本申請(qǐng)要求于2016年3月11日提交的第62/307,360號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)權(quán)益和2016年10月10日提交的第15/289,951號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，所述美國(guó)專利申請(qǐng)通過(guò)引用包含于此。

本公開(kāi)總體上涉及半導(dǎo)體裝置，更具體地，涉及形成具有不同的溝道應(yīng)變的納米級(jí)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)裝置的方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體裝置的一個(gè)基本組件是通常被稱為fet的晶體管。存在各種類型的fet裝置，并且fet裝置的功能、組成和用途不同。通常用于半導(dǎo)體裝置中的一種類型的fet裝置是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)。mosfet裝置通常具有兩種不同類型：p溝道m(xù)osfet(pmos)裝置和n溝道m(xù)osfet(nmos)裝置。數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)處理裝置可以包括以互補(bǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)布置而設(shè)置的pmos和nmos裝置的組合。先進(jìn)的半導(dǎo)體裝置中的晶體管尺寸約束已需要更緊湊的晶體管設(shè)計(jì)和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。一種這樣的設(shè)計(jì)包括具有被組合以提供用于數(shù)字應(yīng)用的可縮放的cmos電路的多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管裝置。

一些半導(dǎo)體裝置使用用于晶體管裝置的水平納米片(hns)或水平納米線(hnw)形狀的溝道，這里將分別稱其為hns裝置或hnw裝置。在hns裝置中，裝置的溝道中的至少一些成形為被環(huán)柵結(jié)構(gòu)(gate-allaroundstructure)圍繞的納米片。納米片是具有通常在約2nm至約10nm范圍內(nèi)的一個(gè)縮放尺寸的結(jié)構(gòu)，然而其它尺寸可以更大(例如，在大約10nm至大約100nm的范圍內(nèi))。當(dāng)在由環(huán)柵結(jié)構(gòu)圍繞的mos裝置的溝道中使用時(shí)，hns可以具有通常具有較小尺寸(例如，約2nm至約10nm)和更大的尺寸(例如，約10nm至約100nm)的橫截面(垂直于溝道中的電流流動(dòng)的方向)。當(dāng)hns的橫截面的兩個(gè)尺寸相似(例如，都在約2nm至約10nm的范圍內(nèi))時(shí)，它被稱為nw。盡管主要關(guān)于hns裝置描述了本實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，這里公開(kāi)的實(shí)施例可以等同地應(yīng)用于hnw裝置。在制造hns或hnw結(jié)構(gòu)的工藝期間，可以在裝置的溝道中引入應(yīng)變。應(yīng)變可以是在制造結(jié)構(gòu)中使用的材料和工藝順序的物理或機(jī)械結(jié)果。另外，由hns或hnw結(jié)構(gòu)的物理尺寸的變化會(huì)引起不同的應(yīng)變。應(yīng)變參數(shù)的變化可能影響裝置的性能。根據(jù)裝置構(gòu)造和應(yīng)變參數(shù)的值，效果可能是不利的，或者可以增強(qiáng)裝置的性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

提出了在納米級(jí)hns或hnw半導(dǎo)體裝置上形成不同的應(yīng)變的方法。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置包括：n溝道組件，可以包括第一水平納米片(hns)堆疊件和第一源極/漏極結(jié)構(gòu)，其中，第一hns堆疊件可以包括在下層上的具有多個(gè)第一犧牲層的第一柵極結(jié)構(gòu)和至少一個(gè)第一溝道層，第一犧牲層可以與下層接觸，每個(gè)第一溝道層可以與至少一個(gè)第一犧牲層接觸，第一源極/漏極結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在由第一hns堆疊件形成的溝道長(zhǎng)度的一端處，第一內(nèi)部間隔件可以設(shè)置在至少一個(gè)第一犧牲層與第一源極/漏極結(jié)構(gòu)之間，其中，第一內(nèi)部間隔件具有第一長(zhǎng)度；以及p溝道組件，可以包括第二hns堆疊件和第二源極/漏極結(jié)構(gòu)，其中，第二hns堆疊件可以包括位于下層上的具有多個(gè)第二犧牲層的第二柵極結(jié)構(gòu)和至少一個(gè)第二溝道層，第二犧牲層可以與下層接觸，每個(gè)第二溝道層可以與至少一個(gè)第二犧牲層接觸，第二源極/漏極結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在由第二hns堆疊件形成的溝道長(zhǎng)度的一端處，第二內(nèi)部間隔件可以設(shè)置在至少一個(gè)第二犧牲層和第二源極/漏極結(jié)構(gòu)之間，其中，第二內(nèi)部間隔件具有比第一長(zhǎng)度大的第二長(zhǎng)度。在一個(gè)實(shí)施例中，第一長(zhǎng)度可以比第二長(zhǎng)度小約2nm至約5nm(包括端值)。在另一實(shí)施例中，每個(gè)第一溝道層中的應(yīng)變可以包括拉伸應(yīng)變，每個(gè)第二溝道層中的應(yīng)變可以包括中性應(yīng)變或壓縮應(yīng)變。

