)刃纬蒼^-型的緩沖區(qū)20。半導(dǎo)體基板10的余下的n^-型的區(qū)域成為漂移區(qū)18。通過使用擴(kuò)散系數(shù)大的硒，可以在深的位置形成緩沖區(qū)20。另外，也可以在形成緩沖區(qū)20之前，對(duì)半導(dǎo)體基板10進(jìn)行研磨來調(diào)整厚度。

也可以通過以不同的劑量多次以離子方式注入質(zhì)子來替代以離子方式注入硒，從而形成n^-型緩沖區(qū)20。由此，能夠形成從基板正面?zhèn)认蚧灞趁鎮(zhèn)入s質(zhì)濃度增加的緩沖區(qū)20。

接著，從半導(dǎo)體基板10的背面?zhèn)纫岳?.0×10¹³/cm²以上且4.0×10¹³/cm²以下的劑量以離子方式注入p型雜質(zhì)。由此，在半導(dǎo)體基板10的背面?zhèn)刃纬杀染彌_區(qū)20薄的p⁺型集電區(qū)22。在p型雜質(zhì)的劑量不足1.0×10¹³/cm²的情況下，無法使集電區(qū)與集電極歐姆接合，因此并不優(yōu)選。另外，在二極管部80形成陰極區(qū)82。然后，在半導(dǎo)體基板10的背面?zhèn)冗m當(dāng)形成集電極24等。

圖5是表示比較例的半導(dǎo)體裝置200的構(gòu)成的圖。半導(dǎo)體裝置200具有晶體管部270和二極管部280。另外在半導(dǎo)體裝置200的正面?zhèn)染哂袞艠O250、發(fā)射極252、柵極溝槽部240、虛設(shè)溝槽部230、發(fā)射極溝槽部260、阱區(qū)217、發(fā)射區(qū)212、基區(qū)214、接觸區(qū)215、接觸孔226、228、249、254和多晶硅層221、225、248。

圖6是表示圖5中的c-c'截面的圖。半導(dǎo)體裝置200在該截面中具有半導(dǎo)體基板210、發(fā)射極252、絕緣部238和集電極224。另外，柵極端子251與柵極導(dǎo)電部244電連接，發(fā)射極端子253與發(fā)射極252電連接。

在半導(dǎo)體基板210中形成有柵極溝槽部240、虛設(shè)溝槽部230、發(fā)射極溝槽部260、發(fā)射區(qū)212、基區(qū)214、蓄積區(qū)216、漂移區(qū)218、緩沖區(qū)220、集電區(qū)222和陰極區(qū)282。柵極溝槽部240具有絕緣膜242和柵極導(dǎo)電部244。虛設(shè)溝槽部230具有絕緣膜232和虛設(shè)導(dǎo)電部234。發(fā)射極溝槽部260具有絕緣膜262和發(fā)射極導(dǎo)電部264。

絕緣部238覆蓋各個(gè)柵極溝槽部240。但是，絕緣部238不覆蓋虛設(shè)溝槽部230和發(fā)射極溝槽部260。在半導(dǎo)體基板210的正面形成絕緣層，之后對(duì)覆蓋虛設(shè)溝槽部230和發(fā)射極溝槽部260的絕緣層進(jìn)行蝕刻，由此形成覆蓋柵極溝槽部240的絕緣部238。因此，存在虛設(shè)溝槽部230和發(fā)射極溝槽部260的各溝槽的開口附近處的絕緣膜232、262也被蝕刻的情況，絕緣膜的可靠性會(huì)下降。半導(dǎo)體裝置200越微細(xì)化該問題變得越顯著。對(duì)此，半導(dǎo)體裝置100由于設(shè)置保護(hù)部38，因此能夠保持各溝槽的開口附近處的絕緣膜的可靠性。

圖7是表示圖5中的d-d'截面的圖。半導(dǎo)體裝置200在該截面中具有半導(dǎo)體基板210、發(fā)射極252、柵極250、集電極224、多晶硅層221、多晶硅層248和絕緣部238。

多晶硅層221和多晶硅層248形成在半導(dǎo)體基板210的正面，使各溝槽內(nèi)的導(dǎo)電部與發(fā)射極252或柵極250連接。半導(dǎo)體裝置200在半導(dǎo)體基板210的正面選擇性地具有多晶硅層221和多晶硅層248。因此，在半導(dǎo)體基板210的正面會(huì)產(chǎn)生凹凸，絕緣部238等形成于半導(dǎo)體基板210的正面的上方的層的形成變得不易。

對(duì)此，根據(jù)半導(dǎo)體裝置100，發(fā)射極252和柵極250與各溝槽內(nèi)的導(dǎo)電部直接接觸，因此在半導(dǎo)體基板10的正面也可以不設(shè)置多晶硅層。因此，能夠在半導(dǎo)體基板10的正面降低凹凸。

以上，使用實(shí)施方式說明了本發(fā)明，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于上述實(shí)施方式記載的范圍。不言自明的是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行各種變形或改良。根據(jù)權(quán)利要求的記載可知，這樣的進(jìn)行變形或改良而成的實(shí)施方式也可以包括在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。

