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一種局部易碎RFID天線及其制作工藝的制作方法

文檔序號:11731209閱讀:270來源:國知局

本發(fā)明屬于易碎rfid天線制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種局部易碎rfid天線及其制作工藝。



背景技術(shù):

目前rfid行業(yè)使用的易碎天線都是常規(guī)的整版易碎天線。易碎天線主要用于煙、酒、藥品的防偽,防揭標(biāo)簽等等,屬于一次性應(yīng)用產(chǎn)品。現(xiàn)有的易碎rfid天線的制作方法為首先在產(chǎn)品基材pet上整版涂布易碎涂層,然后在涂滿的易碎涂層上通過膠水復(fù)合、印刷、蝕刻工藝制作rfid天線。最終形成這時(shí)候pet就成為一個(gè)過渡的載體,而易碎涂層則是碎天線的真正載體。

現(xiàn)有的易碎rfid天線及其制作工藝具體的應(yīng)用過程中存在如下缺點(diǎn):

1)因?yàn)槭钦嫱坎家姿橥繉?,且易碎涂層的低附著力,造成其和pet膜之間的附著力很小,在生產(chǎn)過程中常出現(xiàn)涂層脫落的現(xiàn)象,產(chǎn)品良率較低;

2)因?yàn)橐姿橥繉雍蚿et膜之間的附著力很小,成品使用時(shí)pet膜就不能作為基材來使用,使用時(shí)需要將易碎天線從pet膜上剝離下來在貼到膠紙上使用。

3)制作工藝流程繁瑣,成本較高。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于針對上述問題,提供一種局部易碎rfid天線,其在做成成品后使用時(shí)可以直接使用,具有使用方便、制作成本低及質(zhì)量可靠穩(wěn)定的特點(diǎn),以解決現(xiàn)有技術(shù)中局部易碎rfid天線存在的上述問題。

本發(fā)明的另一目的在于針對上述問題,提供一種局部易碎rfid天線的制作工藝,其具有工藝簡單、制作成本低和提高產(chǎn)品質(zhì)量的特點(diǎn),以解決現(xiàn)有技術(shù)中局部易碎rfid天線制作工藝存在的上述問題。

本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):

一種局部易碎rfid天線,其包括作為基材的pet膜,其中,所述pet膜的一面上間隔設(shè)置有若干個(gè)易碎部,所述易碎部外涂覆有復(fù)合膠水層,所述復(fù)合膠水層填充于相鄰兩個(gè)易碎部之間且與所述pet膜粘接,且所述復(fù)合膠水層上復(fù)合有用于制作rfid天線的鋁箔。

特別地,所述若干個(gè)易碎部等距分布,相鄰兩個(gè)易碎部的間距為1mm~10mm。

特別地,所述易碎部為條形、多邊形、方形或圓形的任一種。

特別地,所述易碎部的厚度2~8um,橫截面積0.006~0.12平方毫米,所述pet膜的厚度為20~100um。

特別地,所述易碎部由間隔為1mm~10mm的局部網(wǎng)紋輥涂布成型,所述局部網(wǎng)紋輥的網(wǎng)紋目數(shù)為:160~200目。

特別地,所述復(fù)合膠水層由整版網(wǎng)紋輥涂布成型,所述整版網(wǎng)紋輥的網(wǎng)紋目數(shù)為:60~100目。

一種局部易碎rfid天線制作工藝,包括以下步驟:

1)先通過間隔為1mm~10mm的局部網(wǎng)紋輥在作為基材的pet膜的一面涂布形成若干個(gè)易碎部;

2)再通過整版網(wǎng)紋輥在所述易碎部外涂布復(fù)合膠水,所述復(fù)合膠水外復(fù)合鋁箔,所述復(fù)合膠水填充于相鄰兩個(gè)易碎部之間且與所述pet膜粘接;

3)通過印刷、蝕刻工藝形成局部易碎天線;

4)綁定芯片做成能夠直接使用的局部易碎標(biāo)簽。

特別地,所述易碎部采用混合膠水制成,所述混合膠水由易碎原液和復(fù)合膠水混合而成,其按體積比為易碎涂層:復(fù)合膠水=6.5:3.5。

特別地,所述局部網(wǎng)紋輥的網(wǎng)紋目數(shù)為:160~200目,所述整版網(wǎng)紋輥的網(wǎng)紋目數(shù)為:60~100目。

本發(fā)明的有益效果為,與現(xiàn)有技術(shù)相比所述局部易碎rfid天線在既能起到易碎防偽的效果同時(shí),還和pet膜之間有著有很強(qiáng)的附著力,在做成成品使用時(shí)可以直接使用,減少“pet涂布易碎涂層”和“離型粘貼到膠紙上”的步驟,提高產(chǎn)品的質(zhì)量和性能,降低制作的成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提供的局部易碎rfid天線的剖面圖。

圖中:

1、pet膜;2、易碎部;3、復(fù)合膠水層;4、天線鋁箔。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖并通過具體實(shí)施方式來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案??梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅膶?shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明,而非對本發(fā)明的限定。、

實(shí)施例一:

