本申請涉及顯示面板技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種提高陣列基板掩膜剝離效率的方法、陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)：

三道光罩制程技術(shù)是一種能極大化縮減顯示面板的陣列基板光罩次數(shù)的新型技術(shù)，該技術(shù)不僅可節(jié)約陣列基板的制造成本，還可縮短其制作工序時(shí)間，提高產(chǎn)能。三道光罩制程中的剝離制程是先形成圖形化的掩膜，然后在掩膜上形成透明電極層，最后通過剝離液去除掩膜及掩膜上的透明電極層，從而形成圖形化的透明電極層。

掩膜剝離速度跟被剝離的掩膜的整塊面積有關(guān)，需要被剝離的掩膜的整塊面積越大，剝離液浸潤該掩膜的時(shí)間就越久，剝離時(shí)間也就越長。

本申請的發(fā)明人在長期的研發(fā)中發(fā)現(xiàn)，在目前現(xiàn)有技術(shù)中，由于陣列基板的顯示區(qū)需要形成圖形化的透明電極層，而非顯示區(qū)并不需要保留透明電極層，因此，通常會(huì)在顯示區(qū)表面形成圖形化的掩膜，而在非顯示區(qū)直接形成整塊非圖形化的掩膜，但在采用剝離液去除該掩膜時(shí)，非顯示區(qū)的非圖形化掩膜由于面積相對(duì)較大，剝離液完全浸透該非圖形化的掩膜的時(shí)間遠(yuǎn)大于浸透顯示區(qū)的圖形化的掩膜的時(shí)間，從而導(dǎo)致整個(gè)陣列基板掩膜的剝離效率降低，從而降低顯示面板的制作效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請主要解決的技術(shù)問題是提供一種提高陣列基板掩膜剝離效率的方法、陣列基板及顯示面板，以提高該陣列基板制作過程中掩膜剝離的效率，進(jìn)而提高該顯示面板的制作效率。

為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種提高陣列基板掩膜剝離效率的方法。所述陣列基板包括顯示區(qū)及設(shè)置在所述顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)，所述方法包括：在所述非顯示區(qū)形成圖形化的掩膜；對(duì)所述圖形化的掩膜覆蓋不到的所述非顯示區(qū)部分進(jìn)行刻蝕；沉積透明電極層，以在所述圖形化的掩膜表面及所述非顯示區(qū)被刻蝕的表面分別形成圖形化的第一透明電極層及圖形化的第二電極層；去除所述圖形化的掩膜。

為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板。所述陣列基板包括顯示區(qū)及設(shè)置在所述顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)；所述非顯示區(qū)設(shè)有蝕刻槽，所述蝕刻槽內(nèi)嵌有透明電極層，所述蝕刻槽的分布輪廓由圖形化的掩膜定義。

為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的又一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種顯示面板。所述顯示面板包括第一基板、第二基板及液晶層；所述第一基板和/或第二基板為上述陣列基板；其中，液晶層位于所述第一基板及所述第二基板之間，且在所述第一基板及所述第二基板的控制下調(diào)節(jié)背光的透過率。

本申請實(shí)施例的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本申請實(shí)施例首先在非顯示區(qū)形成圖形化的掩膜，并對(duì)該圖形化的掩膜覆蓋不到的非顯示區(qū)部分進(jìn)行刻蝕；然后在該圖形化的掩膜表面及非顯示區(qū)被刻蝕的表面分別沉積并形成圖形化的第一透明電極層及圖形化的第二電極層；最后去除該圖形化的掩膜。本申請實(shí)施例將需剝離的掩膜制作為圖形化的掩膜，使得剝離液可以通過圖形化的掩膜的所有側(cè)邊而不僅僅是其周圍的側(cè)邊，對(duì)該其進(jìn)行浸潤，通過這種方式，能夠明顯提高陣列基板掩膜的剝離效率，進(jìn)而提高顯示面板的制作效率。

附圖說明

圖1是本申請?zhí)岣哧嚵谢逖谀冸x效率的方法的流程示意圖；

圖2是本申請陣列基板掩膜剝離工藝一實(shí)施例的流程示意圖；

圖3是圖2實(shí)施例中圖形化的非顯示區(qū)一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本申請的圖形化的掩膜一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本申請的圖形化的掩膜另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本申請陣列基板一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本申請顯示面板的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

