技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種具有變化閾值電壓的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，其提供半導(dǎo)體裝置制造方法，包括：設(shè)置結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)具有至少一個區(qū)域并包括設(shè)于襯底上方的介電層；在該介電層上方形成包括閾值電壓調(diào)整層的多層堆疊結(jié)構(gòu)，該多層堆疊結(jié)構(gòu)包括位于該至少一個區(qū)域的第一區(qū)域中的第一閾值電壓調(diào)整層、以及位于該至少一個區(qū)域的第二區(qū)域中的第二閾值電壓調(diào)整層；以及退火該結(jié)構(gòu)以定義該至少一個區(qū)域的變化閾值電壓，該退火促進(jìn)至少一個閾值電壓調(diào)整種類自該第一閾值電壓調(diào)整層及該第二閾值電壓調(diào)整層擴(kuò)散進(jìn)入該介電層中，其中，該第一區(qū)域的閾值電壓獨(dú)立于該第二區(qū)域的該閾值電壓。

技術(shù)研發(fā)人員：巴拉·坎南;光允;西德斯·克里斯南;安藤孝;夫亞·納拉瓦納恩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：格羅方德半導(dǎo)體公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.27
技術(shù)公布日：2017.09.05