請參照圖1所示,圖1為本發(fā)明提供的局部易碎rfid天線的剖面圖。

本實(shí)施例中,一種局部易碎rfid天線包括作為基材的pet膜1,所述pet膜的厚度為20um,所述pet膜1的一面上間隔設(shè)置有若干個(gè)易碎部2,所述易碎部2外涂覆有復(fù)合膠水層3,所述復(fù)合膠水層3填充于相鄰兩個(gè)易碎部2之間且與所述pet膜1粘接,且所述復(fù)合膠水層3上復(fù)合有天線鋁箔4。

所述若干個(gè)易碎部2等距分布,相鄰兩個(gè)易碎部2的間距為1mm,且所述易碎部2為條形,所述易碎部2的厚度2um,橫截面積0.006平方毫米。

本實(shí)施例中,所述局部易碎rfid天線制作工藝,包括以下步驟:

1)先通過間隔為1mm的局部網(wǎng)紋輥在作為基材的pet膜1的一面涂布形成若干個(gè)易碎部2,所述局部網(wǎng)紋輥的網(wǎng)紋目數(shù)為160目;所述易碎部2采用混合膠水制成,所述混合膠水由易碎原液和復(fù)合膠水混合而成,其按體積比為易碎涂層:復(fù)合膠水=6.5:3.5;

2)再通過整版網(wǎng)紋輥在所述易碎部2外涂布復(fù)合膠水以形成復(fù)合膠水層3,所述整版網(wǎng)紋輥的網(wǎng)紋目數(shù)為60目。

3)通過印刷、蝕刻工藝形成局部易碎天線;

4)綁定芯片做成能夠直接使用的局部易碎標(biāo)簽。

實(shí)施例二:

請參照圖1所示,圖1為本發(fā)明提供的局部易碎rfid天線的剖面圖。

本實(shí)施例中,一種局部易碎rfid天線包括作為基材的pet膜1,所述pet膜的厚度為60um,所述pet膜1的一面上間隔設(shè)置有若干個(gè)易碎部2,所述易碎部2外涂覆有復(fù)合膠水層3,所述復(fù)合膠水層3填充于相鄰兩個(gè)易碎部2之間且與所述pet膜1粘接,且所述復(fù)合膠水層3上復(fù)合有天線鋁箔4。

所述若干個(gè)易碎部2等距分布,相鄰兩個(gè)易碎部2的間距為5mm,且所述易碎部2為條形,所述易碎部的厚度5um,橫截面積0.06平方毫米。

本實(shí)施例中,所述局部易碎rfid天線制作工藝,包括以下步驟:

1)先通過間隔為5mm的局部網(wǎng)紋輥在作為基材的pet膜1的一面涂布形成若干個(gè)易碎部2,所述局部網(wǎng)紋輥的網(wǎng)紋目數(shù)為180目;所述易碎部2采用混合膠水制成,所述混合膠水由易碎原液和復(fù)合膠水混合而成,其按體積比為易碎涂層:復(fù)合膠水=6.5:3.5;

2)再通過整版網(wǎng)紋輥在所述易碎部2外涂布復(fù)合膠水以形成復(fù)合膠水層3,所述整版網(wǎng)紋輥的網(wǎng)紋目數(shù)為80目。

3)通過印刷、蝕刻工藝形成局部易碎天線;

4)綁定芯片做成能夠直接使用的局部易碎標(biāo)簽。

實(shí)施例三:

請參照圖1所示,圖1為本發(fā)明提供的局部易碎rfid天線的剖面圖。

本實(shí)施例中,一種局部易碎rfid天線包括作為基材的pet膜1,所述pet膜的厚度為100um,所述pet膜1的一面上間隔設(shè)置有若干個(gè)易碎部2,所述易碎部2外涂覆有復(fù)合膠水層3,所述復(fù)合膠水層3填充于相鄰兩個(gè)易碎部2之間且與所述pet膜1粘接,且所述復(fù)合膠水層3上復(fù)合有天線鋁箔4。

所述若干個(gè)易碎部2等距分布,相鄰兩個(gè)易碎部2的間距為10mm,且所述易碎部2為條形,所述易碎部的厚度8um,橫截面積0.12平方毫米。

本實(shí)施例中,所述局部易碎rfid天線制作工藝,包括以下步驟:

1)先通過間隔為10mm的局部網(wǎng)紋輥在作為基材的pet膜1的一面涂布形成若干個(gè)易碎部2,所述局部網(wǎng)紋輥的網(wǎng)紋目數(shù)為200目;所述易碎部2采用混合膠水制成,所述混合膠水由易碎原液和復(fù)合膠水混合而成,其按體積比為易碎涂層:復(fù)合膠水=6.5:3.5;

2)再通過整版網(wǎng)紋輥在所述易碎部2外涂布復(fù)合膠水以形成復(fù)合膠水層3,所述整版網(wǎng)紋輥的網(wǎng)紋目數(shù)為100目。

3)通過印刷、蝕刻工藝形成局部易碎天線;

4)綁定芯片做成能夠直接使用的局部易碎標(biāo)簽。

以上實(shí)施例只是闡述了本發(fā)明的基本原理和特性,本發(fā)明不受上述實(shí)施例限制,在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下,本發(fā)明還有各種變化和改變,這些變化和改變都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書界定。

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