本發(fā)明涉及發(fā)光器件領(lǐng)域，具體而言，涉及一種電致發(fā)光器件、顯示裝置及照明裝置。

背景技術(shù)：

量子點(diǎn)是一種三維尺寸都在1-20納米范圍內(nèi)的無機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光納米晶。由于其顆粒粒徑小于或接近激子玻爾半徑，量子點(diǎn)具有激發(fā)波長范圍寬、粒徑可控、半峰寬窄、斯托克斯位移大、光穩(wěn)定性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，因而被廣泛的應(yīng)用于顯示、生物標(biāo)記、太陽能電池等領(lǐng)域。

量子點(diǎn)技術(shù)已被應(yīng)用于顯示領(lǐng)域，量子點(diǎn)電致發(fā)光器件具有重要的商業(yè)應(yīng)用的價值，其具備半峰寬窄、穩(wěn)定性高、使用壽命長、發(fā)光波長范圍廣、理論外量子點(diǎn)效率高等優(yōu)點(diǎn)。

量子點(diǎn)電致發(fā)光器件一般由陽極、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和陰極構(gòu)成，空穴、電子分別從空穴傳輸層和電子傳輸層注入量子點(diǎn)，空穴與電子構(gòu)成的激子在量子點(diǎn)中復(fù)合發(fā)光。由于量子點(diǎn)材料的能級較深、電離勢較大，同時量子點(diǎn)材料的表面一般修飾有導(dǎo)電性差的長鏈配體，使得激子注入困難，這使得量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的運(yùn)行電壓增加，降低了電流效率。另一方面，量子點(diǎn)發(fā)光層中存在量子點(diǎn)排列不夠牢固和緊密的問題，導(dǎo)致發(fā)光層中量子點(diǎn)容易發(fā)生團(tuán)聚，嚴(yán)重降低了量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率，增加了器件的熱效應(yīng)。而對于量子點(diǎn)電致發(fā)光器件而言，在相同的發(fā)光亮度下，器件的電流越低、啟動電壓越低，越有利于器件使用壽命的延長。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種電致發(fā)光器件，以解決發(fā)光效率低、壽命短的問題。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種電致發(fā)光器件，包括依次設(shè)置的陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，所述發(fā)光層包括經(jīng)表面改性的碳納米管和均勻分散在所述碳納米管周圍的量子點(diǎn)，所述碳納米管的長度至少為所述發(fā)光層厚度的一半。

優(yōu)選地，所述碳納米管的長度范圍為50納米-2微米。

優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度范圍為30納米-500納米。

優(yōu)選地，所述碳納米管表面修飾有碳原子數(shù)范圍為5-20的飽和或者不飽和的長鏈烷基。

優(yōu)選地，所述量子點(diǎn)表面修飾有碳原子數(shù)范圍為2-20的飽和或者不飽和的烷基鏈。

優(yōu)選地，所述量子點(diǎn)表面修飾有以下基團(tuán)中的至少一種：十烷基、十烯基、十一烷基、十一烯基、十二烷基、十二烯基、十三烷基、十三烯基、十四烷基、十四烯基、十五烷基、十五烯基、十六烷基、十六烯基、十七烷基、十七烯基、十八烷基、十八烯基；所述碳納米管表面修飾有以下基團(tuán)中的至少一種：十烷基、十烯基、十一烷基、十一烯基、十二烷基、十二烯基、十三烷基、十三烯基、十四烷基、十四烯基、十五烷基、十五烯基、十六烷基、十六烯基、十七烷基、十七烯基、十八烷基、十八烯基。

優(yōu)選地，所述量子點(diǎn)表面修飾有共軛基團(tuán)。

優(yōu)選地，所述碳納米管為單壁碳納米管。

優(yōu)選地，所述碳納米管交叉排列，構(gòu)成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述碳納米管的排列方向一致，所述排列方向具有沿著所述發(fā)光層厚度方向的分量。

優(yōu)選地，所述碳納米管和所述量子點(diǎn)的質(zhì)量比值范圍為0.1％-10％。

優(yōu)選地，所述量子點(diǎn)固定在所述碳納米管的外壁上。

優(yōu)選地，所述量子點(diǎn)與所述碳納米管之間的距離小于3納米。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種顯示裝置，包括上述的電致發(fā)光器件。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種照明裝置，包括上述的電致發(fā)光器件。

