本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體激光器和超輻射發(fā)光二極管及其制備方法，特別涉及一種具有脊形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的GaN基激光器和超輻射發(fā)光二極管及其制備方法，屬于半導(dǎo)體光電技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

III-V族氮化物半導(dǎo)體被稱為第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，化學(xué)穩(wěn)定性好，抗輻照性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)；其禁帶寬度涵蓋整個(gè)可見光范圍，因此可用于制作半導(dǎo)體發(fā)光器件，如發(fā)光二極管、激光器和超輻射發(fā)光二極管等?；贗II-V族氮化物半導(dǎo)體的激光器和超輻射發(fā)光二極管具有制作簡(jiǎn)單，體積小，重量輕，壽命長(zhǎng)，效率高等優(yōu)點(diǎn)，在光通信、光泵浦、光存儲(chǔ)和激光顯示等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

相對(duì)于GaAs或InP基材料，GaN基材料的化學(xué)穩(wěn)定性好，耐酸堿，不易腐蝕，因此對(duì)GaN基脊型激光器和超輻射發(fā)光二極管，脊型需干法刻蝕形成。由于干法刻蝕通常會(huì)引入表面態(tài)和缺陷，這些表面態(tài)和缺陷會(huì)成為漏電通道，影響器件的可靠性和穩(wěn)定性。為減少刻蝕損傷的影響，通常在刻蝕處沉積介質(zhì)膜來鈍化表面態(tài)和缺陷，然而介質(zhì)膜通常與氮化物之間晶格失配和熱失配較大，無法完全鈍化刻蝕損傷。為減少刻蝕損傷的影響，常規(guī)激光器和超輻射發(fā)光二極管基本都采用淺刻蝕，通常只刻蝕到上限制層，然而刻蝕損傷仍然會(huì)影響激光器特性。

由于激光器和超輻射發(fā)光二極管采用淺刻蝕只刻蝕到上限制層，殘留的上限制層、上波導(dǎo)層和量子阱將會(huì)成為光波導(dǎo)，使光場(chǎng)發(fā)生泄漏，從而導(dǎo)致橫向限制減弱，因此導(dǎo)致激光器和超輻射發(fā)光二極管光斑的橫向發(fā)散角很小，縱橫比較大，呈現(xiàn)橢圓形，影響光斑的耦合等。

又及，激光器和超輻射發(fā)光二極管上限制層通常為AlGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)，由于極化效應(yīng)，超晶格界面處GaN中存在二維空穴氣，導(dǎo)致超晶格的橫向傳輸電阻較小，遠(yuǎn)小于其縱向傳輸電阻，因此沒有被完全刻蝕的上限制層會(huì)充當(dāng)電流擴(kuò)展通道，從脊型注入的空穴易在此處發(fā) 生橫向擴(kuò)展，擴(kuò)展到脊型以外的電流與光場(chǎng)不重合，無法產(chǎn)生增益，對(duì)激光器激射無幫助，等同于泄漏電流，導(dǎo)致電流注入效率降低，激光器和超輻射發(fā)光二極管的閾值電流增加，器件性能惡化。

此外，激光器和超輻射發(fā)光二極管中的功能層都均勻連續(xù)生長(zhǎng)在異質(zhì)襯底上，隨著襯底尺寸增加，激光器和超輻射發(fā)光二極管中的應(yīng)力逐漸增加，易導(dǎo)致外延片翹曲過大，不利于后續(xù)器件工藝制作，同時(shí)影響器件良率；當(dāng)應(yīng)力足夠大時(shí)還會(huì)在外延片中產(chǎn)生裂紋，嚴(yán)重影響器件性能和良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于提供一種GaN基激光器和超輻射發(fā)光二極管及其制備方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足。

