相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2016年2月29日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請no.10-2016-0024701、于2016年4月4日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請no.10-2016-0041327以及于2016年5月25日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請no.10-2016-0064116的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引用整體并入本文。

本發(fā)明的示例性實施方式涉及一種顯示裝置，并且更具體地，涉及包括具有不同形狀和/或尺寸的區(qū)域的顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光顯示裝置可以包括多個像素。每個像素可以包括有機發(fā)光二極管。有機發(fā)光二極管可以包括兩個電極和插入其間的有機發(fā)光層。通過將從有機發(fā)光層上的一個電極注入的電子與從另一個電極注入的空穴組合而形成激子。激子在釋放能量時發(fā)光。

有機發(fā)光顯示裝置是自發(fā)射裝置。有機發(fā)光顯示裝置的每個像素包括導線和連接到導線的多個晶體管，多個晶體管用于驅(qū)動與晶體管連接的有機發(fā)光二極管。根據(jù)其長度，導線可以具有不同程度的負載值。因此，由有機發(fā)光顯示裝置顯示的最終圖像可能會由于負載值的差而具有不同的亮度水平。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的示例性實施方式涉及一種在顯示裝置的顯示區(qū)域上具有均勻亮度的顯示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，一種顯示裝置，包括：基板，包括第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域，第二像素區(qū)域具有比第一像素區(qū)域小的面積，其中第二像素區(qū)域連接到第一像素區(qū)域；第一像素，設(shè)置在第一像素區(qū)域中，和第二像素，設(shè)置在第二像素區(qū)域中；第一線，連接到第一像素，和第二線，連接到第二像素；和虛擬單元，與第一線和第二線中的至少一個重疊，并且補償?shù)谝痪€和第二線之間的負載值的差。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，一種顯示裝置，包括：基板，包括第一像素區(qū)域、連接到第一像素區(qū)域的第二像素區(qū)域和與第二像素區(qū)域間隔開的第三像素區(qū)域，其中，第二像素區(qū)域小于第一像素區(qū)域；第一像素設(shè)置在第一像素區(qū)域中，第二像素設(shè)置在第二像素區(qū)域中，第三像素設(shè)置在第三像素區(qū)域中；第一掃描線連接到第一像素，第二掃描線連接到第二像素，第三掃描線連接到第三像素；并且第一虛擬單元與第二掃描線重疊，并且第二虛擬單元與第三掃描線重疊，其中，第一和第二虛擬單元補償?shù)谝?、第二和第三掃描線之間的負載值的差。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，一種顯示裝置，包括：第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域，其中，第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域具有相對于彼此不同的形狀或尺寸；第一外圍區(qū)域，鄰近第一像素區(qū)域設(shè)置，和第二外圍區(qū)域，鄰近第二像素區(qū)域設(shè)置；第一像素，設(shè)置在第一像素區(qū)域中；第二像素和第三像素，設(shè)置在第二像素區(qū)域中；第一掃描線，連接到第一像素并且部分地設(shè)置在第一外圍區(qū)域中；第二掃描線，連接到第二像素并且部分地設(shè)置在第二外圍區(qū)域中；以及第三掃描線，連接到第三像素并且部分地設(shè)置在第二外圍區(qū)域中，其中，第一、第二和第三掃描線中的至少兩個具有不同的長度；和第一虛擬線，在第一和第二外圍區(qū)域中與第一、第二和第三掃描線中的至少一個重疊，以在第一虛擬線和具有不同長度的第一、第二和第三掃描線中的至少兩個之間產(chǎn)生電容差。

附圖說明

通過結(jié)合附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式，本發(fā)明的上述和其它特征將變得更加清楚，其中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的平面視圖；

圖2a是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的平面視圖；

圖2b是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的平面視圖；

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的平面視圖；

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的像素和驅(qū)動器的框圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖4的像素的等效電路圖；

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖4的第一像素的結(jié)構(gòu)的平面視圖；

圖7a是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的沿圖6的線i-i’截取的截面圖；

圖7b是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的沿圖6的線ii-ii’截取的截面圖；

圖8a是部分地示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第一像素的平面視圖；

圖8b是部分地示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第二像素的平面視圖；

圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的在圖2a和圖3的第二區(qū)域中的傾斜邊緣區(qū)域中的第二像素的布置的平面視圖；

圖10a是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第一像素中的一個的平面視圖；

圖10b是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第二像素中的一個的平面視圖；

圖10c是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第二像素中的一個的平面視圖；

圖11a是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第一像素中的一個的平面視圖；

圖11b是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第二像素中的一個的平面視圖；

圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖2a和圖3的第二區(qū)域中的傾斜邊緣區(qū)域中的第二像素的布置的平面視圖；

圖13a是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第一像素的平面視圖；

圖13b是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第二像素的平面視圖；

圖13c是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第二像素的平面視圖；

圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的平面視圖；

圖15a是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖14的區(qū)域p1的平面視圖；

圖15b是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖14的區(qū)域p2的平面視圖；

圖16是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的平面視圖；

圖17是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖16的第二區(qū)域中的傾斜邊緣區(qū)域中的第二像素的布置的平面視圖；

圖18a是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖16的區(qū)域p3的平面視圖；

圖18b是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖16的區(qū)域p4的平面視圖；

圖18c是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖16的區(qū)域p5的平面視圖；

圖19是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的平面視圖；和

圖20是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的布置在第二像素區(qū)域中的第二像素的虛擬負載連接方案的視圖。

具體實施方式

在下文中，將參考附圖詳細說明本發(fā)明的示例性實施方式。本發(fā)明可以以各種不同的形式實施，并且不應(yīng)被解釋為僅限于下面描述的所示的示例性實施方式。

在所有附圖和說明書中，相同的附圖標記可以表示相同的元件。為了清楚起見，元件、層和區(qū)域的相對尺寸可能被放大。除非上下文另有明確指示，否則單數(shù)形式的元件的描述也可以包括復數(shù)形式。

另外，應(yīng)當理解，當元件、層、區(qū)域或基板被稱為在另一元件、層、區(qū)域或基板“上”時，其可以直接設(shè)置在另一元件、層、區(qū)域或基板上，或者可以在它們之間插入元件、層、區(qū)域或基板。

在下文中，將參考附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的平面視圖。

參考圖1，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置可以包括：基板sub；設(shè)置在基板sub上并且包括例如像素pxl1、pxl2和pxl3的多個像素pxl；設(shè)置在基板sub上并驅(qū)動像素pxl的驅(qū)動器；以及將像素pxl連接到驅(qū)動器的導線單元。

基板sub可以包括多個區(qū)域，并且多個區(qū)域中的至少兩個可以在尺寸和/或形狀上彼此不同。當基板sub包括例如兩個區(qū)域時，這兩個區(qū)域可以具有不同的尺寸和/或形狀。當基板sub包括例如三個區(qū)域時，所有三個區(qū)域可以具有彼此不同的尺寸和/或形狀，或者僅僅三個區(qū)域中的兩個可以具有彼此不同的尺寸和/或形狀。另外，基板sub可以包括四個或更多個區(qū)域。

在以下示例中，為了便于說明，基板sub包括三個區(qū)域，例如，第一區(qū)域a1、第二區(qū)域a2和第三區(qū)域a3。

第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3中的每一個可以具有大致矩形形狀。在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3中的任何一個可以具有多邊形形狀或彎曲邊緣。

第一至第三區(qū)域a1、a2和a3可以包括像素區(qū)域pxa1、pxa2和pxa3(在下文中稱為pxa)以及外圍區(qū)域ppa1、ppa2和ppa3(在下文中稱為ppa)。像素區(qū)域pxa包括用于顯示圖像的像素pxl。像素pxl可以不設(shè)置在外圍區(qū)域ppa中。因此，在外圍區(qū)域ppa中不顯示圖像。用于驅(qū)動像素pxl的驅(qū)動器和用于將像素pxl連接到驅(qū)動器的導線單元的導線可以至少部分地設(shè)置在外圍區(qū)域ppa上。導線單元的導線可以稱為導線。外圍區(qū)域ppa可以對應(yīng)于顯示裝置的邊框。因此，邊框的寬度可以取決于外圍區(qū)域ppa的寬度。

第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3分別描述如下。

第一區(qū)域a1可以包括第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3中的最大面積。第一區(qū)域a1可以包括用于顯示圖像的第一像素區(qū)域pxa1和圍繞第一像素區(qū)域pxa1的至少一部分的第一外圍區(qū)域ppa1。

第一像素區(qū)域pxa1可以以與第一區(qū)域a1的形狀對應(yīng)的形狀設(shè)置。在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一像素區(qū)域pxa1可以具有在第一方向dr1上的第一寬度w1和在與第一方向dr1相交的第二方向dr2上的第一長度l1。

第一外圍區(qū)域ppa1可以設(shè)置在第一像素區(qū)域pxa1的至少一側(cè)上。在本發(fā)明的示例性實施方式中，除了其中設(shè)置有第二區(qū)域a2和第三區(qū)域a3的部分之外，第一外圍區(qū)域ppa1可以圍繞第一像素區(qū)域pxa1的外圍。在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一外圍區(qū)域ppa1可以包括在寬度方向(例如，第一方向dr1)上延伸的水平單元和在縱向方向(例如，第二方向dr2)上延伸的垂直單元。第一外圍區(qū)域ppa1的垂直單元可以成對地設(shè)置，以沿著第一像素區(qū)域pxa1的寬度方向彼此間隔開。

第二區(qū)域a2可以具有比第一區(qū)域a1小的面積。第二區(qū)域a2可以包括第二像素區(qū)域pxa2和圍繞第二像素區(qū)域pxa2的至少一部分的第二外圍區(qū)域ppa2。

第二像素區(qū)域pxa2可以以與第二區(qū)域a2的形狀對應(yīng)的形狀設(shè)置。在本發(fā)明的示例性實施方式中，第二像素區(qū)域pxa2可以具有比第一像素區(qū)域pxa1的第一寬度w1小的第二寬度w2。第二像素區(qū)域pxa2可以具有比第一區(qū)域pxa1的第一長度l1小的第二長度l2。第二像素區(qū)域pxa2可以以從第一像素區(qū)域pxa1突出的突起的形式設(shè)置，并且直接連接到第一像素區(qū)域pxa1。換句話說，最接近第一像素區(qū)域pxa1的第二像素區(qū)域pxa2的邊緣可以與第一像素區(qū)域pxa1的邊緣的一部分重合。

第二外圍區(qū)域ppa2可以設(shè)置在第二像素區(qū)域pxa2的至少一側(cè)上。在本發(fā)明的示例性實施方式中，第二外圍區(qū)域ppa2可以圍繞第二像素區(qū)域pxa2的外圍，但是它不設(shè)置在第二像素區(qū)域pxa2的與第一像素區(qū)域pxa1連接的部分上。在本發(fā)明的示例性實施方式中，第二外圍區(qū)域ppa2還可以包括在寬度方向上延伸的水平單元和在縱向方向上延伸的垂直單元。第二外圍區(qū)域ppa2的垂直單元可以成對地設(shè)置，以沿著第二像素區(qū)域pxa2的寬度方向彼此間隔開。

第三區(qū)域a3可以具有比第一區(qū)域a1小的面積。第三區(qū)域a3具有可以與第二區(qū)域a2的面積相同或不同的面積。第三區(qū)域a3可以包括第三像素區(qū)域pxa3和圍繞第三像素區(qū)域ppa3的至少一部分的第三外圍區(qū)域ppa3。第三像素區(qū)域pxa3可以顯示圖像。

第三像素區(qū)域pxa3可以以與第三區(qū)域a3的形狀對應(yīng)的形狀設(shè)置。在本發(fā)明的示例性實施方式中，第三像素區(qū)域pxa3可以具有比第一像素區(qū)域pxa1的第一寬度w1小的第三寬度w3。第三像素區(qū)域pxa3可以具有比第一像素區(qū)域pxa1的第一長度l1小的第三長度l3。第二寬度w2和第三寬度w3可以彼此相等，并且第二長度l2和第三長度l3可以彼此相等。另外，第二寬度w2和第三寬度w3可以彼此不同，并且第二長度l2和第三長度l3可以彼此不同。

第三像素區(qū)域pxa3可以以從第一像素區(qū)域pxa1突出的突起的形式設(shè)置，并且直接連接到第一像素區(qū)域pxa1。換句話說，最接近第一像素區(qū)域pxa1的第三像素區(qū)域pxa3的邊緣可以與第一像素區(qū)域pxa1的邊緣的一部分重合。

第三外圍區(qū)域ppa3可以設(shè)置在第三像素區(qū)域pxa3的至少一側(cè)上。在本發(fā)明的示例性實施方式中，第三外圍區(qū)域ppa3可以圍繞第三像素區(qū)域pxa3的外圍，但是它不設(shè)置在其中第一像素區(qū)域pxa1與第三像素區(qū)域pxa3連接的部分上。在本發(fā)明的示例性實施方式中，第三外圍區(qū)域ppa3可以包括在寬度方向上延伸的水平單元和在縱向方向上延伸的垂直單元。第三外圍區(qū)域ppa3的垂直單元也可以成對地設(shè)置，以沿著第三像素區(qū)域pxa3的寬度方向彼此間隔開。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，第三區(qū)域a3可以具有與第二區(qū)域a2線對稱的形狀。在這種情況下，設(shè)置在第三區(qū)域a3中的部件的布置可以與設(shè)置在第二區(qū)域a2中的部件的布置基本相同。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一外圍區(qū)域ppa1的垂直單元可以分別連接到第二外圍區(qū)域ppa2和第三外圍區(qū)域ppa3的垂直單元的一部分。例如，在第一外圍區(qū)域ppa1的左側(cè)上的垂直單元可以連接到在第二外圍區(qū)域ppa2的左側(cè)上的垂直單元。在第一外圍區(qū)域ppa1的右側(cè)上的垂直單元可以連接到在第三外圍區(qū)域ppa3的右側(cè)上的垂直單元。另外，第一外圍區(qū)域ppa1的左側(cè)垂直單元和第二外圍區(qū)域ppa2的左側(cè)垂直單元具有可以彼此相等的寬度w4。第一外圍區(qū)域ppa1的右側(cè)垂直單元和第三外圍區(qū)域ppa3的右側(cè)垂直單元具有可以彼此相等的寬度w5。

