1.一種光電探測器陣列，其特征在于，包括：
半絕緣的襯底層；
覆蓋在所述襯底層表面的絕緣鈍化層；
設置在所述襯底層上且位于所述鈍化層內(nèi)的至少2個光電探測器；
在每個所述光電探測器的N接觸層上蒸鍍的N接觸電極；
在每個所述光電探測器的P接觸層上蒸鍍的P接觸電極；
在所述N接觸電極上開孔設置并在所述鈍化層上蒸鍍的接地大電極；以及
在所述P接觸電極上開孔設置并在所述鈍化層上蒸鍍的信號大電極。
2.如權(quán)利要求1所述的光電探測器陣列，其特征在于，各個光電探測器的N接觸電極通過所述接地大電極互相連通，各個光電探測器的P接觸電極通過所述信號大電極互相連通；
所述信號大電極，用于將各個光電探測器產(chǎn)生的電信號進行疊加形成信號線；
所述接地大電極，用于將電信號接地形成地線。
3.如權(quán)利要求2所述的光電探測器陣列，其特征在于，各個光電探測器以所述信號大電極為中心呈中心對稱分布，各個光電探測器的P接觸電極到所述信號大電極的距離相等。
4.如權(quán)利要求2所述的光電探測器陣列，其特征在于，所述接地大電極為一環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述環(huán)形結(jié)構(gòu)的中心與所述信號大電極的中心重合。
5.如權(quán)利要求1所述的光電探測器陣列，其特征在于，所述光電探測器利用標準半導體工藝制作而成，為PIN光電探測器、單行載流子光電探測器和雪崩光電探測器中的任一種。
6.如權(quán)利要求5所述的光電探測器陣列，其特征在于，所述光電探測器為垂直耦合的光耦合方式，入射光通過所述襯底層入射。
7.如權(quán)利要求1所述的光電探測器陣列，其特征在于，各個光電探測器之間通過化學刻蝕至所述襯底層并且相互隔離。
8.如權(quán)利要求1所述的光電探測器陣列，其特征在于，所述襯底層經(jīng)過減薄拋光處理。
9.如權(quán)利要求1所述的光電探測器陣列，其特征在于，所述鈍化層為在整個襯底層上覆蓋的聚酰亞胺或二氧化硅。