為實(shí)現(xiàn)前述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括：

在一些實(shí)施例中，提供了一種GaN基激光器和超輻射發(fā)光二極管，其包括表面分布有條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)的襯底以及具有脊型結(jié)構(gòu)的外延層，所述外延層設(shè)置在所述襯底上并包覆所述條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)，且所述外延層包括依次于襯底上形成的下接觸層、下限制層、下波導(dǎo)層、量子阱有源層、上波導(dǎo)層、電子阻擋層、上限制層和上接觸層。

在一些實(shí)施例中還提供了一種制備GaN基激光器和超輻射發(fā)光二極管的方法，其包括：

提供表面分布有條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)的襯底，

在所述襯底上依次生長(zhǎng)下接觸層、下限制層、下波導(dǎo)層、量子阱有源層、上波導(dǎo)層、電子阻擋層、上限制層和上接觸層，從而形成包覆所述條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)的、具有脊型結(jié)構(gòu)的外延層。

較之現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)包括：通過在襯底上形成窗口區(qū)或預(yù)先刻蝕形成臺(tái)階的方法，直接在襯底上生長(zhǎng)激光器和超輻射發(fā)光二極管脊型結(jié)構(gòu)，脊型結(jié)構(gòu)的兩側(cè)生長(zhǎng)有光學(xué)限制層，不僅可有效提升器件的橫向限制，降低器件的閾值電流，同時(shí)還可省去刻蝕操作，從而避免刻蝕損傷，進(jìn)一步降低器件的閾值電流，提高器件可靠性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一典型實(shí)施例中在襯底上生長(zhǎng)GaN薄膜的示意圖；

圖2是本發(fā)明一典型實(shí)施例中經(jīng)過光刻刻蝕露出窗口區(qū)之后的外延片的示意圖；

圖3是本發(fā)明一典型實(shí)施例中經(jīng)過二次外延之后的GaN薄膜的示意圖；

圖4是本發(fā)明一典型實(shí)施例中生長(zhǎng)器件結(jié)構(gòu)之后的外延片的示意圖；

圖5是本發(fā)明另一典型實(shí)施例中表面有條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)襯底的示意圖；

圖6是本發(fā)明另一典型實(shí)施例中生長(zhǎng)器件結(jié)構(gòu)之后的外延片的示意圖；

附圖標(biāo)記說明：襯底1，GaN層2，介質(zhì)膜3，二次外延的GaN層4，下接觸層5，下限制層6，下波導(dǎo)層7，量子阱有源區(qū)8，上波導(dǎo)層9，電子阻擋層10，上限制層11，上接觸層12。

具體實(shí)施方式

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本案發(fā)明人經(jīng)長(zhǎng)期研究和大量實(shí)踐，得以提出本發(fā)明的技術(shù)方案。如下將對(duì)該技術(shù)方案、其實(shí)施過程及原理等作進(jìn)一步的解釋說明。

本發(fā)明的一個(gè)方面提供了GaN基激光器和超輻射發(fā)光二極管，其包括表面分布有條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)的襯底以及設(shè)置在所述襯底上并包覆所述條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)的、具有脊型結(jié)構(gòu)的外延層，所述外延層包括依次于襯底上形成的下接觸層、下限制層、下波導(dǎo)層、量子阱有源層、上波導(dǎo)層、電子阻擋層、上限制層和上接觸層。

本發(fā)明的另一個(gè)方面還提供了一種制作GaN基激光器和超輻射發(fā)光二極管的方法，其包括：

提供表面分布有條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)的襯底。

在所述襯底上依次生長(zhǎng)下接觸層、下限制層、下波導(dǎo)層、量子阱有源層、上波導(dǎo)層、電子阻擋層、上限制層和上接觸層，從而形成包覆所述條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)的、具有脊型結(jié)構(gòu)的外延層。

在一些實(shí)施例中，所述上、下接觸層，上、下限制層和上、下波導(dǎo)層的材料包括Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N，其中，x1和y1均大于或等于0，而小于或等于1，0≤(x1+y1)≤1。

