技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
提高溝槽的內(nèi)壁的絕緣膜的可靠性。提供一種半導(dǎo)體基板，該半導(dǎo)體裝置具備：半導(dǎo)體基板、形成在半導(dǎo)體基板的正面的虛設(shè)溝槽部、以及形成在半導(dǎo)體基板的正面的上方的、含有金屬的第1正面?zhèn)入姌O，虛設(shè)溝槽部具有：形成在半導(dǎo)體基板的正面的虛設(shè)溝槽、形成在虛設(shè)溝槽的內(nèi)壁的絕緣膜、在虛設(shè)溝槽的內(nèi)部與絕緣膜相比形成在內(nèi)側(cè)的虛設(shè)導(dǎo)電部、以及具有使虛設(shè)導(dǎo)電部的至少一部分露出的開口且在半導(dǎo)體基板的正面覆蓋絕緣膜的保護(hù)部，第1正面?zhèn)入姌O具有形成在保護(hù)部的開口內(nèi)的部分，并與虛設(shè)導(dǎo)電部接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：內(nèi)藤達(dá)也
受保護(hù)的技術(shù)使用者：富士電機(jī)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.13
技術(shù)公布日：2017.09.26