在實(shí)施例中，形成半導(dǎo)體裝置的方法可以包括：形成用于n溝道組件的第一水平納米片(hns)堆疊件，其中，第一hns堆疊件可以包括位于下層上的多個(gè)第一犧牲層和至少一個(gè)第一溝道層，其中，第一犧牲層可以與下層接觸，每個(gè)第一溝道層可以與至少一個(gè)第一犧牲層接觸，第一犧牲層可以由sige形成，至少一個(gè)第一溝道層可以由si形成；形成用于p溝道組件的第二hns堆疊件，其中，第二hns堆疊件可以包括位于下層上的多個(gè)第二犧牲層和至少一個(gè)第二溝道層，第二犧牲層可以與下層接觸，其中，每個(gè)第二溝道層可以與至少一個(gè)第二犧牲層接觸，第二犧牲層可以由sige形成，至少一個(gè)第二溝道層可以由si形成；形成第一源極/漏極凹部和第二源極/漏極凹部，其中，可以在由第一hns堆疊件形成的溝道的端部處設(shè)置第一源極/漏極凹部，可以在由第二hns堆疊件形成的溝道的端部處設(shè)置第二源極/漏極凹部；在第一犧牲層與第一溝道層之間的第一源極/漏極凹部中的至少一個(gè)內(nèi)形成第一內(nèi)部間隔件凹部，其中，第一內(nèi)部間隔件凹部具有第一長(zhǎng)度；在第二犧牲層與第二溝道層之間的第二源極/漏極凹部中的至少一個(gè)內(nèi)形成第二內(nèi)部間隔件凹部，其中，第二內(nèi)部間隔件凹部具有比第一長(zhǎng)度大的第二長(zhǎng)度。

在實(shí)施例中，形成半導(dǎo)體裝置的方法可以包括：形成用于n溝道組件的第一水平納米片(hns)堆疊件，其中，第一hns堆疊件可以包括位于下層上的多個(gè)第一犧牲層和至少一個(gè)第一溝道層，第一犧牲層可以與下層接觸，每個(gè)第一溝道層可以與至少一個(gè)第一犧牲層接觸，第一犧牲層可以由sige形成，至少一個(gè)第一溝道層可以由si形成，其中，每個(gè)第一犧牲層可以包括第一ge百分比含量；形成用于p溝道組件的第二hns堆疊件，其中，第二hns堆疊件可以包括位于下層上的多個(gè)第二犧牲層和至少一個(gè)第二溝道層，第二犧牲層可以與下層接觸，每個(gè)第二溝道層可以與至少一個(gè)第二犧牲層接觸，第二犧牲層可以由sige形成，至少一個(gè)第二溝道層可以由si形成，其中，每個(gè)第二犧牲層具有第二ge百分比含量，其中，第二ge百分比含量可以小于或等于第一ge百分比含量；形成第一源極/漏極凹部和第二源極/漏極凹部，其中，可以在由第一hns堆疊件形成的溝道的端部處設(shè)置第一源極/漏極凹部，可以在由第二hns堆疊件形成的溝道的端部處設(shè)置第二源極/漏極凹部；在第一犧牲層與第一溝道層之間的第一源極/漏極凹部中的至少一個(gè)內(nèi)形成至少一個(gè)第一內(nèi)部間隔件凹部；在第二犧牲層與第二溝道層之間的第二源極/漏極凹部中的至少一個(gè)內(nèi)形成第二內(nèi)部間隔件凹部。

