本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)基板生產(chǎn)工藝領(lǐng)域受到越來(lái)越多的關(guān)注。近年來(lái)，OLED基板生產(chǎn)的精度及良率逐漸提高，為了實(shí)現(xiàn)OLED基板生產(chǎn)的工程化、量產(chǎn)化和工業(yè)化，OLED基板結(jié)構(gòu)的研發(fā)至關(guān)重要。

在現(xiàn)有的OLED基板生產(chǎn)工藝流程中，需要將OLED基板與電路板進(jìn)行邦定，電路板可以包括柔性電路板(Flexible Printed Circuit，F(xiàn)PC)或集成電路(Integrated Circuit，IC)。邦定是一種貼合工藝，能夠?qū)崿F(xiàn)電路板與OLED基板之間信號(hào)導(dǎo)通?，F(xiàn)有技術(shù)中的OLED基板結(jié)構(gòu)如圖1所示，主要包括陽(yáng)極11和襯底12。通常情況下，OLED基板的陽(yáng)極11周邊區(qū)域?yàn)榘疃▍^(qū)域，用于與電路板邦定。目前常用的陽(yáng)極11材料為ITO，ITO是一種銦錫氧化物，在特定厚度下兼具導(dǎo)電性及透光性，能夠使OLED基板在透光的情況下具有導(dǎo)電性能。但作為邦定區(qū)域引線的陽(yáng)極的阻值較大，導(dǎo)致OLED基板的起始電壓較高，功耗較大，從而影響OLED器件工作效率及壽命等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種OLED基板，用以解決由于作為邦定區(qū)域引線的陽(yáng)極的外圍圖案阻值較大而導(dǎo)致OLED基板的起始電壓較高，功耗較大的問(wèn)題。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種OLED顯示裝置，用以解決由于作為邦定區(qū)域引線的陽(yáng)極的外圍圖案阻值較大而導(dǎo)致OLED基板的起始電壓較高，功耗較大的問(wèn)題。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種OLED基板的制作方法，用以解決由于作為邦定區(qū)域引線的陽(yáng)極的外圍圖案阻值較大而導(dǎo)致OLED基板的起始電壓較高，功耗較大的問(wèn)題。

本申請(qǐng)實(shí)施例采用下述技術(shù)方案：

一種OLED基板，包括：襯底，位于所述襯底之上的圖案化的陽(yáng)極，還包括：與所述陽(yáng)極的外圍圖案并聯(lián)接觸連接的圖案化的輔助電極，其中，所述輔助電極的阻抗小于所述陽(yáng)極的阻抗。

優(yōu)選地，所述輔助電極在所述襯底上的正投影與所述陽(yáng)極的外圍圖案在所述襯底上的正投影相重合。

優(yōu)選地，所述輔助電極位于所述陽(yáng)極下方，且與所述輔助電極并聯(lián)接觸連接的所述陽(yáng)極的外圍圖案用于邦定電路板，其中，所述陽(yáng)極的抗氧化性?xún)?yōu)于所述輔助電極的抗氧化性。

優(yōu)選地，所述OLED基板還包括：填充在所述陽(yáng)極的圖案縫隙處的絕緣層。

優(yōu)選地，所述輔助電極的材質(zhì)為金屬或金屬合金，所述陽(yáng)極的材質(zhì)為透明氧化物。

優(yōu)選地，所述輔助電極的材質(zhì)為鉬鋁鉬，所述陽(yáng)極的材質(zhì)為銦錫氧化物ITO。

優(yōu)選地，所述輔助電極的厚度范圍為4500-6500埃米。

優(yōu)選地，所述陽(yáng)極的厚度范圍為500-2500埃米。

一種顯示裝置，包括上述任意一項(xiàng)所述的OLED基板。

一種制作上述OLED基板的方法，包括：在襯底上形成圖案化的輔助電極以及圖案化的陽(yáng)極，所述陽(yáng)極的外圍圖案與所述輔助電極并聯(lián)接觸連接，其中，所述輔助電極的阻抗小于所述陽(yáng)極的阻抗。

本申請(qǐng)實(shí)施例采用的上述至少一個(gè)技術(shù)方案能夠達(dá)到以下有益效果：

通過(guò)為OLED基板中陽(yáng)極的外圍圖案并聯(lián)接觸連接輔助電極，使得由陽(yáng)極外圍圖案及輔助電極共同組成的引線的阻值不致于過(guò)大，在一定程度上減小了邦定區(qū)域的引線的阻值，從而，降低OLED基板的起始電壓及功耗，進(jìn)而，提高OLED器件的工作效率，延長(zhǎng)工作壽命。