本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明中發(fā)光層包括量子點(diǎn)和碳納米管，碳納米管之間構(gòu)成的間隙可以對量子點(diǎn)起到固定分散的作用，有效的減少了量子點(diǎn)之間的團(tuán)聚，同時，利用碳納米管優(yōu)良的導(dǎo)電性能，使得量子點(diǎn)中電荷注入效率增加。本發(fā)明可有效的提高電致發(fā)光器件的發(fā)光效率，進(jìn)一步的增加其使用壽命。

附圖說明

圖1是本發(fā)明具體實(shí)施方式中電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明具體實(shí)施方式中電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明具體實(shí)施方式中量子點(diǎn)與碳納米管相互作用示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)地描述，顯然，所描述的實(shí)施方式僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施方式，而不是全部實(shí)施方式?；诒景l(fā)明中的實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí)施方式，都屬于本發(fā)明保護(hù)范圍。

請參閱圖1，圖1為本發(fā)明的一種電致發(fā)光器件實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，電致發(fā)光器件從下而上依次設(shè)置陽極11、空穴傳輸層12、發(fā)光層13、電子傳輸層14及陰極15，發(fā)光層13包括經(jīng)表面改性的碳納米管132和均勻分散在碳納米管132周圍的量子點(diǎn)131，碳納米管132的長度至少為發(fā)光層13厚度的一半。

本發(fā)明中量子點(diǎn)分散在碳納米管的周圍。碳納米管的長度在微米級別，因此碳納米管在發(fā)光層沉積后基本不可移動，不同的碳納米管之間會存在許多間隙，量子點(diǎn)分散在這些間隙中或者部分沉積在間隙中時被固定；另一方面，碳納米管的電荷遷移率高，將碳納米管與量子點(diǎn)混合時，電荷可以通過碳納米管在多個量子點(diǎn)之間傳遞，有效的增加了量子點(diǎn)表面的電荷注入，減小了量子點(diǎn)中激子的淬滅，進(jìn)而有效的提高量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的效率與壽命。

本發(fā)明中經(jīng)過表面改性后的碳納米管與量子點(diǎn)具有相同的極性，使得碳納米管與量子點(diǎn)具有良好的相容性，極性相同的碳納米管與量子點(diǎn)在發(fā)光層中分散更加均勻。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，量子點(diǎn)表面修飾有極性配體，碳納米管表面為親水改性。在另一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，量子點(diǎn)表面修飾有非極性配體，碳納米管表面為疏水改性。極性配體包括羥基、氨基、羧基中的至少一種官能團(tuán)，非極性配體包括烷烴鏈、烯烴鏈、芳香烴鏈中的至少一種疏水鏈。本發(fā)明中發(fā)光層的制備可以通過將包括極性相同的量子點(diǎn)與碳納米管在溶劑中混合，涂覆至空穴傳輸層上后干燥制備。

當(dāng)碳納米管的長度太小時，碳納米管不能有效傳導(dǎo)電荷，并且碳納米管會自發(fā)光，影響發(fā)光層的發(fā)光純度。碳納米管可以通過實(shí)驗室自制或者在市面上購買，但是不管碳納米管通過何種途徑獲得，碳納米管的長度都具有一定長度分布，大多數(shù)碳納米管分布在一個較大的長度區(qū)間中，在該長度區(qū)間外依然分布有少量碳納米管，本發(fā)明中碳納米管的長度是指發(fā)光層中絕大部分的碳納米管所具有的長度。本發(fā)明中碳納米管的長度至少為發(fā)光層厚度的一半。

碳納米管的長度越短，越有利于碳納米管在發(fā)光層的沉積。另一方面，碳納米管的長度太長會造成發(fā)光層粗糙度增加、進(jìn)而導(dǎo)致電致發(fā)光器件的漏電、短路等問題。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，碳納米管的長度范圍為50納米-2微米，更加優(yōu)選為0.1微米-1微米。當(dāng)然在碳納米管經(jīng)表面改性和量子分散較為均勻的前提下，碳納米管長度范圍也可以據(jù)實(shí)際情況調(diào)整到2微米以上。