寬度w4可以不同于寬度w5。例如，寬度w4可以比寬度w5小。

像素pxl可以設(shè)置在基板sub的像素區(qū)域pxa中，例如在第一至第三像素區(qū)域pxa1、pxa2和pxa3中。每個像素pxl可以設(shè)置為多個以顯示圖像。像素pxl可以包括用于發(fā)射彩色光的有機發(fā)光二極管(oled)。每個像素pxl可以發(fā)射紅色、綠色、藍色和白色之一的顏色。然而，本發(fā)明不限于此。例如，每個像素pxl還可以發(fā)射青色、品紅色、黃色等之一的顏色。

像素pxl可以包括布置在第一像素區(qū)域pxa1中的第一像素pxl1、布置在第二像素區(qū)域pxa2中的第二像素pxl2和布置在第三像素區(qū)域pxa3中的第三像素pxl3。在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一至第三像素pxl1、pxl2和pxl3均可以設(shè)置為多個并且以矩陣形式布置。例如，第一至第三像素pxl1、pxl2和pxl3可以沿著在第一方向dr1上延伸的行和沿著在第二方向dr2上延伸的列來布置。然而，第一至第三像素pxl1、pxl2和pxl3的布置不限于上述的布置。例如，第一至第三像素pxl1、pxl2和pxl3可以不同地布置。第一像素pxl1可以被布置為使得第一方向dr1是行方向。然而，第二像素pxl2可以在與第一方向dr1不同的方向上，例如，在相對于第一方向dr1傾斜的方向上布置。另外，第三像素pxl3可以布置在與布置第一像素pxl1和/或第二像素pxl2所沿的方向相同或不同的方向上?；蛘?，在本發(fā)明的示例性實施方式中，行方向可以是第二方向dr2，并且列方向可以是第一方向dr1。

驅(qū)動器可以通過導線單元向每個像素pxl提供信號，并且驅(qū)動器可以相應(yīng)地控制每個像素pxl的驅(qū)動。在圖1中，為了便于說明，省略了導線單元。然而，將在下面描述導線單元。

驅(qū)動器可以包括掃描驅(qū)動器sdv1、sdv2和sdv3(在下文中稱為sdv)、沿著發(fā)光控制線向每個像素pxl提供發(fā)光控制信號的發(fā)光驅(qū)動器edv1、edv2和edv3(在下文中稱為edv)、用于沿著數(shù)據(jù)線向每個像素pxl提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動器ddv以及時序控制器tc(見圖4)。時序控制器可以控制掃描驅(qū)動器sdv、發(fā)光驅(qū)動器edv和數(shù)據(jù)驅(qū)動器ddv。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，掃描驅(qū)動器sdv可以包括連接到第一像素pxl1的第一掃描驅(qū)動器sdv1、連接到第二像素pxl2的第二掃描驅(qū)動器sdv2以及連接到第三像素pxl3的第三掃描驅(qū)動器sdv3。在本發(fā)明的示例性實施方式中，發(fā)光驅(qū)動器edv可以包括連接到第一像素pxl1的第一發(fā)光驅(qū)動器edv1、連接到第二像素pxl2的第二發(fā)光驅(qū)動器edv2以及連接到第三像素pxl3的第三發(fā)光驅(qū)動器edv3。

第一掃描驅(qū)動器sdv1可以設(shè)置在第一外圍區(qū)域ppa1的垂直單元中。由于第一外圍區(qū)域ppa1的垂直單元可以設(shè)置為成對沿著第一像素區(qū)域pxa1的寬度方向彼此間隔開，因此第一掃描驅(qū)動器sdv1可以沿著第一外圍區(qū)域ppa1的縱向方向延伸。

第二掃描驅(qū)動器sdv2可以設(shè)置在第二外圍區(qū)域ppa2中，并且第三掃描驅(qū)動器sdv3可以設(shè)置在第三外圍區(qū)域ppa3中。在本發(fā)明的示例性實施方式中，掃描驅(qū)動器sdv可以直接安裝在基板sub上。當掃描驅(qū)動器sdv直接安裝在基板sub上時，掃描驅(qū)動器sdv可以在形成像素pxl的過程中形成。然而，設(shè)置掃描驅(qū)動器sdv的位置或方法不限于此。例如，掃描驅(qū)動器sdv可以形成在基板sub上作為玻璃襯底芯片類型，或者安裝在印刷電路基板sub上，以通過連接組件連接到基板sub。另外，第一發(fā)光驅(qū)動器edv1可以以與第一掃描驅(qū)動器sdv1類似的方式布置在第一外圍區(qū)域ppa1的垂直單元中。第一發(fā)光驅(qū)動器edv1可以布置在第一外圍區(qū)域ppa1的垂直單元的至少一側(cè)。第一發(fā)光驅(qū)動器edv1可以在第一外圍區(qū)域ppa1的縱向方向上延伸。

第二發(fā)光驅(qū)動器edv2可以布置在第二外圍區(qū)域ppa2中，并且第三發(fā)光驅(qū)動器edv3可以布置在第三外圍區(qū)域ppa3中。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，發(fā)光驅(qū)動器edv可以直接安裝在基板sub上。當發(fā)光驅(qū)動器edv直接安裝在基板sub上時，發(fā)光驅(qū)動器edv可以與像素pxl同時形成。然而，設(shè)置發(fā)光驅(qū)動器edv的位置或方法可以不限于此。例如，發(fā)光驅(qū)動器edv可以形成在基板sub上作為玻璃襯底芯片類型，或者安裝在印刷電路基板sub上，以通過連接組件連接到基板sub。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，示出了掃描驅(qū)動器sdv和發(fā)光驅(qū)動器edv可以彼此相鄰，并且形成在外圍區(qū)域ppa的垂直單元對的一側(cè)上。然而，本發(fā)明不限于此，并且可以以各種方式修改布置。例如，第一掃描驅(qū)動器sdv1可以設(shè)置在第一外圍區(qū)域ppa1的垂直單元的一側(cè)，并且第一發(fā)光驅(qū)動器edv1可以設(shè)置在第一外圍區(qū)域ppa1的垂直單元的另一側(cè)上。另外，第一掃描驅(qū)動器sdv1可以設(shè)置在第一外圍區(qū)域ppa1的垂直單元的兩側(cè)上，并且第一發(fā)光驅(qū)動器edv1可以設(shè)置在第一外圍區(qū)域ppa1的垂直單元的一側(cè)上。

數(shù)據(jù)驅(qū)動器ddv可以設(shè)置在第一外圍區(qū)域ppa1中。例如，數(shù)據(jù)驅(qū)動器ddv可以設(shè)置在第一外圍區(qū)域ppa1的水平單元中。數(shù)據(jù)驅(qū)動器ddv可以在第一外圍區(qū)域ppa1的寬度方向上延伸。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，掃描驅(qū)動器sdv、發(fā)光驅(qū)動器edv和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動器ddv的位置可以根據(jù)需要改變。

時序控制器可以通過導線連接到第一至第三掃描驅(qū)動器sdv1、sdv2和sdv3、第一至第三發(fā)光驅(qū)動器edv1、edv2和edv3以及數(shù)據(jù)驅(qū)動器ddv。時序控制器可以設(shè)置在顯示裝置的各種位置上。例如，時序控制器可以安裝在柔性印刷電路基板上，并且通過柔性印刷電路基板連接到第一至第三掃描驅(qū)動器sdv1、sdv2和sdv3、第一至第三發(fā)光驅(qū)動器edv1、edv2和edv3以及數(shù)據(jù)驅(qū)動器ddv。在這種情況下，柔性印刷電路基板可以布置在各種位置中，例如，在基板sub的一側(cè)或基板sub的背側(cè)上。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，基板sub的形狀可以以各種方式改變。圖2a是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的平面視圖。圖2b是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的平面視圖。圖2a和2b的顯示裝置具有與圖1的顯示裝置不同的形狀。為了簡潔，可以省略已經(jīng)描述的元件的描述。

參考圖2a和2b，第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3中的每一個可以具有各種形狀。例如，第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3中的每一個可以具有封閉形式且包括直線的多邊形形狀、圓形、包括平直部分和彎曲部分的橢圓、半橢圓形形狀、彎曲形狀和/或其組合等。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3中的每一個具有大致矩形形狀，并且可以去除第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3中的每一個的矩形形狀的至少一個角的一部分。這可以在圖2a和圖2b中看出。第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3可以包括與至少一個角的被去除的部分對應(yīng)的第一子區(qū)域和與第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3的其余部分對應(yīng)的第二子區(qū)域。第一子區(qū)域的寬度可以大于第二子區(qū)域的寬度。

第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3的角的被去除的部分可以具有三角形形狀或矩形形狀。例如，如圖2a和2b所示，與第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3的被去除部分對應(yīng)的一側(cè)可以包括具有向矩形形狀的一側(cè)傾斜的斜線或成角度的直線形狀的形狀。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，設(shè)置在第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3中的第一像素區(qū)域pxa1至第三像素區(qū)域pxa3中的每一個可以具有不同的形狀，例如，封閉形式且包括直線的多邊形形狀、圓形、包括平直部分和彎曲部分的橢圓形、半橢圓形形狀、彎曲形狀和/或其組合等。在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一像素區(qū)域pxa1至第三像素區(qū)域pxa3中的每一個可以分別具有對應(yīng)于第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3的形狀。第一像素區(qū)域pxa1至第三像素區(qū)域pxa3中的每一個在第一方向dr1和第二方向dr2上可以分別具有對應(yīng)的寬度w1、w2和w3，以及分別具有對應(yīng)的長度l1、l2和l3。在本發(fā)明的示例性實施方式中，如圖2a和2b所示，第一像素區(qū)域pxa1至第三像素區(qū)域pxa3的寬度w1至w3和長度l1至l3可以分別表示沿著第一方向dr1和第二方向dr2的第一像素區(qū)域pxa1至第三像素區(qū)域pxa3的最大寬度或最大長度。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，基板sub可以根據(jù)其部件的布置而具有不同的形狀。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的平面視圖。

參考圖3，基板sub可以進一步包括從第一區(qū)域a1突出的附加區(qū)域ada。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，附加區(qū)域ada可以從第一區(qū)域a1突出。例如，附加區(qū)域ada可以具有從第一外圍區(qū)域ppa1的水平單元突出的形狀。附加區(qū)域ada可以在對應(yīng)于第一區(qū)域a1的邊界的折疊線bdl處彎曲。在這種情況下，附加區(qū)域ada可以彎曲或折疊，從而減小第一區(qū)域a1的邊框的寬度。

附加區(qū)域ada可以包括顯示裝置的各種組成部件。例如，附加區(qū)域ada可以包括數(shù)據(jù)驅(qū)動器ddv。然而，可以包括在附加區(qū)域ada中的部件不限于此。在本發(fā)明的示例性實施方式中，附加區(qū)域ada也可以以與圖3中所示的附加區(qū)域ada的形狀類似或不同的形狀設(shè)置在第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3中。因此，由于顯示裝置的部件可以設(shè)置在一個或多個附加區(qū)域ada上，并且附加區(qū)域ada可以彎曲或折疊，所以可以減小顯示裝置的邊框的寬度。

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的像素和驅(qū)動器的框圖。

參考圖4，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置包括像素pxl、驅(qū)動器和導線單元。

像素pxl可以包括第一像素pxl1至第三像素pxl3，并且驅(qū)動器可以包括第一掃描驅(qū)動器sdv1至第三掃描驅(qū)動器sdv3、第一發(fā)光驅(qū)動器edv1至第三發(fā)光驅(qū)動器edv3、數(shù)據(jù)驅(qū)動器ddv以及時序控制器tc。在圖4中，為了便于說明，示出了第一掃描驅(qū)動器sdv1至第三掃描驅(qū)動器sdv3、第一發(fā)光驅(qū)動器edv1至第三發(fā)光驅(qū)動器edv3、數(shù)據(jù)驅(qū)動器ddv和時序控制器tc的位置，并且可以布置在顯示裝置的其它位置中。例如，數(shù)據(jù)驅(qū)動器ddv可以被布置為相對于第一區(qū)域a1更靠近第二區(qū)域a2和第三區(qū)域a3，但是數(shù)據(jù)驅(qū)動器ddv的布置不限于此。例如，數(shù)據(jù)驅(qū)動器ddv可以布置在靠近第一區(qū)域a1的位置。

導線單元可以向每個像素pxl提供驅(qū)動器的信號。導線單元可以包括掃描線、數(shù)據(jù)線、發(fā)光控制線、電力線和復位電力線。掃描線可以包括分別連接到第一至第三像素pxl1和pxl3的第一掃描線至第三掃描線s11至s1n(n表示正非零整數(shù))、s21至s2n和s31至s3n。發(fā)光控制線e11至e1n、e21至e2n和e31至e3n可以分別連接到第一像素pxl1至第三像素pxl3。數(shù)據(jù)線d1至dm和電力線可以連接到第一像素pxl1至第三像素pxl3。

