技術(shù)編號：11289703
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)以往，已知有在半導(dǎo)體元件中在設(shè)置于基板正面的溝槽內(nèi)形成柵極等電極的構(gòu)成(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。沿溝槽的內(nèi)壁形成絕緣膜，在絕緣膜的內(nèi)側(cè)形成多晶硅等的電極。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開2002-353456號公報(bào)發(fā)明內(nèi)容技術(shù)問題若使半導(dǎo)體元件逐漸進(jìn)行微細(xì)化，則形成在溝槽的內(nèi)壁的絕緣膜也變薄。其結(jié)果導(dǎo)致溝槽開口附近的絕緣膜的可靠性下降。技術(shù)方案在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，提供具備半導(dǎo)體基板、虛設(shè)溝槽部和第1正面?zhèn)入姌O的半導(dǎo)體裝置。虛設(shè)溝槽部可以形成在半導(dǎo)體基板的...
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