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加強型封裝構(gòu)造及其加強件的制作方法

文檔序號:7236208閱讀:262來源:國知局
專利名稱:加強型封裝構(gòu)造及其加強件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝構(gòu)造,且特別是有關(guān)于一種加強型封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)
高性能覆晶球柵陣列封裝(High-performance Flip Chip BGA, HFCBGA)
為一加強型的封裝體,其有一金屬環(huán)用來墊高覆蓋用的散熱片。參考圖l,現(xiàn) 有的高性能覆晶球柵陣列封裝構(gòu)造100包含一基板102、一設(shè)置于基板102上表 面108的芯片104、 一環(huán)繞芯片104而設(shè)置于基板上表面108周緣的金屬環(huán)106 以及一設(shè)置于芯片104與金屬環(huán)106上方的散熱片116。 一般來說,芯片104是 通過錫球110與基板102電性連接,錫球110則被底膠(underfill)112所包覆?;?板102下表面設(shè)有若干個錫球114,以使封裝構(gòu)造100能與外界裝置電性連接。
為封裝上述封裝構(gòu)造IOO,通常需要進行多道高溫處理制程步驟,例如進 行回焊(reflow)或者是填充底膠112的步驟時,需要將封裝構(gòu)造100置入高溫的 環(huán)境中。但是,當基板102處在高溫的環(huán)境下,很可能因為過熱而產(chǎn)生基板撓 曲的現(xiàn)象,此時,配置于基板102上的金屬環(huán)106則可增加基板102的強度,避 免基板102產(chǎn)生過大的撓曲。
然而,由于現(xiàn)有封裝構(gòu)造100僅于基板102的上表面108設(shè)置金屬環(huán)106, 當基板102的撓曲度過大時,極有可能發(fā)生金屬環(huán)106剝離的現(xiàn)象。
參考圖2a至圖2b,為解決上述問題,中國臺灣專利公告第I220306號,名 稱為「具有保護基板邊緣的散熱片的封裝結(jié)構(gòu)」,揭示了一種封裝構(gòu)造200, 其主要是將金屬環(huán)206的上部206a配置于基板202的上表面208上,并使位于基 板上表面208的芯片204露出金屬環(huán)上部206a的開口;與金屬環(huán)上部206a相連 的金屬環(huán)側(cè)部206b,則配置于基板202的四個側(cè)面202a、 202b、 202c及202d上。
此外,參考圖3a至圖3c,上述專利還揭示了另一種封裝構(gòu)造300。封裝構(gòu)
造300具有一八角環(huán)狀的金屬環(huán)306,其包含一金屬環(huán)上部306a、 一金屬環(huán)下 部306c以及與金屬環(huán)上部306a及下部306c相連的金屬環(huán)側(cè)部306b。八角環(huán)狀 金屬環(huán)306的上部306a是配置于基板302的上表面308,并使位于基板上表面 308的芯片304露出金屬環(huán)上部306a的開口;八角環(huán)狀金屬環(huán)306的下部306c是 配置于基板302的下表面314,而金屬環(huán)側(cè)部306b則僅配置于基板302的側(cè)面 302a、 302b、 302c、 302d的部分區(qū)域上,并使基板302的四個角隅324a-324d 露出于金屬環(huán)306之外。
然而,上述的封裝構(gòu)造200、 300,其金屬環(huán)206、 306雖然覆蓋基板的側(cè) 面,但未能覆蓋基板上表面的大部分區(qū)域,基板仍然有可能發(fā)生翹曲,導致 無法上板以及芯片破裂等問題。
有鑒于此,便有需要提出一種加強型封裝構(gòu)造,以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種加強型封裝構(gòu)造及其加強件,可防止基 板發(fā)生翹曲,以避免無法上板以及芯片破裂的問題。
