本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

目前，amoled(active-matrixorganiclightemittingdiode，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體)顯示裝置的有機(jī)電致發(fā)光二極管的反射金屬和陽(yáng)極ito通常是采用磁控濺射/化學(xué)氣相沉積等方法來(lái)制備。

由于陽(yáng)極ito的表面特性很難控制，陽(yáng)極ito的膜層表面容易出現(xiàn)一些缺陷。因此，在制作有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極ito時(shí)，陽(yáng)極ito表面易產(chǎn)生微小凸起。這些微小凸起易導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件存在漏電流，從而影響有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命，并且使得有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較差，進(jìn)而影響顯示裝置的顯示效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極層的微小凸起易導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件存在漏電流的問(wèn)題。

第一方面，提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括：陽(yáng)極層和空穴注入層，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括：陽(yáng)極緩沖層，所述陽(yáng)極緩沖層設(shè)置在所述陽(yáng)極層和所述空穴注入層之間，所述陽(yáng)極緩沖層的帶隙寬度至少為10ev。

進(jìn)一步：所述陽(yáng)極緩沖層的homo能級(jí)與所述陽(yáng)極層的homo能級(jí)的差值的絕對(duì)值小于0.5ev；所述陽(yáng)極緩沖層的homo能級(jí)與所述空穴注入層的homo能級(jí)的差值的絕對(duì)值小于0.5ev，或者，所述陽(yáng)極緩沖層的homo能級(jí)與所述空穴注入層的lumo能級(jí)的差值的絕對(duì)值小于0.5ev。

進(jìn)一步：所述陽(yáng)極緩沖層的厚度為0.5～5nm。

進(jìn)一步，所述陽(yáng)極緩沖層的材料選自如下的至少一種：lif、csf、naf和kf。

進(jìn)一步，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括：依次層疊設(shè)置的基板、驅(qū)動(dòng)電路、反射層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和光取出層；其中，所述陽(yáng)極層、所述陽(yáng)極緩沖層和所述空穴注入層設(shè)置在所述反射層和所述空穴傳輸層之間，所述陽(yáng)極層與所述反射層相鄰，所述空穴注入層與所述空穴傳輸層相鄰。

第二方面，提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括：在陽(yáng)極層的一表面上形成陽(yáng)極緩沖層；在所述陽(yáng)極緩沖層的一表面上形成空穴注入層；其中，所述陽(yáng)極緩沖層的帶隙寬度至少為10ev。

進(jìn)一步：所述陽(yáng)極緩沖層的homo能級(jí)與所述陽(yáng)極層的homo能級(jí)的差值的絕對(duì)值小于0.5ev；所述陽(yáng)極緩沖層的homo能級(jí)與所述空穴注入層的homo能級(jí)的差值的絕對(duì)值小于0.5ev，或者，所述陽(yáng)極緩沖層的homo能級(jí)與所述空穴注入層的lumo能級(jí)的差值的絕對(duì)值小于0.5ev。

進(jìn)一步：所述陽(yáng)極緩沖層的厚度為0.5～5nm。

進(jìn)一步，所述在陽(yáng)極層的一表面上形成陽(yáng)極緩沖層的步驟之前，所述方法還包括：在基板的一表面上依次形成層疊設(shè)置的驅(qū)動(dòng)電路、反射層和陽(yáng)極層；所述在所述陽(yáng)極緩沖層的一表面上形成空穴注入層的步驟之后，所述方法還包括：在所述空穴注入層的一表面上依次形成層疊設(shè)置的空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和光取出層。

第三方面，提供一種顯示裝置，包括：上述的有機(jī)電致發(fā)光器件。

這樣，本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)在陽(yáng)極層和空穴注入層之間設(shè)置帶隙寬度較大的陽(yáng)極緩沖層，從而使得該陽(yáng)極緩沖層具有較大的電阻，可以阻止陽(yáng)極層的微小凸起導(dǎo)致的漏電流在有機(jī)電致發(fā)光器件中的傳輸，從而避免漏電流的不利影響，延長(zhǎng)有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命，改善有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖一；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖二。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲取的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光器件。該有機(jī)電致發(fā)光器件用于顯示裝置。

