技術(shù)編號：12066608
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體激光器和超輻射發(fā)光二極管及其制備方法，特別涉及一種具有脊形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的GaN基激光器和超輻射發(fā)光二極管及其制備方法，屬于半導(dǎo)體光電技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)III-V族氮化物半導(dǎo)體被稱為第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，化學(xué)穩(wěn)定性好，抗輻照性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)；其禁帶寬度涵蓋整個可見光范圍，因此可用于制作半導(dǎo)體發(fā)光器件，如發(fā)光二極管、激光器和超輻射發(fā)光二極管等?；贗II-V族氮化物半導(dǎo)體的激光器和超輻射發(fā)光二極管具有制作簡單，體積小，重量輕，壽命長，效率高等優(yōu)點(diǎn)，在光通信、光泵浦、光存儲和激光...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。