附圖說(shuō)明

通過(guò)示例的方式示出本發(fā)明，并且本發(fā)明不受附圖的限制，在附圖中，同樣的標(biāo)記表示相似的元件。附圖中的元件是為了簡(jiǎn)單和清楚而示出的，并且不一定按比例繪制。

圖1描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的形成具有變化的溝道應(yīng)變的納米級(jí)半導(dǎo)體裝置的方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。

圖2a和圖2b分別描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的在制造的一個(gè)階段中的用于nmos組件和用于pmos組件的hns堆疊件的實(shí)施例的剖視圖。

圖3a和圖3b分別描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的在制造的另一階段中的用于nmos組件和用于pmos組件的hns堆疊件的實(shí)施例的剖視圖。

圖4a和圖4b分別描述了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的在制造的又一階段中的用于nmos組件和用于pmos組件的hns堆疊件的實(shí)施例的剖視圖。

圖5a和圖5b分別描述了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的在制造的又一階段中的用于nmos組件和用于pmos組件的hns堆疊件的實(shí)施例的剖視圖。

圖6a和圖6b分別描述了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的在制造的又一階段中的用于nmos組件和用于pmos組件的hns堆疊件的實(shí)施例的剖視圖。

圖7描述了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的包括hns堆疊件的實(shí)施例的電子系統(tǒng)的框圖。

具體實(shí)施方式

這里描述了用于制造具有hns或hnw溝道的半導(dǎo)體裝置的方法和系統(tǒng)的實(shí)施例。公開(kāi)的實(shí)施例可以適用于許多不同的溝道材料系統(tǒng)，但是尤其適用于硅(si)溝道hns或hnw裝置。有利地，公開(kāi)的實(shí)施例可以考慮到cmos裝置的pmos組件和nmos組件中的不同應(yīng)變。在一個(gè)具體的實(shí)施例中，pmos組件中的應(yīng)變可以接近中性或可以為壓縮的，而nmos組件中的應(yīng)變可以為拉伸的。在一個(gè)實(shí)施例中，基本上相同的溝道材料可以用于nmos和pmos組件兩者，但是由于用于形成內(nèi)部間隔件的犧牲層的凹部的變化的厚度，兩個(gè)組件中的應(yīng)變可以不同。例如，nmos組件中的拉伸應(yīng)變可以比pmos組件中的拉伸應(yīng)變大。類似地，pmos組件中的壓縮應(yīng)變可以比nmos組件中的壓縮應(yīng)變大。在又一個(gè)實(shí)施例中，nmos組件可以具有拉伸溝道應(yīng)變，pmos組件可以具有中性或壓縮溝道應(yīng)變。

圖1描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的形成具有變化的溝道應(yīng)變的納米級(jí)半導(dǎo)體裝置的方法100的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。在實(shí)施例中，方法100可以包括形成用于半導(dǎo)體裝置的hns堆疊件，其中，hns堆疊件包括至少一個(gè)溝道層和至少一個(gè)犧牲層，如在框101所指示的。在框102，hns堆疊件可以被圖案化并且被蝕刻以限定hns裝置的寬度(即，如沿著存在于附圖中的圖2a-6b描繪的j軸所測(cè)量的)。在框103，可以在圖案化的hns堆疊件上形成虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)。另外，在框104，可以在與柵極結(jié)構(gòu)相鄰的一個(gè)或更多個(gè)區(qū)域中去除hns堆疊件的一部分以形成一個(gè)或更多個(gè)源極腔和/或漏極腔。在框105，可以選擇性地蝕刻hns堆疊件的犧牲層的一部分以在犧牲層中形成凹部，其中，在該犧牲層中，凹部的深度可以限定hns結(jié)構(gòu)的應(yīng)變參數(shù)。另外，在框106，可以在凹部中沉積間隔件材料，從而在犧牲層凹陷的區(qū)域中形成間隔件(這里被稱為“內(nèi)部間隔件”)。方法100可以被包括在hns或hnw裝置的制造流程中，如此，可以在額外的操作和/或工藝之前和/或之后。例如，可以用于完成hns裝置的制造的操作和/或工藝可以包括源-漏區(qū)的再生長(zhǎng)和替換柵極工藝。在替換柵極工藝期間，可以從溝道層選擇性地去除犧牲層的留在結(jié)構(gòu)中的部分。盡管在方法中描述了與這里公開(kāi)的主題相關(guān)的關(guān)鍵操作，但是可以在公開(kāi)的操作之間使用額外的操作和/或工藝，以適于hns裝置的制造。

