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靜電放電單元、陣列基板和顯示面板的制作方法

文檔序號(hào):12725232閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種靜電放電單元,包括:

有源層;

第一柵極和第二柵極,其彼此間隔開并與所述有源層相絕緣;以及

第一電極和第二電極,其彼此間隔開并分別與所述有源層連接,

其中,所述第一柵極與所述第一電極電連接,所述第二柵極與所述第二電極電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電單元,其中,

在垂直于所述有源層的方向上,所述第一柵極和所述第二柵極位于所述有源層的不同側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所示的靜電放電單元,其中,

在垂直于所述有源層的方向上,所述第一柵極和所述第二柵極位于所述有源層的同一側(cè)并且同層設(shè)置。

4.一種陣列基板,包括靜電放電單元,其中,

所述靜電放電單元包括:有源層;第一柵極和第二柵極,其彼此間隔開并與所述有源層相絕緣;以及第一電極和第二電極,其彼此間隔開并分別與所述有源層連接,

所述第一柵極與所述第一電極電連接,所述第二柵極與所述第二電極電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,還包括:

第一信號(hào)線,與所述第一柵極以及所述第一電極電連接;以及

第二信號(hào)線,與所述第二柵極以及所述第二電極電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板,其中,

所述第一信號(hào)線為柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線、電源線、接地線、幀開始掃描線和復(fù)位線中的至少一種,以及

所述第二信號(hào)線為柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線、電源線、接地線、幀開始掃描線和復(fù)位線中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其中,

所述第一信號(hào)線為柵線或數(shù)據(jù)線,所述第二信號(hào)線為公共電極線;或

所述第一信號(hào)線為公共電極線,所述第二信號(hào)線為柵線或數(shù)據(jù)線。

8.根據(jù)權(quán)利要求4-7任一項(xiàng)所述的陣列基板,其中,所述陣列基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域,以及

在垂直于所述有源層的方向上,所述第一柵極和所述第二柵極位于所述有源層的不同側(cè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板,其中,

在所述顯示區(qū)域中多條柵線和多條數(shù)據(jù)線彼此交叉限定多個(gè)像素單元,每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的像素電極,

所述第一柵極與所述柵線及所述薄膜晶體管的柵極同層且同材料設(shè)置,

所述有源層與所述薄膜晶體管的有源層同層且同材料設(shè)置,

所述第一電極和所述第二電極與所述數(shù)據(jù)線及所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層且同材料設(shè)置,

所述第二柵極與所述像素電極同層且同材料設(shè)置。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板,其中,

在所述顯示區(qū)域中多條柵線和多條數(shù)據(jù)線彼此交叉限定多個(gè)像素單元,每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的發(fā)光元件,所述發(fā)光元件包括陽極、陰極以及夾設(shè)在所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層,

所述第一柵極與所述柵線及所述薄膜晶體管的柵極同層且同材料設(shè)置,

所述有源層與所述薄膜晶體管的有源層同層且同材料設(shè)置,

所述第一電極和所述第二電極與所述數(shù)據(jù)線及所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層且同材料設(shè)置,

所述第二柵極與所述陽極或所述陰極同層且同材料設(shè)置。

11.根據(jù)權(quán)利要求4-7任一項(xiàng)所述的陣列基板,其中,所述陣列基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域,以及

在垂直于所述有源層的方向上,所述第一柵極和所述第二柵極位于所述有源層的同一側(cè)并且同層設(shè)置。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板,其中,

在所述顯示區(qū)域中多條柵線和多條數(shù)據(jù)線彼此交叉限定多個(gè)像素單元,每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的像素電極,

所述第一柵極和所述第二柵極與所述柵線及所述薄膜晶體管的柵極同層且同材料設(shè)置,

所述有源層與所述薄膜晶體管的有源層同層且同材料設(shè)置,

所述第一電極和所述第二電極與所述數(shù)據(jù)線及所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層且同材料設(shè)置。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板,其中,

在所述顯示區(qū)域中多條柵線和多條數(shù)據(jù)線彼此交叉限定多個(gè)像素單元,每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的發(fā)光元件,所述發(fā)光元件包括陽極、陰極以及夾設(shè)在所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層,

所述有源層與所述薄膜晶體管的有源層同層且同材料設(shè)置,

所述第一電極和所述第二電極與所述數(shù)據(jù)線及所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層且同材料設(shè)置,

所述第一柵極和所述第二柵極與所述陽極或所述陰極同層且同材料設(shè)置。

14.根據(jù)權(quán)利要求4-7任一項(xiàng)所述的陣列基板,其中,所述陣列基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域,所述靜電放電單元設(shè)置在所述周邊區(qū)域中。

15.一種顯示面板,包括如權(quán)利要求4-14任一項(xiàng)所述的陣列基板。

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