本申請(qǐng)涉及一種閃爍晶體探測(cè)器陣列模塊，屬于閃爍晶體探測(cè)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
：閃爍晶體探測(cè)器是利用電離輻射在某些物質(zhì)中產(chǎn)生的閃光來進(jìn)行探測(cè)的閃爍探測(cè)器具了探測(cè)效率高，分辨短等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于核醫(yī)學(xué)、安全檢查、高能物理和宇宙射線探測(cè)的研究中。閃爍晶體探測(cè)器通常利用能夠有效阻擋和吸收電磁波輻射并與電磁波輻射產(chǎn)生發(fā)光作用的閃爍晶體作為探測(cè)材料。閃爍晶體探測(cè)器模塊是由一些相同大小的單根晶體陣列構(gòu)成的，每根晶體之間夾有反射膜以實(shí)現(xiàn)分光效果，用于識(shí)別每根晶體的位置。當(dāng)高能射線入射到閃爍晶體內(nèi)，根據(jù)射線能量，晶體有效原子系數(shù)和密度的不同，與晶體發(fā)生不同比例的光電效應(yīng)、康普頓散射效應(yīng)及電子對(duì)效應(yīng)，將能量沉積在閃爍晶體中，被激發(fā)的閃爍晶體退激發(fā)出閃爍光。利用光電探測(cè)器如pmt(photomu1tip1iertube，光電倍增管)將位于可見光區(qū)或紫外光區(qū)的閃爍光經(jīng)過光電轉(zhuǎn)換和倍增，形成脈沖信號(hào)。脈沖信號(hào)強(qiáng)度反映了高能射線的能量；脈沖信號(hào)發(fā)生的時(shí)間反映了高能射線的入射時(shí)間；脈沖信號(hào)在多個(gè)光電信增管中的強(qiáng)度分配反映了高能射線的入射位置等。當(dāng)高速度運(yùn)動(dòng)的電子流轟擊某些固體物質(zhì)時(shí)，被轟物體能產(chǎn)生肉眼不可見的x光，x光的穿透本領(lǐng)很大，無論是人體的組織，還是幾厘米厚的鋼板，它們都能暢通無阻，因此可用來進(jìn)行醫(yī)療診斷、工業(yè)探傷和物質(zhì)分析等，這些能在x光照射下激發(fā)出熒光來的材料叫做閃爍材料，當(dāng)然閃爍材料除了在x光照射下會(huì)發(fā)出熒光外，其他像放射性同位素蛻變產(chǎn)生的高能射線如α射線、β射線照射它時(shí)也會(huì)發(fā)出熒光來，人們利用閃爍材料的這種特性做成了測(cè)量各種射線的探測(cè)器，即當(dāng)高能射線照射到探測(cè)器上后，閃爍材料便發(fā)出熒光，射線愈強(qiáng)，發(fā)出的熒光愈強(qiáng)，這熒光被光電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)接收并轉(zhuǎn)變成電信號(hào)，經(jīng)過電子線路處理后，便能在指示器上指示出來，因此人們將這種探測(cè)器比喻為看得見x光和其他高能射線的"眼睛"。目前，閃爍晶體探測(cè)器模塊的一般是將多個(gè)晶體片與反射膜膠粘在一起形成方形模塊，然后沿著垂直于晶體表面的方向?qū)⒛K切成片，之后再將切成的晶體片片再次與反射膜粘在一起形成一個(gè)晶體陣列。在粘貼晶體片和反射膜時(shí)通常采用液態(tài)的光敏固化膠或者環(huán)氧膠，在膠水固化之前，模塊內(nèi)部晶體之間會(huì)由于相互擠壓摩擦使得反射膜容易發(fā)生滑動(dòng)從而造成偏移。這將會(huì)使得閃爍晶體探測(cè)器模塊局部無法識(shí)別晶體的位置，導(dǎo)致殘次品的出現(xiàn)。由于在制作過程中，閃爍晶體模塊中的反射膜滑動(dòng)問題無法通過肉眼發(fā)現(xiàn)，也無法借助觀測(cè)儀器從外部進(jìn)行觀察，只能等待紫外膠水或者環(huán)氧膠膠水固化后采用實(shí)驗(yàn)手段進(jìn)行測(cè)量，除此之外，沒有其他更好的辦法能夠應(yīng)對(duì)制作過程中的閃爍晶體陣列出現(xiàn)的反射膜滑動(dòng)問題。