第一像素pxl1可以位于第一像素區(qū)域pxa1中。第一像素pxl1可以連接到第一掃描線s11至s1n、第一發(fā)光控制線e11至e1n和數(shù)據(jù)線d1至dm。當從第一掃描線s11至s1n提供掃描信號時，第一像素pxl1可以從數(shù)據(jù)線d1至dm接收數(shù)據(jù)信號。接收數(shù)據(jù)信號的第一像素pxl1可以控制經(jīng)由有機發(fā)光顯示裝置從第一電源elvdd線流到第二電源elvss線的電流量。

第二像素pxl2可以位于第二像素區(qū)域pxa2中。第二像素pxl2可以連接到第二掃描線s21和s22、第二發(fā)光控制線e21和e22以及數(shù)據(jù)線d1至d3。當從第二掃描線s21和s22提供掃描信號時，第二像素pxl2可以從數(shù)據(jù)線d1至d3接收數(shù)據(jù)信號。接收數(shù)據(jù)信號的第二像素pxl2可以控制通過oled從第一電源elvdd線流到第二電源elvss線的電流量。

另外，在圖4中，示出了六個第二像素pxl2可以布置在第二像素區(qū)域pxa2中，并且連接到兩條第二掃描線s21和s22、兩條第二發(fā)光控制線e21和e22以及三條數(shù)據(jù)線d1至d3，但是本發(fā)明不限于此。例如，取決于第二像素區(qū)域pxa2的尺寸，可以在第二像素區(qū)域pxa2中布置多個第二像素pxl2，并且基于第二像素pxl2的數(shù)量，可以按需要形成第二掃描線s21至s2n、第二發(fā)光控制線e21至e2n以及數(shù)據(jù)線d1至dm的數(shù)量。

第三像素pxl3可以布置在第三像素區(qū)域pxa3中。如圖4所示，第三像素pxl3可以連接到第三掃描線s31和s32、第三發(fā)光控制線e31和e32以及數(shù)據(jù)線dm-2至dm。當從第三掃描線s31和s32提供掃描信號時，第三像素pxl3可以從數(shù)據(jù)線dm-2至dm接收數(shù)據(jù)信號。接收數(shù)據(jù)信號的第三像素pxl3可以控制通過oled從第一電源elvdd線流到第二電源elvss線的電流量。

另外，在圖4中，示出了六個第三像素pxl3布置在第三像素區(qū)域pxa3中，并且連接到兩條第三掃描線s31和s32、兩條第三發(fā)光控制線e31和e32以及三條數(shù)據(jù)線dm-2至dm，但本發(fā)明不限于此。例如，根據(jù)第三像素區(qū)域pxa3的尺寸，可以在第三像素區(qū)域pxa3中布置多個第三像素pxl3，并且根據(jù)第三像素pxl3的數(shù)量，可以按需要形成第三掃描線s31至s3n、第三發(fā)光控制線e31至e3n以及數(shù)據(jù)線d1至dm的數(shù)量。

第一掃描驅(qū)動器sdv1可以響應(yīng)于來自時序控制器tc的第一柵極控制信號gcs1，將掃描信號提供給第一掃描線s11至s1n。例如，第一掃描驅(qū)動器sdv1可以順序地將掃描信號提供給第一掃描線s11至s1n。當掃描信號順序地提供給第一掃描線s11至s1n時，可以通過水平線單元順序地選擇第一像素pxl1。換句話說，可以基于連接到第一掃描線s11至s1n中的相同水平掃描線的給定數(shù)量的像素pxl1來選擇第一像素pxl1。

第二掃描驅(qū)動器sdv2可以響應(yīng)于來自時序控制器tc的第二柵極控制信號gcs2，將掃描信號提供給第二掃描線s21和s22。例如，第二掃描驅(qū)動器sdv2可以順序地將掃描信號提供給第二掃描線s21和s22。當掃描信號順序地提供給第二掃描線s21和s22時，通過水平線單元順序地選擇第二像素pxl2。換句話說，可以基于連接到第二掃描線s21至s2n中的相同水平掃描線的給定數(shù)量的像素pxl2來選擇第二像素pxl2。

對應(yīng)于來自時序控制器tc的第三柵極控制信號gcs3，第三掃描驅(qū)動器sdv3可以將掃描信號提供給第三掃描線s31和s32。例如，第三掃描驅(qū)動器sdv3可以順序地將掃描信號提供給第三掃描線s31和s32。當掃描信號順序地提供給第三掃描線s31和s32時，可以通過水平線單元順序地選擇第三像素pxl3。換句話說，可以基于連接到第三掃描線s31至s3n中的相同水平掃描線的給定數(shù)量的像素pxl3來選擇第三像素pxl3。

第一發(fā)光驅(qū)動器edv1可以響應(yīng)于來自時序控制器tc的第四柵極控制信號gcs4，將發(fā)光控制信號提供給第一發(fā)光控制線e11至e1n。例如，第一發(fā)光驅(qū)動器edv1可以順序地將發(fā)光控制信號提供給第一發(fā)光控制線e11至e1n。

發(fā)光控制信號可以被確定為具有比掃描信號更大的寬度。例如，提供給第i(例如，i是自然數(shù))根第一發(fā)光控制線e1i的發(fā)光控制信號可以被提供以與提供給第(i-1)根第一掃描線s1i-1的掃描信號和提供給第i根第一掃描線sli的掃描信號在時間周期的一部分重疊。

第二發(fā)光驅(qū)動器edv2可以根據(jù)來自時序控制器tc的第五柵極控制信號gcs5，將發(fā)光控制信號提供給第二發(fā)光控制線e21和e22。例如，第二發(fā)光驅(qū)動器edv2可以順序地將發(fā)光控制信號提供給第二發(fā)光控制線e21和e22。

第三發(fā)光驅(qū)動器edv3可以根據(jù)來自時序控制器tc的第六柵極控制信號gcs6，將發(fā)光控制信號提供給第三發(fā)光控制線e31和e32。例如，第三發(fā)光驅(qū)動器edv3可以順序地將發(fā)光控制信號提供到第三發(fā)光控制線e31和e32。

另外，發(fā)光控制信號可以被確定為柵極截止電壓(例如，高電壓)，使得包括在像素pxl中的晶體管可以截止，并且掃描信號可以被確定為柵極導通電壓(例如，低電壓)，使得包括在像素pxl中的晶體管可以導通。

數(shù)據(jù)驅(qū)動器ddv可以響應(yīng)于數(shù)據(jù)控制信號dcs，將數(shù)據(jù)信號提供給數(shù)據(jù)線d1至dm?？梢允褂脪呙栊盘枌⑻峁┙o數(shù)據(jù)線d1至dm的數(shù)據(jù)信號提供給像素pxl。

時序控制器tc可以將基于從外部源提供的時序信號而產(chǎn)生的柵極控制信號gcs1至gcs6提供到掃描驅(qū)動器sdv和發(fā)光驅(qū)動器edv以及將數(shù)據(jù)控制信號dcs提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動器。

柵極控制信號gcs1至gcs6中的每一個包括起始脈沖和時鐘信號。起始脈沖可以控制第一掃描信號或第一發(fā)光控制信號的定時。時鐘信號可以用于移位起始脈沖。

數(shù)據(jù)控制信號dcs可以包括源起始脈沖和時鐘信號。源起始脈沖可以控制數(shù)據(jù)的采樣起始點。時鐘信號可以用于控制采樣操作。

當顯示裝置被順序驅(qū)動時，第一掃描驅(qū)動器sdv1可以接收第二掃描驅(qū)動器sdv2的最后輸出信號作為起始脈沖。在這種情況下，第一掃描驅(qū)動器sdv1和第二掃描驅(qū)動器sdv2可以共享控制信號。另外，時序控制器tc可以將柵極控制信號gcs2提供給第二掃描驅(qū)動器sdv2，并且可以不將柵極控制信號gsc1提供給第一掃描驅(qū)動器sdv1。

當在第三掃描驅(qū)動器sdv3的上部中添加單獨的掃描驅(qū)動器用于驅(qū)動第一像素pxl1時，添加的掃描驅(qū)動器和第三掃描驅(qū)動器sdv3可以共享控制信號。另外，添加的掃描驅(qū)動器可以接收第三掃描驅(qū)動器sdv3的最后掃描信號作為起始脈沖。

另外，當順序驅(qū)動顯示裝置時，第一發(fā)光驅(qū)動器edv1可以接收第二發(fā)光驅(qū)動器edv2的最后輸出信號作為起始脈沖。在這種情況下，第一發(fā)光驅(qū)動器edv1和第二發(fā)光驅(qū)動器edv2可以共享控制信號。另外，時序控制器tc可以將柵極控制信號gcs5提供給第二發(fā)光驅(qū)動器edv2，并且可以不將柵極控制信號gcs4提供給第一發(fā)光驅(qū)動器edv1。

當在第三發(fā)光驅(qū)動器edv3的上部中添加單獨的發(fā)光驅(qū)動器用于驅(qū)動第一像素pxl1時，添加的發(fā)光驅(qū)動器和第三發(fā)光驅(qū)動器edv3可以共享控制信號。另外，添加的發(fā)光驅(qū)動器可以接收第三發(fā)光驅(qū)動器edv3的最后的發(fā)光控制信號作為起始脈沖。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖4的像素pxl的等效電路圖。在圖5中，為了便于說明，示出了像素pxl連接到第m根數(shù)據(jù)線dm和第i根第一掃描線sli。

參考圖5，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第一像素pxl1可以包括oled、第一晶體管t1至第七晶體管t7和存儲電容器cst。

oled的陽極可以經(jīng)由第六晶體管t6連接到第一晶體管t1，并且陰極可以連接到第二電源elvss線。oled可以產(chǎn)生具有與從第一晶體管t1提供的電流量對應(yīng)的預(yù)定亮度的光。

第一電源elvdd線可以被確定為具有比第二電源elvss線更高的電壓，使得電流可以流過oled。

第七晶體管t7可以連接到復位電源vint和oled的陽極。另外，第七晶體管t7的柵電極連接到第(i+1)根第一掃描線s1i+1。當掃描信號提供給第(i+1)根第一掃描線s1i+1時，第七晶體管t7可以導通，并且將復位電源vint的電壓提供給oled的陽極。復位電源vint可以被確定為具有比數(shù)據(jù)信號低的電壓。

第六晶體管t6可以連接到第一晶體管t1和oled。另外，第六晶體管t6的柵電極可以連接到第i根第一發(fā)光控制線e1i。第六晶體管t6可以在發(fā)光控制信號被提供給第i根第一發(fā)光控制線e1i時截止，并且在其它情況下，其可以導通。

第五晶體管t5可以連接到第一電源elvdd線和第一晶體管t1。第五晶體管t5的柵電極可以連接到第i根第一發(fā)光控制線e1i。第五晶體管t5可以在發(fā)光控制信號被提供給第i根第一發(fā)光控制線e1i時截止，并且在其它情況下，其可以導通。

可以是驅(qū)動晶體管的第一晶體管t1的第一電極可以經(jīng)由第五晶體管t5連接到第一電源elvdd線，并且第二電極可以經(jīng)由第六晶體管t6連接到oled的陽極。第一晶體管t1的柵電極可以連接到第一節(jié)點n1。第一晶體管t1可以對應(yīng)于第一節(jié)點n1的電壓，控制經(jīng)由oled從第一電源elvdd線流到第二電源elvss線的電流量。

第三晶體管t3可以連接到第一晶體管t1的第二電極和第一節(jié)點n1。第三晶體管t3的柵電極可以連接到第i根第一掃描線s1i。當掃描信號被提供給第i根第一掃描線s1i時，第三晶體管t3可以導通，并且可以將第一晶體管t1的第二電極和第一節(jié)點n1電連接。因此，當?shù)谌w管t3導通時，第一晶體管t1可以以二極管形式連接。

第四晶體管t4可以連接到第一節(jié)點n1和復位電源vint。第四晶體管t4的柵電極可以連接到第(i-1)根第一掃描線s1i-1。第四晶體管t4可以在掃描信號被提供給第(i-1)根第一掃描線s1i-1時導通，并且可以將復位電源vint的電壓提供給第一節(jié)點n1。

第二晶體管t2可以連接到第m根數(shù)據(jù)線dm和第一晶體管t1的第一電極。第二晶體管t2的柵電極可以連接到第i根第一掃描線s1i。第二晶體管t2可以在掃描信號被提供給第i根第一掃描線s1i時導通，并且可以將第m根數(shù)據(jù)線dm電連接到第一晶體管t1的第一電極。

存儲電容器cst可以連接到第一電源elvdd線和第一節(jié)點n1。存儲電容器cst可以存儲與數(shù)據(jù)信號和第一晶體管t1的閾值電壓對應(yīng)的電壓。