為達成上述目的或是其它目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案 一種加強件, 用于加強一封裝構(gòu)造,所述封裝構(gòu)造具有一基板以及一設(shè)置于所述基板的上 表面的芯片。所述加強件包含 一內(nèi)環(huán)、 一外環(huán)及至少一個連接桿,其中所 述外環(huán)圍繞所述內(nèi)環(huán);及所述連接桿連接所述內(nèi)環(huán)與外環(huán),所述內(nèi)環(huán)與外環(huán) 用以配置于所述基板的上表面,所述內(nèi)環(huán)圍繞所述芯片。
為達成上述目的或是其它目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案 一種加強型 封裝構(gòu)造包含 一基板、 一芯片、 一加強件及一散熱片。其中所述基板具有 一上表面;所述芯片設(shè)置于所述基板的上表面;所述加強件包含 一內(nèi)環(huán)、 一外環(huán)及至少一個連接桿,所述內(nèi)環(huán)配置于所述基板的上表面并圍繞所述芯 片;所述外環(huán)配置于所述基板的上表面并圍繞所述內(nèi)環(huán);及所述連接桿連接 所述內(nèi)環(huán)與外環(huán);及所述散熱片設(shè)置于所述芯片與所述外環(huán)的上方。
為達成上述目的或是其它目的,本發(fā)明還采用如下技術(shù)方案 一種加強 件,用于加強一封裝構(gòu)造,所述封裝構(gòu)造具有一基板與一芯片,所述基板具
有兩相對的上、下表面以及若干個側(cè)面,所述芯片設(shè)置于所述基板的上表面。 所述加強件包含 一內(nèi)環(huán)、 一外環(huán)、至少一個連接桿、 一側(cè)部及一下部,其 中所述外環(huán)圍繞所述內(nèi)環(huán);所述連接桿連接所述內(nèi)環(huán)與外環(huán);所述側(cè)部是由 所述外環(huán)的外周緣向下延伸而成的;及所述下部是由所述側(cè)部的底端大致上 朝向水平方向延伸而成的,其中所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)用以配置于所述基板的上表 面,所述內(nèi)環(huán)并圍繞所述芯片,所述側(cè)部用以配置于所述基板的側(cè)面上,所 述下部則用以配置于所述基板的下表面上。
為達成上述目的或是其它目的,本發(fā)明還采用如下技術(shù)方案 一種加強 型封裝構(gòu)造包含 一基板、 一芯片、 一加強件及一散熱片。其中所述基板具 有兩相對的上、下表面以及若干個側(cè)面;所述芯片設(shè)置于所述基板的上表面; 所述加強件包含 一內(nèi)環(huán)、 一外環(huán)、至少一個連接桿、 一側(cè)部及一下部,其 中所述內(nèi)環(huán)配置于所述基板的上表面并圍繞所述芯片;所述外環(huán)配置于所述 基板的上表面并圍繞所述內(nèi)環(huán);所述連接桿連接所述內(nèi)環(huán)與外環(huán);所述側(cè)部 是與所述外環(huán)相連并配置于所述基板的側(cè)面上;及所述下部是與所述加強件 的側(cè)部相連并配置于所述基板的下表面上;及所述散熱片設(shè)置于所述芯片與 所述外環(huán)的上方。
相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明加強型封裝構(gòu)造的加強件設(shè)置有內(nèi)、外環(huán),所 述內(nèi)、外環(huán)覆蓋基板上表面的大部分區(qū)域,因此可增加基板的強度,達到減 少基板撓曲的效果。此外,由于額外的加強件側(cè)部覆蓋基板的側(cè)面,加強件 下部覆蓋基板的下表面,因此更能增加基板的強度,避免基板發(fā)生撓曲。
為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯,下文特舉本 發(fā)明實施例,并配合所附圖示,作詳細說明如下。


圖l為一種現(xiàn)有的高性能覆晶球柵陣列封裝構(gòu)造的剖面圖。 圖2a為一種現(xiàn)有的具有保護基板邊緣的散熱片的封裝構(gòu)造的上視圖。 圖2b為沿著圖2a的剖面線2b-2b的封裝構(gòu)造的剖面圖。 圖3a為另一種現(xiàn)有具有保護基板邊緣的散熱片的封裝構(gòu)造的上視圖。
圖3b為沿著圖3a的剖面線3b-3b的封裝構(gòu)造的剖面圖。圖3c為沿著圖3a的剖面線3c-3c的封裝構(gòu)造的剖面圖。圖4a為本發(fā)明一實施例的用于加強封裝構(gòu)造的加強件的立體圖。圖4b為本發(fā)明一實施例的用于加強封裝構(gòu)造的加強件的上視圖。圖5為本發(fā)明一實施例包含圖4的加強件的加強型封裝構(gòu)造的剖面圖。圖6為本發(fā)明另一實施例的用于加強封裝構(gòu)造的加強件的剖面圖。圖7為本發(fā)明另一實施例包含圖6的加強件的加強型封裝構(gòu)造的剖面圖。
