技術(shù)編號(hào):11262710
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體裝置及形成半導(dǎo)體裝置的方法本申請(qǐng)要求于2016年3月11日提交的第62/307,360號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)權(quán)益和2016年10月10日提交的第15/289,951號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)權(quán)益,所述美國(guó)專利申請(qǐng)通過(guò)引用包含于此。技術(shù)領(lǐng)域本公開(kāi)總體上涉及半導(dǎo)體裝置,更具體地,涉及形成具有不同的溝道應(yīng)變的納米級(jí)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)裝置的方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體裝置的一個(gè)基本組件是通常被稱為FET的晶體管。存在各種類型的FET裝置,并且FET裝置的功能、組成和用途不同。通常用于半導(dǎo)體裝置中的一種類型...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。