本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種像陣列基板及制造方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的底發(fā)射有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體(active-matrixorganiclightemittingdiode，amoled)彩色化方法通常是通過有機(jī)發(fā)光二極管(woled，whiteorganiclightemittingdiode)和彩色濾光層(cf，colorfilter)疊加來實現(xiàn)，或者是通過rgb的方式來實現(xiàn)。

其中，由于底發(fā)射陰極材料整面蒸鍍，且反射率極高，傳統(tǒng)的像素設(shè)計都會受到陰極反射的影響而產(chǎn)生不同程度的漏光現(xiàn)象，降低了面板的顯示品質(zhì)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種像陣列基板及制造方法、顯示裝置，能夠避免由反射陰極層引起的漏光現(xiàn)象，提升面板顯示品質(zhì)。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一種技術(shù)方案是：提供一種陣列基板的制造方法，所述方法包括：在襯底基板上依次制備一層疊結(jié)構(gòu)及陽極層；在所述層疊結(jié)構(gòu)及陽極層上制備具有容置腔及凹陷結(jié)構(gòu)的光阻層；在所述容置腔內(nèi)制備有機(jī)發(fā)光器件；在所述有機(jī)發(fā)光器件及所述光阻層上制備反射陰極層。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一種技術(shù)方案是：提供一種陣列基板，所述陣列基板包括：襯底基板；層疊結(jié)構(gòu)，所述層疊結(jié)構(gòu)形成于所述襯底基板上；陽極層，覆蓋于所述層疊結(jié)構(gòu)上；光阻層，沉積于所述陽極層及所述層疊結(jié)構(gòu)上，所述光阻層包括容置腔及凹陷結(jié)構(gòu)；有機(jī)發(fā)光器件，設(shè)置于所述容置腔內(nèi)；反射陰極層，沉積于所述有機(jī)發(fā)光器件及所述光阻層上。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的又一種技術(shù)方案是：提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述所述的陣列基板。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過在光阻層上制備凹陷結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒔?jīng)反射陰極層后的光線反射回發(fā)光方向并衰減，避免由反射陰極層引起的漏光現(xiàn)象，提升面板顯示品質(zhì)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明陣列基板制造方法一實施例的流程示意圖；

圖2為圖1中步驟s1一實施方式的流程示意圖；

圖3為圖1中步驟s2一實施方式的流程示意圖；

圖4為圖3中步驟s21一實施方式的流程示意圖；

圖5為圖3中步驟s22一實施方式的流程示意圖；

圖6為圖1中步驟s2另一實施方式的流程示意圖；

圖7為圖6中步驟s21a一實施方式的流程示意圖；

圖8為圖6中步驟s22a一實施方式的流程示意圖；

圖9為本發(fā)明陣列基板一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明陣列基板中層疊結(jié)構(gòu)一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明陣列基板另一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明顯示裝置一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參閱圖1，圖1為本發(fā)明陣列基板制造方法一實施例的流程示意圖，該方法包括如下步驟：

