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半導(dǎo)體裝置的制作方法

文檔序號(hào):11521943閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。在不增大鎮(zhèn)流電阻的寬度的情況下增大鎮(zhèn)流電阻的容許電流量。包括在鎮(zhèn)流電阻內(nèi)的至少一個(gè)電阻具有第一電阻和第二電阻。第一電阻在電流在保護(hù)元件中流動(dòng)的第一方向(圖1中的X方向)上延伸。第二電阻元件與第一電阻元件并聯(lián)地耦接并且在第一方向上延伸。第二電阻元件和第一電阻元件位于同一條直線上。

技術(shù)研發(fā)人員:野口江
受保護(hù)的技術(shù)使用者:瑞薩電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日:2012.11.02
技術(shù)公布日:2017.08.18
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