第二像素pxl2和第三像素pxl3可以用與第一像素pxl1相同的電路來實現(xiàn)。因此，為了簡潔，將省略第二像素pxl2和第三像素pxl3的電路圖的詳細描述。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，像素pxl可以設(shè)置在具有不同尺寸和/或形狀的像素區(qū)域a1、a2和a3中。向像素pxl提供掃描信號的掃描線的長度可以根據(jù)區(qū)域a1、a2和a3的尺寸和/或形狀而變化，并且特別是根據(jù)像素區(qū)域pxa的尺寸和/或形狀而變化。例如，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，第一像素區(qū)域pxa1的第一寬度w1(參考圖1)可以比第二像素區(qū)域pxa2的第二寬度w2(參考圖1)更長。因此，當掃描線沿著寬度方向延伸時，第一掃描線s11至s1n的長度可以比第二掃描線s21和s22的長度長。掃描線的長度的差可能導致掃描線的負載值的差。例如，第一掃描線s11至s1n的負載值可能會大于第二掃描線s21和s22的負載值。負載值之間的差可能會引起提供給每個像素pxl的掃描信號的電壓降，并導致第一像素區(qū)域pxa1的第一像素pxl1和第二像素區(qū)域pxa2的第二像素pxl2之間的亮度差。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，掃描線的延伸方向可以被設(shè)置為例如縱向。例如，掃描線可以在縱向方向上被延伸，并且掃描線的長度可以分別對應(yīng)于第一長度l1和第二長度l2來確定。在這種情況下，掃描線之間的長度差可以引起掃描線的負載值之間的差，并且導致像素pxl之間的亮度差。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，可以通過使用用于補償每個像素區(qū)域pxa的負載值的差的虛擬單元來利用具有不同寄生電容的結(jié)構(gòu)?！疤摂M單元”可以指“多個虛擬單元”。在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一像素pxl1將用于描述像素pxl的結(jié)構(gòu)，并且下面將描述第一像素pxl1和第二像素pxl2之間的不同。在本發(fā)明的示例性實施方式中，由于第三像素pxl3可以具有與第二像素pxl2相同的形狀，因此為了簡潔將省略其描述。

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖4的第一像素pxl1的結(jié)構(gòu)的平面視圖。圖7a是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的沿圖6的線i-i’截取的截面圖。圖7b是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的沿圖6的線ii-ii’截取的截面圖。

圖6、圖7a和圖7b中，基于設(shè)置在第一像素區(qū)域pxa1的第i行和第j列中的單個第一像素pxl1，三個第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1可以連接到第一像素pxl1。例如，示出了第一發(fā)光控制線e1i、電力線pl和數(shù)據(jù)線dj。為了便于說明，在圖7a和7b中第(i-1)行中的第一掃描線可以稱為“第(i-1)根第一掃描線s1i-1”，第i行中的第一掃描線可以稱為“第i根第一掃描線s1i”，第(i+1)行中的第一掃描線可以稱為“第(i+1)根第一掃描線s1i+1”，第i行中的發(fā)光控制線可以稱為“發(fā)光控制線e1i”，第j列中的數(shù)據(jù)線可以稱為“數(shù)據(jù)線dj”，并且第j根電力線可以稱為“電力線pl”。

參考圖4至圖6、圖7a和圖7b，顯示裝置可以包括基板sub、導線單元和像素pxl。

基板sub可以包括絕緣材料(諸如玻璃和樹脂)。另外，基板sub可以包括具有可彎曲或折疊的柔性的材料，并且可以包括單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。

例如，基板sub可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、乙酸丙酸酯(乙酸丙酸纖維素)中的至少一種。然而，構(gòu)成基板sub的材料可以變化，并且可以包括纖維增強塑料(frp)等。

導線單元可以向每個第一像素pxl1提供信號，并且包括第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1、數(shù)據(jù)線dj、第一發(fā)光控制線e1i、電力線pl以及初始化電力線ipl。

第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1可以在第一方向dr1上延伸，并且包括沿著第二方向dr2順序布置的第(i-1)根第一掃描線s1i-1、第i根第一掃描線s1i和第(i+1)根第一掃描線s1i+1。掃描信號施加到第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1，第(i-1)掃描信號施加到第(i-1)根第一掃描線s1i-1，第i掃描信號施加到第i根第一掃描線s1i，以及第i+1掃描信號施加到第(i+1)根第一掃描線s1i+1。

第一發(fā)光控制線e1i可以在第一方向dr1上延伸，并且被布置為在第i根第一掃描線s1i和第(i+1)根第一掃描線s1i+1之間并與第i根第一掃描線s1i和第(i+1)根第一掃描線s1i+1間隔開。發(fā)光控制信號可以施加到第一發(fā)光控制線e1i。

數(shù)據(jù)線dj可以在第二方向dr2上延伸，并且沿第一方向dr1順序地布置。數(shù)據(jù)信號可以施加到數(shù)據(jù)線dj。

電力線pl可以沿第二方向dr2延伸，并且被布置為與數(shù)據(jù)線dj間隔開。第一電源elvdd線可以施加到電力線pl。

初始化電力線ipl可以沿第一方向dr1延伸，并且被設(shè)置在第(i+1)根第一掃描線s1i+1和后續(xù)行中的第(i-1)根第一掃描線s1i-1之間?？梢詫臀浑娫磛int施加到初始化電力線ipl。

每個第一像素pxl1可以包括第一晶體管t1至第七晶體管t7、存儲電容器cst和oled。

第一晶體管t1可以包括第一柵電極ge1、第一有源圖案act1、第一源電極se1、第一漏電極de1和連接線cnl。

第一柵電極ge1可以連接到第三晶體管t3的第三漏電極de3和第四晶體管t4的第四漏電極de4。連接線cnl可以連接第一柵電極ge1、第三漏電極de3和第四漏電極de4。連接線cnl的一端可以通過接觸孔ch1連接到第一柵電極ge1，并且連接線cnl的另一端可以通過第二接觸孔ch2連接到第三漏電極de3和第四漏電極de4。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一有源圖案act1、第一源電極se1和第一漏電極de1可以形成在其中摻雜有雜質(zhì)或未摻雜雜質(zhì)的半導體層中。第一源電極se1和第一漏電極de1可以形成在摻雜雜質(zhì)的半導體層中，并且第一有源圖案act1可以形成在未摻雜雜質(zhì)的半導體層中。

第一有源圖案act1可以具有在預(yù)定方向上延伸的柱狀形狀。另外，第一有源圖案act1可以具有其中第一有源圖案act1沿其延伸的方向彎折多次的形狀。在平面視圖中，第一有源圖案act1可以與第一柵電極ge1重疊。由于第一有源圖案act1被延長，所以第一晶體管t1的溝道區(qū)可以被延長。因此，施加到第一晶體管t1的柵極電壓的驅(qū)動范圍可以變寬。因此，可以精確地控制從oled發(fā)射的光的灰度級。

第一源電極se1可以連接到第一有源圖案act1的一側(cè)、第二晶體管t2的第二漏電極de2和第五晶體管t5的第五漏電極de5。第一漏電極de1可以連接到第一有源圖案act1的另一側(cè)、第三晶體管t3的第三源電極se3和第六晶體管t6的第六源電極se6。

第二晶體管t2可以包括第二柵電極ge2、第二有源圖案act2、第二源電極se2、第二漏電極de2。

第二柵電極ge2可以連接到第i根第一掃描線s1i。第二柵電極ge2可以被設(shè)置為第i根第一掃描線s1i的一部分或者從第i根第一掃描線s1i突出的形狀。在本發(fā)明的示例性實施方式中，第二有源圖案act2、第二源電極se2和第二漏電極de2可以由可摻雜或未摻雜雜質(zhì)的半導體層形成。第二源電極se2和第二漏電極de2可以形成在摻雜雜質(zhì)的半導體層中，并且第二有源圖案act2可以形成在未摻雜雜質(zhì)的半導體層中。第二有源圖案act2可以與第二柵電極ge2重疊。第二源電極se2的一側(cè)可以連接到第二有源圖案act2，并且第二源電極se2的另一側(cè)可以通過第六接觸孔ch6連接到數(shù)據(jù)線dj。第二漏電極de2的一側(cè)可以連接到第二有源圖案act2，并且第二漏電極de2的另一側(cè)可以連接到第一晶體管t1的第一源電極se1和第五晶體管t5的第五漏電極de5。

第三晶體管t3可以具有雙柵極結(jié)構(gòu)以防止電流泄漏。換句話說，第三晶體管t3可以包括第(3a)晶體管t3a和第(3b)晶體管t3b。第(3a)晶體管t3a可以包括第(3a)柵電極ge3a、第(3a)有源圖案act3a、第(3a)源電極se3a和第(3a)漏電極de3a。第(3b)晶體管t3b可以包括第(3b)柵電極ge3b、第(3b)有源圖案act3b、第(3b)源電極se3b和第(3b)漏電極de3b。在下文中，第(3a)柵電極ge3a和第(3b)柵電極ge3b將表示為第三柵電極ge3，第(3a)有源圖案act3a和第(3b)有源圖案act3b將表示為第三有源圖案act3，第(3a)源電極se3a和第(3b)源電極se3b表示為第三源電極se3，并且第(3a)漏電極de3a和第(3b)漏電極de3b表示為第三漏電極de3。

第三柵電極ge3可以連接到第i根第一掃描線s1i。第三柵電極ge3可以是第i根第一掃描線s1i的一部分或者從第i根第一掃描線s1i突出的形狀。在本發(fā)明的示例性實施方式中，第三有源圖案act3、第三源電極se3和第三漏電極de3可以形成在可摻雜或未摻雜雜質(zhì)的半導體層中。第三源電極se3和第三漏電極de3可以由摻雜雜質(zhì)的半導體層形成，第三有源圖案act3可以由其中未摻雜雜質(zhì)的半導體層形成。第三有源圖案act3可以與第三柵電極ge3重疊。

第三源電極se3的一側(cè)可以連接到第三有源圖案act3，并且第三源電極se3的另一側(cè)可以連接到第一晶體管t1的第一漏電極de1和第六晶體管t6的第六源電極se6。第三漏電極de3的一側(cè)可以連接到第三有源圖案act3，并且另一側(cè)可以連接到第四晶體管t4的第四漏電極de4。第三漏電極de3可以通過連接線cnl、第二接觸孔ch2和第一接觸孔ch1連接到第一晶體管t1的第一柵電極ge1。

第四晶體管t4可以具有雙柵極結(jié)構(gòu)以防止電流泄漏。換句話說，第四晶體管t4可以包括第(4a)晶體管和第(4b)晶體管。第(4a)晶體管可以包括第(4a)柵電極ge4a、第(4a)有源圖案act4a、第(4a)源電極se4a和第(4a)漏電極de4a。第(4b)晶體管可以包括第(4b)柵電極ge4b、第(4b)有源圖案act4b、第(4b)源電極se4b和第(4b)漏電極de4b。在下文中，第(4a)柵電極ge4a和第(4b)柵電極ge4b可以被稱為第四柵電極ge4，第(4a)有源圖案act4a和第(4b)有源圖案act4b稱為第四有源圖案act4，第(4a)源電極se4a和第(4b)源電極se4b稱為第四源電極se4，并且第(4a)漏電極de4a和第(4b)漏電極de4b稱為第四漏電極de4。

第四柵電極ge4可以連接到第(i-1)根第一掃描線s1i-1。第四柵電極ge4可以是第(i-1)根第一掃描線s1i-1的一部分或從第(i-1)根第一掃描線s1i-1突出的形狀。第四有源圖案act4、第四源電極se4和第四漏電極de4可以形成在可摻雜或未摻雜雜質(zhì)的半導體層中。第四源電極se4和第四漏電極de4可以由摻雜雜質(zhì)的半導體層形成，并且第四有源圖案act4可以由不摻雜雜質(zhì)的半導體層形成。第四有源圖案act4可以與第四柵電極ge4重疊。

第四源電極se4的一側(cè)可以連接到第四有源圖案act4，并且另一側(cè)可以連接到前一行中的像素的初始化電力線ipl和第七晶體管t7的第七漏電極de7。由于輔助連接線aux可以設(shè)置在第四源電極se4和初始化電力線ipl之間，輔助連接線aux的一側(cè)可以通過第九接觸孔ch9設(shè)置到第四源電極se4，并且輔助連接線aux的另一側(cè)可以通過第八接觸孔ch8連接到前一行中的初始化電力線ipl。第四漏電極de4的一側(cè)可以連接到第四有源圖案act4，并且另一側(cè)可以連接到第三晶體管t3的第三漏電極de3。第四漏電極de4可以通過連接線cnl、第二接觸孔ch2和第一接觸孔ch1連接到第一晶體管t1的第一柵電極ge1。

第五晶體管t5可以包括第五柵電極ge5、第五有源圖案act5、第五源電極se5和第五漏電極de5。

第五柵電極ge5可以連接到第一發(fā)光控制線e1i。第五柵電極ge5可以是第一發(fā)光控制線e1i的一部分或者從第一發(fā)光控制線e1i突出的形狀。第五有源圖案act5、第五源電極se5和第五漏電極de5可以由可摻雜或未摻雜雜質(zhì)的半導體層形成。第五源電極se5和第五漏電極de5可以由摻雜雜質(zhì)的半導體層形成，并且第五有源圖案act5可以由未摻雜雜質(zhì)的半導體層形成。第五有源圖案act5可以與第五柵電極ge5重疊。

第五有源圖案act5可以對應(yīng)于與第五柵電極ge5重疊的部分。第五源電極se5的一側(cè)可以連接到第五有源圖案act5，并且另一側(cè)可以通過第五接觸孔ch5連接到電力線pl。第五漏電極de5的一側(cè)可以連接到第五有源圖案act5，并且另一側(cè)可以連接到第一晶體管t1的第一源電極se1和第二晶體管t2的第二漏電極de2。

第六晶體管t6可以包括第六柵電極ge6、第六有源圖案act6、第六源電極se6和第六漏電極de6。

第六柵電極ge6可以連接到第一發(fā)光控制線e1i。第六柵電極ge6可以是第一發(fā)光控制線e1i的一部分或者從第一發(fā)光控制線e1i突出的形狀。第六有源圖案act6、第六源電極se6和第六漏電極de6可以由可摻雜或未摻雜雜質(zhì)的半導體層形成。第六源電極se6和第六漏電極de6可以形成在摻雜雜質(zhì)的半導體層中，并且第六有源圖案act6可以形成在未摻雜雜質(zhì)的半導體層中。