需要注意的是，在權(quán)利要求書、說明書和附圖中表示的裝置、系統(tǒng)、程序和方法的動(dòng)作、工序、步驟和階段等的各處理的實(shí)施順序，只要沒有特別地明示“先于”、“在此之前”等，或者，只要不是將之前的處理的輸出用于之后的處理，就可以以任意的順序?qū)崿F(xiàn)。關(guān)于權(quán)利要求書、說明書和附圖中的動(dòng)作流程，即使方便起見使用“首先，”、“接著，”等進(jìn)行了說明，也不意味著必須以該順序?qū)嵤?/p>

權(quán)利要求書(按照條約第19條的修改)

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

半導(dǎo)體基板；

虛設(shè)溝槽部，其形成在所述半導(dǎo)體基板的正面；以及

第1正面?zhèn)入姌O，其含有金屬并形成在所述半導(dǎo)體基板的正面的上方，

所述虛設(shè)溝槽部具有：

虛設(shè)溝槽，其形成在所述半導(dǎo)體基板的正面；

絕緣膜，其形成在所述虛設(shè)溝槽的內(nèi)壁；

虛設(shè)導(dǎo)電部，其在所述虛設(shè)溝槽的內(nèi)部與所述絕緣膜相比形成在內(nèi)側(cè)；以及

保護(hù)部，其具有使所述虛設(shè)導(dǎo)電部的至少一部分露出的開口，并且在所述半導(dǎo)體基板的正面覆蓋所述絕緣膜，

所述第1正面?zhèn)入姌O具有形成在所述保護(hù)部的所述開口內(nèi)的部分，并且與所述虛設(shè)導(dǎo)電部接觸，

所述虛設(shè)導(dǎo)電部的正面的邊緣部分配置在與所述半導(dǎo)體基板的發(fā)射區(qū)的正面相比更深的位置，

所述保護(hù)部直接覆蓋所述虛設(shè)導(dǎo)電部的正面的邊緣部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置還具備形成在所述半導(dǎo)體基板的正面的柵極溝槽部，

所述柵極溝槽部具有：

柵極溝槽，其形成在所述半導(dǎo)體基板的正面；

絕緣膜，其形成在所述柵極溝槽的內(nèi)壁；

柵極導(dǎo)電部，其在所述柵極溝槽的內(nèi)部與所述絕緣膜相比形成在內(nèi)側(cè)；以及

柵極絕緣部，其設(shè)置在所述柵極導(dǎo)電部的上方，并且使所述柵極導(dǎo)電部與所述第1正面?zhèn)入姌O絕緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述柵極絕緣部設(shè)置為在所述半導(dǎo)體基板的正面覆蓋所述柵極溝槽，

形成于所述保護(hù)部的開口的寬度小于彼此相鄰而設(shè)置的所述保護(hù)部與所述柵極絕緣部的距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第1正面?zhèn)入姌O具有：

金屬的虛設(shè)插塞部，其形成在所述保護(hù)部的所述開口內(nèi)，與所述虛設(shè)導(dǎo)電部接觸；以及

金屬的電極部，其由與所述虛設(shè)插塞部的材料不同的材料構(gòu)成，并且形成在所述虛設(shè)插塞部的上方。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述虛設(shè)插塞部含有鎢。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第1正面?zhèn)入姌O還具備臺(tái)面插塞部，所述臺(tái)面插塞部以與所述虛設(shè)插塞部的材料相同的材料形成在所述保護(hù)部與所述柵極絕緣部之間，并與所述半導(dǎo)體基板的正面接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述虛設(shè)插塞部與所述臺(tái)面插塞部相比在深度方向上更長。

8.根據(jù)權(quán)利要求4～7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述虛設(shè)溝槽部形成為在所述半導(dǎo)體基板的正面沿預(yù)先確定的延伸方向延伸，

所述柵極溝槽部具有：

對(duì)置部，其在與所述虛設(shè)溝槽部對(duì)置的范圍內(nèi)沿所述延伸方向延伸地形成；以及

突出部，其從所述對(duì)置部進(jìn)一步延伸，并形成在不與所述虛設(shè)溝槽部對(duì)置的范圍，

所述的半導(dǎo)體裝置還具備形成在所述突出部的上方的第2正面?zhèn)入姌O，

所述突出部中的所述柵極導(dǎo)電部與所述第2正面?zhèn)入姌O電連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述突出部的所述柵極絕緣部具有使所述柵極導(dǎo)電部露出的開口，

所述第2正面?zhèn)入姌O具有形成在所述柵極絕緣部的所述開口內(nèi)且與所述柵極導(dǎo)電部接觸的金屬的柵極插塞部。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述柵極插塞部由與所述虛設(shè)插塞部的材料相同的材料形成。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述柵極插塞部與所述虛設(shè)插塞部在深度方向上具有相同的長度。

12.根據(jù)權(quán)利要求2～11中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述柵極絕緣部和所述保護(hù)部是在所述半導(dǎo)體基板的正面以預(yù)先確定的圖案形成的同一層的層間絕緣膜的一部分。

13.根據(jù)權(quán)利要求2～12中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述柵極絕緣部和所述保護(hù)部是在所述半導(dǎo)體基板的正面以預(yù)先確定的圖案形成的層間絕緣膜，

所述層間絕緣膜是psg膜或bpsg膜。

14.根據(jù)權(quán)利要求1～13中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述虛設(shè)導(dǎo)電部的中央部具有凹陷的形狀。