本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管的電性特征測試方法及裝置。

背景技術(shù)：

目前，薄膜晶體管已經(jīng)成為顯示器件中非常重要的一種器件，其電性特征會影響顯示器件的性能。在生產(chǎn)過程中，需要對薄膜晶體管的電性特征，如工作電流(I_on)、漏電流(I_off)、載流子遷移率(Mobility，Mob)、閾值電壓(V_th)，進行測量，以避免顯示產(chǎn)品異?！，F(xiàn)有技術(shù)中，一種對薄膜晶體管的電學(xué)性能進行測量的方式是，在源漏極工藝完成后,然后使用電性特征測試設(shè)備(EPM Tester)進行測量分析，需要分別對柵極、源極、漏極施加一定的電壓。但是，若在前程工藝發(fā)生污染造成器件電性異常時,也是要等到電性特征測試后才能發(fā)現(xiàn)，往往事發(fā)到發(fā)現(xiàn)期間都已經(jīng)過3～4天，容易造成大量產(chǎn)品異常甚至報廢。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例的目的是提供一種薄膜晶體管的電性特征測試方法及裝置，用于解決現(xiàn)有的薄膜晶體管的電性特征測試方式不及時導(dǎo)致廢棄率高的問題。

本發(fā)明實施例的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

一種薄膜晶體管的電性特征測試方法，包括：

在形成待測試的薄膜晶體管的有源層之后，利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)所述有源層產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射產(chǎn)生載流子的所述有源層，并獲取所述有源層對所述第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量；

根據(jù)預(yù)先采集的不同的有源層對所述第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系，以及獲取的所述有源層對所述第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量，分析得到待測試的薄膜晶體管的電性特征值。

較佳地，該方法還包括：

預(yù)先采集不同的有源層對所述第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系。

較佳地，所述有源層的材料為多晶硅；

預(yù)先采集不同的有源層對所述第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系，包括：

在采樣基板的多個電性特征測試區(qū)域形成非晶硅之后，對各電性特征測試區(qū)域，采用多種不同的能量的激光進行照射，以形成不同結(jié)構(gòu)的多晶硅；

利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)各電性特征測試區(qū)域的多晶硅產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射產(chǎn)生載流子的多晶硅，獲取各個電性特征測試區(qū)域的多晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量；

形成薄膜晶體管的源漏極之后，利用電性特征測試設(shè)備，測量各電性特征測試區(qū)域的薄膜晶體管的電性特征值；

利用測量的各電性特征測試區(qū)域的電性特征值與多晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量，得到不同的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系。

較佳地，所述有源層的材料為非晶硅；

預(yù)先采集不同的有源層對所述第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系，包括：

利用不同流量的硅烷SiH₄在多個不同的采樣基板上的電性特征測試區(qū)域形成非晶硅之后，利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)各個采樣基板上的各電性特征測試區(qū)域的非晶硅產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射產(chǎn)生載流子的非晶硅，獲取各個采樣基板上的各電性特征測試區(qū)域的非晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量；

形成薄膜晶體管的源漏極之后，利用電性特征測試設(shè)備，測量各采樣基板上的各電性特征測試區(qū)域的薄膜晶體管的電性特征值；

利用測量的各采樣基板上的各電性特征測試區(qū)域的電性特征值與非晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量，得到不同的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系。

較佳地，在形成待測試的薄膜晶體管的有源層之后，利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)有源層產(chǎn)生載流子，包括：

利用第一預(yù)設(shè)能量的激光照射所述絕緣層的表面，以透過所述絕緣層激發(fā)所述有源層產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射所述絕緣層的表面，以透過所述絕緣層照射產(chǎn)生載流子的有源層，并獲取所述有源層對所述第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量。

一種薄膜晶體管的電性特征測試裝置，包括：

微波反射能量獲取單元，用于在形成待測試的薄膜晶體管的有源層之后，利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)所述有源層產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射產(chǎn)生載流子的所述有源層，并獲取所述有源層對所述第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量；

電性特征分析單元，用于根據(jù)預(yù)先采集的不同的有源層對所述第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系，以及獲取的所述有源層對所述第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量，分析得到待測試的薄膜晶體管的電性特征值。