第六有源圖案act6可以是與第六柵電極ge6重疊的部分。第六源電極se6的一側(cè)可以連接到第六有源圖案act6，并且另一側(cè)可以連接到第一晶體管t1的第一漏電極de1和第三晶體管t3的第三源電極se3。第六漏電極de6的一側(cè)可以連接到第六有源圖案act6，并且另一側(cè)可以連接到第七晶體管t7的第七源電極se7。

第七晶體管t7可以包括第七柵電極ge7、第七有源圖案act7、第七源電極se7和第七漏電極de7。

第七柵電極ge7可以連接到第(i+1)根第一掃描線s1i+1。第七柵電極ge7可以是第(i+1)根第一掃描線s1i+1的一部分或者從第(i+1)根第一掃描線s1i+1突出的形狀。第七有源圖案act7、第七源電極se7和第七漏電極de7可以形成在可摻雜或未摻雜雜質(zhì)的半導體層中。第七源電極se7和第七漏電極de7可以形成在摻雜雜質(zhì)的半導體層中，并且第七有源圖案act7可以形成在未摻雜雜質(zhì)的半導體層中。

第七有源圖案act7可以對應(yīng)于與第七柵電極ge7重疊的部分。第七源電極se7的一側(cè)可以連接到第七有源圖案act7，另一端可以連接到第六晶體管t6的第六漏電極de6。第七漏電極de7的一側(cè)可以連接到第七有源圖案act7，并且另一側(cè)可以連接到初始化電力線ipl。第七漏電極de7可以連接到后續(xù)像素行的第四晶體管t4的第四源電極se4。第七漏電極de7和初始化電力線ipl可以通過輔助連接線aux、第八接觸孔ch8和第九接觸孔ch9連接。

存儲電容器cst可以包括下電極le和上電極ue。下電極le可以由第一晶體管t1的第一柵電極ge1形成。

當在平面視圖中觀察時，上電極ue可以與第一柵電極ge1重疊，并且覆蓋下電極le。通過增加上電極ue和下電極le的重疊區(qū)域，存儲電容器cst的電容可以增加。上電極ue可以在第一方向dr1上延伸。在本發(fā)明的示例性實施方式中，可以將與第一電源elvdd線相同電平的電壓施加到上電極ue。上電極ue可以在形成第一接觸孔ch1的區(qū)域中包括開口opn，以便第一柵電極ge1和連接線cnl接觸。

oled可以包括陽極ad、陰極cd和設(shè)置在陽極ad和陰極cd之間的發(fā)射層eml。

陽極ad可以設(shè)置在每個像素pxl的像素區(qū)域中。陽極ad可以通過第七接觸孔ch7和第十接觸孔ch10連接到第七晶體管t7的第七源電極se7和第六晶體管t6的第六漏電極de6。橋接圖案brp可以設(shè)置在第七接觸孔ch7和第十接觸孔ch10之間，從而將第六漏電極de6和第七源電極se7連接到陽極ad。

參考圖6、圖7a和圖7b，有源圖案act1至act7可以被稱為act。有源圖案act可以設(shè)置在基底基板sub上。第一有源圖案act1至第七有源圖案act7可以由半導體材料形成。

可以在基底基板sub與第一有源圖案act1至第七有源圖案act7之間設(shè)置緩沖層。

柵絕緣層gi可以設(shè)置在其中形成有第一有源圖案act1至第七有源圖案act7的基底基板sub上。

第(i-1)根第一掃描線s1i-1至第(i+1)根第一掃描線s1i+1、發(fā)光控制線e1i、第一柵電極ge1和第七柵電極ge7可以設(shè)置在柵絕緣層gi上。第一柵電極ge1可以是存儲電容器cst的下電極le。第二柵電極ge2和第三柵電極ge3可以與第i根第一掃描線sli一體形成，第四柵電極ge4可以與第(i-1)根第一掃描線s1i-1一體形成，第五柵電極ge5和第六柵電極ge6可以與發(fā)光控制線e1i一體形成，并且第七柵電極ge7可以與第(i+1)根第一掃描線s1i+1一體形成。

第一層間絕緣層il1可以設(shè)置在其中形成有第(i-1)根第一掃描線s1i-1的基底基板sub上。

存儲電容器cst的上電極ue和初始化電力線ipl可以設(shè)置在第一層間絕緣層il1上。上電極ue可以覆蓋下電極le并且與下電極le構(gòu)成存儲電容器cst。第一層間絕緣層il1可以設(shè)置在上電極ue和下電極le之間。

第二層間絕緣層il2可以設(shè)置在其中形成有上電極ue的基底基板sub上。

數(shù)據(jù)線dj、電力線pl、連接線cnl、輔助連接線aux和橋接圖案brp可以設(shè)置在第二層間絕緣層il2上。

數(shù)據(jù)線dj可以通過穿透第一層間絕緣層il1、第二層間絕緣層il2和柵絕緣層gi的第六接觸孔ch6連接到第二源電極se2。電力線pl可以通過穿透第二層間絕緣層il2的第三接觸孔ch3和第四接觸孔ch4連接到存儲電容器cst的上電極ue。

電力線pl可以通過穿透第一層間絕緣層il1、第二層間絕緣層il2和柵絕緣層gi的第五接觸孔ch5連接到第五源電極se5。

連接線cnl可以通過穿透第一層間絕緣層il1和第二層間絕緣層il2的第一接觸孔ch1連接到第一柵電極ge1。連接線cnl可以通過穿透第一層間絕緣層il1、第二層間絕緣層il2以及柵絕緣層gi的第二接觸孔ch2連接到第三漏電極de3和第四漏電極de4。

輔助連接線aux可以通過穿透第二層間絕緣層il2的第八接觸孔ch8連接到初始化電力線ipl。輔助連接線aux可以通過穿透柵絕緣層gi、第一層間絕緣層il1和第二層間絕緣層il2的第九接觸孔ch9連接到前一行中的第四源電極se4和第七漏電極de7。

橋接圖案brp可以是設(shè)置在第六漏電極de6和陽極ad之間作為連接第六漏電極de6和陽極ad的介質(zhì)的圖案。橋接圖案brp可以通過穿透柵絕緣層gi、第一層間絕緣層il1和第二層間絕緣層il2的第七接觸孔ch7連接到第六漏電極de6和第七源電極se7。

保護層psv可以設(shè)置在其上形成有數(shù)據(jù)線dj的基底基板sub上。

陽極ad可以設(shè)置在保護層psv上。陽極ad可以通過穿透保護層psv的第十接觸孔ch10連接到橋接圖案brp。由于橋接圖案brp通過接觸孔ch7連接到第六漏電極de6和第七源電極se7，所以陽極ad可以最終連接到第六漏電極de6和第七源電極se7。

用于劃分像素區(qū)域pa以便與每個像素pxl對應(yīng)的像素限定層pdl可以形成在基底基板sub中。像素限定層pdl可以沿著像素pxl的外圍形成在基底基板sub上，并且暴露陽極ad的上表面。

發(fā)光層eml可以設(shè)置在由像素限定層pdl包圍的像素區(qū)域pa中，并且陰極cd可以設(shè)置在發(fā)光層eml上。

覆蓋陰極cd的密封層slm可以設(shè)置在陰極cd上。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，設(shè)置在第二像素區(qū)域pxa2中的第二像素pxl2和設(shè)置在第三像素區(qū)域pxa3中的第三像素pxl3可以包括與第一像素pxl1基本相同的像素結(jié)構(gòu)，除了虛擬單元。因此，為了簡潔，將省略其描述。

下面將描述第一像素pxl1和第二像素pxl2之間的差別。

圖8a是部分地示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第一像素pxl1的平面視圖。圖8b是部分地示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第二像素pxl2的平面視圖。為了便于說明，示出了第一像素pxl1中的一個和第二像素pxl2中的一個的部分組成元件。例如，在圖8a中，示出了第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1、第一發(fā)光控制線e1i和電力線pl，并且在圖8b中示出了第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1、第二發(fā)光控制線e2i、電力線pl和虛擬單元。

參考圖8a和圖8b，與第一像素pxl1不同，虛擬單元可以設(shè)置在第二像素pxl2中。虛擬單元可以包括例如虛擬單元dm1、dm2、dm3、dm4等。

虛擬單元dm1、dm2、dm3和dm4可以根據(jù)像素區(qū)域補償掃描線的負載值之間的差。虛擬單元可以向第一像素pxl1和第二像素pxl2的掃描線中的較短掃描線(例如，第二像素pxl2之一的掃描線)添加寄生電容。通過借助于使用寄生電容補償顯示裝置的不同區(qū)域中的掃描線之間的負載值，虛擬單元可以使得在跨越第一區(qū)域a1至第三區(qū)域a3的范圍內(nèi)，負載值相同或基本相同，而不管掃描線s11至s1n、s21至s2n和s31至s3n的長度。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，虛擬單元dm1、dm2、dm3和dm4可以連接到電力線pl，可以以從電力線pl突出的形狀設(shè)置。虛擬單元dm1、dm2、dm3和dm4可以一體地設(shè)置為與電力線pl不分離。可以通過利用與電力線pl相同的材料使用相同工藝來形成虛擬單元dm1、dm2、dm3和dm4。因此，虛擬單元dm1、dm2、dm3和dm4可以形成在與電力線pl相同的層中，并且包括與電力線pl相同的材料。

虛擬單元dm1、dm2、dm3和dm4可以設(shè)置在顯示裝置的其中第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1與第二發(fā)光控制線e2i重疊的區(qū)域中。如所示出的，虛擬單元dm1、dm2、dm3和dm4可以包括分別與在第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1中的第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i重疊的第一虛擬圖案dm1、第二虛擬圖案dm2、第三虛擬圖案dm3和第四虛擬圖案dm4。

進一步參考圖6、圖7a和圖7b，當在橫截面中觀察時，第一層間絕緣層il1和第二層間絕緣層il2可以插入其間。因此，寄生電容器可以形成在第(i-1)根第一掃描線s1i-1、第i根第一掃描線s1i、第(i+1)根第一掃描線s1i+1和第一發(fā)光控制線e1i與電力線pl之間。然而，在本發(fā)明的示例性實施方式中，虛擬單元dm1、dm2、dm3和dm4可以與電力線pl一體形成，并且設(shè)置在其中第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i和第(i+1)根第二掃描線s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i與電力線pl重疊的區(qū)域中。

因此，虛擬單元dm1、dm2、dm3和dm4可以通過增加第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i和第(i+1)根第二掃描線s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i與電力線pl的重疊區(qū)域，增加第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i和第(i+1)根第二掃描線s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i與電力線pl之間的寄生電容。

更詳細地，第一虛擬圖案dm1可以形成為在電力線pl與第(i-1)根第二掃描線s2i-1交叉的位置處從電力線pl突出。

可以通過第一虛擬圖案dm1添加與陰影部分對應(yīng)的寄生電容。以相同的方式，第二虛擬圖案dm2可以形成為在電力線pl與第i根第二掃描線s2i相交的位置處從電力線pl突出，并且與陰影部分對應(yīng)的寄生電容可以通過第二虛擬圖案dm2添加。第三虛擬圖案dm3可以形成為在電力線pl與第(i+1)根第二掃描線s2i+1相交的位置處從電力線pl突出。與陰影部分對應(yīng)的寄生電容可以通過第三虛擬圖案dm3添加。

因此，當將第一像素pxl1中的第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1、第一發(fā)光控制線e1i與電力線pl之間形成的寄生電容稱為第一寄生電容，并且將第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1、第二發(fā)光控制線e2i與電力線pl之間形成的寄生電容稱為第二寄生電容時，第二寄生電容可以比第一寄生電容大。

由虛擬單元生成的第二寄生電容可以通過增加第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i的負載來補償?shù)诙呙杈€s2i-1、s2i和s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i的負載值。因此，第二像素區(qū)域pxa2中的第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1與第二發(fā)光控制線e2i以及第一像素區(qū)域pxa1中的第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1與第一發(fā)光控制線e1i可以具有彼此相同或基本相同的負載值。