本發(fā)明中發(fā)光層為包括量子點(diǎn)和碳納米管的混合層，與不摻雜碳納米管的發(fā)光層相比，本發(fā)明中發(fā)光層的厚度在實(shí)際制備中會有所增加。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，發(fā)光層的厚度范圍為30納米-500納米，更加優(yōu)選為30納米-100納米。

在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，碳納米管為表面疏水改性，碳納米管表面修飾有碳原子數(shù)范圍為5-20的飽和或者不飽和的長鏈烷基。長鏈烷基可以通過多種反應(yīng)方式修飾在碳納米管的表面，優(yōu)選通過碳納米管表面的官能團(tuán)與具有長鏈烷基的配體脫水反應(yīng)制備。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，長鏈烷基通過碳納米管表面修飾的羧酸基團(tuán)與胺化合物配體反應(yīng)制得。胺化合物配體優(yōu)選包括己胺、庚胺、辛胺、三辛胺、壬胺、十胺、十烯胺、十一胺、十一烯胺、十二胺、十二烯胺、十三胺、十三烯胺、十四胺、十四烯胺、十五胺、十五烯胺、十六胺、十六烯胺、十七胺、十七烯胺、十八胺和十八烯胺中的至少一種。

本發(fā)明中量子點(diǎn)包括核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)，構(gòu)成核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的核的材料包括cdse、cds、cdte、cdsete、cdzns、cdznses、pbse、cdses、pbs、pbte、hgs、hgse、hgte、gan、gap、gaas、inp、inas、inznp、ingap、cus、cuins、cugas和ingan中的至少一種，構(gòu)成核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的殼的材料包括znse、zns和znses中的至少一種。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，量子點(diǎn)包括cdse/zns、cdznses/zns或者inp/zns。為了避免在發(fā)光層或者溶劑體系中量子點(diǎn)的團(tuán)聚、沉淀以及增加與碳納米管的相容性，量子點(diǎn)表面修飾有與碳納米管表面極性相同的配體。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，量子點(diǎn)表面修飾有碳原子數(shù)范圍為2-20的飽和或者不飽和的烷基鏈。碳原子數(shù)范圍為2-20的飽和或者不飽和的烷基鏈包括酸配體、胺配體、硫醇配體、膦配體中的至少一種。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，量子點(diǎn)表面配體為酸配體，優(yōu)選為十八烯酸。在另一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，量子點(diǎn)表面配體為硫醇配體，優(yōu)選為辛硫醇。

在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，量子點(diǎn)表面修飾有以下基團(tuán)中的至少一種：十烷基、十烯基、十一烷基、十一烯基、十二烷基、十二烯基、十三烷基、十三烯基、十四烷基、十四烯基、十五烷基、十五烯基、十六烷基、十六烯基、十七烷基、十七烯基、十八烷基、十八烯基；碳納米管表面修飾有以下基團(tuán)中的至少一種：十烷基、十烯基、十一烷基、十一烯基、十二烷基、十二烯基、十三烷基、十三烯基、十四烷基、十四烯基、十五烷基、十五烯基、十六烷基、十六烯基、十七烷基、十七烯基、十八烷基、十八烯基。

在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，量子點(diǎn)表面修飾有共軛基團(tuán)。具有共軛基團(tuán)的配體不僅在傳導(dǎo)電荷方面具有良好的導(dǎo)電性，共軛基團(tuán)還可以與碳納米管中的大派鍵發(fā)生共軛作用，將碳納米管中的電荷通過共軛作用傳導(dǎo)至量子點(diǎn)。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，共軛基團(tuán)包括取代或者不取代的聚乙炔鏈、取代或者不取代的聚苯撐鏈、取代或者不取代的聚乙炔苯撐鏈、取代或者不取代的聚吡咯鏈、取代或者不取代的聚吡嚨鏈、取代或者不取代的聚噻唑鏈、取代或者不取代的聚咔唑鏈、取代或者不取代的聚三嗪鏈、取代或者不取代的聚苯并惡唑鏈、取代或者不取代的聚苯并噻唑鏈、取代或者不取代的聚苯并咪唑鏈中的至少一種。