如圖1所示，該有機(jī)電致發(fā)光器件包括：依次層疊設(shè)置的基板1、驅(qū)動(dòng)電路2、反射層3、陽(yáng)極層4、陽(yáng)極緩沖層5、空穴注入層6、空穴傳輸層7、電子阻擋層8、發(fā)光層9、空穴阻擋層10、電子傳輸層11、電子注入層12、陰極層13和光取出層14。

其中，陽(yáng)極緩沖層5的帶隙寬度至少為10ev。

該陽(yáng)極緩沖層5的帶隙寬度較大，從而使得該陽(yáng)極緩沖層5具有較大的電阻，可以阻止陽(yáng)極層4的微小凸起導(dǎo)致的漏電流在有機(jī)電致發(fā)光器件中的傳輸，從而避免漏電流的不利影響，延長(zhǎng)有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命，改善有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。

由于陽(yáng)極層4產(chǎn)生空穴，并且空穴向發(fā)光層9傳輸。因此，為了確保該陽(yáng)極緩沖層5不會(huì)影響空穴的傳輸，需要對(duì)陽(yáng)極緩沖層5的homo能級(jí)進(jìn)行限定。由于對(duì)于陽(yáng)極層4，其對(duì)空穴的傳輸主要是在homo能級(jí)，因此，該陽(yáng)極緩沖層5的homo能級(jí)與陽(yáng)極層4的homo能級(jí)的差值的絕對(duì)值需要小于0.5ev，即陽(yáng)極層4的homo能級(jí)可以比陽(yáng)極緩沖層5的homo能級(jí)大，也可以比陽(yáng)極緩沖層5的homo能級(jí)小，只要兩者的差值的絕對(duì)值不超過(guò)0.5ev即可。同時(shí)，對(duì)于空穴注入層6，根據(jù)空穴注入層6的材料的不同，空穴可以在空穴注入層6的homo能級(jí)上，也可以在空穴注入層6的lumo能級(jí)上進(jìn)行傳輸，因此，陽(yáng)極緩沖層5的homo能級(jí)與空穴注入層6的homo能級(jí)的差值的絕對(duì)值需要小于0.5ev?；蛘?，陽(yáng)極緩沖層5的homo能級(jí)與空穴注入層6的lumo能級(jí)的差值的絕對(duì)值需要小于0.5ev，即空穴注入層6的homo能級(jí)或者lumo能級(jí)可以比陽(yáng)極緩沖層5的homo能級(jí)大，也可以比陽(yáng)極緩沖層5的homo能級(jí)小，只要兩者的差值的絕對(duì)值不超過(guò)0.5ev即可。上述的對(duì)陽(yáng)極緩沖層5的homo能級(jí)的限定，使得陽(yáng)極緩沖層5不會(huì)影響空穴的傳輸。

由于陽(yáng)極緩沖層5的厚度越大，陽(yáng)極緩沖層5的電阻越大，從而有可能影響正常的電流的傳輸。因此，需進(jìn)一步限定陽(yáng)極緩沖層5的厚度。具體的，該陽(yáng)極緩沖層5的厚度為0.5～5nm，避免陽(yáng)極緩沖層5過(guò)厚，在阻止漏電流傳輸?shù)耐瑫r(shí)，確保正常的電流傳輸。

具體的，該陽(yáng)極緩沖層5的材料選自如下的至少一種：lif、csf、naf和kf。這些材料具有較高的帶隙寬度，確保陽(yáng)極緩沖層5可阻止漏電流的傳輸。

該有機(jī)電致發(fā)光器件的其他各層的材料和厚度，可具體根據(jù)如下的限定進(jìn)行選擇：

基板1可采用玻璃基板。

反射層3的材料可選自如下的至少一種：ag、al、au、cu和mo等。反射層3的厚度至少要大于80nm，以確保反射效果。

陽(yáng)極層4為導(dǎo)電薄膜，用于與陰極層13電性導(dǎo)通。陽(yáng)極層4的材料選自如下的至少一種：ito(in2o3:sno2)、izo(in2o3:zno)、gito(ga0.08in0.28sn0.64o3)、zito(zn0.64in0.88sn0.66o3)。陽(yáng)極層4的厚度至少大于10nm。