而待膠水固化后才發(fā)現(xiàn)反射膜出現(xiàn)滑動(dòng)偏移，這個(gè)時(shí)候已經(jīng)無法再對(duì)閃爍晶體模塊采取有效的補(bǔ)救措施。此外，常規(guī)的技術(shù)還存在另一個(gè)問題，形成的方形模塊在進(jìn)行切割的過程中容易出現(xiàn)切割尺寸偏差。目前大多數(shù)晶體切割采用的多線切割機(jī)都存在著大長(zhǎng)度切割尺寸會(huì)偏移的問題，而這種問題是由于機(jī)械原因產(chǎn)生，無法通過設(shè)計(jì)或者工裝來克服。因此，采用常規(guī)技術(shù)產(chǎn)生的切割尺寸偏差問題將難以解決，而這樣的偏差將導(dǎo)致切出的整片無法使用，產(chǎn)生大量的廢棄片。這將使制作成本大幅度提高，最終影響陣列模塊的制作成功率。因此需要采取一種全新的思路來解決閃爍晶體探測(cè)器模塊在制作過程中出現(xiàn)的問題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，提供了一種閃爍晶體單元片，該閃爍晶體單元片由閃爍晶體排列在具有凹陷空間的包裹體中形成，避免了內(nèi)部晶體之間會(huì)由于相互擠壓摩擦使得反射膜容易發(fā)生滑動(dòng)從而造成的偏移，從而得到閃爍晶體排列精度高且無滑動(dòng)的閃爍晶體單元片，避免了殘次品的產(chǎn)生。所述閃爍晶體單元片包括閃爍晶體和包裹體，所述包裹體具有至少一個(gè)凹型部，所述閃爍晶體位于所述凹型部?jī)?nèi)。優(yōu)選地，所述包裹體具有至少一個(gè)朝上的凹型部和至少一個(gè)朝下的凹型部。優(yōu)選地，所述包裹體以s型彎折的方式形成交替排列的朝上的凹型部和朝下的凹型部。本申請(qǐng)中，朝上/朝下，是相對(duì)方向，即以其中一個(gè)凹型部的開口方向?yàn)槌?，則與之開口方向相反的即為朝下。優(yōu)選地，所述凹型部的截面為矩形，所述閃爍晶體至少一個(gè)截面為矩形且與所述凹型部的尺寸匹配，所述閃爍晶體嵌入且粘接固定于所述凹型部。優(yōu)選地，所述包裹體為反射膜，所述反射膜通過劃槽處理產(chǎn)生能夠折疊的槽痕，所述槽痕的間距為0.1mm至1mm且與所述閃爍晶體側(cè)面寬度相同，所述槽痕兩邊的反射膜能夠通過槽痕折成直角并形成交替排列的朝上的凹型部和朝下的凹型部；所述凹型部由底面和兩個(gè)與所述底面垂直的側(cè)面構(gòu)成。優(yōu)選地，所述閃爍晶體包括碘化鈉、鍺酸鉍、硅酸釔镥、摻鉈碘化銫中的至少一種，所述包裹體包括金屬反射膜、涂層樹脂反射膜等中的至少一種。根據(jù)本申請(qǐng)的又一個(gè)方面，提供了一種閃爍晶體陣列模塊，由上述一個(gè)方面的閃爍晶體單元片堆疊排列而成。由于閃爍晶體單元片中的晶體包裹在具有凹陷空間的包裹體中，避免了內(nèi)部晶體之間會(huì)由于相互擠壓摩擦使得反射膜容易發(fā)生滑動(dòng)從而造成的偏移，從而得到閃爍晶體排列精度高且無滑動(dòng)且精確對(duì)齊的閃爍晶體陣列模塊。另外，閃爍晶體陣列模塊中的晶體均由包裹體隔開，避免了相互影響，避免了殘次品的產(chǎn)生。該閃爍晶體陣列模塊包括至少兩個(gè)堆疊排列的上述一個(gè)方面的任一種所述閃爍晶體單元片；一個(gè)所述閃爍晶體單元片上的任意一個(gè)閃爍晶體，與相鄰的另一個(gè)所述閃爍晶體單元片上距離最近的閃爍晶體間由包裹體的至少一部分隔開。由于反射膜的伸出部具有定位功能，能夠很好地保證晶體單元之間的間隙優(yōu)選地，所述包裹體包括定位部，一個(gè)閃爍晶體單元片上的定位部與相鄰的另一個(gè)閃爍晶體單元片上的定位部對(duì)齊；所述定位部為所述凹型部的底面延伸部分且與所述凹型部中的閃爍晶體的通光面尺寸一致，所述通光面為閃爍晶體與所述凹型部接觸面垂直的端面。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述包裹體包括第一定位部和第二定位部，一個(gè)所述閃爍晶體單元片上的第一定位部與相鄰的另一個(gè)所述閃爍晶體單元片上第一定位部對(duì)齊，一個(gè)所述閃爍晶體單元片上的第二定位部與相鄰的另一個(gè)所述閃爍晶體單元片上第二定位部對(duì)齊。