附圖說(shuō)明

此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中OLED基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a為本發(fā)明提供的一種OLED基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為本發(fā)明提供的一種OLED基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例中所涉及的一種OLED基板的制作工藝流程示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本申請(qǐng)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本申請(qǐng)具體實(shí)施例及相應(yīng)的附圖對(duì)本申請(qǐng)技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。

以下結(jié)合附圖，詳細(xì)說(shuō)明本申請(qǐng)各實(shí)施例提供的技術(shù)方案。

實(shí)施例一

如圖2a所示，為本發(fā)明提供的OLED基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖中僅示出OLED基板部分結(jié)構(gòu)，包括襯底21、圖案化的陽(yáng)極22和絕緣層24。其中，絕緣層24僅示出與圖案化的陽(yáng)極22相關(guān)的結(jié)構(gòu)，其實(shí)，除圖中示出的結(jié)構(gòu)之外，該OLED基板還可以包括空穴傳輸層HTL、發(fā)光層EL、電子傳輸層ETL和陰極等層級(jí)結(jié)構(gòu)。

參照?qǐng)D2b所示，為沿圖2a中剖切線AB進(jìn)行剖切得到的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，由圖2b可知，該OLED基板主要包括：襯底21、位于襯底21之上的圖案化的陽(yáng)極22，其實(shí)，該陽(yáng)極22可進(jìn)一步限定為位于顯示區(qū)域的網(wǎng)格圖案22a，以及位于非顯示區(qū)域(即襯底的邊緣)的外圍圖案22b；與陽(yáng)極22的外圍圖案22b并聯(lián)接觸連接的圖案化的輔助電極23，其中，該輔助電極23的阻抗小于陽(yáng)極22的阻抗。

通過(guò)上述技術(shù)方案，在OLED基板中增加輔助電極，并將輔助電極與陽(yáng)極的外圍圖案采用接觸連接的方式并聯(lián)在一起，增大邦定區(qū)域中引線的電阻橫截面積，有效降低邦定區(qū)域中由陽(yáng)極的外圍圖案及輔助電極共同組成的引線的阻值，進(jìn)而OLED基板的起始電壓及功耗也隨之下降，由此提高OLED器件的工作效率、延長(zhǎng)工作壽命。

優(yōu)選地，輔助電極23在襯底21上的正投影與陽(yáng)極22的外圍圖案22b在襯底21上的正投影相重合。

仍參照?qǐng)D2b所示，由于輔助電極23與陽(yáng)極22的外圍圖案22b的連接方式為并聯(lián)，當(dāng)輔助電極23與陽(yáng)極22的外圍圖案22b相重合時(shí)，能夠使得并聯(lián)接觸面積增大，輔助電極23的阻抗與陽(yáng)極的外圍圖案22b的阻抗分別達(dá)到較小，使得并聯(lián)后邦定區(qū)域的引線阻抗減小，進(jìn)而降低OLED基板的起始電壓及功耗，提高OLED器件工作效率并延長(zhǎng)工作壽命。

優(yōu)選地，圖2b中輔助電極23的材質(zhì)為金屬或金屬合金，陽(yáng)極22的材質(zhì)為透明氧化物。

具體地，襯底的材質(zhì)以玻璃為優(yōu)選方案，輔助電極的材質(zhì)可以為鉬鋁鉬、鈦鉬鈦或者銅，其中，鉬鋁鉬為三層金屬夾層結(jié)構(gòu)，在工藝上，一般通過(guò)依次濺射鉬、鋁、鉬金屬單質(zhì)形成。鉬鋁鉬導(dǎo)電性能好，但材質(zhì)較軟容易被劃傷，化學(xué)性質(zhì)活潑，若直接暴露在空氣中容易發(fā)生水氧腐蝕，使線路中夾雜金屬氧化物，從而影響輔助電極的導(dǎo)電性能。

優(yōu)選地，輔助電極23位于陽(yáng)極22下方，且與輔助電極23并聯(lián)接觸連接的陽(yáng)極22的外圍圖案22b用于邦定電路板，其中，陽(yáng)極22的抗氧化性?xún)?yōu)于輔助電極23的抗氧化性。