s1，在襯底基板上依次制備一層疊結(jié)構(gòu)及陽極層。

其中，所述襯底基板可以為透明材質(zhì)，具體可以是玻璃、陶瓷基板或者透明塑料等任意形式的基板，此處本發(fā)明不做具體限定。

如圖2所示，步驟s1進(jìn)一步包括如下子步驟：

s11，在襯底基板上制備多個薄膜晶體管。

其中，每一所述薄膜晶體管包括柵極層，柵極絕緣層、源極層及漏極層及半導(dǎo)體氧化物層。

采用在襯底基板上沉積柵極層，經(jīng)過光刻膠涂覆、曝光、顯影、蝕刻以及光刻膠剝離等工藝以形成具有預(yù)定圖案的柵極層。在所述柵極層形成后可以采用采用化學(xué)氣相沉積(cvd)及黃光蝕刻工藝在襯底基板上沉積柵極絕緣層(gi)，其中該柵極絕緣層可以為氧化硅(sio2)膜層或氮化硅(sinx)膜層，或者為氧化硅(sio2)和氮化硅(sinx)的疊層，此處本發(fā)明不做具體限定。在形成柵極絕緣層后，在所述柵極絕緣層上沉積源極層及漏極層。其中，柵極層、源極層及漏極層可以為鎢(tungsten)、鈦(titanium)、鈷(cobalt)及鎳(nickel)等材料，本發(fā)明不做具體限定。形成源極及漏極層后，在所述源極及漏極層及柵極絕緣層上再覆蓋一層半導(dǎo)體氧化物層(igzo)，經(jīng)過光刻膠涂覆、曝光、顯影、蝕刻以及光刻膠剝離等工藝以形成具有預(yù)定圖案的半導(dǎo)體氧化物層。本實施例中采用半導(dǎo)體氧化物層作為溝道材料，在其它實施例中也可以采用其他材料。

s12，在薄膜晶體管上沉積平坦層。

在該半導(dǎo)體氧化物層上依次沉積保護(hù)層(pas)及平坦層(pln)。在形成平坦層后，采用磁控濺射法在該平坦層上制備陽極層(ito)，其中ito是一種n類型的寬能隙的半導(dǎo)體，具有高透光率及導(dǎo)電性。當(dāng)然，本實施例中陣列基板的層疊結(jié)構(gòu)只是簡單舉例說明，并不局限于此。

s2，在層疊結(jié)構(gòu)及陽極層上制備具有容置腔及凹陷結(jié)構(gòu)的光阻層。

如圖3所示，步驟s2進(jìn)一步包括如下子步驟：

s21，在層疊結(jié)構(gòu)及陽極層上制備具有容置腔及凹陷結(jié)構(gòu)的像素定義層。

如圖4所示，步驟s21進(jìn)一步包括如下子步驟：

s211，在層疊結(jié)構(gòu)及陽極層上沉積像素定義層。

其中，該像素定義層(pdl)為有機(jī)光阻層。

s212，對像素定義層進(jìn)行圖形化處理以形成容置腔及凹陷結(jié)構(gòu)。

步驟s212中，采用黃光制程對像素定義層進(jìn)行圖形化處理。其中，黃光制程指對涂覆在基板表面的光敏性物質(zhì)，經(jīng)過曝光顯影后留下的部分對底層其保護(hù)作用，然后進(jìn)行蝕刻脫膜并最終獲得永久性圖形的過程。且在步驟s212中，對所述像素定義層采用黃光制程在進(jìn)行預(yù)烘、曝光、顯影及固化等操作，使其形成具有容置腔及凹陷結(jié)構(gòu)的像素定義層，且圖形化的另一目的使得陽極層暴露出來，所述陽極層位于容置腔結(jié)構(gòu)處。其中，該凹陷結(jié)構(gòu)可以為包括但不限于弧形、圓形等，且每一凹陷結(jié)構(gòu)位于兩相鄰的容置腔之間。還需要說明的是，該容置腔及凹陷結(jié)構(gòu)的形成無需增加額外的制程，簡化了操作進(jìn)程。

s22，在像素定義層上制備支撐層，其中支撐層不覆蓋容置腔及凹陷結(jié)構(gòu)。

如圖5所示，步驟s22進(jìn)一步包括如下子步驟：

s221，在像素定義層上沉積支撐層。

在形成具有容置腔及凹陷結(jié)構(gòu)的像素定義層后，在像素定義層上沉積支撐層(ps)，該支撐層也可以為有機(jī)光阻層。

s222，對支撐層進(jìn)行圖形化處理以至少暴露容置腔及凹陷結(jié)構(gòu)。

同理，進(jìn)一步對支撐層進(jìn)行圖形化處理。具體地，采用黃光制程對該支撐層進(jìn)行預(yù)烘、曝光、顯影及固化等操作，以使得支撐層至少暴露容置腔及凹陷結(jié)構(gòu)。