為增加碳納米管的導(dǎo)電率，減小碳納米管的缺陷，本發(fā)明中碳納米管外徑優(yōu)選小于6納米。碳納米管可以為多壁或者單壁，單壁碳納米管有利于電荷的傳輸、發(fā)光層的平整度。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，碳納米管為單壁碳納米管。

為增加發(fā)光層中電子與空穴的提取率和傳輸率，在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，碳納米管交叉排列，構(gòu)成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)是指碳納米管構(gòu)成多個網(wǎng)狀孔空間，不同碳納米管可以相互接觸也可以不接觸。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，碳納米管與碳納米管之間通過物理作用接觸。在另一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，碳納米管與碳納米管之間通過化學(xué)鍵連接。量子點(diǎn)分散在碳納米管組成的網(wǎng)狀導(dǎo)電體的網(wǎng)孔中時，電荷可以快速的向發(fā)光層中不同量子點(diǎn)傳輸，有效減小傳輸電阻。

如圖2所示，在本發(fā)明的一個具體實(shí)施方式中，電致發(fā)光器件從下而上依次設(shè)置陽極21、空穴傳輸層22、發(fā)光層23、電子傳輸層24及陰極25，發(fā)光層23為包括碳納米管232和量子點(diǎn)231的混合層。碳納米管232的排列方向一致，碳納米管232的排列方向具有沿著發(fā)光層23厚度方向的分量。當(dāng)碳納米管232沿著電致發(fā)光器件的電場方向存在傾斜分量時，電子和空穴可以在電場的作用下快速在發(fā)光層中傳遞，減小傳遞過程中的電阻。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，碳納米管的兩端修飾有帶正電或者負(fù)電的基團(tuán)，通過在制備時將涂覆在空穴傳輸層或者電子傳輸層上的碳納米管的溶液體系中施加外部電場，實(shí)現(xiàn)對碳納米管的排列方向控制。

發(fā)光層中碳納米管的含量越高，越有利于電荷的傳輸，但是碳納米管含量過高會造成發(fā)光層粗糙度增加、碳納米管造成的凸起結(jié)構(gòu)容易刺穿其他的結(jié)構(gòu)層，進(jìn)而導(dǎo)致電致發(fā)光器件的漏電、短路等問題，量子點(diǎn)發(fā)光材料含量不足也會導(dǎo)致電流效率下降。為解決上述問題，碳納米管和量子點(diǎn)的質(zhì)量比值范圍優(yōu)選在0.1％-10％，具體可以為0.1％、0.5％、1％、2％、4％、6％、8％、10％，更加優(yōu)選為0.1％-1％。本發(fā)明中的實(shí)驗結(jié)果表明，發(fā)光層中加入極少量的碳納米管就能顯著的增加發(fā)光層的電致發(fā)光性能。

為進(jìn)一步的避免量子點(diǎn)的團(tuán)聚，減小碳納米管與量子點(diǎn)之間的距離，從而促進(jìn)電荷注入量子點(diǎn)，在本發(fā)明的一個具體實(shí)施方式中，量子點(diǎn)固定在碳納米管的外壁上。如圖3所示，碳納米管331與量子點(diǎn)332之間通過化學(xué)鍵，氫鍵，范德華力中的至少一種化學(xué)作用鍵333結(jié)合。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，固定方式包括量子點(diǎn)表面配體與碳納米管表面配體發(fā)生聚合反應(yīng)交聯(lián)。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，量子點(diǎn)表面配體與碳納米管表面配體的末端基團(tuán)包括羥基、巰基、氨基、羧基、磺酸基中的至少一種，量子點(diǎn)與碳納米管之間通過脫水反應(yīng)結(jié)合。在另一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，量子點(diǎn)表面配體與碳納米管表面配體的末端基團(tuán)包括雙鍵、三鍵中的至少一種，量子點(diǎn)與碳納米管之間通過不飽和鍵聚合反應(yīng)結(jié)合。

量子點(diǎn)與碳納米管之間的距離越小，越有利于電荷的傳輸。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，碳納米管與量子點(diǎn)之間的距離小于3納米，更加優(yōu)選為小于1納米。通過控制化學(xué)作用鍵的相關(guān)表面配體的長度來實(shí)現(xiàn)對量子點(diǎn)與碳納米管之間距離的控制，在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，碳納米管和量子點(diǎn)表面發(fā)生相互作用的配體的碳原子數(shù)均小于18個。

