技術編號：12737373
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。發(fā)明屬于功率半導體技術領域，涉及一種碳化硅VDMOS器件。背景技術SiC(碳化硅)作為第三代寬禁帶半導體材料，具有高的臨界擊穿電場，適合制造高壓大功率半導體器件。在制作平面柵碳化硅VDMOS器件時，為了降低器件的JFET區(qū)電阻，常整體提高JFET區(qū)的摻雜劑量，通過減小JFET區(qū)的耗盡區(qū)寬度以增加JFET區(qū)的導電通路同時減小JFET區(qū)的單位面積電阻。然而由于SiC自身的高臨界擊穿電場以及相對于二氧化硅更高的介電常數(shù)，致使SiCMOSFET在阻斷狀態(tài)下其柵氧化層承受高電場，且電場分布為從柵氧化層中心...
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