本發(fā)明涉及半導體封裝技術領域，特別是涉及一種具有多個共面中介元件的半導體封裝。

背景技術：

如本領域技術人員所熟知的，集成電路芯片通常是先被組裝成封裝構件，再以焊錫連接至印刷電路板上。各個集成電路芯片可以利用常規(guī)控制崩潰芯片接合(controlledcollapsedchipconnection，簡稱c4)工藝所形成的焊錫凸塊與封裝構件內(nèi)的基材電連接。

已知，在半導體封裝中，有時會利用一中介襯底(interposersubstrate)，例如具有穿硅通孔(throughsiliconvia，tsv)的硅中介襯底，將集成電路芯片上的接點扇出(fanout)。當有多個芯片被組裝在單一封裝構件中時，上述中介襯底的尺寸及面積也會跟著增加。

舉例來說，若要將一處理器芯片，例如繪圖處理器(graphicsprocessingunit，gpu)，及多個存儲器芯片，例如繪圖雙倍數(shù)據(jù)傳輸率(graphicsdoubledatarate，gddr)芯片或高帶寬存儲器(high-bandwidthmemory，hbm)芯片，安裝在一中介襯底上，此中介襯底的表面積通常需要33mmx28mm以上。

然而，受限于光刻機臺，目前制造中介襯底的生產(chǎn)廠商能制造出的中介襯底的最大面積僅能達到26mmx32mm。此外，要制造出較大尺寸的中介襯底，通常會使得工藝良率下降，造成使用此中介襯底的半導體封裝的成本增加。

并且，較大尺寸中介襯底作為半導體封裝的元件時，往往會有明顯的翹曲現(xiàn)象，特別是在回焊工藝過程中。在半導體封裝的制造過程中，中介襯底的翹曲現(xiàn)象會降低工藝良率，并影響到封裝的可靠度。因此，有必要進一步改善。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在提供一種改良的半導體封裝，具有多個共面(共平面)的中介元件，且所述中介元件具有相對較小的尺寸，以解決上述背景技術的不足與缺點。

根據(jù)本發(fā)明實施例，提供一種半導體封裝，包含：一第一中介元件、一第二中介元件及一細縫，位于所述第一中介元件與所述第二中介元件之間。所述第一中介元件與所述第二中介元件位于共平面。一第一晶粒，設于所述第一中介元件與所述第二中介元件上，其中所述第一晶粒包含多個第一連接件，連接所述第一晶粒至所述第一中介元件或所述第二中介元件。一重分布層(rdl)結構，設于所述第一中介元件與所述第二中介元件的下表面，用以電連接所述第一中介元件與所述第二中介元件。所述rdl結構包含至少一架橋繞線，跨越所述細縫，用以電連接所述第一中介元件與所述第二中介元件。

根據(jù)本發(fā)明實施例，半導體封裝另包含一第二晶粒，設于所述第一中介元件與所述第二中介元件上，其中所述第二晶粒包含多個第二連接件，連接所述第二晶粒至所述第一中介元件或所述第二中介元件。所述第一晶粒與所述第二晶粒位于共平面。其中所述第一連接件與所述第二連接件包含焊錫凸塊或金屬凸塊。

根據(jù)本發(fā)明實施例，半導體封裝另包含一第一模塑料，圍繞所述第一晶粒及所述第二晶粒，以及一第二模塑料，包覆所述第一連接件、所述第二連接件、所述第一中介元件及所述第二中介元件。其中所述第一模塑料及所述第二模塑料具有彼此不同的組成。其中所述細縫被所述第二模塑料填滿。

無庸置疑的，本領域的技術人士讀完接下來本發(fā)明優(yōu)選實施例的詳細描述與附圖后，均可了解本發(fā)明的目的。

附圖說明

附圖提供對于此實施例更深入的了解，并納入此說明書成為其中一部分。這些附圖與描述，用來說明一些實施例的原理。

圖1是依據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的具有兩個中介元件的半導體封裝的上視圖。

圖2是沿著圖1中切線i-i’所視的剖面示意圖。

圖3是沿著圖1中切線ii-ii’所視的剖面示意圖。

圖4至圖10是剖面示意圖，例示制造圖1中具有兩個中介元件的半導體封裝的方法。

圖11是依據(jù)本發(fā)明另一實施例所繪示的具有三個中介元件的半導體封裝的上視圖。

圖12是沿著圖11中切線iii-iii’所視的剖面示意圖。

圖13是沿著圖11中切線iv-iv’所視的剖面示意圖。

圖14是依據(jù)本發(fā)明另一實施例所繪示的具有兩個中介元件的半導體封裝的上視圖。

圖15是沿著圖14中切線v-v’所視的剖面示意圖。

圖16是沿著圖14中切線vi-vi’所視的剖面示意圖。

圖17是依據(jù)本發(fā)明另一實施例所繪示的具有四個中介元件的半導體封裝的上視圖。

圖18是沿著圖17中切線vii-vii’所視的剖面示意圖。

圖19是沿著圖17中切線viii-viii’所視的剖面示意圖。

其中，附圖標記說明如下：

1、2、3、4半導體封裝

10晶粒

10a連接件

11第一晶粒

11a上表面

11b下表面(有源面)

12第二晶粒

12a上表面

12b下表面(有源面)

21第一中介元件

21a上表面

21b下表面

22第二中介元件

22a上表面

22b下表面

23第三中介元件

24第四中介元件

30重分布層(rdl)結構

40第一模塑料

45界面

50第二模塑料

100載板

101黏著層

110、120連接件

200、200a、200b細縫

210、220、230穿硅通孔(tsv)