較佳地，該裝置還包括采集單元，用于：

預(yù)先采集不同的有源層對所述第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系。

較佳地，所述有源層的材料為多晶硅；

所述采集單元，具體用于：

在采樣基板的多個電性特征測試區(qū)域形成非晶硅之后，對各電性特征測試區(qū)域，采用多種不同的能量的激光進行照射，以形成不同結(jié)構(gòu)的多晶硅；

利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)各電性特征測試區(qū)域的多晶硅產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射產(chǎn)生載流子的多晶硅，獲取各個電性特征測試區(qū)域的多晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量；

形成薄膜晶體管的源漏極之后，利用電性特征測試設(shè)備，測量各電性特征測試區(qū)域的薄膜晶體管的電性特征值；

利用測量的各電性特征測試區(qū)域的電性特征值與多晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量，得到不同的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系。

較佳地，所述有源層的材料為非晶硅；

所述采樣單元，具體用于：

利用不同流量的硅烷SiH₄在多個不同的采樣基板上的電性特征測試區(qū)域形成非晶硅之后，利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)各個采樣基板上的各電性特征測試區(qū)域的非晶硅產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射產(chǎn)生載流子的非晶硅，獲取各個采樣基板上的各電性特征測試區(qū)域的非晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量；

形成薄膜晶體管的源漏極之后，利用電性特征測試設(shè)備，測量各采樣基板上的各電性特征測試區(qū)域的薄膜晶體管的電性特征值；

利用測量的各采樣基板上的各電性特征測試區(qū)域的電性特征值與非晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量，得到不同的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系。

較佳地，所述微波反射能量獲取單元，具體用于：

利用第一預(yù)設(shè)能量的激光照射所述絕緣層的表面，以透過所述絕緣層激發(fā)所述有源層產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射所述絕緣層的表面，以透過所述絕緣層照射產(chǎn)生載流子的有源層，并獲取所述有源層對所述第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量。

本發(fā)明實施例的有益效果如下：

本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的電性特征測試方法及裝置中，由于有源層中載流子遷移率不同，對微波信號的反射情況不同，而載流子遷移率反映了薄膜晶體管的電性特性，因而，本方案中，利用激光照射有源層，激發(fā)產(chǎn)生載流子后，通過獲取有源層對微波信號的反射情況，就可以分析出薄膜晶體管的電性特征，與現(xiàn)有技術(shù)中完成源漏極的工藝后再進行測試相比，可以在形成有源層后就測試薄膜晶體管的電性特征，實現(xiàn)了提前預(yù)測薄膜晶體管的電性特征，及早發(fā)現(xiàn)異常，降低了廢棄率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的電性特征測試方法流程圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的EPM Tester Key的分布示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的對非晶硅進行ELA工藝時施加不同的ED能量的示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的不同的ED能量與測量的u-PCR；

圖5為本發(fā)明實施例提供的不同ED能量下的器件電性特征值；

圖6為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的電性特征測試裝置示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明提供的一種薄膜晶體管的電性特征測試方法及裝置進行更詳細地說明。

如圖1所示，本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管的電性特征測試方法，其具體實現(xiàn)方式至少包括如下步驟：

步驟110、在形成待測試的薄膜晶體管的有源層之后，利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)有源層產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射產(chǎn)生載流子的有源層，并獲取有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量。

步驟120、根據(jù)預(yù)先采集的不同的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系，以及獲取的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量，分析得到待測試的薄膜晶體管的電性特征值。

其中，利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)有源層產(chǎn)生載流子可以模擬對薄膜晶體管的柵極、源極、漏極施加電壓時有源層產(chǎn)生載流子的情形，因而，可以反映薄膜晶體管的電性特征。

本發(fā)明實施例中，由于有源層中載流子遷移率不同，對微波信號的反射情況不同，而載流子遷移率反映了薄膜晶體管的電性特征，因而，本方案中，利用激光照射有源層，激發(fā)產(chǎn)生載流子后，通過獲取有源層對微波信號的反射情況，就可以分析出薄膜晶體管的電性特征，與現(xiàn)有技術(shù)中完成源漏極的工藝后再進行測試相比，可以在形成有源層后就測試薄膜晶體管的電性特征，實現(xiàn)了提前預(yù)測薄膜晶體管的電性特征，及早發(fā)現(xiàn)異常，降低了廢棄率。