應(yīng)該理解的是，圖1中描繪的方法的詳細(xì)的實(shí)施方式可以根據(jù)方法是否用于形成pmos組件或nmos組件和根據(jù)是否形成hnw或hns而變化。具體設(shè)計(jì)工藝參數(shù)和材料可以根據(jù)將要形成的半導(dǎo)體裝置的具體的應(yīng)用和特性而變化。結(jié)合針對(duì)nmos裝置的圖2a至圖6a以及針對(duì)pmos裝置的圖2b至圖6b來(lái)分別描述方法100的另一實(shí)施例。應(yīng)該理解的是，對(duì)于nmos組件和pmos組件兩者而言可以同時(shí)執(zhí)行導(dǎo)致圖2a至圖6b中描繪的結(jié)構(gòu)的某些操作，而可以單獨(dú)執(zhí)行對(duì)于nmos組件和pmos組件的其它操作。實(shí)際上，因?yàn)橛糜谥圃靚mos組件的材料和工藝參數(shù)可以不同于用于制造pmos組件的材料和工藝參數(shù)，所以與用于pmos組件的工藝流程分開(kāi)地執(zhí)行用于nmos組件的工藝流程的一些操作是常見(jiàn)的。

圖2a和圖2b分別描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的在制造的一個(gè)階段中的用于nmos組件和用于pmos組件的hns堆疊件的實(shí)施例的剖視圖。更具體地，圖2a中描繪的hns堆疊件的實(shí)施例表示可以用于制造半導(dǎo)體裝置的nmos組件的hns堆疊件。在實(shí)施例中，可以在基底或下層201上形成圖2a的hns堆疊件。在實(shí)施例中，圖2a的hns堆疊件可以包括多個(gè)犧牲層202、206和210以及置于多個(gè)犧牲層202、206和210之間的多個(gè)溝道層204和208?？梢砸越惶娴捻樞蛐纬蔂奚鼘?02、206和210以及溝道層204和208，其中，在基底或下層201上直接形成犧牲層。如圖2a中所描繪的，犧牲層202、206和210以及溝道層204和208均基本上平行于由i軸和j軸形成的平面。犧牲層202、206和210以及溝道層204和208中的每個(gè)具有在基本上平行于k軸的方向上測(cè)量的厚度。在一個(gè)實(shí)施例中，犧牲層202、206和210可以由硅鍺(si1-xgex)材料形成。在這樣的實(shí)施例中，溝道層204和208可以由si材料形成。應(yīng)該理解的是，盡管圖2a中僅描繪了三個(gè)犧牲層和兩個(gè)溝道層作為形成用于nmos組件的hns堆疊件，但是根據(jù)這里公開(kāi)的主題的hns堆疊件可以包括比圖2a中描繪的多或少的犧牲層和溝道層。