其中，考慮到輔助電極的材質(zhì)一般為導(dǎo)電性能較好的金屬，當(dāng)與陽(yáng)極外圍圖案并聯(lián)，輔助電極與陽(yáng)極外圍圖案共同作為引線使用時(shí)，可在外圍圖案的人為設(shè)定區(qū)域邦定電路板，例如集成電路IC或FPC。由于輔助電極直接暴露在空氣中容易被水氧腐蝕，且輔助電極易被劃傷，從而，極易發(fā)生短路或者斷路等問(wèn)題，導(dǎo)致輔助電極的導(dǎo)電性能受到影響，直接影響到顯示品質(zhì)。因此，本申請(qǐng)將輔助電極設(shè)置在陽(yáng)極的下方，而讓抗氧化性較優(yōu)的陽(yáng)極暴露在外，以實(shí)現(xiàn)對(duì)輔助電極的保護(hù)；而且，由于陽(yáng)極多采用透明氧化物，其不易發(fā)生水氧腐蝕，且其硬度要優(yōu)于輔助電極，因此，當(dāng)輔助電極位于陽(yáng)極外圍圖案下方，且陽(yáng)極外圍圖案與輔助電極并聯(lián)，共同作為引線邦定電路板時(shí)，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)降低邦定區(qū)域的引線阻值的目的，還能夠避免水氧腐蝕以及外力對(duì)引線的損傷，保證作為引線使用的陽(yáng)極的外圍圖案以及外圍圖案下方的輔助電極不受損傷，能夠保持良好的導(dǎo)電性能，進(jìn)而，確保顯示品質(zhì)。

優(yōu)選地，還包括填充在陽(yáng)極的圖案縫隙處的絕緣層24。具體地，絕緣層24用于隔離相鄰的所屬陽(yáng)極的網(wǎng)格圖案以及外圍圖案，避免短路并保護(hù)輔助電極23和陽(yáng)極22。同時(shí)，還用于避免圖案化的陽(yáng)極22發(fā)生變形引發(fā)短路。

優(yōu)選地，輔助電極的厚度范圍為4500-6500埃米，以鉬鋁鉬為例，其最佳厚度為5500埃米，以保證輔助電極電阻較小，信號(hào)傳輸穩(wěn)定；陽(yáng)極的厚度范圍為500-2500埃米，以ITO為例，其最佳厚度為1500埃米，以保證良好的透光率和導(dǎo)電性能。

其實(shí)，該OLED基板還包括：空穴傳輸層HTL、發(fā)光層EL與電子傳輸層ETL、陰極等層級(jí)結(jié)構(gòu)，當(dāng)陽(yáng)極與陰極之間達(dá)到一定電壓時(shí)，陽(yáng)極空穴與陰極電荷就會(huì)在發(fā)光層中結(jié)合，產(chǎn)生光亮，根據(jù)發(fā)光層EL材料不同，能夠產(chǎn)生紅、綠和藍(lán)RGB三原色，構(gòu)成基本色彩。

另外，上述OLED基板方案中，輔助電極位于陽(yáng)極上方，不僅能夠降低OLED基板的起始電壓及功耗，避免邦定區(qū)域的輔助電極由于水氧腐蝕以及外力劃傷而導(dǎo)致的顯示不良等問(wèn)題；而且，還可以?xún)?yōu)化封裝工藝。具體地，以輔助電極為鉬鋁鉬為例，當(dāng)輔助電極位于陽(yáng)極的外圍圖案的上方時(shí)，考慮到鉬鋁鉬耐高溫性能較差，遇到高溫會(huì)發(fā)生卷曲、上翹等缺陷，所以一般采用紫外UV膠實(shí)施封裝工藝。然而，由于UV膠的不穩(wěn)定性，其密封效果較差，容易導(dǎo)致OLED基板相應(yīng)膜層暴露在外而受到氧化腐蝕，從而降低OLED基板的生產(chǎn)良率。若采用本發(fā)明方案，將輔助電極設(shè)置于陽(yáng)極的外圍圖案的下方，那么，由于輔助電極上方有陽(yáng)極的遮擋，可選用玻璃粉Frit進(jìn)行激光燒結(jié)封裝工藝，該封裝工藝的密封性及穩(wěn)定性要優(yōu)于UV膠封裝。具體地，對(duì)OLED基板采用Frit封裝，并在整個(gè)過(guò)程中采用激光燒結(jié)，由于輔助電極設(shè)置在陽(yáng)極下方，因此，在陽(yáng)極的阻擋下，激光燒結(jié)作用在輔助電極上的溫度不會(huì)太高，從而，避免由于直接受到激光燒結(jié)而產(chǎn)生卷曲、上翹等形變，可見(jiàn)，本發(fā)明的OLED基板結(jié)構(gòu)可以采用玻璃粉封裝工藝，一方面，保證封裝的密封性，另一方面，封裝時(shí)不會(huì)破壞線路結(jié)構(gòu)，保證線路結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。

實(shí)施例二

在本實(shí)施例中，還提供一種制作上述OLED基板的方法，該方法主要包括：在襯底上形成圖案化的輔助電極以及圖案化的陽(yáng)極，陽(yáng)極的外圍圖案與輔助電極并聯(lián)接觸連接，其中，輔助電極的阻抗小于陽(yáng)極的阻抗。