根據(jù)本申請(qǐng)的又一個(gè)方面，提供了一種閃爍晶體探測(cè)器，包括由上述一個(gè)方面的閃爍晶體單元片堆疊排列而成的閃爍晶體陣列模塊或上述一個(gè)方面的閃爍晶體陣列模塊。由于閃爍晶體單元片中的晶體包裹在具有凹陷空間的包裹體中，避免了內(nèi)部晶體之間會(huì)由于相互擠壓摩擦使得反射膜容易發(fā)生滑動(dòng)從而造成的偏移，從而得到閃爍晶體排列精度高且無滑動(dòng)且精確對(duì)齊的閃爍晶體陣列模塊。另外，閃爍晶體陣列模塊中的晶體均由包裹體隔開，避免了相互影響，避免了殘次品的產(chǎn)生，提高了所述閃爍晶體探測(cè)器的測(cè)量精度和可靠性。該閃爍晶體探測(cè)器，包括上述一個(gè)方面的所述閃爍晶體單元片或上述一個(gè)方面的所述閃爍晶體陣列模塊，所述閃爍晶體探測(cè)器包括閃爍探測(cè)部，所述閃爍探測(cè)部用于探測(cè)所述閃爍晶體單元片或所述閃爍晶體陣列模塊產(chǎn)生的閃爍。本申請(qǐng)能產(chǎn)生的有益效果包括：1)本申請(qǐng)所提供的閃爍晶體單元片，閃爍晶體排列在具有凹陷空間的包裹體中形成，避免了內(nèi)部晶體之間會(huì)由于相互擠壓摩擦使得反射膜容易發(fā)生滑動(dòng)從而造成的偏移，從而得到閃爍晶體排列精度高且無滑動(dòng)的閃爍晶體單元片，避免了殘次品的產(chǎn)生。2)本申請(qǐng)所提供的閃爍晶體陣列模塊和探測(cè)器，閃爍晶體陣列模塊中的晶體均由包裹體隔開，避免了相互影響，避免了殘次品的產(chǎn)生，提高了在閃爍晶體探測(cè)器中測(cè)量精度和可靠性。附圖說明圖1為本申請(qǐng)一種實(shí)施方式中晶體單元結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本申請(qǐng)一種實(shí)施方式中反射膜單元結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本申請(qǐng)一種實(shí)施方式中反射膜單元尺寸示意圖。圖4為本申請(qǐng)一種實(shí)施方式中反射膜單元翻折后具體的凹陷空間結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本申請(qǐng)一種實(shí)施方式中單排晶體陣列效果圖。圖6為本申請(qǐng)一種實(shí)施方式中單排晶體陣列效果圖。圖7為本申請(qǐng)一種實(shí)施方式中100mm*100mm*300mm閃爍晶體陣列模塊正面圖。圖8為本申請(qǐng)一種實(shí)施方式中100mm*100mm*300mm閃爍晶體陣列模塊背面圖。部件和附圖標(biāo)記：11-主體部，12-伸出部，21-朝上凹型空間，22-朝下凹型空間，51-反射膜單元主體部，52-閃爍晶體，71-閃爍晶體，72-反射膜單元主體部，81-反射膜單元主體部，82-反射膜單元伸出部。具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例詳述本申請(qǐng)，但本申請(qǐng)并不局限于這些實(shí)施例。如無特別說明，本申請(qǐng)的實(shí)施例中的原材料均通過商業(yè)途徑購買。實(shí)施例1閃爍晶體單元片本實(shí)施例中閃爍晶體的尺寸為50mm*50mm*100mm，可參見圖1，其中50mm*50mm的端面為通光面，其余面為側(cè)面。本實(shí)施例中包裹體為反射膜單元，如圖2所示，由主體部11和定位部12組成，主體部11的尺寸為250mm*100mm、定位部12尺寸為50mm*50mm。將閃爍晶體的每個(gè)側(cè)面以及與側(cè)面垂直的通光面均勻地涂上膠水，反射膜單元按圖2和圖3所示的折痕進(jìn)行翻折，形成具有朝上凹型空間21和朝下凹型空間22，可參見圖4。