技術(shù)總結(jié)
一種制備低溫多晶硅層的方法，包括提供襯底基板，襯底基板包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管區(qū)域和非驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管區(qū)域；在襯底基板上沉積非晶硅層；并且利用激光束照射非晶硅層，使非晶硅層結(jié)晶形成多晶硅層，其中激光束照射驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管區(qū)域中的非晶硅層時(shí)的掃描參數(shù)不同于照射非驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管區(qū)域中的非晶硅層時(shí)的掃描參數(shù)。通過差異化處理驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管區(qū)域和非驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管區(qū)域，在不顯著影響設(shè)備產(chǎn)能的情況下，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管區(qū)域的非晶硅層在晶化過程中形成較大晶粒尺寸，載流子遷移率提高，并且后續(xù)形成的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的電氣性能改善。還公開了一種低溫多晶硅層、顯示基板和顯示裝置。

技術(shù)研發(fā)人員：張慧娟;李棟;李小龍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
文檔號(hào)碼：201710258068
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.19
技術(shù)公布日：2017.06.30