下面，介紹本發(fā)明實(shí)施例中所涉及的輔助電極(以鉬鋁鉬為例)位于陽(yáng)極(以ITO為例)的外圍圖案的下方的OLED基板的制作工藝流程，參照?qǐng)D3所示，可包含如下步驟：

步驟31：在襯底上形成鉬鋁鉬膜層。

具體地，可以采用濺射工藝在襯底上沉積形成鉬鋁鉬膜層，濺射工藝所需的溫度可以為200-300℃。在襯底上依次濺射鉬、鋁、鉬三層金屬，形成類(lèi)似三明治的金屬夾層結(jié)構(gòu)，可以通過(guò)控制濺射的時(shí)間控制金屬層的厚度。受到鉬鋁鉬屬性的影響，鉬鋁鉬膜層過(guò)薄會(huì)使得輔助電極阻值較大，優(yōu)選的，鉬鋁鉬膜層的厚度可以為4500-6500埃米，最優(yōu)的，鉬鋁鉬的膜層厚度為5500埃米。

步驟32：對(duì)鉬鋁鉬膜層進(jìn)行刻蝕形成圖案化的輔助電極。

先在鉬鋁鉬膜層表面涂敷一層光致抗蝕劑(又稱(chēng)光刻膠)，然后透過(guò)掩膜版對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行選擇性曝光，之后經(jīng)過(guò)顯影，在襯底表面留下光致抗蝕劑圖案(可根據(jù)光刻膠的不同留下不同圖案的光致抗蝕劑，例如，若采用正性光刻膠，留下的是未曝光的區(qū)域?qū)?yīng)的圖案，若采用負(fù)性光刻膠，留下的是曝光的區(qū)域?qū)?yīng)的圖案)，然后，以該光致抗蝕劑圖案作為掩膜版就可對(duì)鉬鋁鉬膜層進(jìn)行選擇性刻蝕，形成圖案化的輔助電極。

步驟33：在輔助電極之上形成覆蓋襯底的ITO膜層。

在形成圖案化輔助電極的襯底上形成覆蓋襯底的ITO膜層，可以采用沉積工藝。具體地，可以采用濺射工藝，濺射ITO膜層的溫度可以為500-600℃。與鉬鋁鉬相比ITO較硬，在輔助電極上鍍一層ITO膜層。

步驟34：對(duì)ITO膜層進(jìn)行刻蝕形成圖案化的陽(yáng)極。

利用蝕刻液對(duì)ITO膜層進(jìn)行蝕刻，形成陽(yáng)極，其中，該陽(yáng)極可進(jìn)一步限定為位于顯示區(qū)域的網(wǎng)格圖案，以及位于非顯示區(qū)域的外圍圖案。具體的蝕刻工藝與形成圖案化的輔助電極的刻蝕工藝相似，此處不再贅述。由于該方案中陽(yáng)極的外圍圖案位于輔助電極的上方，能夠有效保護(hù)輔助電極鉬鋁鉬不被劃傷，而且，陽(yáng)極的外圍圖案作為OLED基板的邦定區(qū)域的引線暴露在外，以便于與電路板邦定。此外，輔助電極與陽(yáng)極的外圍圖案并聯(lián)，能有效降低邦定區(qū)域的引線的電阻值，降低OLED基板的起始電壓及功耗，提高OLED器件工作效率并延長(zhǎng)工作壽命。

優(yōu)選的，ITO膜層的厚度可以為500-2500埃米，最優(yōu)的，ITO膜層的厚度為1500埃米，以兼具良好的透光率及導(dǎo)電性。

步驟35：在陽(yáng)極的圖案縫隙處填充絕緣層。

具體地，絕緣層可以采用沉積、蒸鍍等方式填充于圖案化的陽(yáng)極的縫隙處，用于保證輔助電極和陽(yáng)極形態(tài)穩(wěn)定，避免短路。優(yōu)選的，絕緣層的厚度可以為1.3-2.3微米，最優(yōu)的，絕緣層的厚度可以為1.8微米。

另外，在形成絕緣層后，還包括生成空穴傳輸層HTL、發(fā)光層EL與電子傳輸層ETL、陰極等層級(jí)結(jié)構(gòu)的步驟，以此形成完整的具有顯示功能的OLED基板結(jié)構(gòu)，在此不做贅述。

實(shí)施例三

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括實(shí)施例二中所涉及的任意一種OLED基板，該顯示裝置可以為手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對(duì)于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。

以上所述僅為本申請(qǐng)的實(shí)施例而已，并不用于限制本申請(qǐng)。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本申請(qǐng)可以有各種更改和變化。凡在本申請(qǐng)的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請(qǐng)的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。