1.一種碳化硅VDMOS器件，包括柵極結(jié)構(gòu)、源極結(jié)構(gòu)、漏極結(jié)構(gòu)、漂移區(qū)(7)和JFET區(qū)(8)；其中漂移區(qū)(7)位于漏極結(jié)構(gòu)之上，源極結(jié)構(gòu)位于漂移區(qū)(7)之上，源極結(jié)構(gòu)之間形成N型JFET區(qū)(8)；
所述源極結(jié)構(gòu)包括P型阱區(qū)(3)以及位于P型阱區(qū)上部的N型源區(qū)(4)和P型體接觸區(qū)(5)，所述N型源區(qū)(4)和P型體接觸區(qū)(5)共同引出端為源極；N型源區(qū)(4)遠(yuǎn)離P型體接觸區(qū)(5)一側(cè)與P型阱區(qū)(3)邊緣之間形成溝道區(qū)；
所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋于溝道區(qū)和JFET區(qū)(8)之上，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵絕緣層(1)和位于柵絕緣層上的多晶硅或金屬柵區(qū)(2)，所述多晶硅或金屬柵區(qū)(2)引出端為柵極；
所述漏極結(jié)構(gòu)位于漂移區(qū)之下，包括N型漏區(qū)(6)，所述N型漏區(qū)(6)引出端為漏極；
其特征是：
所述JFET區(qū)(8)的摻雜劑量從JFET區(qū)(8)和P型阱區(qū)(3)的接觸面到JFET區(qū)(8)的中部逐漸降低。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅VDMOS器件，其特征在于，所述JFET區(qū)(8)從JFET區(qū)(8)和P型阱區(qū)(3)的接觸面到JFET區(qū)(8)的中部依次形成1區(qū)、2區(qū)·······n區(qū)，其摻雜濃度按1區(qū)、2區(qū)·······n區(qū)的順序遞減，n≥2。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種碳化硅VDMOS器件，其特征在于，所述1區(qū)、2區(qū)·······n區(qū)的結(jié)深是變化的，其結(jié)深按1區(qū)、2區(qū)·······n區(qū)順序遞減。