在一些實(shí)施例中，所述量子阱有源層的材料包括Al_x2In_y2Ga_1-x2-y2N/Al_x3In_y3Ga_1-x3-y3N，x2、y2，x3和y3均大于或等于0，而小于或等于1，且(x2+y2)和(x3+y3)均大于或等于0，而小于或等于1。

在一些較為具體的實(shí)施例中，所述外延層包括從下向上依次設(shè)置的n-GaN下接觸層、n-AlGaN/GaN超晶格下限制層、n-InGaN下波導(dǎo)層、InGaN/GaN量子阱有源層、u-InGaN上波導(dǎo)層、p-AlGaN電子阻擋層、p-AlGaN/GaN超晶格上限制層，以及p-GaN上接觸層。

較為優(yōu)選的，所述外延層中至少一結(jié)構(gòu)層完全包覆設(shè)置于其下方的至少一結(jié)構(gòu)層。

尤為優(yōu)選的，所述外延層中的任一結(jié)構(gòu)層均完全包覆分布于其下方的各結(jié)構(gòu)層。

較為優(yōu)選的，所述襯底上條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)的寬度為0.5μm～20μm，高度大于0而小于或等于100μm。

在一些實(shí)施例中，所述條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)是通過對(duì)所述襯底表面進(jìn)行物理或化學(xué)刻蝕而形成。

或者，在一些實(shí)施例中，所述條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)是通過沉積介質(zhì)膜等方法形成窗口區(qū)，進(jìn)行選區(qū)外延生長(zhǎng)形成。

其中，所述襯底的材質(zhì)包括GaN、AlN、藍(lán)寶石、SiC、Si中的任意一種或兩種以上的組合，但不限于此。

在一些實(shí)施例中，所述的制作方法可以包括：對(duì)所述襯底表面進(jìn)行物理或化學(xué)刻蝕，從而形成所述條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

在一些實(shí)施例中，所述的制作方法可以包括：通過沉積介質(zhì)膜等方法形成窗口區(qū)，進(jìn)行選區(qū)外延生長(zhǎng)形成所述條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述選區(qū)外延生長(zhǎng)工藝采用的掩膜材料包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、SiON和W中的任意一種或兩種以上的組合，但不限于此。

在一些較佳實(shí)施例中，所述的制作方法包括：在高溫、低壓和高V/III生長(zhǎng)條件下生長(zhǎng)形成所述外延層，其中溫度范圍為700℃～1100℃，壓力范圍為50Torr～500Torr，V/III為300～10000。

進(jìn)一步的，所述的制作方法還包括利用金屬沉積、解理等工藝制備GaN基激光器和超輻射發(fā)光二極管。

本發(fā)明的GaN基激光器中脊型嚴(yán)格垂直于激光器腔面，通過腔面反射回的光場(chǎng)在脊型中得到增益，當(dāng)增益等于光場(chǎng)損耗時(shí)，產(chǎn)生激光。

本發(fā)明的超輻射發(fā)光二極管需控制光場(chǎng)的增益始終小于光場(chǎng)損耗，超輻射發(fā)光二極管內(nèi)部的載流子發(fā)生受激輻射而產(chǎn)生光放大，這種放大的光經(jīng)過腔面出射即形成超輻射發(fā)光二極管的出射光。

在一定程度上來說，相對(duì)于激光器，超輻射發(fā)光二極管只是脊型形狀不同。

在本發(fā)明中，所述GaN基激光器和超輻射發(fā)光二極管的脊型通過自對(duì)準(zhǔn)生長(zhǎng)形成，側(cè)壁優(yōu)選由p-AlGaN/GaN超晶格限制層保護(hù)，所述p-AlGaN/GaN超晶格層共格生長(zhǎng)，可以保護(hù)量子阱有源區(qū)，同時(shí)p-AlGaN/GaN超晶格層的表面為外延生長(zhǎng)形成的原子面，因此所述激光器和超輻射發(fā)光二極管的脊型無需刻蝕，側(cè)壁亦無需鈍化，此舉可有效避免刻蝕損傷的影響，降低激光器和超輻射發(fā)光二極管的閾值，提升激光器和超輻射發(fā)光二極管的性能。