為減小發(fā)光層的凸起結(jié)構(gòu)，增加量子點(diǎn)與碳納米管的均勻分散性。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，發(fā)光層的制備過程包括對涂覆在空穴傳輸層或者電子傳輸層上含有碳納米管的混合液離心、震蕩或者超聲。經(jīng)過離心、震蕩或者超聲后，量子點(diǎn)能更好的分散在碳納米管的間隙之間，同時碳納米管能更好的平鋪，減少凸起程度。

在本發(fā)明的具體實(shí)施方式中，電致發(fā)光器件還包括襯底，根據(jù)不同實(shí)際需求，襯底可以設(shè)置在陽極或者陰極上遠(yuǎn)離發(fā)光層的一側(cè)。襯底可以選自剛性的玻璃襯底也可以選自柔性襯底，柔性襯底的材料優(yōu)選包括石墨烯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚酮、聚醚砜樹脂、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚乙烯醇中的至少一種。柔性襯底優(yōu)選石墨烯，石墨烯作為柔性襯底時，可實(shí)現(xiàn)多次折疊，同時石墨烯具有良好的透光性與導(dǎo)熱性。

陽極的構(gòu)成材料包括銦錫氧化物、氟摻氧化錫、銦鋅氧化物、鋁摻氧化鋅、鎵摻氧化鋅、鎘摻氧化鋅、銅銦氧化物、氧化錫、氧化鋯、石墨烯、納米碳管、鎳、金、鉑和鈀中的至少一種。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，陽極材料選自高透光性的銦錫氧化物。為減小電致發(fā)光器件的散熱問題，在另一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，陽極材料選自高散熱性和良好導(dǎo)電性的碳納米管。

構(gòu)成本發(fā)明中的空穴傳輸層用來注入和/或傳輸空穴至發(fā)光層?？昭▊鬏攲拥牟牧峡梢赃x自有機(jī)物和無機(jī)物中的至少一種，具體包括氧化鎳、氧化鎢、氧化鉬、氧化鉻、氧化釩、硫化鉬、硒化鉬、硫化鎢、硒化鎢、石墨烯、富勒烯、叔芳胺、聚噻吩、聚吡咯、聚乙烯基苯撐、聚乙烯基咔唑、聚乙炔基苯撐、聚苯撐、聚乙炔、酞菁、酞菁衍生物、紫菜堿、紫菜堿衍生物、聚[n,n'-雙(4-丁基苯基)-n,n'-雙(苯基)聯(lián)苯胺]、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]、聚(9-乙烯基咔唑)、聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基對苯醌、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(苯并[2,1,3]噻二唑-4,8-二基)]、4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、n,n'-二苯基-n,n'-(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、n,n'-雙-(1-萘基)-n,n'-二苯基-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)中的至少一種。在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，構(gòu)成空穴傳輸層的材料為(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)。為提高電致發(fā)光器件的穩(wěn)定性和使用壽命，在另一優(yōu)選的實(shí)施方式中，空穴傳輸層的材料選自氧化鎳、氧化鎢、氧化鉬中的至少一種。

構(gòu)成本發(fā)明中的電子傳輸層用來注入和/或傳輸電子至發(fā)光層。電子傳輸層的材料可以選自有機(jī)物和無機(jī)物中的至少一種，具體包括zno、tio2、sno2、wo3、zro2、ta2o3、mgo、znmgo、石墨烯、惡二唑類、惡二唑類衍生物、惡唑類、惡唑類衍生物、異惡唑、異惡唑衍生物、噻唑、噻唑衍生物、1,2,3-三唑、1,2,3-三唑衍生物、1,3,5-三嗪類、1,3,5-三嗪類衍生物、喹喔啉、喹喔啉衍生物、聚吡咯、聚苯撐、聚乙烯基苯撐、聚乙烯基咔唑、聚乙炔、聚乙炔基苯撐、聚噻吩中的至少一種，進(jìn)一步優(yōu)選為zno、tio2、sno2、wo3、zro2、ta2o3、mgo、znmgo中的至少一種。為提高電致發(fā)光器件的穩(wěn)定性和使用壽命，在一個具體的實(shí)施方式中，電子傳輸層的構(gòu)成材料為zno；在另一個具體的實(shí)施方式中，電子傳輸層的構(gòu)成材料為znmgo。為改善其電荷傳輸效率與能帶結(jié)構(gòu)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以進(jìn)一步的對電子傳輸層的無機(jī)材料進(jìn)行修飾。