可以根據(jù)要補償?shù)膾呙杈€的負載值來確定附加寄生電容，并且可以通過改變虛擬單元和掃描線的重疊部分的面積來實現(xiàn)期望的負載值。

在示例性實施方式中，為了便于說明，示例了形成在第一像素pxl1的第i行中的第一寄生電容和形成在第二像素pxl2的第i行中的第二寄生電容，但是本發(fā)明是不限于此。例如，形成在第二像素區(qū)域pxa2的k(k≠i)行中的第二寄生電容可以大于形成在第一像素pxl1的第i行中的第一寄生電容。另外，形成在第三像素區(qū)域pxa3的l(l≠i)行中的寄生電容可以大于形成在第一像素pxl1的第i行中的第一寄生電容。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，當?shù)诙袼貐^(qū)域pxa2中的第二掃描線s21至s2n和第二發(fā)光控制線e21至e2n的長度彼此相同時，由虛擬單元dm1、dm2、dm3和dm4補償?shù)呢撦d值可以相同。另外，當?shù)诙袼貐^(qū)域pxa2中的第二掃描線s21至s2n和第二發(fā)光控制線e21至e2n的長度彼此不同時，由虛擬單元dm1、dm2、dm3和dm4補償?shù)呢撦d值可以不同。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，由第三像素區(qū)域pxa3中的第三掃描線s3i-1、s3i和s3i+1以及第三發(fā)光控制線和第一像素區(qū)域pxa1中的第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1以及第一發(fā)光控制線e1i引起的負載值的差可以由虛擬單元dm1、dm2、dm3和dm4補償。由于第一至第三像素區(qū)域pxa1、pxa2和pxa3的第一至第三掃描線s11至s1n、s21至s2n和s31至s3n的負載值可以被調(diào)整為彼此相同或基本相同，因此可以減小在第一至第三像素區(qū)域pxa1、pxa2和pxa3中顯示的圖像的亮度偏差。因此，顯示裝置可以顯示高質(zhì)量圖像。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，當?shù)谌袼貐^(qū)域pxa3中的第三掃描線s31至s3n和第三發(fā)光控制線e31至e3n的長度彼此相同時，由虛擬單元dm1、dm2、dm3和dm4補償?shù)呢撦d值可以相同。另外，當?shù)谌袼貐^(qū)域pxa3中的第三掃描線s31至s3n和第三發(fā)光控制線e31至e3n的長度彼此不同時，由虛擬單元dm1、dm2、dm3和dm4補償?shù)呢撦d值可以不同。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，可以以各種方式實現(xiàn)虛擬單元。在上述示例性實施方式中，通過使用掃描線和電力線之間的寄生電容，可以補償掃描線之間的負載值，但是本發(fā)明不限于此。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，虛擬單元可以通過使用掃描線和有源圖案之間的寄生電容來補償掃描線之間的負載值。

下面將描述圖2a、圖2b和圖3的第二像素區(qū)域pxa2中的第二像素pxl2。

圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖2a和圖3的第二區(qū)域中的傾斜邊緣區(qū)域中的第二像素pxl2的布置的平面視圖。圖10a是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第一像素pxl1中的一個的平面視圖。圖10b是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第二像素pxl2中的一個的平面視圖。例如，圖10b示出像素pxl2i。圖10c是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第二像素pxl2中的一個的平面視圖。例如，圖10c示出像素pxl2p。為了便于說明，示出了像素pxl1和pxl2的部分組成元件。例如，圖10a中示出了第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1、第一發(fā)光控制線e1i和電力線。在圖10b中，示出了第二掃描線s21至s2n中的布置在第二像素區(qū)域pxa2的第i行和第j列中的三條掃描線s2i-1、s2i和s2i+1連接到第二像素pxl2中的一個。另外，在圖10b中，示出了第二發(fā)光控制線e2i和電力線pl。在圖10c中，示出了第二掃描線s21至s2n中的布置在第二像素區(qū)域pxa2的第p行和第j列中的三條掃描線s2p-1、s2p和s2p+1連接到第二像素pxl2p。另外，在圖10c中，示出了第二發(fā)光控制線e2p和電力線pl。

在圖10b和10c中，為了方便說明，第(i-1)行中的第二掃描線被稱為“第(i-1)根第二掃描線s2i-1”，第i行中的第二掃描線被稱為“第i根第二掃描線s2i”，第(i+1)行中的第二掃描線被稱為“第(i+1)根第二掃描線s2i+1”，第(p-1)行中的第二掃描線被稱為“第(p-1)根第二掃描線s2p-1”，第p行的第二掃描線被稱為“第p根第二掃描線s2p”，并且第(p+1)行中的第二掃描線被稱為“第(p+1)根第二掃描線s2p+1”。

參考圖9和圖10a至圖10c，不同于在第一像素pxl1中的一個中，虛擬單元可以設(shè)置在第二像素pxl2中。另外，第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1的虛擬單元的尺寸可以彼此不同。第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1可以具有相對于彼此不同的長度。

虛擬單元dm5、dm6、dm7、dm8、dm9、dm10、dm11和dm12可以根據(jù)布置像素pxl的區(qū)域來補償掃描線的負載值之間的差。虛擬單元dm5、dm6、dm7、dm8、dm9、dm10、dm11和dm12可以將寄生電容添加到第一像素pxl1和第二像素pxl2的掃描線中的較短掃描線，例如第二像素pxl2的掃描線s21至s2n。虛擬單元dm5、dm6、dm7、dm8、dm9、dm10、dm11和dm12可以通過補償?shù)诙^(qū)域a2的不同區(qū)域中的掃描線s21至s2n之間的負載值基于掃描線s21至s2n的長度在第二區(qū)域a2的掃描線s21至s2n中引起相同或基本相同的負載值。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，虛擬單元dm5、dm6、dm7、dm8、dm9、dm10、dm11和dm12可以連接到電力線pl或從電力線pl突出。

虛擬單元dm5、dm6、dm7、dm8、dm9、dm10、dm11和dm12可以設(shè)置在第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1分別與電力線pl重疊的區(qū)域，以及在第二發(fā)光控制線e2i和e2p分別與電力線pl重疊的區(qū)域。如圖所示，虛擬單元dm5、dm6、dm7、dm8、dm9、dm10、dm11和dm12可以包括第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1的第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1、第(p-1)根第二掃描線s2p-1、第p根第二掃描線s2p、第(p+1)根第二掃描線s2p+1。另外，第五虛擬圖案dm5、第六虛擬圖案dm6、第七虛擬圖案dm7、第八虛擬圖案dm8、第九虛擬圖案dm9、第十虛擬圖案dm10、第十一虛擬圖案dm11和第十二虛擬圖案dm12可以每個都與第二發(fā)光控制線e2i重疊。

第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1可以比第二掃描線s2p-1、s2p和s2p+1短。另外，第二發(fā)光控制線e2i可以比第二發(fā)光控制線e2p短。因此，虛擬單元dm5、dm6、dm7和dm8的面積可以比虛擬單元dm9、dm10、dm11和dm12的面積大。因此，由虛擬單元dm5、dm6、dm7和dm8形成的寄生電容可以大于由虛擬單元dm9、dm10、dm11和dm12形成的寄生電容。

因此，當考慮虛擬單元dm5至dm12的寄生電容時，第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1和第二發(fā)光控制線e2i和e2p的負載值可以彼此相等。

寄生電容可以根據(jù)要補償?shù)牡诙呙杈€s21至s2n和第二發(fā)光控制線e21至e2n的負載值而不同地設(shè)置。寄生電容可以通過改變虛擬單元和第二掃描線s21至s2n的重疊區(qū)域以及虛擬單元和第二發(fā)光控制線e21至e2n的重疊區(qū)域來獲得。

在本示例性實施方式中，為了便于說明，示出了第一像素區(qū)域pxa1的第i行中的第一像素pxl1和第二像素區(qū)域pxa2的第p行中的第二像素pxl2，但是本發(fā)明不限于此。例如，寄生電容可以根據(jù)第二像素區(qū)域pxa2的第k(k≠i)行中的第二像素pxl2，連接到第二像素區(qū)域pxa2的第p行中的第二像素pxl2的第二掃描線s21至s2n以及第二發(fā)光控制線e21至e2n和虛擬單元的重疊區(qū)域而變化。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，第三像素區(qū)域pxa3的第三掃描線s31至s3n和第三發(fā)光控制線e31至e3n與第一像素區(qū)域pxa1的第一掃描線s11至s1n和第一發(fā)光控制線e11至e1n之間的差可以由虛擬單元dm5、dm6、dm7、dm8、dm9、dm10、dm11和dm12補償?？梢匝a償?shù)诙袼貐^(qū)域pxa2和第三像素區(qū)域pxa3的第二掃描線s21至s2n和第三掃描線s31至s3n以及第二發(fā)光控制線e21至e2n和第三發(fā)光控制線e31至e3n的負載值。因此，可以減少由于相同像素區(qū)域中的掃描線的負載差而發(fā)生的圖像的亮度變化。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，虛擬單元可以以各種方式實現(xiàn)。根據(jù)上述示例性實施方式，可以通過使用掃描線和電力線之間的寄生電容來補償掃描線之間的負載值，但是本發(fā)明不限于此。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，虛擬單元可以通過使用虛擬掃描線和有源圖案ap之間的寄生電容來補償掃描線之間的負載值。

圖11a是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第一像素pxl1中的一個的平面視圖。圖11b是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第二像素pxl2中的一個的平面視圖。例如，圖11b示出了第二像素pxl2i。為了便于說明，描述了像素pxl的部分組成元件的附圖標記。例如，在圖11a中，示出了第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1、第一發(fā)光控制線e1i和有源圖案ap，并且在圖11b中示出了第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1、第二發(fā)光控制線e2i、有源圖案ap和虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’(在下文中稱為dm’)。

參考圖11a和11b，可以提供補償?shù)诙袼豴xl2的第二像素pxl2i中的掃描線的負載值的差的虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’。如上所述，虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’可以將寄生電容添加到具有不同長度的掃描線中的較短掃描線，例如，連接到第二像素pxl2i的掃描線。通過補償不同區(qū)域中的掃描線之間的負載值，虛擬單元可以通過考慮掃描線的長度使得負載值彼此相同或基本相同。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’可以連接到有源圖案ap并且設(shè)置為從有源圖案ap突出的形狀。虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’可以與有源圖案ap一體地設(shè)置，從而不彼此分離。可以通過利用與有源圖案ap相同的材料使用相同工藝來形成虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’。因此，虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’可以與有源圖案ap形成在同一層上，并且包括相同的材料。例如，虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’可以由未摻雜或摻雜的半導體材料形成。

虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’可以設(shè)置在與第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i重疊的區(qū)域中。如所示出的，虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’可以包括分別與第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i重疊的第一虛擬圖案dm1’、第二虛擬圖案dm2’、第三虛擬圖案dm3’和第四虛擬圖案dm4’。

進一步參考圖6、圖7a和圖7b，當在截面中觀察時，柵絕緣層gi可以插入在第(i-1)根第一掃描線s1i-1、第i根第一掃描線s1i、第(i+1)根第一掃描線s1i+1和第一發(fā)光控制線e1i與有源圖案ap之間。因此，寄生電容可以形成在第i根第一掃描線s1i、第(i+1)根第一掃描線s1i+1和第一發(fā)光控制線e1i與有源圖案ap之間。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’可以由與形成有源圖案ap的層上的有源圖案ap相同的材料形成，并且可以與第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i重疊。因此，可以在第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i與虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’之間形成附加寄生電容。附加寄生電容可以使掃描線的負載值彼此相等或基本相等。

更詳細地，第一虛擬圖案dm1’可以形成在與有源圖案ap相同的層上的第(i-1)根第二掃描線s2i-1上的任意位置處，并且可以添加對應(yīng)于陰影部分的寄生電容。第二虛擬圖案dm2’可以形成在與有源圖案相同的層上的第i根第二掃描線s2i上的任意位置處，并且可以添加與陰影部分對應(yīng)的寄生電容。第三虛擬圖案dm3’可以形成在與有源圖案ap相同的層上的第(i+1)根第二掃描線s2i+1上的任意位置處，并且可以添加與陰影部分對應(yīng)的寄生電容。第四虛擬圖案dm4’可以形成在與有源圖案ap相同的層上的第二發(fā)光控制線e2i上的任意位置處，并且可以添加與陰影部分對應(yīng)的寄生電容。

因此，當將由第一像素pxl1中的掃描線s1i-1、s1i和s1i+1以及第一發(fā)光控制線e1i與有源圖案ap形成的寄生電容稱為第三寄生電容，并且將由第二像素pxl2中的掃描線s2i-1、s2i和s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i、有源圖案ap和虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’形成的寄生電容稱為第四寄生電容時，第四寄生電容可以大于第三寄生電容。

第四寄生電容可以通過增加第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1與第二發(fā)光控制線e2i的負載來補償?shù)诙呙杈€s2i-1、s2i和s2i+1與第二發(fā)光控制線e2i的負載值。因此，第二像素區(qū)域pxa2中的第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i的負載值以及第一像素區(qū)域pxa1中的第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1和第一發(fā)光控制線e1i的負載值可以彼此相同或基本相同。

可以根據(jù)要補償?shù)膾呙杈€的負載值不同地設(shè)置附加寄生電容，并且可以通過改變虛擬單元和掃描線的重疊部分的面積來實現(xiàn)負載值。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，示例了形成在第一像素區(qū)域pxa1中的第一像素pxl1的第i行中的第三寄生電容和形成在第二像素區(qū)域pxa2中的第二像素pxl2的第i行中的第四寄生電容，但本發(fā)明不限于此。例如，形成在第二像素區(qū)域pxa2中的第二像素pxl2的第k(k≠i)行中的第四寄生電容可以大于形成在第一像素區(qū)域pxa1中的第一像素pxl1中的第i行中形成的第三寄生電容。

進一步，形成在第三像素區(qū)域pxa3中的第三像素pxl3的第l(l≠i)行中的寄生電容可以大于形成在第一像素區(qū)域pxa1中的第一像素pxl1的第i行中的第三寄生電容。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，當?shù)诙袼貐^(qū)域pxa2中的第二掃描線s21至s2n和第二發(fā)光控制線的長度彼此相同時，由虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’補償?shù)呢撦d值可以是相同的。另外，當?shù)诙袼貐^(qū)域pxa2中的第二掃描線s21至s2n和第二發(fā)光控制線的長度彼此不同時，由虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’補償?shù)呢撦d值可以彼此不同。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，第三像素區(qū)域pxa3中的第三掃描線s31至s3n和第三發(fā)光控制線e31至e3n之間的負載值與第一像素區(qū)域pxa1中的第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1和第一發(fā)光控制線e1i可以由虛擬單元dm1’、dm2’、dm3’和dm4’補償。