將涂抹好膠水的晶體整齊地排列在反射膜單元所形成的凹型空間中，將閃爍晶體的側(cè)面與反射膜單元的主體部11粘結(jié)，閃爍晶體的通光面與伸出部對(duì)齊，使其能夠覆蓋住晶體單元的通關(guān)面，可參見圖5。形成一排尺寸為50mm*100mm*100mm的閃爍晶體單元片，可參見圖6，其中反射膜單元主體部51包裹著兩個(gè)閃爍晶體52。得到的閃爍晶體單元片記為a1#。需要說明的是，本實(shí)施例中，在將晶體單元側(cè)表面與反射膜主體部進(jìn)行粘貼后，與側(cè)表面垂直的通光面與反射膜伸出部可以不必馬上進(jìn)行粘貼，改由陣列制作最后，統(tǒng)一將伸出部與相應(yīng)的晶體單元通光面進(jìn)行粘貼接觸處理。實(shí)施例2閃爍晶體陣列模塊制作兩個(gè)實(shí)施例1的閃爍晶體單元片a1#，將兩個(gè)閃爍晶體單元片a1按照?qǐng)D7的方式堆疊，并在兩個(gè)閃爍晶體單元片之間涂抹膠水，通過精密平口鉗夾具夾緊固化。圖7中上下兩個(gè)閃爍晶體單元片中的反射膜單元主體部71分別包裹著四個(gè)閃爍晶體72。固化后可獲得100mm*100mm*100mm的閃爍晶體陣列模塊，如圖8所示，上下兩個(gè)閃爍晶體單元片中的反射膜單元主體部81分別包裹著四個(gè)閃爍晶體82。得到的閃爍晶體陣列模塊記為b1#。需要說明的是，本實(shí)施例中，在將晶體單元側(cè)表面與反射膜主體部進(jìn)行粘貼后，與側(cè)表面垂直的通光面與反射膜伸出部可以不必馬上進(jìn)行粘貼，改由陣列制作最后，統(tǒng)一將伸出部與相應(yīng)的晶體單元通光面進(jìn)行粘貼接觸處理。實(shí)施例3閃爍晶體陣列模塊閃爍晶體單元片的制作方法同實(shí)施例1，閃爍晶體陣列模塊的制作方法同實(shí)施例2，只是其中的閃爍晶體、尺寸、陣列構(gòu)成數(shù)量等參數(shù)不同，詳見表1。表1陣列模塊序號(hào)閃爍晶體反射膜b3-1#碘化鈉金屬反射膜b3-2#鍺酸鉍涂層樹脂反射膜b3-3#硅酸釔镥金屬反射膜b3-4#摻鉈碘化銫金屬反射膜b3-5#碘化鈉金屬反射膜實(shí)施例4將多個(gè)閃爍晶體片與反射膜膠粘在一起形成方形模塊，然后沿著垂直于晶體表面的方向?qū)⒛K切成片，之后再將切成的晶體片片再次與反射膜粘在一起形成一個(gè)晶體陣列。在粘貼晶體片和反射膜時(shí)通常采用液態(tài)的環(huán)氧膠固化。得到本對(duì)比例的閃爍晶體陣列模塊記為db1。實(shí)施例5閃爍晶體探測(cè)器分別采用100個(gè)實(shí)施例2的閃爍晶體陣列模塊b1#、100個(gè)實(shí)施例3的閃爍晶體陣列模塊b3-1#和100個(gè)實(shí)施例4的閃爍晶體陣列模塊db1#制造300個(gè)閃爍晶體探測(cè)器，分別記為閃爍晶體探測(cè)器c1#、c2#和dc1#。閃爍晶體探測(cè)器包括閃爍探測(cè)部，閃爍探測(cè)部用于探測(cè)所述閃爍晶體單元片或所述閃爍晶體陣列模塊產(chǎn)生的閃爍。以β射線掃描照射每一個(gè)閃爍晶體，獲取閃爍探測(cè)部的信號(hào)，以評(píng)價(jià)閃爍晶體探測(cè)器的工作狀態(tài)。測(cè)試中有至少一個(gè)閃爍晶體至少一次收不到閃爍信號(hào)記為一個(gè)不合格。實(shí)施例2、實(shí)施例3-1和對(duì)比例1的不合格率見表2。表2以上所述，僅是本申請(qǐng)的幾個(gè)實(shí)施例，并非對(duì)本申請(qǐng)做任何形式的限制，雖然本申請(qǐng)以較佳實(shí)施例揭示如上，然而并非用以限制本申請(qǐng)，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本申請(qǐng)技術(shù)方案的范圍內(nèi)，利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容做出些許的變動(dòng)或修飾均等同于等效實(shí)施案例，均屬于技術(shù)方案范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁12