技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可以在形成源極和漏極的過程中，避免刻蝕液對氧化物有源層的表面造成損傷，進而影響薄膜晶體管的特性和信賴穩(wěn)定性。一種薄膜晶體管的制備方法，包括：在襯底上形成氧化物有源層、源極和漏極；源極和漏極均包括第一透明導電層，第一透明導電層覆蓋氧化物有源層；源極還包括位于第一透明導電層遠離襯底一側(cè)的第一金屬層、第二透明導電層；第二透明導電層覆蓋第一金屬層；漏極還包括位于第一透明導電層遠離襯底一側(cè)的第二金屬層、第三透明導電層；第三透明導電層覆蓋第二金屬層；其中，第一透明導電層位于源極和漏極之間的部分的導電性小于等于氧化物有源層的導電性。

技術(shù)研發(fā)人員：邸云萍;楊維;王利忠
受保護的技術(shù)使用者：京東方科技集團股份有限公司
文檔號碼：201710289222
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.27
技術(shù)公布日：2017.06.20