技術特征：

技術總結
本發(fā)明涉及具有放大通道區(qū)的FINFET裝置，所提供的是一種半導體裝置，其包括半導體層、半導體層的表面上所形成的多個半導體鰭片、以及半導體層的表面上方所形成的多個柵極電極。半導體鰭片沿著與半導體層的表面平行的第一方向彼此平行延展，并且垂直于第一方向的第二方向具有第一高度，以及柵極電極包含沿著第一方向平行于半導體鰭片延展的縱向部分，并且特別的是，順著第二方向具有比第一高度更低的第二高度。

技術研發(fā)人員：張明成;白波;嚴然
受保護的技術使用者：格羅方德半導體公司
技術研發(fā)日：2017.02.24
技術公布日：2017.09.05