在本發(fā)明中，所述的激光器和超輻射發(fā)光二極管的脊型寬度可通過控制襯底上條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)的寬度控制，脊型兩側(cè)均被斜面生長(zhǎng)的上波導(dǎo)層、上限制層保護(hù)，在橫向方向上，這些上波導(dǎo)層和上限制層形成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，對(duì)量子阱有源區(qū)中的光場(chǎng)形成橫向限制。因此相對(duì)于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體激光器和超輻射發(fā)光二極管，本發(fā)明的激光器和超輻射發(fā)光二極管的橫向限制更強(qiáng)，激光器和超輻射發(fā)光二極管的閾值電流更小。此外由于橫向限制加強(qiáng)，激光器和超輻射發(fā)光二極管光斑的橫向發(fā)散角減小，縱橫比增加，激光器和超輻射發(fā)光二極管的光斑更接近于圓形，可以提升激光器和超輻射發(fā)光二極管與光纖的耦合效率。

在本發(fā)明中，在表面有條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)的襯底上生長(zhǎng)激光器和超輻射發(fā)光二極管時(shí)，通常激光器和超輻射發(fā)光二極管的脊型生長(zhǎng)在(0001)面上，激光器和超輻射發(fā)光二極管的側(cè)壁則為其它晶面，控制生長(zhǎng)條件，改變各面的生長(zhǎng)速率，通過在側(cè)壁增加電阻大的p-AlGaN/GaN超晶格限制層厚度的方法，形成電流注入窗口，使電流只從脊型上方注入，而不發(fā)生或者很少發(fā)生橫向擴(kuò)散，電流全部注入到激光器和超輻射發(fā)光二極管的量子阱有源區(qū)，產(chǎn)生增益。相對(duì)于傳統(tǒng)脊型激光器和超輻射發(fā)光二極管，本發(fā)明所述的激光器和超輻射發(fā)光二極管的電流注入效率更高，激光器和超輻射發(fā)光二極管的性能更好。

在本發(fā)明中，所述激光器和超輻射發(fā)光二極管生長(zhǎng)在圖形襯底上，相鄰器件的功能層生長(zhǎng)在不同晶面上，有些器件之間相互隔離，可減少外延片中的應(yīng)力，降低外延片的翹曲，降低后續(xù)器件工藝難度，提升器件良率。

在本發(fā)明中所述的激光器和超輻射發(fā)光二極管生長(zhǎng)在刻蝕形成的表面有臺(tái)階的襯底或選區(qū)外延生長(zhǎng)形成的襯底上，激光器和超輻射發(fā)光二極管的截面呈現(xiàn)梯形，梯形截面形狀可通過控制生長(zhǎng)條件調(diào)控。

在本發(fā)明中，所述的激光器和超輻射發(fā)光二極管的側(cè)壁可通過沉積絕緣介質(zhì)膜，等離子體處理或生長(zhǎng)n型外延層等方法形成側(cè)壁絕緣，防止電流從側(cè)壁注入，從而保證高電流注入效率，降低激光器和超輻射發(fā)光二極管的閾值電流。

以下結(jié)合附圖及若干具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作更為詳盡的解釋說明。

如下實(shí)施例涉及GaN基激光器和超輻射發(fā)光二極管的制備方法，其中采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備(MOCVD)進(jìn)行外延生長(zhǎng)，使用NH₃、TMGa/TEGa、TMIn、TMAl等分別作為N、Ga、In、Al源,SiH₄和CP₂Mg作為摻雜劑，H₂和N₂作為金屬有機(jī)源的載氣，以及采用常用的藍(lán)寶石平片作為生長(zhǎng)激光器和超輻射發(fā)光二極管的襯底。