在其它實施例中，步驟s2還可以進(jìn)一步包括如下子步驟：

如圖6所示，且該實施例與圖3中實施例不同之處在于，圖3中實施例中，對像素定義層進(jìn)行圖形化處理時形成容置腔及凹陷結(jié)構(gòu)，在對支撐層進(jìn)行圖形化處理的時候，在與像素定義層對應(yīng)的凹陷結(jié)構(gòu)處對支撐層采用黃光制程做同樣的圖形化處理，以使得該凹陷結(jié)構(gòu)暴露出來。而本實施例中，在對像素定義層圖形化處理時，僅形成容置腔，在支撐層上采用黃光制程做圖形化處理，以形成具有凹陷結(jié)構(gòu)的支撐層。具體描述如下：

s21a，在層疊結(jié)構(gòu)及陽極層上制備具有容置腔的像素定義層。

如圖7所示，步驟s21a進(jìn)一步包括如下子步驟：

s211a，在層疊結(jié)構(gòu)及陽極層上沉積像素定義層。

s212a，對像素定義層進(jìn)行圖形化處理以形成容置腔。

采用黃光制程對像素定義層進(jìn)行圖形化處理，具體包括對像素定義層進(jìn)行預(yù)烘、曝光、顯影及固化等操作，使其形成具有容置腔結(jié)構(gòu)的像素定義層。其中，該像素定義層可以為有機(jī)光阻層。

s22a，在像素定義層上制備具有凹陷結(jié)構(gòu)的支撐層，其中支撐層不覆蓋容置腔。

如圖8所示，步驟s22a進(jìn)一步包括如下子步驟：

s221a，在像素定義層上沉積支撐層。

在形成具有容置腔結(jié)構(gòu)的像素定義層后，在像素定義層上沉積支撐層(ps)，該支撐層也可以為有機(jī)光阻層。

s222a，對支撐層進(jìn)行圖形化處理以形成凹陷結(jié)構(gòu)及至少暴露容置腔。

具體地，采用黃光制程對在任意相鄰兩容置腔之間的支撐層進(jìn)行圖形化處理，具體包括對支撐層進(jìn)行預(yù)烘、曝光、顯影及固化等操作，使其形成凹陷結(jié)構(gòu)。其中，該凹陷結(jié)構(gòu)可以為包括但不限于弧形、圓形等。本實施例中，該凹陷結(jié)構(gòu)的形成無需增加額外的制程，簡化了操作進(jìn)程。

且上述實施例中的凹陷結(jié)構(gòu)，不僅位于任意兩相鄰容置腔之間，還位于相鄰兩個薄膜晶體管之間，需要說明的是該凹陷結(jié)構(gòu)的位置并不需要和相鄰容置腔或相鄰兩個薄膜晶體管同層設(shè)置。

s3，在容置腔內(nèi)制備有機(jī)發(fā)光器件。

其中，在形成具有容置腔結(jié)構(gòu)的像素定義層上制備有機(jī)發(fā)光器件，具體的在容置腔內(nèi)采用蒸鍍工藝制備有機(jī)發(fā)光器件。

s4，在有機(jī)發(fā)光器件及光阻層上制備反射陰極層。

在形成有機(jī)發(fā)光器件后，進(jìn)一步在有機(jī)發(fā)光器件及光阻層上蒸鍍反射陰極層。在形成整面的反射陰極層時，上述的凹陷結(jié)構(gòu)處，會形成一類似凸透鏡作用的結(jié)構(gòu)，當(dāng)然該凹陷結(jié)構(gòu)的形狀并不僅局限弧形、圓形，也可以是其它可以對像素區(qū)光線傳播進(jìn)行阻擋的形狀，本發(fā)明不做具體限定。當(dāng)有機(jī)發(fā)光器件發(fā)出的光線經(jīng)過具有類似凸透鏡作用反射陰極層反射后，會將經(jīng)反射陰極層后的光線反射回發(fā)光方向并衰減，能夠有效的避免薄膜晶體管間隙間的漏光現(xiàn)象發(fā)生，提升面板顯示品質(zhì)。