具體實施方式
參考圖4a與圖4b,本發(fā)明第一實施例的用于加強封裝構(gòu)造的加強件400 包含一內(nèi)環(huán)410與一圍繞內(nèi)環(huán)410的外環(huán)420,兩者間并以至少一個連接桿(tie bar)430連接,以保持兩者的相對位置。參考圖5,本發(fā)明第一實施例的加強型封裝構(gòu)造500包含一基板510與一設(shè) 置于基板510上表面512的芯片520,芯片520是通過錫球522與基板510電性連 接。內(nèi)環(huán)410與外環(huán)420貼附于基板上表面512,并使內(nèi)環(huán)410環(huán)繞芯片520;而 一散熱片530則設(shè)于芯片520上方,并貼附于外環(huán)420上。一般來說,為配合基板510的形狀,內(nèi)環(huán)410與外環(huán)420為矩形。此外,為 使內(nèi)、外環(huán)410、 420彼此不易相對移動,連接桿430的較佳數(shù)量為至少四個。 再者,內(nèi)環(huán)410的厚度最好設(shè)置為小于外環(huán)420的厚度,使內(nèi)環(huán)410不致于頂起 散熱片530,影響外環(huán)420與散熱片530的接合。加強件400最好是以金屬制成, 例如銅、白鐵以及鋁,即加強件400是選自以銅、白鐵以及鋁所構(gòu)成的群組, 以提高散熱效果。上述具有加強件400的封裝構(gòu)造500,由于內(nèi)、外環(huán)410、 420覆蓋基板510 上表面512的大部分區(qū)域,因而可增加基板510的強度,達到減少基板510撓曲 的效果。參考圖6,本發(fā)明第二實施例的用于加強封裝構(gòu)造的加強件600類似加強 件400,該加強件600也具有內(nèi)環(huán)410與外環(huán)420,所不同的是,加強件600還包 含由外環(huán)420的外周緣向下延伸的側(cè)部640,以及由側(cè)部640的底端642大致上朝向水平方向延伸而形成環(huán)狀的下部650。參考圖7,本發(fā)明第二實施例的加強型封裝構(gòu)造700類似封裝構(gòu)造500,該 加強型封裝構(gòu)造700也是在基板510的上表面512設(shè)置內(nèi)環(huán)410與外環(huán)420,并使 內(nèi)環(huán)410環(huán)繞芯片520; —散熱片530設(shè)于芯片520上方,并貼附于外環(huán)420上。 與封裝構(gòu)造500不同的是,加強件600另外包含的側(cè)部640包覆基板510的若干 個側(cè)面514,而其下部650則貼附于基板510的下表面516上。上述具有加強件600的封裝構(gòu)造700,其內(nèi)、外環(huán)410、 420也是覆蓋基板 上表面512的大部分區(qū)域,同時由于加強件側(cè)部640包覆基板510的側(cè)面514, 加強件下部650貼附于基板510的下表面516上,因此更能增加基板510的強度, 避免基板510發(fā)生撓曲。同樣地,為了提高散熱效果,加強件600最好能以金 屬制成,例如銅、白鐵以及鋁,即加強件600是選自以銅、白鐵以及鋁所構(gòu)成 的群組。
權(quán)利要求
1.一種加強件,用于加強一封裝構(gòu)造,所述封裝構(gòu)造具有一基板以及一設(shè)置于所述基板的上表面的芯片,其特征在于所述加強件包含一內(nèi)環(huán)、一外環(huán)及至少一個連接桿,其中所述外環(huán)圍繞所述內(nèi)環(huán);及所述連接桿連接所述內(nèi)環(huán)與外環(huán),所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)用以配置于所述基板的上表面,所述內(nèi)環(huán)圍繞所述芯片。
2. 如權(quán)利要求l所述的加強件,其特征在于所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)為矩形; 所述加強件包含至少四個連接桿;所述內(nèi)環(huán)的厚度小于所述外環(huán)的厚度。
