技術特征：

技術總結(jié)
本發(fā)明涉及半導體器件和在半導體管芯周圍形成絕緣層的方法。一種半導體器件具有半導體晶片，該半導體晶片包括在該半導體晶片的第一表面上方形成的多個接觸焊盤和多個半導體管芯。部分地穿過半導體晶片的第一表面形成溝槽。將絕緣材料設置在半導體晶片的第一表面上方和到溝槽中。在接觸焊盤上方形成導電層。該導電層可以被印刷成在相鄰的接觸焊盤之間的溝槽中的絕緣材料上方延伸。將半導體晶片的與半導體晶片的第一表面相對的一部分移除，到溝槽中的絕緣材料。在半導體晶片的第二表面和半導體晶片的側(cè)表面上方形成絕緣層。穿過第一溝槽中的絕緣材料而單體化半導體晶片，以分離半導體管芯。

技術研發(fā)人員：S.金努薩米;K.辛普森;M.C.科斯特羅
受保護的技術使用者：商升特公司
技術研發(fā)日：2017.02.24
技術公布日：2017.09.05