1.一種基于低溫加熱技術(shù)延伸其工作溫度范圍的光模塊，包括電路板、跨阻限幅放大器芯片、激光器驅(qū)動芯片、垂直腔面發(fā)射激光器、光探測器芯片以及光接口，跨阻限幅放大器芯片、激光器驅(qū)動芯片、垂直腔面發(fā)射激光器、光探測器芯片均設(shè)置于所述電路板上，其特征在于：所述垂直腔面發(fā)射激光器和所述光探測器芯片的下方均設(shè)有熱沉，且所述垂直腔面發(fā)射激光器下方的熱沉上集成有薄膜電阻，所述電路板上還設(shè)有加熱控制電路，所述薄膜電阻通過微帶線與所述加熱控制電路相連。
2.如權(quán)利要求1所述的基于低溫加熱技術(shù)延伸其工作溫度范圍的光模塊，其特征在于：所述加熱控制電路與電路板上的單片機連接，所述單片機集成有溫度傳感器，所述單片機根據(jù)溫度傳感器檢測到的環(huán)境溫度控制加熱控制電路提供給薄膜電阻的電壓大小。
3.如權(quán)利要求1所述的基于低溫加熱技術(shù)延伸其工作溫度范圍的光模塊，其特征在于：所述跨阻限幅放大器芯片、所述激光器驅(qū)動芯片通過膠粘的方式固定在電路板上。
4.如權(quán)利要求1所述的基于低溫加熱技術(shù)延伸其工作溫度范圍的光模塊，其特征在于：所述跨阻限幅放大器芯片、所述激光器驅(qū)動芯片均通過金絲鍵合的方式與電路板實現(xiàn)電連接。
5.如權(quán)利要求1所述的基于低溫加熱技術(shù)延伸其工作溫度范圍的光模塊，其特征在于：所述激光器驅(qū)動芯片與所述垂直腔面發(fā)射激光器之間以及所述跨阻限幅放大器芯片與所述光探測器芯片之間均通過金絲鍵合的方式實現(xiàn)電連接。
6.如權(quán)利要求1所述的基于低溫加熱技術(shù)延伸其工作溫度范圍的光模塊，其特征在于：所述光探測器芯片下方的熱沉上也集成有薄膜電阻。
7.如權(quán)利要求6所述的基于低溫加熱技術(shù)延伸其工作溫度范圍的光模塊，其特征在于：所述垂直腔面發(fā)射激光器和所述光探測器芯片共用一個熱沉。
8.如權(quán)利要求1所述的基于低溫加熱技術(shù)延伸其工作溫度范圍的光模塊，其特征在于：所述熱沉通過膠粘的方式固定在電路板上，所述垂直腔面發(fā)射激光器和所述光探測器芯片分別通過膠粘的方式固定在對應(yīng)的熱沉上。
9.如權(quán)利要求1所述的基于低溫加熱技術(shù)延伸其工作溫度范圍的光模塊，其特征在于：所述熱沉的材質(zhì)為氮化鋁或者氧化鋁。
10.如權(quán)利要求1所述的基于低溫加熱技術(shù)延伸其工作溫度范圍的光模塊，其特征在于：所述薄膜電阻的兩端均設(shè)有一個焊盤，所述焊盤與所述微帶線之間通過金絲鍵合的方式實現(xiàn)電連接。