通過補償?shù)诙袼貐^(qū)域pxa2和第三像素區(qū)域pxa3中的第二掃描線s21至s2n和第三掃描線s31至s3n以及第二發(fā)光控制線e21至e2n和第三發(fā)光控制線e31至e3n的負載值，可以減小第一像素區(qū)域pxa1至第三像素區(qū)域pxa3中的圖像的亮度偏差。因此，顯示裝置可以顯示高質(zhì)量圖像。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，虛擬單元可以以各種方式實現(xiàn)。根據(jù)上述示例性實施方式，可以通過增加像素區(qū)域pxa中的寄生電容來補償掃描線的負載值，但是本發(fā)明不限于此。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，虛擬單元可以通過使用附加地設(shè)置在外圍區(qū)域中的寄生電容器來補償掃描線之間的負載值。

圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖2a和圖3的第二區(qū)域中的傾斜邊緣區(qū)域中的第二像素pxl2的布置的平面視圖。圖13a是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第一像素pxl1的平面視圖。圖13b是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第二像素pxl2i的平面視圖。圖13c是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的第二像素pxl2p的平面視圖。為了便于說明，示出了像素pxl1和pxl2的部分組成元件的附圖標記。例如，在圖13a中，示出了第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1、第一發(fā)光控制線e1i和有源圖案ap。在圖13b和13c中示出了第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1、第二發(fā)光控制線e2i和e2p、有源圖案ap以及虛擬單元dm1’、dm2’和dm3’(在下文中稱為dm’)。

圖12和圖13a至13c示出用于根據(jù)像素區(qū)域pxa補償掃描線的負載值的差的虛擬單元dm5’、dm6’、dm7’、dm8’、dm9’、dm10’、dm11’和dm12’。虛擬單元dm5’、dm6’、dm7’、dm8’、dm9’、dm10’、dm11’和dm12’可以設(shè)置在第二像素pxl2中。具有不同長度的第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1以及第二發(fā)光控制線e2i和e2p的第二像素pxl2中的虛擬單元的尺寸可以彼此不同。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，虛擬單元dm5’、dm6’、dm7’、dm8’、dm9’、dm10’、dm11’和dm12’可以連接到有源圖案ap或可以從有源圖案ap突出。

虛擬單元dm5’、dm6’、dm7’、dm8’、dm9’、dm10’、dm11’和dm12’可以設(shè)置在與第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1以及第二發(fā)光控制線e2i和e2p重疊的區(qū)域中。如所示出的，虛擬部分dm5’、dm6’、dm7’、dm8’、dm9’、dm10’、dm11’和dm12’可以包括與第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1中的第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1、第(p-1)根第二掃描線s2p-1、第p根第二掃描線s2p、第(p+1)根第二掃描線s2p+1以及第二發(fā)光控制線e2i和e2p重疊的第五虛擬圖案dm5’、第六虛擬圖案dm6’、第七虛擬圖案dm7’、第八虛擬圖案dm8’、第九虛擬圖案dm9’、虛擬圖案dm10’、虛擬圖案dm11’和虛擬圖案dm12’。

第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1可以比第二掃描線s2p-1、s2p和s2p+1短。另外，第二發(fā)光控制線e2i可以比第二發(fā)光控制線e2p短。因此，虛擬單元dm5’、dm6’、dm7’和dm8’的面積可以大于虛擬單元dm9’、dm10’、dm11’和dm12’的面積。因此，由虛擬單元dm5’、dm6’、dm7’和dm8’形成的寄生電容可以大于由虛擬單元dm9’、dm10’、dm11’和dm12’形成的寄生電容。

因此，由于虛擬單元dm5’至dm12’的寄生電容，第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i的負載值可以與第二掃描線s2p-1、s2p和s2p+1以及第二發(fā)光控制線e2p的負載值相同或基本上相同?？梢愿鶕?jù)要補償?shù)牡诙呙杈€的負載值來不同地設(shè)置虛擬單元dm5’、dm6’、dm7’和dm8’以及虛擬單元dm9’、dm10’、dm11’和dm12’的寄生電容?？梢赃@樣做，從而通過改變虛擬單元和掃描線的重疊區(qū)域在第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1、第二發(fā)光控制線e2i、第二掃描線s2p-1、s2p和s2p+1以及第二發(fā)光控制線e2p中實現(xiàn)相等或基本相等的負載值。

在該示例性實施方式的一示例性實施方式中，為了方便解釋，描述了第一像素區(qū)域pxa1的第i行中的第一像素pxl1、第二像素區(qū)域pxa2的第i行中的第二像素pxl2i、第二像素區(qū)域pxa2的第p行中的像素pxl2p。然而，本發(fā)明不限于此。例如，寄生電容可以根據(jù)與連接到第二像素區(qū)域pxa2的第k行(k≠i)行中的第二像素pxl2以及第二像素區(qū)域pxa2的第p行中的第二像素pxl2p的第二掃描線s21至s2n和第二發(fā)光控制線e21至e2n重疊的虛擬單元的區(qū)域而變化。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，第三像素區(qū)域pxa3中的第三掃描線s31至s3n以及第三發(fā)光控制線e31至e3n與第一像素區(qū)域pxa1中的第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1以及第一發(fā)光控制線e1i之間的負載值的差可以由虛擬單元dm5’、dm6’、dm7’，dm8’，dm9’，dm10’，dm11’和dm12’補償。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，虛擬單元可以以各種方式實現(xiàn)。根據(jù)上述示例性實施方式，可以通過增加由每個單獨像素pxl占據(jù)的基板sub的區(qū)域中的寄生電容來補償掃描線的負載值。然而，本發(fā)明不限于此。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，虛擬單元可以通過使用設(shè)置在外圍區(qū)域ppa中的寄生電容來補償掃描線之間的負載值。

圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的平面視圖。顯示裝置可以包括外圍區(qū)域ppa和虛擬單元dmp。圖15a是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖14的區(qū)域p1的平面視圖。圖15b是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖14的區(qū)域p2的平面視圖。圖15a和圖15b的區(qū)域p1和p2可以示出對應(yīng)于像素pxl的掃描線。

參考圖14、圖15a和圖15b，可以通過在對應(yīng)于每個像素區(qū)域pxa的外圍區(qū)域ppa中包括虛擬單元dmp(如果需要)來采用用于實現(xiàn)寄生電容的結(jié)構(gòu)，從而補償每個像素區(qū)域pxa中的負載值的差。例如，虛擬單元dmp可以不設(shè)置在與像素區(qū)域pxa1對應(yīng)的第一外圍區(qū)域ppa1中以補償?shù)谝幌袼貐^(qū)域pxa1中的第一掃描線s11至s1n的負載值之間的差，而是可以設(shè)置在與第二像素區(qū)域pxa2對應(yīng)的第二外圍區(qū)域ppa2中。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1以及第一發(fā)光控制線e1i的端部可以設(shè)置在第一外圍區(qū)域ppa1中，并且第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1以及第二發(fā)光控制線e2i的端部可以設(shè)置在第二外圍區(qū)域ppa2中。虛擬單元dmp可以不設(shè)置在第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1以及第一發(fā)光控制線e1i的端部中，而是可以設(shè)置在與第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1以及第二發(fā)光控制線e2i的端部對應(yīng)的區(qū)域中。

虛擬單元dmp可以包括與第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1以及第二發(fā)光控制線e2i的端部重疊的虛擬線dml?？梢詫⒐潭妷菏┘拥教摂M線dml。因此，虛擬線dml可以與第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1以及第二發(fā)光控制線e2i重疊，從而形成寄生電容器。

施加到虛擬線dml的電壓可以具有固定的預(yù)定電平，但是電壓的類型不受限制。例如，施加到虛擬線dml的固定電壓可以是第一電源elvdd、第二電源elvss或柵極導通高電壓vgh。

虛擬線dml可以與第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i重疊，從而形成寄生電容。虛擬線dml的形成位置或材料可以不受限制。在本發(fā)明的示例性實施方式中，可以通過利用與電力線pl相同的材料使用相同工藝來形成虛擬單元dmp。因此，虛擬單元dmp可以使用與電力線pl相同的材料形成在與電力線pl相同的層中。虛擬線dml可以與第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i重疊，從而在第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i之間形成寄生電容。

寄生電容可以根據(jù)虛擬線dml與第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i的重疊面積而變化。因此，為了增加寄生電容，第(i-1)個第二掃描線焊盤slp1、第i個第二掃描線焊盤slp2、第(i+1)個第二掃描線焊盤slp3和第i個第二發(fā)光控制線焊盤slp4可以設(shè)置在第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i的每個部分。

第(i-1)個第二掃描線焊盤slp1、第i個第二掃描線焊盤slp2、第(i+1)個第二掃描線焊盤slp3和第i個第二發(fā)光控制線焊盤slp4可以分別具有比第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1和第二發(fā)光控制線e2i更大的寬度。因此，虛擬線dml和第(i-1)個第二掃描線焊盤slp1、第i個第二掃描線焊盤slp2、第(i+1)個第二掃描線焊盤slp3和第i個第二光發(fā)光控制線焊盤slp4之間的重疊面積可以增加。虛擬線dml可以形成為足夠?qū)捯愿采w第(i-1)個第二掃描線焊盤slp1、第i個第二掃描線焊盤slp2、第(i+1)個第二掃描線焊盤slp3和第i個第二發(fā)光控制線焊盤slp4。

因此，由設(shè)置在第二外圍區(qū)域ppa2中的虛擬單元dmp的寄生電容產(chǎn)生的附加負載可以增加第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1與第二發(fā)光控制線e2i的負載值。因此，可以補償?shù)诙袼貐^(qū)域pxa2中的第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1與第二發(fā)光控制線e2i的負載值。因此，第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1以及第二發(fā)光控制線e2i和第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1以及第一發(fā)光控制線e1i的負載值可以彼此相同或基本相同。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，為了便于解釋，描述了第一像素區(qū)域pxa1的第i行中的第一像素pxl1、第二像素區(qū)域pxa2的第i行中的第二像素pxl2i、第二像素區(qū)域pxa2的第p行中的第二像素pxl2p，但是本發(fā)明不限于此。例如，寄生電容可以根據(jù)與連接到第二像素區(qū)域pxa2的第k行(k≠i)行中的第二像素pxl2以及連接到第二像素區(qū)域pxa2的第p行中的第二像素pxl2p的第二掃描線s21至s2n和第二發(fā)光控制線e21至e2n重疊的虛擬單元的面積而變化。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，當?shù)诙袼貐^(qū)域pxa2中的第二掃描線s21至s2n和第二發(fā)光控制線e21至e2n的長度彼此相同時，由虛擬單元dmp補償?shù)呢撦d值可以是相同的。另外，當?shù)诙袼貐^(qū)域pxa2中的第二線s21至s2n和第二發(fā)光控制線e21至e2n的長度彼此不同時，由虛擬單元補償?shù)呢撦d值可以彼此不同。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，虛擬單元dmp可以不設(shè)置在與第一像素區(qū)域pxa1對應(yīng)的第一外圍區(qū)域ppa1中，以在第一像素區(qū)域pxa1和第三像素區(qū)域pxa3中補償掃描線和發(fā)光控制線的負載值的差。另外，虛擬單元dmp可以不設(shè)置在與第三像素區(qū)域pxa3對應(yīng)的第三外圍區(qū)域ppa3中。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1和第一發(fā)光控制線e1i的端部可以延伸到第一外圍區(qū)域ppa，但是本發(fā)明不限于此。例如，與第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1、第二發(fā)光控制線e2i或第三掃描線不同，第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1和第一發(fā)光控制線e1i的端部可以不設(shè)置在第一外圍區(qū)域ppa1中，因為可以不需要在第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1中形成寄生電容。

另外，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，每個虛擬單元dmp可以以其中在為每個像素pxl設(shè)置的掃描線中的三條掃描線中形成寄生電容的形狀而實現(xiàn)，但掃描線的數(shù)量不限于此?；诟鶕?jù)顯示裝置實現(xiàn)的像素的結(jié)構(gòu)，其中設(shè)置有虛擬單元dmp的掃描線的數(shù)量可以不同地設(shè)置。

另外，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，雖然每個虛擬單元以其中虛擬線dml通過重疊掃描線形成寄生電容的形狀被實現(xiàn)，但是本發(fā)明不限于此。例如，虛擬單元可以以其中圖4至圖6中所示的第一電源elvdd線或第二電源elvss線與掃描線重疊的形式被實現(xiàn)。

圖16是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的平面視圖。圖16的顯示裝置可以在外圍區(qū)域ppa中包括虛擬單元。圖17是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖16的第二區(qū)域a2的傾斜邊緣區(qū)域中的第二像素pxl2的布置的平面視圖。圖18a是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖16的區(qū)域p3的平面視圖。圖18b是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖16的區(qū)域p4的平面視圖。圖18c是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的圖16的區(qū)域p5的平面視圖。區(qū)域p3至p5示出了連接到像素pxl的掃描線。

參考圖16、圖17和圖18a至圖18c，可以通過在對應(yīng)于每個像素區(qū)域pxa的外圍區(qū)域ppa中包括虛擬單元dmp’(如果需要)，來采用用于實現(xiàn)寄生電容的結(jié)構(gòu)，以補償每個像素區(qū)域pxa中的負載值的差。例如，虛擬單元dmp’可以不設(shè)置在與像素區(qū)域pxa1對應(yīng)的第一外圍區(qū)域ppa1中，以補償?shù)谝幌袼貐^(qū)域pxa1中的第一掃描線s11至s1n的負載值之間的差，但是虛擬單元dmp’可以設(shè)置在與第二像素區(qū)域pxa2對應(yīng)的第二外圍區(qū)域ppa2中。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1的端部可以設(shè)置在第一外圍區(qū)域ppa1中，第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1以及第二發(fā)光控制線e2i和e2p的端部可以設(shè)置在第二外圍區(qū)域ppa2中。虛擬單元dmp’可以不設(shè)置在第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1和第一發(fā)光控制線e1i的端部中，但是其可以設(shè)置在與第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1以及第二發(fā)光控制線e2i和e2p的端部對應(yīng)的區(qū)域中。

