1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：在襯底上形成氧化物有源層、源極和漏極；
所述源極和所述漏極均包括第一透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層覆蓋所述氧化物有源層；
所述源極還包括位于所述第一透明導(dǎo)電層遠離所述襯底一側(cè)的第一金屬層、第二透明導(dǎo)電層；所述第二透明導(dǎo)電層覆蓋所述第一金屬層；
所述漏極還包括位于所述第一透明導(dǎo)電層遠離所述襯底一側(cè)的第二金屬層、第三透明導(dǎo)電層；所述第三透明導(dǎo)電層覆蓋所述第二金屬層；
其中，所述第一透明導(dǎo)電層位于所述源極和所述漏極之間的部分的導(dǎo)電性小于等于所述氧化物有源層的導(dǎo)電性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成氧化物有源層、源極和漏極，包括：
在所述襯底上，依次形成氧化物半導(dǎo)體薄膜、第一透明導(dǎo)電薄膜、金屬薄膜、以及第二透明導(dǎo)電薄膜，并在所述第二透明導(dǎo)電薄膜上方形成光刻膠；
利用半色調(diào)掩模板對所述光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；所述光刻膠完全保留部分與所述源極和所述漏極對應(yīng)，所述光刻膠半保留部分與所述源極和所述漏極之間的區(qū)域?qū)?yīng)，所述光刻膠完全去除部分與其他區(qū)域?qū)?yīng)；
采用刻蝕工藝，對與所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)的所述第二透明導(dǎo)電薄膜、所述金屬薄膜、所述第一透明導(dǎo)電薄膜、以及所述氧化物半導(dǎo)體薄膜進行刻蝕，形成所述氧化物有源層；
采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分；
采用刻蝕工藝，對露出的所述第二透明導(dǎo)電薄膜和所述金屬薄膜進行刻蝕，形成所述第二透明導(dǎo)電層、所述第三透明導(dǎo)電層、所述第一金屬層、以及所述第二金屬層；
對所述第一透明導(dǎo)電薄膜位于所述源極和所述漏極之間的區(qū)域的導(dǎo)電性進行處理，形成所述第一透明導(dǎo)電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成氧化物有源層、源極和漏極，包括：
在襯底上，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述氧化物有源層；
在形成有所述氧化物有源層的所述襯底上依次形成第一透明導(dǎo)電薄膜、金屬薄膜、以及第二透明導(dǎo)電薄膜，并在所述第二透明導(dǎo)電薄膜上方形成光刻膠；
利用半色調(diào)掩模板對所述光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；所述光刻膠完全保留部分與所述源極和所述漏極對應(yīng)，所述光刻膠半保留部分與所述源極和所述漏極之間的區(qū)域?qū)?yīng)，所述光刻膠完全去除部分與其他區(qū)域?qū)?yīng)；
采用刻蝕工藝，對與所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)的所述第二透明導(dǎo)電薄膜、所述金屬薄膜、以及所述第一透明導(dǎo)電薄膜進行刻蝕；
采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分；
采用刻蝕工藝，對露出的所述第二透明導(dǎo)電薄膜和所述金屬薄膜進行刻蝕，形成所述第二透明導(dǎo)電層、所述第三透明導(dǎo)電層、所述第一金屬層、以及所述第二金屬層；
對所述第一透明導(dǎo)電薄膜位于所述源極和所述漏極之間的區(qū)域的導(dǎo)電性進行處理，形成所述第一透明導(dǎo)電層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的制備方法，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層的材料均包括銅；所述第一透明導(dǎo)電層、所述第二透明導(dǎo)電層和所述第三透明導(dǎo)電層的材料均包括氧化銦鋅；
所述第一透明導(dǎo)電層中鋅與銦的質(zhì)量比范圍為70：30～90：10，所述第二透明導(dǎo)電層和所述第三透明導(dǎo)電層中鋅與銦的質(zhì)量比為20：80～25：75；
對所述第一透明導(dǎo)電薄膜位于所述源極和所述漏極之間的區(qū)域的導(dǎo)電性進行處理，形成所述第一透明導(dǎo)電層，包括：
在所述第二透明導(dǎo)電層和所述第三透明導(dǎo)電層上方形成光刻膠；
利用掩模板對所述光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分；所述光刻膠完全去除部分與所述源極和所述漏極之間的區(qū)域?qū)?yīng)，所述光刻膠完全保留部分與其他區(qū)域?qū)?yīng)；
采用氧氣、笑氣中的至少一種，對與所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)的所述第一透明導(dǎo)電薄膜進行等離子體處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，采用刻蝕工藝，對露出的所述第二透明導(dǎo)電薄膜和所述金屬薄膜和進行刻蝕，具體包括：
采用銅刻蝕速率大于氧化銦鋅刻蝕速率的銅刻蝕液，對露出的所述第二透明導(dǎo)電薄膜和所述金屬薄膜進行刻蝕。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層的厚度范圍為20～50nm。
7.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括襯底、依次設(shè)置于所述襯底上的氧化物有源層、源極和漏極；
所述源極和所述漏極均包括第一透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層覆蓋所述氧化物有源層；
其中，所述第一透明導(dǎo)電層位于所述源極和所述漏極之間的部分的導(dǎo)電性小于等于所述氧化物有源層的導(dǎo)電性。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極還包括設(shè)置于所述第一透明導(dǎo)電層遠離所述襯底一側(cè)的第一金屬層、第二透明導(dǎo)電層；所述第二透明導(dǎo)電層覆蓋所述第一金屬層；
所述漏極還包括設(shè)置于所述第一透明導(dǎo)電層遠離所述襯底一側(cè)的第二金屬層、第三透明導(dǎo)電層；所述第三透明導(dǎo)電層覆蓋所述第二金屬層；
所述第一金屬層和所述第二金屬層的材料均包括銅；所述第一透明導(dǎo)電層、所述第二透明導(dǎo)電層和所述第三透明導(dǎo)電層的材料均包括氧化銦鋅；
所述第一透明導(dǎo)電層中鋅與銦的質(zhì)量比范圍為70：30～90：10，且位于所述源極和所述漏極之間的部分還包括氧化銦和氧化鋅；
所述第二透明導(dǎo)電層和所述第三透明導(dǎo)電層中鋅與銦的質(zhì)量比為20：80～25：75。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層的厚度范圍為20～50nm。
10.一種陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求7-9任一項所述的薄膜晶體管。