技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種氣敏層的材料為Nb2O5的CMOS氣體傳感器，其中CMOS氣體傳感器包括：襯底；位于部分襯底表面的多晶硅柵；位于部分襯底表面的多晶硅加熱層；位于襯底上的介質(zhì)層；位于所述介質(zhì)層內(nèi)的MOS器件互連結(jié)構(gòu)以及傳感器互連結(jié)構(gòu)；位于所述介質(zhì)層表面以及第一頂層金屬互連層表面的鈍化層；位于所述第二頂層金屬互連層表面的氣敏層；環(huán)繞所述氣敏層且位于傳感器區(qū)上方的溝槽；被所述溝槽環(huán)繞的懸空結(jié)構(gòu)，所述懸空結(jié)構(gòu)與傳感器區(qū)的襯底之間具有隔熱區(qū)域，且所述懸空結(jié)構(gòu)底部與介質(zhì)層底部齊平。本發(fā)明氣體傳感器的形成工藝與MOS器件的形成工藝完全兼容，將氣體傳感器和MOS器件集成在同一芯片上，縮小芯片面積，降低功耗、提高集成度和產(chǎn)量。

技術(shù)研發(fā)人員：駱興芳;袁彩雷;俞挺
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江西師范大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2015.01.29
技術(shù)公布日：2017.08.18