其中，薄膜晶體管的電性特征值包括工作電流、漏電流、閾值電壓、載流子遷移率，等等。

其中，有源層的材料可以是多晶硅材料，也可以是非晶硅材料，等等。

需要說明的是，有源層產(chǎn)生的載流子遷移率越大，對微波信號的反射情況越明顯，測試結(jié)果越準確，例如低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)器件，膜內(nèi)缺陷相比于非晶硅較少，產(chǎn)生的載流子遷移率較大，本發(fā)明的方案更加適用。

具體實施時，為了便于分析薄膜晶體管的電性特征值，較佳地，本發(fā)明實施例提供的方法還包括：預(yù)先采集不同的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系。

實施中，有源層的材料不同，相應(yīng)的，預(yù)先采集不同的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系時的具體方案可能不同。下面分別以有源層為多晶硅材料和非晶硅材料為例進行說明。

在一種可能的實施例中，有源層的材料為多晶硅；預(yù)先采集不同的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系，具體實現(xiàn)方式可以是：

首先，在采樣基板的多個電性特征測試區(qū)域形成非晶硅之后，對各電性特征測試區(qū)域，采用多種不同的能量的激光進行照射，以形成不同結(jié)構(gòu)的多晶硅；

其次，利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)各電性特征測試區(qū)域的多晶硅產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射產(chǎn)生載流子的多晶硅，獲取各個電性特征測試區(qū)域的多晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量；

然后，形成薄膜晶體管的源漏極之后，利用電性特征測試設(shè)備，測量各電性特征測試區(qū)域的薄膜晶體管的電性特征值；

最后，利用測量的各電性特征測試區(qū)域的電性特征值與多晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量，得到不同的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系。

本實施例中，是采用準分子激光退火(Excimer Laser Annel，ELA)工藝制備多晶硅的，在一定條件下采用能量較高的激光對非晶硅進行處理，就可以形成多晶硅結(jié)構(gòu)，采用的激光能量不同，形成的多晶硅的結(jié)構(gòu)及膜內(nèi)缺陷情況不同，相應(yīng)的，所能產(chǎn)生的載流子的情況不同，對微波信號的反射情況不同。

在另一種可能的實施例中，有源層的材料為非晶硅；根據(jù)非晶硅(a-Si)成膜的原理：SiH₄(g)+Ar(g)→a-Si(s)可知，采用不同的硅烷SiH₄的流量就可以長成不同結(jié)構(gòu)及膜內(nèi)缺陷的非晶硅，因此，可以在每個采樣基板上利用一種流量的SiH₄形成一種多晶硅進行采樣。基于此，預(yù)先采集不同的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系，具體實現(xiàn)方式可以是：

首先，利用不同流量的SiH₄在多個不同的采樣基板上的電性特征測試區(qū)域形成非晶硅之后，利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)各個采樣基板上的各電性特征測試區(qū)域的非晶硅產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射產(chǎn)生載流子的非晶硅，獲取各個采樣基板上的各電性特征測試區(qū)域的非晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量；

然后，形成薄膜晶體管的源漏極之后，利用電性特征測試設(shè)備，測量各采樣基板上的各電性特征測試區(qū)域的薄膜晶體管的電性特征值；

最后，利用測量的各采樣基板上的各電性特征測試區(qū)域的電性特征值與非晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量，得到不同的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系。

本實施例中，每個采樣基板上形成了一種非晶硅有源層，對于一個采樣基板來說，可以將該采樣基板上的各個電性特征測試區(qū)域的電性特征值的平均值作為該采樣基板上的非晶硅有源層的電性特征值。