圖2b中描繪的hns堆疊件的實(shí)施例表示可以用于制造半導(dǎo)體裝置的pmos組件的hns堆疊件。在實(shí)施例中，在基底或下層201上形成堆疊件。在實(shí)施例中，圖2b的hns堆疊件可以包括多個(gè)犧牲層212、216和220以及置于多個(gè)犧牲層212、216和220之間的多個(gè)溝道層214和218。犧牲層212、216和220以及溝道層214和218可以以交替的順序形成，其中，在基底或下層201上直接形成犧牲層。如圖2b中所描繪的，犧牲層212、216和220以及溝道層214和218均基本上平行于由i軸和j軸形成的平面。犧牲層212、216和220以及溝道層214和218中的每個(gè)具有在基本上平行于k軸的方向上測(cè)量的厚度。在一個(gè)實(shí)施例中，犧牲層212、216和220可以由硅鍺(si1-ygey)材料形成。在這樣的實(shí)施例中，溝道層214和218可以由si材料形成。應(yīng)該理解的是，盡管圖2b中僅描繪了三個(gè)犧牲層和兩個(gè)溝道層作為形成用于pmos組件的hns堆疊件，但是根據(jù)這里公開(kāi)的主題的hns堆疊件可以包括比圖2b中描繪的多或少的犧牲層和溝道層。

在一些實(shí)施例中，可以具有僅一個(gè)堆疊件沉積，即，可以針對(duì)nfet裝置和pfet裝置沉積相同的堆疊件。在nmoshns堆疊件和pmoshns堆疊件二者使用硅鍺犧牲層的一些實(shí)施例中，可以存在多于一個(gè)的堆疊件沉積，使得至少一些nfet裝置在犧牲層中具有與pfet裝置不同(即，更大)的ge含量。在這樣的實(shí)施例中，在制造流程中的不同步驟執(zhí)行堆疊件沉積并且使堆疊件沉積掩模化。在一些實(shí)施例中，形成圖2a的nfet堆疊件和圖2b的pfet堆疊件的材料可以包括上面描述的材料成分，其中，x可以與y不同以及x可以大于y。x和y的選擇可以導(dǎo)致在nfet裝置的溝道中的拉伸應(yīng)變比在pfet裝置的溝道中的拉伸應(yīng)變大。

在圖3a和圖3b中描繪的制造的階段，柵極結(jié)構(gòu)314a至314c和334a至334c分別形成在用于nmos組件的hns堆疊件和用于pmos組件的hns堆疊件上方。在這樣的實(shí)施例中，柵極結(jié)構(gòu)314a至314c和334a至334c可以是虛設(shè)柵極。圖3a中描繪的第一組柵極結(jié)構(gòu)314a至314c可以包括諸如氧化物材料的絕緣體層302、多晶硅層308和諸如氮化硅材料的覆蓋層312。柵極結(jié)構(gòu)314a至314c還可以包括間隔件304。類似地，圖3b中描繪的柵極結(jié)構(gòu)334a至334c可以包括絕緣體層322、多晶硅層328、覆蓋層332和間隔件324。

在一些實(shí)施例中，相同的工藝適用于nfet裝置和pfet裝置。在其它實(shí)施例中，用于nfet和pfet的工藝可以不同，并可以適用于制造期間的不同的操作點(diǎn)處(即，使用其它類型的掩模化的裝置)。在一些實(shí)施例中，如果期望(例如，為了匹配hns堆疊件中的內(nèi)部間隔件厚度)，則間隔件304和324的厚度可以在nfet或pfet中不同。

在圖4a和圖4b中描繪的制造的階段，分別在與柵極結(jié)構(gòu)314a至314c和334a至334c相鄰的區(qū)域中蝕刻腔或凹部402。即，分別在k軸方向上蝕刻hns堆疊件以形成凹部402。凹部402可以用于制造的后面的操作中以形成源/漏區(qū)。在一些實(shí)施例中，凹部402可以達(dá)到基底201。如可以在圖4a和圖4b中可見(jiàn)，在i軸方向上測(cè)量hns堆疊件的溝道長(zhǎng)度。

在使用具有si溝道層和硅鍺犧牲層的hns堆疊件的實(shí)施例中，在形成源極腔和漏極腔或凹部402期間在溝道層中可以由犧牲層引入拉伸應(yīng)變。源極凹部和漏極凹部402的形成可以導(dǎo)致堆疊件的彈性弛豫，這導(dǎo)致溝道層中的拉伸應(yīng)變。

