技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提出了一種碳化硅VDMOS器件。相比于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的主要?jiǎng)?chuàng)新在于JFET區(qū)采用變化橫向摻雜的方法。傳統(tǒng)的平面柵碳化硅VDMOS為了降低器件導(dǎo)通狀態(tài)下的JFET區(qū)電阻，常常整體提高JFET區(qū)的摻雜劑量，然而過高的JFET區(qū)摻雜在器件耐壓時(shí)會(huì)導(dǎo)致柵氧化層中心處電場過高而擊穿。本發(fā)明在JFET區(qū)采用變化橫向摻雜的方法，JFET區(qū)的摻雜劑量由靠近p阱處向遠(yuǎn)離p阱處遞減。器件導(dǎo)通時(shí)，導(dǎo)通電阻降低；耐壓時(shí)，JFET區(qū)中心處由于低摻雜而降低柵氧化層電場尖峰，兩側(cè)的高摻雜部分抬高兩側(cè)柵氧化層原本較低的電場，柵氧化層中的電場沿橫向分布更加均勻。JFET區(qū)變化摻雜的方法可有效降低器件導(dǎo)通電阻，同時(shí)在摻雜優(yōu)化區(qū)間內(nèi)不影響器件耐壓。

技術(shù)研發(fā)人員：羅小蓉;張凱;孫濤;葛薇薇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710137017
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.09
技術(shù)公布日：2017.06.27