空穴注入層6的材料選自如下的至少一種：4,4',4"-三(n-(1-萘基)-n-苯基氨基)三苯胺(tnata)、酞菁銅(cupc)等。空穴注入層6的厚度為5～20nm，以實(shí)現(xiàn)較好的注入空穴的效果。

空穴傳輸層7的材料優(yōu)選空穴遷移率高的材料。具體的，空穴傳輸層7的材料選自如下的至少一種：n,n′-二(1-萘基)-n,n′-二苯基-1,1′-聯(lián)苯-4-4′-二胺(npb)、三苯基二胺衍生物(tpd)、三苯甲硅烷基(tpte)、1,3,5-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)苯(tdab)等?？昭▊鬏攲?的厚度為100～200nm，以實(shí)現(xiàn)較好的傳輸空穴的效果。

電子阻擋層8的材料優(yōu)選為三(1-苯基吡唑)合銥，以實(shí)現(xiàn)較好的阻擋電子遷移的效果。

發(fā)光層9根據(jù)發(fā)光的顏色的不同，其材料可以是紅色、綠色、藍(lán)色等不同的發(fā)光材料。其中，紅色發(fā)光材料選自如下的至少一種：(e)-4-二腈亞甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定乙烯基)吡喃(dcjtb)、ir(piq)2(acac)、紅熒烯(rubrene)等。綠色發(fā)光材料選自如下的至少一種：2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四甲基-1h,5h,11h-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9a,1gh]香豆素(c-545t)、n,n'-二甲基喹吖啶酮；5,12-二氫-5,12-二甲基喹[2,3-b]吖啶-7,14-二酮(dmqa)、二苯錫(dpt)等。藍(lán)色發(fā)光材料選自如下的至少一種：9,10-二-2-萘蒽(adn)、十二烷基琥珀酸酐(dsa)、三丁基膦(tbp)等。

空穴阻擋層10的材料選自如下的至少一種：1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)、1,3-二[2-(2,2'-聯(lián)吡啶-6-基)-1,3,4-唖二唑-5-基]苯(bpy-oxd)、1,10-鄰菲羅林衍生物(bcp)等。

電子傳輸層11的材料優(yōu)選電子遷移率高的材料。具體的，電子傳輸層11的材料選自如下的至少一種：2-(4-聯(lián)苯基)-5-苯基惡二唑(pbd)、2,5-二(1-萘基)-1,3,5-惡二唑(bnd)、2,4,6-三苯氧基-1,3,5-三嗪(trz)等。

電子注入層12的材料選自如下的至少一種：氟化鋰(lif)、氧化鋰(li2o)、氧化鋰硼(libo2)、硅酸鉀(k2sio3)、碳酸銫(cs2co3)及堿金屬醋酸鹽類(lèi)ch3coom。其中，m可以是li、na、k、rb或者cs。

陰極層13的材料可以是金屬材料，例如，陰極層13的材料選自如下的至少一種：mg、ag、al、li、k、ca等。陰極層13的材料也可以是上述金屬材料的合金，例如，陰極層13的材料選自如下的至少一種：mgxag(1-x)、lixal(1-x)、lixca(1-x)、lixag(1-x)等。

光取出層14可以選擇光取出效率高的材料，提高有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。

具體的，該有機(jī)電致發(fā)光器件的工作過(guò)程如下：

陽(yáng)極層4產(chǎn)生空穴，陰極層13產(chǎn)生電子，空穴向發(fā)光層9運(yùn)動(dòng)，電子也向發(fā)光層9運(yùn)動(dòng)?？昭ê碗娮釉诎l(fā)光層9相遇，形成空穴-電子對(duì)，空穴-電子對(duì)躍遷發(fā)光。在該過(guò)程中，由于陽(yáng)極層4表面具有微小凸起，易導(dǎo)致產(chǎn)生漏電流。陽(yáng)極緩沖層5由于具有較大的帶隙寬度，電阻較大，可阻擋漏電流在有機(jī)電致發(fā)光器件中的傳輸，從而避免了漏電流對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的影響。同時(shí)，陽(yáng)極緩沖層5不會(huì)影響正常的空穴和電子傳輸，從而使得空穴和電子在發(fā)光層9相遇，形成空穴-電子對(duì)發(fā)光。

綜上，本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件，在陽(yáng)極層4和空穴注入層6之間設(shè)置具有較大的帶隙寬度的陽(yáng)極緩沖層5，使得該陽(yáng)極緩沖層5具有較大的電阻，可以阻止陽(yáng)極層4存在的漏電流在有機(jī)電致發(fā)光器件中的傳輸，從而避免漏電流的不利影響，延長(zhǎng)有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命，改善有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率；并且，通過(guò)設(shè)置具有特定homo能級(jí)的陽(yáng)極緩沖層5，不會(huì)影響空穴的傳輸；此外，通過(guò)設(shè)置具有特定厚度的陽(yáng)極緩沖層5，避免陽(yáng)極緩沖層5過(guò)厚而導(dǎo)致電阻過(guò)大，從而不會(huì)影響正常的電流傳輸。

本發(fā)明實(shí)施例還公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。該制備方法可制備上述實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件。

如圖2所示，該方法主要包括如下的步驟：

步驟s201：在陽(yáng)極層的一表面上形成陽(yáng)極緩沖層。

具體的，該步驟可通過(guò)真空蒸鍍法制備陽(yáng)極緩沖層。

其中，陽(yáng)極緩沖層的帶隙寬度至少為10ev。該陽(yáng)極緩沖層的帶隙寬度較大，從而使得該陽(yáng)極緩沖層具有較大的電阻，可以阻止陽(yáng)極層存在的漏電流在有機(jī)電致發(fā)光器件中的傳輸，從而避免漏電流的不利影響，延長(zhǎng)有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命，改善有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。

陽(yáng)極緩沖層的材料可參見(jiàn)上述實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光二極管的材料，在此不再贅述。

此外，陽(yáng)極緩沖層的homo能級(jí)與陽(yáng)極層的homo能級(jí)的差值的絕對(duì)值小于0.5ev；陽(yáng)極緩沖層的homo能級(jí)與空穴注入層的homo能級(jí)的差值的絕對(duì)值小于0.5ev，或者，陽(yáng)極緩沖層的homo能級(jí)與空穴注入層的lumo能級(jí)的差值的絕對(duì)值小于0.5ev；不會(huì)影響空穴的傳輸。

優(yōu)選的，該陽(yáng)極緩沖層的厚度為0.5～5nm，避免陽(yáng)極緩沖層過(guò)厚，在阻止漏電流傳輸?shù)耐瑫r(shí)，確保正常的電流傳輸。

步驟s202：在陽(yáng)極緩沖層的一表面上形成空穴注入層。

該步驟可通過(guò)真空蒸鍍法制備空穴注入層。

其中，空穴注入層的材料可參見(jiàn)上述實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光二極管的材料，在此不再贅述。

此外，在形成陽(yáng)極緩沖層的步驟之前，本發(fā)明實(shí)施例的方法還包括形成驅(qū)動(dòng)電路、反射層和陽(yáng)極層的步驟；在形成空穴注入層的步驟之后，本發(fā)明實(shí)施例的方法還包括形成層疊設(shè)置的空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和光取出層的步驟。

因此，如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例的方法具體包括如下的步驟：

步驟s301：在基板的一表面上依次形成層疊設(shè)置的驅(qū)動(dòng)電路、反射層和陽(yáng)極層。

具體的，在基板的一表面上先制備驅(qū)動(dòng)電路。然后在驅(qū)動(dòng)電路的表面上通過(guò)磁控濺射或者化學(xué)氣相沉積等方法制備反射層。再在反射層的表面上通過(guò)真空蒸鍍法制備陽(yáng)極層。

其中，反射層和陽(yáng)極層的材料可參見(jiàn)上述實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光二極管的材料，在此不再贅述。

步驟s302：在陽(yáng)極層的一表面上形成陽(yáng)極緩沖層。

該步驟與步驟s201相同，在此不再贅述。

步驟s303：在陽(yáng)極緩沖層的一表面上形成空穴注入層。

該步驟與步驟s202相同，在此不贅述。

步驟s304：在空穴注入層的一表面上依次形成層疊設(shè)置的空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和光取出層。

具體的，首先可通過(guò)真空蒸鍍法依次制備層疊設(shè)置的空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層；然后可通過(guò)真空蒸鍍法或化學(xué)氣相沉積法制備陰極層；再通過(guò)真空蒸鍍法制備光取出層。上述的制備方法可根據(jù)具體情況具體選擇相應(yīng)的參數(shù)。

其中，空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和光取出層的材料可參見(jiàn)上述實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光二極管的材料，在此不再贅述。

綜上，本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，在陽(yáng)極層和空穴注入層之間制備具有較大帶隙寬度的陽(yáng)極緩沖層，使得該陽(yáng)極緩沖層具有較大的電阻，可以阻止陽(yáng)極層的微小凸起導(dǎo)致的漏電流在有機(jī)電致發(fā)光器件中的傳輸，從而避免漏電流的不利影響，延長(zhǎng)有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命，改善有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率；并且，通過(guò)制備具有特定homo能級(jí)的陽(yáng)極緩沖層，不會(huì)影響空穴的傳輸；此外，通過(guò)制備具有特定厚度的陽(yáng)極緩沖層，避免陽(yáng)極緩沖層過(guò)厚，不會(huì)影響正常的電流傳輸。

本發(fā)明實(shí)施例還公開(kāi)了一種顯示裝置。該顯示裝置例如可以是amoled顯示裝置。

該顯示裝置包括：上述實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件。該有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)如上述實(shí)施例，如圖1所示，其包括：依次層疊設(shè)置的基板1、驅(qū)動(dòng)電路2、反射層3、陽(yáng)極層4、陽(yáng)極緩沖層5、空穴注入層6、空穴傳輸層7、電子阻擋層8、發(fā)光層9、空穴阻擋層10、電子傳輸層11、電子注入層12、陰極層13和光取出層14。其中，陽(yáng)極緩沖層5的帶隙寬度至少為10ev。

此外，陽(yáng)極緩沖層5的homo能級(jí)與陽(yáng)極層4的homo能級(jí)的差值的絕對(duì)值小于0.5ev。陽(yáng)極緩沖層5的homo能級(jí)與空穴注入層6的homo能級(jí)的差值的絕對(duì)值小于0.5ev；或者，陽(yáng)極緩沖層5的homo能級(jí)與空穴注入層6的lumo能級(jí)的差值的絕對(duì)值小于0.5ev。該陽(yáng)極緩沖層5的厚度為0.5～5nm。

由于該顯示裝置包括上述的有機(jī)電致發(fā)光器件，該顯示裝置的有機(jī)電致發(fā)光器件在陽(yáng)極層4和空穴注入層6之間設(shè)置具有較大帶隙寬度的陽(yáng)極緩沖層5，使得該陽(yáng)極緩沖層5具有較大的電阻，可以阻止陽(yáng)極層4的微小凸起導(dǎo)致的漏電流在有機(jī)電致發(fā)光器件中的傳輸，從而避免漏電流的不利影響，延長(zhǎng)有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命，改善有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率；并且，通過(guò)設(shè)置具有特定homo能級(jí)的陽(yáng)極緩沖層5，不會(huì)影響空穴的傳輸；此外，通過(guò)設(shè)置具有特定厚度的陽(yáng)極緩沖層5，避免陽(yáng)極緩沖層5過(guò)厚，不會(huì)影響正常的電流傳輸。

本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可。

盡管已描述了本發(fā)明實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明實(shí)施例范圍的所有變更和修改。

最后，還需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類(lèi)的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者終端設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者終端設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者終端設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。