本發(fā)明申請(qǐng)是國(guó)際申請(qǐng)?zhí)枮閜ct/jp2012/050501，國(guó)際申請(qǐng)日為2012年01月12日，進(jìn)入中國(guó)國(guó)家階段的申請(qǐng)?zhí)枮?01280024505.0，名稱為“高頻封裝”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
本發(fā)明涉及在微波波段或毫米波波段工作的電子裝置中所使用的高頻封裝。
背景技術(shù)：
在微波波段或毫米波波段工作的電子裝置中所使用的高頻封裝是對(duì)搭載有在微波波段或毫米波波段工作的高頻器件(mmic：?jiǎn)纹⒉呻娐?的多層基板進(jìn)行封裝化而成的，在該多層基板的最下層進(jìn)行與外部的電連接。
因此，在構(gòu)成該高頻封裝的多層基板上，作為將所搭載的高頻器件產(chǎn)生的高頻信號(hào)向基板外部輸出并將來(lái)自基板外部的高頻信號(hào)輸入到高頻器件的結(jié)構(gòu)，在多層基板內(nèi)形成有將最上層與最下層之間連通的模擬同軸線路。
該模擬同軸線路是如下結(jié)構(gòu)：例如像專利文獻(xiàn)1所公開的那樣，將對(duì)與高頻器件的輸入輸出端口連接且形成在最上層的上表面的金屬圖案與形成在最下層的下表面的金屬圖案之間進(jìn)行連接的上下貫通通路(via)作為中心導(dǎo)體，將在其周圍對(duì)2個(gè)以上的層間進(jìn)行連接并呈環(huán)狀配置的多個(gè)層間通路作為外導(dǎo)體。在最下層的下表面形成的金屬圖案經(jīng)由bga(球柵陣列(ballgridarray))與其它的多層基板連接。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1：日本特開平6－85099號(hào)公報(bào)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
發(fā)明要解決的課題
可是，在制造多層基板時(shí)，有時(shí)會(huì)由于熱應(yīng)力等而在某個(gè)層的基板產(chǎn)生裂縫。這樣，在安裝了高頻器件的運(yùn)用時(shí)，在該裂縫延伸到形成中心導(dǎo)體的上下貫通通路的形成部分的情況下，使上下貫通通路斷線，因此，存在發(fā)生高頻信號(hào)的通過(guò)特性較大地劣化的情況的問(wèn)題。
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而提出的，其目的在于得到一種利用即使裂縫以橫穿模擬同軸線路的中心導(dǎo)體形成區(qū)域的方式產(chǎn)生，也能抑制高頻信號(hào)的通過(guò)特性的劣化的結(jié)構(gòu)的多層基板的高頻封裝。
用于解決課題的方案
為了解決上述的課題并達(dá)成目的，本發(fā)明提供一種利用了多層基板的高頻封裝，在該多層基板中，作為將所搭載的高頻器件產(chǎn)生的高頻信號(hào)從最上層向最下層傳輸而向基板外部輸出并將從基板外部向所述最下層輸入的高頻信號(hào)傳輸?shù)剿龈哳l器件的結(jié)構(gòu)，形成有模擬同軸線路，該模擬同軸線路將對(duì)在所述最上層的上表面形成的金屬圖案與在所述最下層的下表面形成的金屬圖案之間進(jìn)行連接的上下貫通通路作為中心導(dǎo)體、并且將在其周圍對(duì)2個(gè)以上的層間進(jìn)行連接且呈環(huán)狀配置的多個(gè)層間通路作為外導(dǎo)體，所述高頻封裝的特征在于，使所述上下貫通通路的全部或一部分為不使用通路的使導(dǎo)體焊盤對(duì)置的電容器結(jié)構(gòu)。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，即使在內(nèi)層的基板產(chǎn)生的裂縫延伸到形成模擬同軸線路的中心導(dǎo)體的區(qū)域，作為高頻信號(hào)的傳送路徑的模擬同軸線路的結(jié)構(gòu)也被電容器結(jié)構(gòu)維持而繼續(xù)存在，因此，起到能抑制高頻信號(hào)的通過(guò)特性的劣化的效果。
附圖說(shuō)明
圖1是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的高頻封裝的主要部分結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實(shí)施方式
以下，基于附圖詳細(xì)地對(duì)本發(fā)明的高頻封裝的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，本發(fā)明并不被該實(shí)施方式所限定。
實(shí)施方式