在實(shí)施例中，如圖5a和圖5b中所描繪的，可以在i軸方向上選擇性地回蝕nmos組件的犧牲層202、206和210以及pmos組件的犧牲層212、216和220，以在溝道層之間的犧牲層中形成凹部502。如在i軸方向上測(cè)量的凹部502的長(zhǎng)度或深度可以與溝道層204、208、214和218在i軸方向上的長(zhǎng)度與對(duì)應(yīng)的蝕刻的犧牲層202、206、210、212、216和220的在i軸方向上的長(zhǎng)度的差有關(guān)。在實(shí)施例中，圖5a的nmos組件中的凹部502沿i軸方向的長(zhǎng)度或深度504可以小于圖5b的pmos組件中的凹部502沿i軸方向的長(zhǎng)度或深度506。

用于內(nèi)部間隔件形成的犧牲層凹部502可以在用于nfet裝置和pfet裝置的流程的不同操作中執(zhí)行。用于pmos組件的犧牲層凹部502的較長(zhǎng)長(zhǎng)度或深度506可以有助于部分地釋放pfet組件的溝道中的不期望的拉伸應(yīng)變。用于nmos組件的犧牲層凹部502的減小的長(zhǎng)度或深度504可以導(dǎo)致nfet組件的溝道中的拉伸應(yīng)變的相對(duì)較小的釋放，導(dǎo)致nfet組件具有比pfet組件高的拉伸應(yīng)變。

圖6a和圖6b分別描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的在凹部502中已經(jīng)形成內(nèi)部間隔件之后的用于nmos組件和用于pmos組件的hns堆疊件的實(shí)施例的剖視圖。在圖6a中，可以形成在凹部502中具有如在i軸方向上測(cè)量的第一厚度(或“長(zhǎng)度”)604的nmos間隔件602。類似地，在圖6b中示出了pmos間隔件612，其具有如在i軸方向上測(cè)量的比nmos間隔件602的第一厚度604大的第二厚度(或“長(zhǎng)度”)606。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)回蝕nmos間隔件602，間隔件的厚度604可以小于凹陷的厚度504。類似地，pmos間隔件612可以比凹部502薄。在沒(méi)有執(zhí)行間隔件凹陷的實(shí)施例中，nmos間隔件的厚度604可以基本上等于nmos犧牲層凹部504的厚度，pmos間隔件的厚度606可以基本上等于pmos犧牲層凹部506的厚度。

在描述的實(shí)施例中，可以通過(guò)犧牲層的ge含量以及nmos和pmos凹部的厚度504、506的組合來(lái)分別調(diào)整或預(yù)先確定裝置的拉伸或壓縮應(yīng)變。在一個(gè)實(shí)施例中，犧牲層中的ge含量在nfet裝置中可以比在pfet裝置中高至少5％。在一個(gè)實(shí)施例中，長(zhǎng)度504和506的差可以在約1nm至約5nm的范圍中。

在描述的操作之后，制造hns裝置的制造流程如已知的繼續(xù)進(jìn)行。隨后的操作包括在源極腔和漏極腔內(nèi)形成源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)。這可以通過(guò)源極腔和漏極腔內(nèi)的源極和漏極的外延再生長(zhǎng)而在一些實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)，并且可以在一些實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)超出這些腔的的過(guò)度生長(zhǎng)。在一些實(shí)施例中，源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)可以生長(zhǎng)為松弛的，使得溝道中的應(yīng)變可以在源極和漏極生長(zhǎng)期間不改變。在其它實(shí)施例中，源極和漏極再生長(zhǎng)可以被設(shè)計(jì)為當(dāng)其有利于特定裝置時(shí)增加溝道中的應(yīng)變。

制造流程可以包括在隨后的操作中的替換柵極工藝，在此期間可以從溝道層選擇性地去除犧牲層(所謂的“納米片釋放”工藝)。在納米片釋放工藝期間，溝道中的小部分的應(yīng)變可以通過(guò)源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)的重新分布而損失，但是大部分的溝道應(yīng)變被保持。圍繞溝道層的柵極堆疊件的形成可以在納米片釋放之后?？梢园~外的制造步驟以完成hns裝置和電路的制造。