本發(fā)明中陰極的構(gòu)成材料包括al、ag、mg、ca、ba、ca/ag、ca/al、lif/al、lif/ag、baf2、baf2/al、baf2/ag、baf2/ca/al、baf2/ca、csf/al、csco3/al中的至少一種，在一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，陰極的構(gòu)成材料為al。

本發(fā)明的一種實(shí)施方式中，提供了一種顯示裝置，顯示裝置包括上述電致發(fā)光器件，顯示裝置可以為手機(jī)、電腦、車載顯示儀、機(jī)載顯示儀等。

本發(fā)明的另一種實(shí)施方式中，提供了一種照明裝置，照明裝置包括上述電致發(fā)光器件，照明裝置可以為電燈、植物生長燈、裝飾燈等。

為使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能更清楚的了解本發(fā)明的技術(shù)方案，以下將結(jié)合具體的實(shí)施例與對比例來詳細(xì)的說明本發(fā)明的技術(shù)方案。

實(shí)施例1

與對比例1相同，所不同的在于，發(fā)光層的構(gòu)成材料包括經(jīng)過表面疏水改性的碳納米管。

發(fā)光層的構(gòu)成材料包括經(jīng)過表面疏水改性的碳納米管，疏水改性的碳納米管表面修飾有十八烯基，碳納米管和量子點(diǎn)的質(zhì)量比值為0.2％，碳納米管為單壁碳納米管，碳納米管的外徑為1納米-2納米，長度在0.5微米-2微米。

碳納米管的表面疏水改性過程如下，取20毫升羧基化的碳納米管于50毫升的三頸燒瓶中，向瓶中裝入20毫升二氯亞砜，0.5毫升n，n-二甲基甲酰胺，70攝氏度回流24h，再向其中加入5毫升油胺，70攝氏度反應(yīng)24h，接著離心純化，得到表面修飾有十八烯基的碳納米管。

實(shí)施例2

與對比例1相同，所不同的在于，發(fā)光層的構(gòu)成材料包括經(jīng)過表面疏水改性的碳納米管。

發(fā)光層的構(gòu)成材料含有經(jīng)過表面疏水改性的碳納米管，疏水改性的碳納米管表面修飾有十六烷基，碳納米管和量子點(diǎn)的質(zhì)量比值為0.2％，碳納米管為單壁碳納米管，碳納米管的外徑為1納米-2納米，長度在0.5微米-2微米。

碳納米管的表面疏水改性過程如下，取20毫升羧基化的碳納米管于50毫升的三頸燒瓶中，向瓶中裝入20毫升二氯亞砜，0.5毫升n，n-二甲基甲酰胺，70攝氏度回流24h，再向其中加入5毫升十六胺，70攝氏度反應(yīng)24h，接著離心純化，得到表面修飾有十六烷烴基的碳納米管。

實(shí)施例3

與實(shí)施例1相同，所不同的在于，碳納米管和量子點(diǎn)的質(zhì)量比值為0.4％。

實(shí)施例4

與實(shí)施例1相同，所不同的在于，碳納米管和量子點(diǎn)的質(zhì)量比值為0.7％。

實(shí)施例5

與實(shí)施例1相同，所不同的在于，碳納米管和量子點(diǎn)的質(zhì)量比值為1％。

實(shí)施例6

與對比例2相同，所不同的在于，發(fā)光層的構(gòu)成材料包括經(jīng)過表面疏水改性的碳納米管。

發(fā)光層的構(gòu)成材料含有經(jīng)過表面疏水改性的碳納米管，碳納米管表面修飾有十八烯烴基，碳納米管和量子點(diǎn)的質(zhì)量比值為1％，碳納米管為單壁碳納米管，碳納米管的外徑為1納米-2納米，長度在0.5微米-2微米。