圖1是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的高頻封裝的主要部分結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖1中，在構(gòu)成高頻封裝的多層基板1上搭載有高頻器件(mmic)2。高頻器件2的輸入輸出端口通過(guò)引線3與在多層基板1的最上層的上表面形成的微帶線路4的一端連接。
此外，在多層基板1中，在最上層與最下層之間形成有模擬同軸線路5。模擬同軸線路5的中心導(dǎo)體由一端與微帶線路3連接且另一端貫通多個(gè)內(nèi)層的層間通路6和配置在層間通路6的另一端與最下層之間的電容器結(jié)構(gòu)7構(gòu)成。此外，模擬同軸線路5的外導(dǎo)體由在中心導(dǎo)體(層間通路6+電容器結(jié)構(gòu)7)的周圍對(duì)2個(gè)以上的層間進(jìn)行連接并呈環(huán)狀配置的多個(gè)層間通路8構(gòu)成。
一般來(lái)說(shuō)，嵌入在多層基板中的模擬同軸線路的中心導(dǎo)體由貫通最上層與最下層之間而進(jìn)行連接的上下貫通通路構(gòu)成，但是，在圖1中示出了使該上下貫通通路的一部分為電容器結(jié)構(gòu)7的情況。
在圖1中，電容器結(jié)構(gòu)7是在連續(xù)的三個(gè)層使導(dǎo)體焊盤9a、9b、9c對(duì)置的結(jié)構(gòu)。導(dǎo)體焊盤9a與層間通路6的另一端連接，導(dǎo)體焊盤9b形成在最下層的下表面。導(dǎo)體焊盤9c配置在導(dǎo)體焊盤9a與導(dǎo)體焊盤9b之間。即，圖1所示的電容器結(jié)構(gòu)7是將兩個(gè)電容器以串聯(lián)方式配置的結(jié)構(gòu)。
多層基板1的最下層隔著構(gòu)成bga的焊料球10a、10b安裝在其它的多層基板11的上表面。焊料球10a將構(gòu)成模擬同軸線路5的中心導(dǎo)體的另一端的導(dǎo)體焊盤9b與在其它的多層基板11的上表面形成的微帶線路12之間連接。焊料球10b將構(gòu)成模擬同軸線路5的外導(dǎo)體的層間通路8與在其它的多層基板11的上表面形成的接地導(dǎo)體13之間連接。
在以上的結(jié)構(gòu)中，在由于制造基板時(shí)的熱應(yīng)力等而在多層基板1的內(nèi)層產(chǎn)生了裂縫14的情況下，在安裝了高頻器件2的運(yùn)用時(shí)，即使該裂縫14延伸到形成中心導(dǎo)體的區(qū)域，作為高頻信號(hào)的傳送路徑的模擬同軸線路5的結(jié)構(gòu)也被電容器結(jié)構(gòu)7維持而繼續(xù)存在，因此，能抑制高頻信號(hào)的通過(guò)特性的劣化。
雖然在圖1中示出了在形成電容器結(jié)構(gòu)7的層的基板產(chǎn)生裂縫14的情況，但是，裂縫14會(huì)在內(nèi)層的任意的基板產(chǎn)生。例如，裂縫14有時(shí)也會(huì)產(chǎn)生在形成有層間通路6的多個(gè)層內(nèi)的任意層。在該情況下，不能利用電容器結(jié)構(gòu)7進(jìn)行補(bǔ)救，中心導(dǎo)體發(fā)生斷線。因此，可以說(shuō)優(yōu)選使模擬同軸線路5的中心導(dǎo)體的整體為電容器結(jié)構(gòu)。是在最上層與最下層之間以串聯(lián)方式配置有多個(gè)電容器的結(jié)構(gòu)。而且，可以說(shuō)在圖1中示出了能從經(jīng)驗(yàn)上特別確定由于熱應(yīng)力而產(chǎn)生裂縫的內(nèi)層的基板的情況。
像這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，即使以橫穿模擬同軸線路的中心導(dǎo)體形成區(qū)域的方式產(chǎn)生裂縫，作為高頻信號(hào)的傳送路徑的模擬同軸線路的結(jié)構(gòu)也被電容器結(jié)構(gòu)維持而繼續(xù)存在，因此，能抑制高頻信號(hào)的通過(guò)特性的劣化。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
像以上那樣，本發(fā)明的高頻封裝作為利用即使以橫穿中心導(dǎo)體形成區(qū)域的方式產(chǎn)生裂縫也能抑制高頻信號(hào)的通過(guò)特性的劣化的多層基板的高頻封裝是有用的。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
1：多層基板；
2：高頻器件(mmic)；
3：引線；
4、12：微帶線路；
5：模擬同軸線路；
6、8：層間通路；
7：電容器結(jié)構(gòu)；
9a、9b、9c：導(dǎo)體焊盤；
10a、10b：焊料球；
11：其它的多層基板；
13：接地導(dǎo)體；
14：裂縫。