技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
公開了一種半導(dǎo)體裝置及形成半導(dǎo)體裝置的方法。半導(dǎo)體裝置的n溝道組件包括第一水平納米片(hNS)堆疊件，p溝道組件包括第二hNS堆疊件。第一hNS堆疊件包括具有多個第一犧牲層和至少一個第一溝道層的第一柵極結(jié)構(gòu)。第一內(nèi)部間隔件設(shè)置在至少一個第一犧牲層和第一源極/漏極結(jié)構(gòu)之間，其中，第一內(nèi)部間隔件具有第一長度。第二hNS堆疊件包括具有多個第二犧牲層和至少一個第二溝道層的第二柵極結(jié)構(gòu)。第二內(nèi)部間隔件設(shè)置在至少一個第二犧牲層與第二源極/漏極結(jié)構(gòu)之間，其中，第二內(nèi)部間隔件具有比第一長度大的第二長度。

技術(shù)研發(fā)人員：喬治·A·凱特爾;洪俊顧;馬克·S·羅德爾;達(dá)爾門達(dá)·雷迪·帕勒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.03
技術(shù)公布日：2017.09.19