1.一種OLED基板，包括：襯底，位于所述襯底之上的圖案化的陽(yáng)極，其特征在于，還包括：
與所述陽(yáng)極的外圍圖案并聯(lián)接觸連接的圖案化的輔助電極，其中，所述輔助電極的阻抗小于所述陽(yáng)極的阻抗。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述輔助電極在所述襯底上的正投影與所述陽(yáng)極的外圍圖案在所述襯底上的正投影相重合。
3.如權(quán)利要求2所述的OLED基板，其特征在于，所述輔助電極位于所述陽(yáng)極下方，且與所述輔助電極并聯(lián)接觸連接的所述陽(yáng)極的外圍圖案用于邦定電路板，其中，所述陽(yáng)極的抗氧化性優(yōu)于所述輔助電極的抗氧化性。
4.如權(quán)利要求1所述的OLED基板，其特征在于，還包括：填充在所述陽(yáng)極的圖案縫隙處的絕緣層。
5.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的OLED基板，其特征在于，所述輔助電極的材質(zhì)為金屬或金屬合金，所述陽(yáng)極的材質(zhì)為透明氧化物。
6.如權(quán)利要求5所述的OLED基板，其特征在于，所述輔助電極的材質(zhì)為鉬鋁鉬，所述陽(yáng)極的材質(zhì)為銦錫氧化物ITO。
7.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的OLED基板，其特征在于，所述輔助電極的厚度范圍為4500-6500埃米。
8.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的OLED基板，其特征在于，所述陽(yáng)極的厚度范圍為500-2500埃米。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的OLED基板。
10.一種制作權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的OLED基板的方法，其特征在于，包括：
在襯底上形成圖案化的輔助電極以及圖案化的陽(yáng)極，所述陽(yáng)極的外圍圖案與所述輔助電極并聯(lián)接觸連接；
其中，所述輔助電極的阻抗小于所述陽(yáng)極的阻抗。