實(shí)施例1本實(shí)施例的GaN基藍(lán)光激光器和超輻射發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)可參考圖4，其可采用選區(qū)外延方法生長(zhǎng)形成，具體包括如下步驟：

S1：將襯底放入MOCVD中，升高溫度到約1080℃，氫氣氣氛下高溫預(yù)處理襯底約5分鐘，去除襯底表面的雜質(zhì)，隨后通入少量的NH₃氮化襯底表面；

S2：降溫到約530℃，生長(zhǎng)約25nm的GaN成核層，對(duì)GaN成核層進(jìn)行高溫(約1000℃)退火，并在高溫下生長(zhǎng)約1μm非摻雜的GaN層和約2μm的n-GaN層，如圖1所示；

S3：生長(zhǎng)結(jié)束后，取出外延片，在樣品表面采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)沉積約200nm的SiO₂介質(zhì)膜；

S4：在樣品表面涂膠、光刻和顯影，形成沿GaN的(1-100)方向的窗口區(qū)，窗口區(qū)的寬度約4μm，長(zhǎng)約1cm，以光刻膠為掩膜，將樣品放入氫氟酸溶液中腐蝕，去除窗口區(qū)的SiO₂介質(zhì)膜，隨后用丙酮去除光刻膠，反復(fù)清洗樣品，去除雜質(zhì)，如圖2所示；

S5：將樣品放入MOCVD中進(jìn)行二次外延，為保證完整地去除樣品表面雜質(zhì)，在升溫過程中，通入H₂而不通NH₃，使窗口區(qū)被氧化后的GaO和部分GaN層在H₂氣氛下分解，隨后進(jìn)行GaN的二次外延，生長(zhǎng)中通入NH₃約2500sccm，生長(zhǎng)溫度約1080℃，反應(yīng)室壓力約100Torr，TMGa的流量為20sccm，對(duì)應(yīng)的V/III比約1700，SiH₄的流量為約10sccm，保證n-GaN中Si摻濃度為約1×10¹⁸cm^-3，生長(zhǎng)時(shí)間約5400s，如圖3所示；

S6：增加SiH₄的氣體流量到約20sccm，使n-GaN中Si摻濃度約2×10¹⁸cm^-3，生長(zhǎng)約3600s；隨后通入約50sccm的TMAl，并通入少量的TMIn作為活性劑，生長(zhǎng)n-AlGaN下限制層，Al組分約為8％，Si摻濃度約為2×10¹⁸cm^-3；

S7：在n-AlGaN下限制層上依次生長(zhǎng)約120nm的n-In_0.03Ga_0.97N(Si:5×10¹⁷cm^-3)下波導(dǎo)層，3對(duì)In_0.16Ga_0.84N/GaN量子阱，其中In_0.16Ga_0.84N阱寬約為2.5nm，GaN壘層約為15nm，約90nm的u-In_0.03Ga_0.97N上波導(dǎo)層，約20nm的p-Al_0.2Ga_0.8N(Mg:5×10¹⁹cm^-3)電子阻擋層，約500nm的p-Al_0.16Ga_0.84N/GaN超晶格限制層；

S8：生長(zhǎng)約50nm的p-GaN接觸層，完成藍(lán)光激光器和超輻射發(fā)光二極管的生長(zhǎng)。

S9：通過光刻、沉積等工藝，形成激光器和超輻射發(fā)光二極管器件。

實(shí)施例2本實(shí)施例的GaN基藍(lán)光激光器和超輻射發(fā)光二極管可基于圖5所示的襯底生長(zhǎng)形成，具體包括如下步驟：

S1：將襯底放入MOCVD中，升高溫度到約1080℃，氫氣氣氛下高溫預(yù)處理襯底約5分鐘，去除襯底表面的雜質(zhì)，隨后通入少量的NH₃氮化襯底表面；

S2：降溫到約530℃，生長(zhǎng)約25nm的GaN成核層，對(duì)GaN成核層進(jìn)行高溫(約1000℃)退火，并在高溫下生長(zhǎng)約1μm非摻雜的GaN層和約2μm的n-GaN層，如圖1所示；

