技術編號：12724904
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板。背景技術薄膜晶體管(ThinFilmTransistor，簡稱TFT)根據(jù)制備工藝的不同，可以分為背溝道刻蝕(BackChannelEtch，簡稱BCE)型和刻蝕阻擋(EtchStopLayer，簡稱ESL)型等。其中，BCE型的TFT因其工藝流程簡單，而被廣泛應用。ESL型與BCE型TFT的區(qū)別在于：ESL型TFT的氧化物有源層與源漏間還包括刻蝕阻擋層。在ESL型TFT的制備工藝中，由于刻蝕阻擋層的存在，采用濕法刻蝕對源極和...
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