3. 如權(quán)利要求l所述的加強件,其特征在于所述加強件是以金屬制成, 所述金屬選自以銅、白鐵以及鋁所構(gòu)成的群組。
4. 一種加強型封裝構(gòu)造,其包含 一基板、 一芯片、 一加強件及一散熱 片,其中所述基板具有一上表面;所述芯片設(shè)置于所述基板的上表面;其特 征在于所述加強件包含 一內(nèi)環(huán)、 一外環(huán)及至少一個連接桿,所述內(nèi)環(huán)配 置于所述基板的上表面并圍繞所述芯片;所述外環(huán)配置于所述基板的上表面 并圍繞所述內(nèi)環(huán);及所述連接桿連接所述內(nèi)環(huán)與外環(huán);所述散熱片設(shè)置于所 述芯片與所述外環(huán)的上方。
5. 如權(quán)利要求4所述的加強型封裝構(gòu)造,其特征在于所述內(nèi)環(huán)與外環(huán) 為矩形;所述加強件包含至少四個連接桿;所述內(nèi)環(huán)的厚度小于所述外環(huán)的 厚度。
6. —種加強件,用于加強一封裝構(gòu)造,所述封裝構(gòu)造具有一基板與一芯 片,所述基板具有兩相對的上、下表面以及若干個側(cè)面,所述芯片設(shè)置于所 述基板的上表面,其特征在于所述加強件包含 一內(nèi)環(huán)、 一外環(huán)、至少一 個連接桿、 一側(cè)部及一下部,其中所述外環(huán)圍繞所述內(nèi)環(huán);所述連接桿連接 所述內(nèi)環(huán)與外環(huán);所述側(cè)部是由所述外環(huán)的外周緣向下延伸而成的;及所述 下部是由所述側(cè)部的底端大致上朝向水平方向延伸而成的,其中所述內(nèi)環(huán)與 外環(huán)用以配置于所述基板的上表面,所述內(nèi)環(huán)并圍繞所述芯片,所述側(cè)部用 以配置于所述基板的側(cè)面上,所述下部則用以配置于所述基板的下表面上。
7. 如權(quán)利要求6所述的加強件,其特征在于所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)為矩形; 所述加強件包含至少四個連接桿;所述內(nèi)環(huán)的厚度小于所述外環(huán)的厚度;所 述下部形成環(huán)狀。
8. 如權(quán)利要求6所述的加強件,其特征在于所述加強件是以金屬制成, 所述金屬選自以銅、白鐵以及鋁所構(gòu)成的群組。
9. 一種加強型封裝構(gòu)造,其包含 一基板、 一芯片、 一加強件及一散熱 片,其中所述基板具有兩相對的上、下表面以及若干個側(cè)面;所述芯片設(shè)置 于所述基板的上表面;其特征在于所述加強件包含 一內(nèi)環(huán)、 一外環(huán)、至 少一個連接桿、 一側(cè)部及一下部,其中所述內(nèi)環(huán)配置于所述基板的上表面并 圍繞所述芯片;所述外環(huán)配置于所述基板的上表面并圍繞所述內(nèi)環(huán);所述連 接桿連接所述內(nèi)環(huán)與外環(huán);所述側(cè)部是與所述外環(huán)相連并配置于所述基板的 側(cè)面上;及所述下部是與所述加強件的側(cè)部相連并配置于所述基板的下表面 上;及所述散熱片設(shè)置于所述芯片與所述外環(huán)的上方。
10. 如權(quán)利要求9所述的加強型封裝構(gòu)造,其特征在于所述內(nèi)環(huán)與外環(huán) 為矩形;所述加強件包含至少四個連接桿;所述內(nèi)環(huán)的厚度小于所述外環(huán)的 厚度;所述下部形成環(huán)狀。
全文摘要
本發(fā)明公開一種加強型封裝構(gòu)造,其加強件的內(nèi)環(huán)配置于基板的上表面并圍繞芯片,而加強件的外環(huán)則配置于基板的上表面并圍繞內(nèi)環(huán),同時外環(huán)是通過連接桿與內(nèi)環(huán)相連。由于加強件的內(nèi)、外環(huán)覆蓋基板的上表面的部分區(qū)域,從而能夠增加基板的強度,達到減少基板撓曲的效果。
文檔編號H01L23/00GK101150095SQ20071016723
公開日2008年3月26日 申請日期2007年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月30日
發(fā)明者王靜君, 黃東鴻 申請人:日月光半導體制造股份有限公司
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