圖7描繪了包括根據(jù)這里公開(kāi)的主題的hns堆疊件的實(shí)施例的電子系統(tǒng)700的框圖。參照?qǐng)D7，電子系統(tǒng)700可以包括控制器710、輸入/輸出(i/o)裝置704、存儲(chǔ)器裝置706、接口708和總線702?？刂破?10、i/o裝置704、存儲(chǔ)器裝置706和/或接口708可以通過(guò)總線702彼此連接?？偩€702可以用作用于發(fā)送數(shù)據(jù)的路徑。

控制器710可以包括微處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、微控制器和能夠執(zhí)行與微處理器、數(shù)字信號(hào)處理器和微控制器類似的功能的邏輯裝置中的至少一種。i/o裝置704可以包括小鍵盤、鍵盤和顯示裝置。存儲(chǔ)器裝置706可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和/或命令。接口708可以用于向通信網(wǎng)絡(luò)發(fā)送數(shù)據(jù)或從通信網(wǎng)絡(luò)接收數(shù)據(jù)。接口708可以是有線或無(wú)線接口。在示例中，接口708可以包括天線或有線或無(wú)線收發(fā)器。

雖然在圖中未示出，但是電子系統(tǒng)700可以是用于改善控制器710的操作的操作存儲(chǔ)器，并且還可以包括高速dram或sram。這里，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的上述實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中的任意一個(gè)可以用作操作存儲(chǔ)器。另外，根據(jù)上述實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中的任意一個(gè)可以設(shè)置在存儲(chǔ)器裝置706中、接口708中、控制器710中或i/o裝置704中。

電子系統(tǒng)700可以應(yīng)用于能夠在無(wú)線環(huán)境中發(fā)送或接收信息的幾乎所有類型的電子產(chǎn)品，諸如個(gè)人數(shù)字助理(pda)、便攜式計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)平板電腦、無(wú)線電話、移動(dòng)電話、數(shù)字音樂(lè)播放器、存儲(chǔ)卡等。

盡管這里參照具體的實(shí)施例描述了這里公開(kāi)的主題，但是在不脫離權(quán)利要求的范圍的情況下，可以進(jìn)行各種修改和改變。因此，說(shuō)明書和附圖將被認(rèn)為是說(shuō)明性的而不是限制性的，并且所有這樣的修改意圖被包括在所要求保護(hù)的主題的范圍內(nèi)。這里關(guān)于具體實(shí)施例所描述的問(wèn)題的任何益處、優(yōu)點(diǎn)或解決方案不意圖被解釋為任何或所有權(quán)利要求的關(guān)鍵的、必需的或必要的特征或元素。

除非另有說(shuō)明，否則使用諸如“第一”和“第二”的術(shù)語(yǔ)以任意地區(qū)分這樣的術(shù)語(yǔ)描述的元件。因此，這些術(shù)語(yǔ)不一定意圖指示這些元件的時(shí)間或其他優(yōu)先級(jí)。術(shù)語(yǔ)“結(jié)合”或“可操作結(jié)合”被定義為連接，盡管不一定是直接連接，并且不一定是機(jī)械連接。除非另有說(shuō)明，否則術(shù)語(yǔ)“一個(gè)/種”被定義為一個(gè)或更多個(gè)。術(shù)語(yǔ)“包含”(和任何形式的包含，諸如“包含”的變型)、“具有”(和任何形式的具有，諸如“具有”的變型)、“包括”(和任何形式的包括，諸如“包括”的變型)以及“含有”(和任何形式的含有，諸如“含有”的變型)是開(kāi)放式連接動(dòng)詞。因此，“包含”、“具有”、“包括”或“含有”一個(gè)或更多個(gè)元件的系統(tǒng)、裝置或設(shè)備擁有那些一個(gè)或更多個(gè)元件，但不限于僅擁有那些一個(gè)或更多個(gè)元件。類似地，“包含”、“具有”、“包括”或“含有”一個(gè)或更多個(gè)操作的方法或工藝擁有那些一個(gè)或更多個(gè)操作，但不限于僅擁有那些一個(gè)或更多個(gè)操作。