碳納米管的表面疏水改性過程如下，取20毫升羧基化的碳納米管于50毫升的三頸燒瓶中，向瓶中裝入20毫升二氯亞砜，0.5毫升n，n-二甲基甲酰胺，70攝氏度回流24h，再向其中加入5毫升油胺，70攝氏度反應(yīng)24h，接著離心純化，得到表面修飾有十八烯基的碳納米管。

實(shí)施例7

與對比例3相同，所不同的在于，發(fā)光層的構(gòu)成材料包括經(jīng)過表面疏水改性的碳納米管。

發(fā)光層的構(gòu)成材料含有經(jīng)過表面疏水改性的碳納米管，碳納米管表面修飾有十八烯烴基，碳納米管和量子點(diǎn)的質(zhì)量比值為1％，碳納米管為單壁碳納米管，碳納米管的外徑為1納米-2納米，長度在0.5微米-2微米。

碳納米管的表面疏水改性過程如下，取20毫升羧基化的碳納米管于50毫升的三頸燒瓶中，向瓶中裝入20毫升二氯亞砜，0.5毫升n，n-二甲基甲酰胺，70攝氏度回流24h，再向其中加入5毫升油胺，70攝氏度反應(yīng)24h，接著離心純化，得到表面修飾有十八烯基的碳納米管。

對比例1

電致發(fā)光器件包括依次設(shè)置的陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，其中，陽極的構(gòu)成材料為銦錫氧化物、空穴傳輸層的構(gòu)成材料為聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、發(fā)光層的構(gòu)成材料為油酸修飾的紅光cdse/zns量子點(diǎn)、電子傳輸層的構(gòu)成材料為氧化鋅、陰極的構(gòu)成材料為al。

對比例2

與對比例1相同，所不同的在于，發(fā)光層的構(gòu)成材料為油酸修飾的綠光cdse/zns量子點(diǎn)。

對比例3

與對比例1相同，所不同的在于，發(fā)光層的構(gòu)成材料為油酸修飾的藍(lán)光cdse/zns量子點(diǎn)。

對各實(shí)施例及對比例的電致發(fā)光性能進(jìn)行測試。

表1是對比例1與實(shí)施例1、實(shí)施例3、實(shí)施例4、實(shí)施例5的電致發(fā)光器件的發(fā)射峰、電流效率、最大亮度、外量子效率的測試結(jié)果。

表1：

從表1中可見，在紅光量子點(diǎn)作為發(fā)光層的電致發(fā)光器件中，當(dāng)在發(fā)光層中增加碳納米管的含量從0到1％時，電致發(fā)光器件的電流效率從8.34cd/a逐漸增加到21.16cd/a，最大亮度從82180cd/m²逐漸增加到204800cd/m²，外量子效率從6.00％逐漸增加到14.29％。本發(fā)明的實(shí)施例中測試結(jié)果表明，碳納米管的加入顯著的增加了紅光電致發(fā)光器件的發(fā)光效率，另一方面，由于本發(fā)明中器件各功能層的材料以及制備條件還可以進(jìn)一步優(yōu)化，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，可以預(yù)見的是，碳納米管的摻雜對于電致發(fā)光器件的光學(xué)性能提升極限值遠(yuǎn)大于本發(fā)明具體實(shí)施例中呈現(xiàn)的數(shù)據(jù)。

表2是對比例2與實(shí)施例6的電致發(fā)光器件的發(fā)射峰、電流效率、最大亮度、外量子效率的測試結(jié)果。

表2：

表3是對比例3與實(shí)施例7的電致發(fā)光器件的發(fā)射峰、電流效率、最大亮度、外量子效率的測試結(jié)果。

表3：

從以上的描述中可以看出，本發(fā)明上述的實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果：

(1)通過在發(fā)光層加入一定濃度的碳納米管可以顯著的提高電致發(fā)光器件的電流效率、最大亮度、外量子效率，從而進(jìn)一步延長電致發(fā)光器件的使用壽命；

(2)本發(fā)明包括該電致發(fā)光器件的顯示裝置也具備優(yōu)良的光學(xué)性能；

(3)本發(fā)明包括該電致發(fā)光器件的照明裝置也具備優(yōu)良的光學(xué)性能。

顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。