虛擬單元dmp’可以包括與第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1以及第二發(fā)光控制線e2i和e2p的端部重疊的虛擬線dml’?？梢詫⒐潭妷菏┘拥教摂M線dml’，以形成寄生電容器。

虛擬線dml’可通過與第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1與第二發(fā)光控制線e2i和e2p重疊來產(chǎn)生寄生電容。然而，包括在虛擬線dml’中的形成位置和材料不限于此。在本發(fā)明的示例性實施方式中，可以通過利用與電力線pl相同的材料使用相同過程來形成虛擬單元dmp’。因此，虛擬單元dmp’可以形成在與電力線pl相同的層中，并且包括與電力線pl相同的材料。虛擬單元dmp’可以與第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1、第i根第二發(fā)光控制線e2i、第(p-1)根第二掃描線s2p-1、第p根第二掃描線s2p、第(p+1)根第二掃描線s2p+1和第p根第二發(fā)光控制線e2p重疊。因此，寄生電容器可以形成在第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1、第i根第二發(fā)光控制線e2i、第(p-1)根第二掃描線s2p-1、第p根第二掃描線s2p、第(p+1)根第二掃描線s2p+1，第p根第二發(fā)光控制線e2p與虛擬線dml’之間。

寄生電容可以根據(jù)其中虛擬線dml’與第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二線掃描線s2i+1、第(p-1)根第二掃描線s2p-1、第p根第二掃描線s2p、第(p+1)根第二掃描線s2p+1、第i根第二發(fā)光控制線e2i、第p根第二發(fā)光控制線e2p的重疊的重疊面積而變化。為了增加寄生電容，可以將第(i-1)個第二掃描線焊盤slp5、第i個第二掃描線焊盤slp6、第(i+1)個第二掃描線焊盤slp7、第i個第二發(fā)光控制線焊盤slp8、第(p-1)個第二掃描線焊盤slp9、第p個第二掃描線焊盤slp10、第(p+1)個第二掃描線焊盤slp11和第p個第二發(fā)光控制線焊盤slp12設(shè)置到第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1、第p-1根第二掃描線s2p-1、第p根第二掃描線s2p、第(p+1)根第二掃描線s2p+1和第二發(fā)光控制線e2i和e2p。

第(i-1)個第二掃描線焊盤slp5、第i個第二掃描線焊盤slp6、第(i+1)個第二掃描線焊盤slp7、第i個第二發(fā)光控制線焊盤slp8、第(p-1)個第二掃描線焊盤slp9、第p個第二掃描線焊盤slp10、第(p+1)個第二掃描線焊盤slp11和第p個第二發(fā)光控制線焊盤slp12可以分別具有比第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1、第(p-1)根第二掃描線s2p-1、第p根第二掃描線s2p、第(p+1)根第二掃描線s2p+1更大的寬度。因此，第(i-1)根第二掃描線s2i-1、第i根第二掃描線s2i、第(i+1)根第二掃描線s2i+1、第(p-1)根第二掃描線s2p-1、第p根第二掃描線s2p、第(p+1)根第二掃描線s2p+1和第p根第二發(fā)光控制線e2與虛擬線dml’的重疊面積可以增加。虛擬線dml’可以形成為足夠?qū)捯愿采w第(i-1)個第二掃描線焊盤slp5、第i個第二掃描線焊盤slp6、第(i+1)個第二掃描線焊盤slp7、第i個第二發(fā)光控制線焊盤slp8、第(p-1)個第二掃描線焊盤slp9、第p個第二掃描線焊盤slp10、第(p+1)個第二掃描線焊盤slp11和第p個第二發(fā)光控制線焊盤slp12。

因此，可以在第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1以及第二發(fā)光控制線e2i和e2p中增加通過設(shè)置在第二外圍區(qū)域ppa2中的虛擬單元dmp’另外產(chǎn)生的寄生電容的負載。第二像素區(qū)域pxa2中的第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1以及第二發(fā)光控制線e2i和e2p與第一像素區(qū)域pxa1中的第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1以及第一發(fā)光控制線e1i的負載值可以彼此相同或基本相同。

第(i-1)個第二掃描線焊盤slp5、第i個第二掃描線焊盤slp6、第(i+1)個第二掃描線焊盤slp7、第i個第二發(fā)光控制線焊盤slp8的面積可以大于第(p-1)個第二掃描線焊盤slp9、第p個第二掃描線焊盤slp10、第(p+1)個第二掃描線焊盤slp11和第p個第二發(fā)光控制線焊盤slp12的面積。這是因為第二掃描線s2i-1、s2i和s2i+1與第二發(fā)光控制線e2i比第二掃描線s2p-1、s2p、s2p+1與第二發(fā)光控制線e2p短。

因此，由虛擬線dml’與第(i-1)個第二掃描線焊盤slp5、第i個第二掃描線焊盤slp6、第(i+1)個第二掃描線焊盤slp7、第i個第二發(fā)光控制線焊盤slp8形成的寄生電容可以大于由虛擬線dml’與第(p-1)個第二掃描線焊盤slp9、第p個第二掃描線焊盤slp10、第(p+1)個第二掃描線焊盤slp11和第p個第二發(fā)光控制線焊盤slp12形成的寄生電容。

因此，較短掃描線s2i-1、s2i、s2i+1和較短第二發(fā)光控制線e2i的負載值可以等于或基本等于較長第二掃描線s2p-1、s2p和s2p+1以及第二發(fā)光控制線e2p的負載值。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，為了方便解釋，描述了第一像素區(qū)域pxa1的第i行中的第一像素pxl1、第二像素區(qū)域pxa2的第i行中的第二像素pxl2i、第二像素區(qū)域pxa2的第p行中的像素pxl2p，但是本發(fā)明不限于此。例如，寄生電容可以根據(jù)與連接到第二像素區(qū)域pxa2的第k行(k≠i)行中的第二像素pxl2和第二像素區(qū)域pxa2的第p行中的第二像素pxl2p的第二掃描線s21至s2n和第二發(fā)光控制線e21至e2n重疊的虛擬單元的面積而變化。

另外，虛擬單元dmp’可以不設(shè)置在與第一像素區(qū)域pxa1對應(yīng)的第一外圍區(qū)域ppa1中，以補償?shù)谝幌袼貐^(qū)域pxa1和第三像素區(qū)域pxa3中的掃描線和發(fā)光控制線的負載值的差。另外，虛擬單元dmp’可以不設(shè)置在與第三像素區(qū)域pxa3對應(yīng)的第三外圍區(qū)域ppa3中。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1以及第一發(fā)光控制線e1i的端部可以如上所述延伸到第一外圍區(qū)域ppa1，但是本發(fā)明不限于此。例如，與第二掃描線s2i-1、s2i、s2i+1、s2p-1、s2p和s2p+1、第二發(fā)光控制線e2i和e2p以及第三掃描線s31至s3n的端部不同，第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1以及第一發(fā)光控制線e1i的端部可以不設(shè)置在第一外圍區(qū)域ppa1中，因為寄生電容可以不需要在第一掃描線s1i-1、s1i和s1i+1以及第一發(fā)光線控制e1i中形成。另外，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，可以以其中在每個像素中設(shè)置的掃描線中的三條掃描線中形成寄生電容的形式來實現(xiàn)虛擬單元，但掃描線的數(shù)量不限于此?；诟鶕?jù)顯示裝置實現(xiàn)的像素的結(jié)構(gòu)，設(shè)置有虛擬單元的掃描線的數(shù)量可以被不同地設(shè)置。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，公開了用于根據(jù)掃描線的長度差補償負載值之間的差的虛擬單元，但是導線類型不限于此。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，在由于包括在導線單元中的導線的長度差而導致的負載值的差的情況下，虛擬單元可以用在基板sub的不同區(qū)域中的導線中。例如，當如圖2所示的第一像素區(qū)域pxa1至第三像素區(qū)域pxa3的一部分具有斜線側(cè)時，在對應(yīng)于斜線側(cè)的像素區(qū)域中可能發(fā)生取決于像素區(qū)域pxa2或pxa3中的寬度變化的掃描線的長度差。在這種情況下，可以通過根據(jù)取決于每條掃描線的長度的負載值針對每個像素另外形成虛擬單元來補償負載值的差。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，單獨描述了用于根據(jù)掃描線的長度差補償負載值的差的虛擬單元，但是多個虛擬單元可以彼此組合。

圖19是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的平面視圖。圖19的顯示裝置包括外圍區(qū)域ppa中的虛擬單元dmp”。圖20是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的布置在第二像素區(qū)域pxa2中的第二像素pxl2的虛擬負載連接方案的視圖。

在圖20中，示出了布置在第q行至第(q-2)行的第二像素pxl2q、pxl2q-1和pxl2q-2以及第二掃描線s2q、s2q-1和s2q-2以及多個虛擬負載dml1、dml2、dml3、dml4、dml5和dml6。第q行、第(q-1)行和第(q-2)行中的第q行可以與第一區(qū)域a1最相鄰。

參考圖19和圖20，可以通過在與每個像素區(qū)域pxa對應(yīng)的外圍區(qū)域ppa中包括虛擬單元dmp”來采用用于實現(xiàn)寄生電容的結(jié)構(gòu)，從而補償每個像素區(qū)域pxa中的負載值的差。例如，虛擬單元dmp”可以不設(shè)置在與像素區(qū)域pxa1對應(yīng)的第一外圍區(qū)域ppa1中，以補償?shù)谝幌袼貐^(qū)域pxa1中的第一掃描線s11至s1n的負載值之間的差，但是虛擬單元dmp”可以設(shè)置在與第二像素區(qū)域pxa2對應(yīng)的第二外圍區(qū)域ppa2中。虛擬單元dmp”可以包括具有不同負載值的多個虛擬負載dml1、dml2、dml3、dml4、dml5和dml6，并且虛擬負載dml1、dml2、dml3、dml4、dml5和dml6可以分別連接到第二掃描線s2q、s2q-1、s2q-2等，從而補償?shù)诙呙杈€s2q、s2q-1、s2q-2等的負載值。

在第二掃描線s2q、s2q-1和s2q-2中，連接到具有較長長度的第二掃描線的虛擬負載的負載值可以大于連接到具有較短長度的第二掃描線的虛擬負載的負載值。在虛擬負載dml1、dml2、dml3、dml4、dml5和dml6中，第一虛擬負載dml1的負載值最大，并且虛擬負載dml1、dml2、dml3、dml4、dml5和dml6的負載值可以逐漸減少。

例如，連接到第二像素區(qū)域pxa2中的第q行中的第二像素pxl2q的第二掃描線s2q的長度可以大于連接到第(q-1)行中的第二像素pxl2q-1的第二掃描線s2q-1的長度，并且連接到第(q-1)行中的第二像素pxl2q-1的第二掃描線s2q-1的長度可以大于連接到第(q-2)行中的第二像素pxl2q-2的第二掃描線s2q-2的長度。另外，第q行中的第二掃描線s2q可以連接到第一虛擬負載dml1，第(q-1)行中的第二掃描線s2q-1可以連接到具有比第一虛擬負載dml1小的負載值的第二虛擬負載dml2，并且第(q-2)行中的第二掃描線s2q-2可以連接到具有比第二虛擬負載dml2小的負載值的第三虛擬負載dml3。

將第q行中的第二像素pxl2q連接到第二像素區(qū)域pxa2中的第一虛擬負載dml1的第二掃描線的延伸單元es2q的長度可以比將第(q-1)行中的第二像素pxl2q-1連接到第二虛擬負載dml2的第二掃描線的延伸單元es2q-1的長度短。將第(q-1)行中的第二像素pxl2q-1連接到第二虛擬負載dml2的第二掃描線的延伸單元es2q-1的長度可以比將第(q-2)行中的第二像素pxl2q-2連接到第三虛擬負載dml3的第二掃描線的延伸單元es2q-2的長度短。例如，將連接到較長的第二掃描線的第二像素連接到虛擬負載的第二掃描線的長度可以最小。隨著第二掃描線的長度變短，延伸單元的長度可以逐漸增加。

上面的描述已經(jīng)作為示例提供，但是本發(fā)明不限于此。例如，第i根第二掃描線、第(i-1)根第二掃描線、第(i+1)根第二掃描線和第i根發(fā)光控制線可以連接到其它第二像素pxl2。

在本發(fā)明的示例性實施方式中，第二區(qū)域a2和第三區(qū)域a3的線的寄生電容可以根據(jù)與第一區(qū)域a1的距離而逐漸變化。寄生電容的逐漸變化可以改變第一區(qū)域a1和第二區(qū)域a2之間或第一區(qū)域a1和第三區(qū)域a3之間的充電率。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置可以用在各種電子裝置中。例如，顯示裝置可以實現(xiàn)于電視(tv)裝置、膝上型計算機、移動電話、智能電話、智能平板、pmp、pda、各種類型的可穿戴裝置(例如智能手表)等。

由于已經(jīng)參考本發(fā)明的示例性實施方式具體示出和描述了本發(fā)明的構(gòu)思，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不脫離如所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的構(gòu)思的精神和范圍的情況下，可以對其在形式和細節(jié)上進行各種改變。