一并參閱圖1及圖2，圖1是本申請?zhí)岣哧嚵谢逖谀冸x效率的方法的流程示意圖；圖2是本申請陣列基板掩膜剝離工藝一實(shí)施例的流程示意圖。本申請的陣列基板包括顯示區(qū)及設(shè)置在顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)。本實(shí)施例包括以下步驟：

步驟101：在非顯示區(qū)201形成圖形化的掩膜202(如圖2第一張圖所示)。

在陣列基板的制作過程中，掩膜202主要為形成各圖形化的膜層提供刻蝕模板，其圖形隨著各膜層的圖形而定。

在一個(gè)應(yīng)用場景中，掩膜為光刻膠。光刻膠由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。它具有良好的流動(dòng)性和覆蓋。當(dāng)然，在其它應(yīng)用場景中，還可以采用其它的材料代替光刻膠。

步驟102：對(duì)圖形化的掩膜202覆蓋不到的非顯示區(qū)部分203進(jìn)行刻蝕?？梢岳斫鉃椋瑢⒎秋@示區(qū)201刻蝕成圖形化的非顯示區(qū)201(如圖2第二張圖所示)。在一個(gè)應(yīng)用場景中，本實(shí)施例的掩膜202的圖形與非顯示區(qū)201的圖形完全重疊且吻合。

刻蝕就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分膜層除去，從而在膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形?？涛g技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕；而濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。本實(shí)施例不對(duì)刻蝕的具體類型做限定。

可選地，本實(shí)施例的非顯示區(qū)201上表面從上到下設(shè)有鈍化層204及絕緣層205，且鈍化層204位于絕緣層205和圖形化的掩膜202之間；在一個(gè)應(yīng)用場景中，可將鈍化層204刻蝕成圖形化的鈍化層204，在其它應(yīng)用場景中，還可將鈍化層301及絕緣層302刻蝕成圖形化的鈍化層301及圖形化的絕緣層302(如圖3所示)。

步驟103：沉積透明電極層206及207，以在圖形化的掩膜202表面及非顯示區(qū)201被刻蝕的表面分別形成圖形化的第一透明電極層206及圖形化的第二電極層207(如圖2第三張圖所示)。

可選地，本實(shí)施例的圖形化的鈍化層204的圖形厚度，或圖形化的鈍化層301及圖形化的絕緣層302的圖形厚度和不小于第二透明電極層207的厚度。

通過上述設(shè)置，本實(shí)施例的整個(gè)第二透明電極層207嵌入到了非顯示區(qū)201的鈍化層204,或鈍化層301及絕緣層302，從而使剝離液能完全接觸圖形化的掩膜202的整個(gè)側(cè)邊，且使第二透明電極層207頂面不高于鈍化層204或301的頂面，進(jìn)而使非顯示區(qū)201的表面不會(huì)殘留相對(duì)上表面突出的第二透明電極層207，能減少第二透明電極層207對(duì)非顯示區(qū)201對(duì)陣列基板及顯示面板帶來的靜電干擾。

透明電極層是陣列基板中不可或缺的組成部分。它主要用于給陣列基板提供透明電極。在一個(gè)應(yīng)用場景中，透明電極層為摻錫氧化銦(indiumtinoxide，ito)材料。當(dāng)然，在其它應(yīng)用場景中，也可以采用其它具有可輕松彎曲、有助于降低成本以及光線透過率高等特點(diǎn)的新材料代替ito，例如納米氧化鋅等。

步驟104：去除圖形化的掩膜202(如圖2第四張圖所示)。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)施例將需剝離的掩膜制作為圖形化的，使得剝離液可以通過圖形化的掩膜的所有側(cè)邊而不僅僅是其周圍的側(cè)邊，對(duì)該圖形化的掩膜進(jìn)行浸潤，通過這種方式，能夠提高該掩膜的剝離速度，從而能夠明顯提高陣列基板的掩膜的剝離效率，進(jìn)而提高顯示面板的制作效率。

可選地，本實(shí)施例的步驟104具體包括：將剝離液浸潤第一透明電極層206和第二透明電極207覆蓋不到的掩膜表面，以剝離圖形化的掩膜202。剝離液主要通過掩膜202的側(cè)邊的浸入圖形化的掩膜202，并與掩膜202發(fā)生反應(yīng)，使掩膜202膨脹、浸潤而被剝離。