以上采集過程中，采集的樣本數(shù)據(jù)越多，據(jù)此分析出的薄膜晶體管的電性特征值越準確。

需要說明的是，由于金屬對微波信號的影響較大，只要在有源層的上面沒有覆蓋金屬層都可以采用本發(fā)明的方案進行測試。

基于此，具體實施時，較佳地，上述步驟110中，在形成待測試的薄膜晶體管的有源層之后，利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)有源層產(chǎn)生載流子，具體實現(xiàn)方式可以是：利用第一預(yù)設(shè)能量的激光照射絕緣層的表面，以透過絕緣層激發(fā)有源層產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射絕緣層的表面，以透過絕緣層照射產(chǎn)生載流子的有源層，并獲取有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量。本實施例中，由于絕緣層對有源層對微波信號的反射情況影響很小，可以忽略，因此，采用的是在形成絕緣層之后再進行電性特征的測試，當(dāng)然，在采集樣本的過程中，也要在形成絕緣層之后再進行采集的，以保持標準一致。

下面以多晶硅材料的有源層為例，對本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的電性特征測試方法進行更加詳細地說明。

本實施例中，以LTPS器件的電性特征值測試為例進行說明。首先，需要預(yù)先采集不同的多晶硅有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系，其中，需要一張采樣母基板，如圖2所示，除了在母基板21的基板單元22上形成薄膜晶體管外，同時還需要在母基板的周邊的預(yù)設(shè)區(qū)域也形成測試用的薄膜晶體管，即形成電性特征測試鍵(Electronic Parameter Measurement Tester Key，EPM Tester Key)23，EPM Tester Key區(qū)域即為上述電性特征測試區(qū)域。具體的采集步驟如下：

步驟一、在采樣母基板上的各個基板單元的區(qū)域形成非晶硅，同時在母基板的各個電性特征測試區(qū)域也形成非晶硅之后，采用ELA工藝對母基板進行處理，將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅有源層。其中，如圖3所示，對各電性特征測試區(qū)域施加多種不同的能量密度(Energy Density，ED)能量，在同一行上的兩個電性特征測試區(qū)域施加的ED能量相同(如圖中虛線框所示)，比如第一行施加400mJ/cm²，之后每行增加5mJ/cm²。

步驟三、利用第一預(yù)設(shè)能量的激光照射母基板，激發(fā)各電性特征測試區(qū)域的多晶硅有源層產(chǎn)生載流子，同時利用微波信號收發(fā)設(shè)備向各電性特征測試區(qū)域的多晶硅有源層發(fā)射第二預(yù)設(shè)能量的微波信號，并測量由光照產(chǎn)生的載流子對該微波信號的反射能量值(Microwave photo conductor response，u-PCR)。對于同一行的兩個電性特征測試區(qū)域的測量值可以求均值。圖4中，示出了施加不同的ED能量，以及測量的u-PCR，其中，微波信號的能量值通過轉(zhuǎn)換的電壓值來體現(xiàn)。

步驟四、在形成薄膜晶體管的源漏極之后，利用電性特征測量設(shè)備測試各個電性特征測試區(qū)域的薄膜晶體管的電性特征值。如圖5所示，記錄了不同ED能量下的器件電性特征值，包括I_on、I_off、V_th、Mob。

從數(shù)據(jù)中可以分析得出，u-PCR的值與器件的電性特征值呈線性關(guān)系，也就是說器件的電性特征值隨著測得的u-PCR的值有一定的線性變化量，分析過程較簡單。

通過以上步驟，采集多個母基板的測試結(jié)果，當(dāng)采集的數(shù)據(jù)足夠多時，則據(jù)采集的數(shù)據(jù)進行測試。本實施例中，在ELA工藝形成多晶硅之后進行薄膜晶體管的電性特征測試，具體的測試步驟如下：

步驟一、利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)多晶硅有源層產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射產(chǎn)生載流子的多晶硅有源層，并獲取多晶硅有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量

步驟二、根據(jù)預(yù)先采集的不同的多晶硅有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系，以及獲取的多晶硅有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量，分析得到待測試的薄膜晶體管的電性特征值。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供一種薄膜晶體管的電性特征測試裝置，如圖6所示，包括微波反射能量獲取單元601和電性特征分析單元602。其中：

微波反射能量獲取單元601，用于在形成待測試的薄膜晶體管的有源層之后，利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)有源層產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射產(chǎn)生載流子的有源層，并獲取有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量；

電性特征分析單元602，用于根據(jù)預(yù)先采集的不同的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系，以及獲取的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量，分析得到待測試的薄膜晶體管的電性特征值。