上述實施方式中，通過在光阻層上制備凹陷結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒔?jīng)反射陰極層后的光線反射回發(fā)光方向并衰減，避免由反射陰極層引起的漏光現(xiàn)象，提升面板顯示品質(zhì)。

請參閱圖9、10及11，圖9為本發(fā)明陣列基板一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，圖10為本發(fā)明陣列基板中層疊結(jié)構(gòu)一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，圖11為本發(fā)明陣列基板另一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖9，該陣列基板10包括：襯底基板11、層疊結(jié)構(gòu)12、陽極層13、光阻層14、有機(jī)發(fā)光器件15及反射陰極層16。

其中，該襯底基板11可以為透明材質(zhì)，具體可以是玻璃、陶瓷基板或者透明塑料等任意形式的基板，此處本發(fā)明不做具體限定。

層疊結(jié)構(gòu)12，形成于襯底基板11上，且該層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：多個薄膜晶體管121及平坦層122，具體結(jié)構(gòu)可以參見圖10，且本實施例中的所列舉的層疊結(jié)構(gòu)僅為示意性舉例，并不局限于此，其他類似的變換結(jié)構(gòu)也適用于本發(fā)明，此處不做具體限定。

其中，薄膜晶體管121進(jìn)一步包括：柵極層gate、柵極絕緣層gi、源極層s及漏極層d及半導(dǎo)體氧化物層igzo，該半導(dǎo)體氧化物層igzo覆蓋于柵極絕緣層gi及源極層s及漏極層d。

此外，該層疊結(jié)構(gòu)12還包括保護(hù)層124，且保護(hù)層124覆蓋于半導(dǎo)體氧化物層igzo上。

平坦層122，形成以保護(hù)層124上。

陽極層13，覆蓋于層疊結(jié)構(gòu)12上，具體地覆蓋于層疊結(jié)構(gòu)12中的平坦層122上。

光阻層14，沉積于陽極層13及層疊結(jié)構(gòu)12上，且該光阻層14具體包括：像素定義層141及支撐層142。且該光阻層14進(jìn)一步包括容置腔a及凹陷結(jié)構(gòu)b。在具體實施例中，該光阻層14的凹陷結(jié)構(gòu)b分為兩種情況：1.凹陷結(jié)構(gòu)b位于像素定義層上，2.凹陷結(jié)構(gòu)b位于像素定義層上，具體結(jié)構(gòu)請參見圖11，且該凹陷結(jié)構(gòu)的具體制作方法及過程詳見上述制備方法中的流程示意圖，此處不再贅述。

有機(jī)發(fā)光器件15，設(shè)置于容置腔內(nèi)a內(nèi)。

反射陰極層16，沉積于有機(jī)發(fā)光器件15及光阻層14上。

上述實施方式中，通過在光阻層上制備凹陷結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒔?jīng)反射陰極層后的光線反射回發(fā)光方向并衰減，避免由反射陰極層引起的漏光現(xiàn)象，提升面板顯示品質(zhì)。

請參閱圖12,圖12為本發(fā)明顯示裝置一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖,該顯示裝置30包括上述任意結(jié)構(gòu)的陣列基板c，且該陣列基板c的具體實施方法參見上述各實施方式，此處不再贅述。

綜上所述，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解，本發(fā)明提供一種像陣列基板及制造方法、顯示裝置，通過在光阻層上制備凹陷結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒔?jīng)反射陰極層后的光線反射回發(fā)光方向并衰減，避免由反射陰極層引起的漏光現(xiàn)象，提升面板顯示品質(zhì)。

以上僅為本發(fā)明的實施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。