當(dāng)然，剝離液成分應(yīng)與掩膜202的成分相匹配，即二者能產(chǎn)生反應(yīng)，以達(dá)到快速剝離的目的。對(duì)于掩膜及剝離液的具體成分這里不做限定。

可選地，參閱圖4，圖4是本申請的圖形化的掩膜一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例的掩膜具有多條縫隙401，剝離液通過縫隙401與掩膜402側(cè)邊接觸。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，可采用是其他形狀的能夠?qū)雱冸x液的凹形槽代替縫隙401，且縫隙401也可以是一條。

可選地，本實(shí)施例的縫隙401為圍繞顯示區(qū)402分布的連續(xù)縫隙，且縫隙401的各邊可以但不局限于與顯示區(qū)402對(duì)應(yīng)的側(cè)邊平行。

可選地，參與圖5，圖5是本申請的圖形化的掩膜另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例的縫隙501為圍繞顯示區(qū)502分布的斷續(xù)縫隙。且縫隙501的各邊可以但不局限于與顯示區(qū)502對(duì)應(yīng)的側(cè)邊平行。

參閱圖6，圖6是本申請陣列基板一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例包括顯示區(qū)601及設(shè)置在顯示區(qū)601周圍的非顯示區(qū)602；非顯示區(qū)設(shè)有蝕刻槽603，蝕刻槽603內(nèi)嵌有透明電極層604，蝕刻槽603的分布輪廓由圖形化的掩膜定義。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)施例在非顯示區(qū)602設(shè)有蝕刻槽603，以容納該圖形化的掩膜剝離過程中產(chǎn)生的透明電極層604，從而使得剝離液可以通過該圖形化的掩膜的所有側(cè)邊對(duì)該圖形化的掩膜進(jìn)行浸潤，而不僅僅是通過該圖形化的掩膜的周圍側(cè)邊，以提高該圖形化的掩膜的剝離速度，從而能夠明顯提高陣列基板掩膜的剝離效率。

可選地，在非顯示區(qū)602上表面從上到下設(shè)有鈍化層605及絕緣層606；蝕刻槽通過上述圖像化的掩膜形成于鈍化層605，且鈍化層605的厚度不小于透明電極層604的厚度；或形成于鈍化層605及絕緣層606，且鈍化層605及絕緣層606的厚度和不小于透明電極層604的厚度，以使剝落液能接觸該圖形化的掩膜的整個(gè)側(cè)邊，且使透明電極層604的頂面不高于鈍化層605的頂面。

通過上述設(shè)置，本實(shí)施例的整個(gè)透明電極層604嵌入到了非顯示區(qū)602的鈍化層605或絕緣層606，從而使剝離液能完全接觸圖形化的掩膜的整個(gè)側(cè)邊，且透明電極層604頂面不高于鈍化層605的頂面，進(jìn)而使非顯示區(qū)602的表面不會(huì)殘留相對(duì)上表面突出的透明電極層604，能減少透明電極層604對(duì)陣列基板及顯示面板帶來的靜電干擾。

可選地，蝕刻槽603圍繞顯示區(qū)607連續(xù)或斷續(xù)分布。蝕刻槽603的具體分布方式及形狀，已在上述方法實(shí)施例中進(jìn)行了詳細(xì)的敘述，這里不重復(fù)。

陣列基板的整個(gè)剝離掩膜的原理及流程也已在上述方法實(shí)施例中進(jìn)行了詳細(xì)的敘述，這里也不重復(fù)。

本申請實(shí)施例對(duì)陣列基板的顯示區(qū)不做介紹，因此在本申請中的附圖也不做詳細(xì)的標(biāo)記。

參閱圖7，圖7是本申請顯示面板的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例包括第一基板701、第二基板702及液晶層703；第一基板701和/或第二基板702為上述實(shí)施例的陣列基板；其中，液晶層703位于第一基板701及第二基板702之間，且在第一基板701及第二基板702的控制下調(diào)節(jié)背光的透過率。

陣列基板的結(jié)構(gòu)及剝離掩膜的原理及流程已在上述實(shí)施例中進(jìn)行了詳細(xì)的敘述，這里也不重復(fù)。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)施例能夠提高陣列基板掩膜的剝離效率，從而提高顯示面板的制作效率。

以上所述僅為本申請的實(shí)施方式，并非因此限制本申請的專利范圍，凡是利用本申請說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本申請的專利保護(hù)范圍內(nèi)。