本發(fā)明實施例中，由于有源層中載流子遷移率不同，對微波信號的反射情況不同，而載流子遷移率反映了薄膜晶體管的電性特性，因而，本方案中，利用激光照射有源層，激發(fā)產(chǎn)生載流子后，通過獲取有源層對微波信號的反射情況，就可以分析出薄膜晶體管的電性特征，與現(xiàn)有技術(shù)中完成源漏極的工藝后再進行測試相比，可以在形成有源層后就測試薄膜晶體管的電性特征，實現(xiàn)了提前預(yù)測薄膜晶體管的電性特征，及早發(fā)現(xiàn)異常，降低了廢棄率。

本發(fā)明實施例的方案可以由處理器控制實施。

較佳地，該裝置還包括采集單元，用于：

預(yù)先采集不同的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系。

較佳地，有源層的材料為多晶硅；

采集單元，具體用于：

在采樣基板的多個電性特征測試區(qū)域形成非晶硅之后，對各電性特征測試區(qū)域，采用多種不同的能量的激光進行照射，以形成不同結(jié)構(gòu)的多晶硅；

利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)各電性特征測試區(qū)域的多晶硅產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射產(chǎn)生載流子的多晶硅，獲取各個電性特征測試區(qū)域的多晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量；

形成薄膜晶體管的源漏極之后，利用電性特征測試設(shè)備，測量各電性特征測試區(qū)域的薄膜晶體管的電性特征值；

利用測量的各電性特征測試區(qū)域的電性特征值與多晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量，得到不同的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系。

較佳地，薄膜晶體管的電性特征值包括工作電流、漏電流、閾值電壓、載流子遷移率。

較佳地，有源層的材料為多晶硅；

采集單元，具體用于：

在采樣基板的多個電性特征測試區(qū)域形成非晶硅之后，對各電性特征測試區(qū)域，采用多種不同的能量的激光進行照射，以形成不同結(jié)構(gòu)的多晶硅；

利用第一預(yù)設(shè)能量的激光激發(fā)各電性特征測試區(qū)域的多晶硅產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射產(chǎn)生載流子的多晶硅，獲取各個電性特征測試區(qū)域的多晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量；

形成薄膜晶體管的源漏極之后，利用電性特征測試設(shè)備，測量各電性特征測試區(qū)域的薄膜晶體管的電性特征值；

利用測量的各電性特征測試區(qū)域的電性特征值與多晶硅對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量，得到不同的有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量與薄膜晶體管的電性特征值的對應(yīng)關(guān)系。

較佳地，微波反射能量獲取單元，具體用于：

形成覆蓋有源層的絕緣層之后，利用第一預(yù)設(shè)能量的激光照射絕緣層的表面，以透過絕緣層激發(fā)有源層產(chǎn)生載流子，同時利用第二預(yù)設(shè)能量的微波信號照射絕緣層的表面，以透過絕緣層照射產(chǎn)生載流子的有源層，并獲取有源層對第二預(yù)設(shè)能量的微波信號的反射能量。

本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本發(fā)明的實施例可提供為方法、系統(tǒng)、或計算機程序產(chǎn)品。因此，本發(fā)明可采用完全硬件實施例、完全軟件實施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實施例的形式。而且，本發(fā)明可采用在一個或多個其中包含有計算機可用程序代碼的計算機可用存儲介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲器、CD-ROM、光學(xué)存儲器等)上實施的計算機程序產(chǎn)品的形式。

本發(fā)明是參照根據(jù)本發(fā)明實施例的方法、設(shè)備(系統(tǒng))、和計算機程序產(chǎn)品的流程圖和/或方框圖來描述的。應(yīng)理解可由計算機程序指令實現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合?？商峁┻@些計算機程序指令到通用計算機、專用計算機、嵌入式處理機或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器以產(chǎn)生一個機器，使得通過計算機或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的裝置。

這些計算機程序指令也可存儲在能引導(dǎo)計算機或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備以特定方式工作的計算機可讀存儲器中，使得存儲在該計算機可讀存儲器中的指令產(chǎn)生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能。

這些計算機程序指令也可裝載到計算機或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備上，使得在計算機或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟以產(chǎn)生計算機實現(xiàn)的處理，從而在計算機或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的步驟。

盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。