技術(shù)編號(hào):11388144
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。大體上,本發(fā)明是關(guān)于集成電路與半導(dǎo)體裝置的領(lǐng)域,并且更特別的是,是關(guān)于具有放大通道區(qū)的FinFET裝置。背景技術(shù)諸如CPU、存儲(chǔ)裝置、ASIC(特定應(yīng)用集成電路)及其類似的先進(jìn)集成電路在制作時(shí),需要根據(jù)已指定電路布局,在給定芯片面積上形成大量電路元件。在各式各樣的電子電路中,場(chǎng)效晶體管代表一種重要類型的電路元件,其實(shí)質(zhì)決定此集成電路的效能。大體上,目前經(jīng)實(shí)踐用于形成場(chǎng)效晶體管(FET)的制程技術(shù)有多種,其中,就許多類型的復(fù)雜電路系統(tǒng)而言,金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)技術(shù)鑒于操作速度及/或功率消耗及...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。