S3：生長(zhǎng)結(jié)束后，取出外延片，在樣品表面采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)沉積約200nm的SiO₂介質(zhì)膜；

S4：在樣品表面涂膠、光刻和顯影，形成沿GaN的(1-100)方向的窗口區(qū)和掩膜區(qū)，掩膜區(qū)的寬度約4μm，長(zhǎng)約2cm，以光刻膠為掩膜，將樣品放入氫氟酸溶液中腐蝕，去除窗口區(qū)的SiO₂介質(zhì)膜，隨后用丙酮去除光刻膠，反復(fù)清洗樣品，去除雜質(zhì)，然后用電感耦合等離子體(ICP)刻蝕窗口區(qū)的GaN層，隨后用氫氟酸溶液清洗樣品，去除表面的SiO₂介質(zhì)膜，從而形成表面分布有條形臺(tái)階結(jié)構(gòu)的襯底，如圖5所示；

S5：將襯底放入MOCVD中生長(zhǎng)，通入NH₃約2500sccm，生長(zhǎng)溫度約1040℃，反應(yīng)室壓力約100Torr，TMGa的氣體流量約為20sccm，對(duì)應(yīng)的V/III比約為1700，SiH₄的氣體流量約為10sccm，保證n-GaN中Si摻濃度約為1×10¹⁸cm^-3，生長(zhǎng)時(shí)間約5400s；

S6：增加SiH₄的氣體流量到約20sccm，使n-GaN中Si摻濃度約2×10¹⁸cm^-3，生長(zhǎng)約3600s；隨后通入氣體流量約為50sccm的TMAl，并通入少量的TMIn作為活性劑，生長(zhǎng)n-AlGaN下限制層，Al組分約為8％，Si摻濃度約為2×10¹⁸cm^-3；

S7：在n-AlGaN下限制層上依次生長(zhǎng)約120nm的n-GaN(Si:5×10¹⁷cm^-3)下波導(dǎo)層，3對(duì)In_0.16Ga_0.84N/GaN量子阱，其中In_0.16Ga_0.84N阱寬約為2.5nm，GaN壘層約為15nm，約90nm的u-GaN上波導(dǎo)層。

S8：設(shè)定反應(yīng)溫度960℃，通入NH₃約3200sccm，反應(yīng)室壓力約為50Torr，TMGa的流量約為10sccm，TMAl的氣體流量約為125sccm和50sccm，對(duì)應(yīng)的V/III比約為4352，生長(zhǎng)約20nm的p-Al_0.2Ga_0.8N(Mg:5×10¹⁹cm^-3)電子阻擋層，改變TMAl的氣體流量約為50sccm，生長(zhǎng)約500nm的p-Al_0.16Ga_0.84N/GaN超晶格限制層；

S9：生長(zhǎng)約30nm的p-GaN接觸層，完成GaN基藍(lán)光激光器和超輻射發(fā)光二極管的生長(zhǎng)，如圖6所示。

S10：通過光刻、沉積等工藝，形成GaN基藍(lán)光激光器和超輻射發(fā)光二極管。

采用相同生長(zhǎng)條件，可以在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)GaN基藍(lán)光激光器，并采用類似的器件工藝制作兩種激光器，激光器脊型尺寸約為4μm×400μm。對(duì)前述器件的測(cè)試結(jié)果顯示，傳統(tǒng)脊型激光器的閾值電流約為64mA，對(duì)應(yīng)的閾值電流密度約為4kA/cm²，而本發(fā)明所制作的激光器的器件閾值電流僅為32mA，對(duì)應(yīng)的閾值電流密度約為2kA/cm²，降低了約50％，因此相對(duì)于傳統(tǒng)的脊型激光器，本發(fā)明所述激光器電流注入效率更高，激光器的閾值更低。

應(yīng)當(dāng)理解，上述實(shí)施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。