技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種光電探測(cè)器陣列，包括半絕緣的襯底層；覆蓋在所述襯底層表面的絕緣鈍化層；設(shè)置在所述襯底層上且位于所述鈍化層內(nèi)的至少2個(gè)光電探測(cè)器；在每個(gè)所述光電探測(cè)器的N接觸層上蒸鍍的N接觸電極；在每個(gè)所述光電探測(cè)器的P接觸層上蒸鍍的P接觸電極；在所述N接觸電極上開孔設(shè)置并在所述鈍化層上蒸鍍的接地大電極；以及在所述P接觸電極上開孔設(shè)置并在所述鈍化層上蒸鍍的信號(hào)大電極。本發(fā)明將多個(gè)光電探測(cè)器按照以信號(hào)大電極為中心的對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，克服了單個(gè)光電探測(cè)器無法處理過大功率的光信號(hào)的弊端，以及傳統(tǒng)光電探測(cè)器陣列的各光電探測(cè)器電信號(hào)容易在輸出端產(chǎn)生相位失配而引起信號(hào)畸變的缺點(diǎn)；工藝簡(jiǎn)單、飽和功率大且響應(yīng)度高。

技術(shù)研發(fā)人員：黃永清;趙康;費(fèi)嘉瑞;段曉峰;劉凱;王俊;任曉敏;王琦;張霞;顏鑫;陳偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京郵電大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710149708
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.14
技術(shù)公布日：2017.06.20