310金屬層

310a、310b金屬繞線(架橋繞線)

320介電層

320a開孔

510接點

l長度

w寬度

具體實施方式

接下來的詳細敘述是參照相關附圖所示內(nèi)容，用來說明可依據(jù)本發(fā)明具體實行的實施例。這些實施例已提供足夠的細節(jié)，可使本領域技術人員充分了解并具體實行本發(fā)明。在不悖離本發(fā)明的范圍內(nèi)，仍可做結構上的修改，并應用在其他實施例上。

因此，接下來的詳細描述并非用來對本發(fā)明加以限制。本發(fā)明涵蓋的范圍由其權利要求界定。與本發(fā)明權利要求具均等意義，也應屬本發(fā)明涵蓋的范圍。

本發(fā)明實施例所參照的附圖是示意圖，并未按原比例繪制，且相同或類似的特征通常以相同的附圖標記描述。在本說明書中，“晶粒”、“半導體芯片”與“半導體晶?！本呦嗤?，可交替使用。

在本說明書中，“晶圓”與“襯底”意指任何包含一暴露面，可依據(jù)本發(fā)明實施例所示在其上沉積材料，制造集成電路結構的結構物，例如重分布層(rdl)。須了解的是“襯底”包含半導體晶圓，但并不限于此。"襯底"在工藝中也意指包含制造于其上的材料層的半導體結構物。

請參閱圖1至圖3，其中圖1是依據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的具有兩個中介元件的半導體封裝的上視圖，圖2是沿著圖1中切線i-i’所視的剖面示意圖，圖3是沿著圖1中切線ii-ii’所視的剖面示意圖。

如圖1至圖3所示，半導體封裝1包含兩個獨立分離的中介元件：第一中介元件21及第二中介元件22。第一中介元件21及第二中介元件22可以并列排列。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一中介元件21及第二中介元件22是沿著參考y軸方向上平行排列。第一中介元件21具有一上表面(或芯片安置面)21a以及一相對于上表面21a的下表面21b。第二中介元件22具有一上表面(或芯片安置面)22a以及一相對于上表面22a的下表面22b。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一中介元件21及第二中介元件22是共平面的，換句話說，第一中介元件21的上表面21a與第二中介元件22的上表面22a齊平。

根據(jù)本發(fā)明實施例，第一中介元件21及第二中介元件22有相同的尺寸大小，然而，在其它實施例中，第一中介元件21及第二中介元件22也可以有不同的尺寸。根據(jù)本發(fā)明實施例，從上往下看時，第一中介元件21及第二中介元件22兩者均為矩形，具有長度l及寬度w。根據(jù)本發(fā)明實施例，例如，長度l可以小于或等于32mm，寬度w可以小于或等于26mm，但不限于此。在第一中介元件21與第二中介元件22之間，可以設有一連續(xù)的狹長細縫200。通過細縫200，第一中介元件21與第二中介元件22彼此分離。

根據(jù)本發(fā)明實施例，第一中介元件21及第二中介元件22可以是由硅、玻璃或有機材料所構成。在不脫離本發(fā)明范疇下，中介元件也可以是由其它材料所構成。第一中介元件21及第二中介元件22可以在晶圓或矩陣型態(tài)下制造，并且可以包括有源或無源元件(圖未示)。第一中介元件21及第二中介元件22還可以分別另包括穿硅通孔(throughsiliconvia，tsv)210及220。

半導體封裝1另包含一第一晶粒(或芯片)11及一第二晶粒(或芯片)12，以覆晶方式安裝在第一中介元件21的上表面21a及第二中介元件22的上表面22a。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11與第二晶粒12位于共平面上。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11與第二晶粒12是沿著參考x軸方向上平行排列。雖然圖中僅顯示兩個晶粒11及12，但應理解在其它實施例中，可以有更多的晶粒，例如3個或4個晶粒，被安裝在圖中的兩個中介元件上。第一晶粒11具有一上表面11a及一相對于上表面11a的下表面(又稱有源面)11b。第二晶粒12具有一上表面12a及一相對于上表面12a的下表面(又稱有源面)12b。在第一晶粒11及第二晶粒12的有源面11b及有源面12b上，分別提供有多個輸出/輸入(i/o)墊(圖未示)。

從圖2及圖3中可看出，第一晶粒11是通過形成在其下表面11b上的多個連接件110，例如焊錫凸塊或金屬凸塊，電連接至第一中介元件21及第二中介元件22。第二晶粒12是通過形成在其下表面12b上的多個連接件120，例如焊錫凸塊或金屬凸塊，電連接至第一中介元件21及第二中介元件22。

根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11及第二晶粒12被一第一模塑料40所圍繞。根據(jù)本發(fā)明實施例，連接件110、連接件120、第一中介元件21及第二中介元件22則是被一第二模塑料50所包覆住。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11的上表面11a及第二晶粒12的上表面12a可以從第一模塑料40顯露出來。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11的下表面11b及第二晶粒12的下表面12b可以被第二模塑料50覆蓋。第一模塑料40與第二模塑料50之間的界面45可以是與第一晶粒11的下表面(有源面)11b及第二晶粒12的下表面12b齊平。細縫200則是被第二模塑料50填滿。

根據(jù)本發(fā)明實施例，第一模塑料40及第二模塑料50可以經(jīng)過一固化工藝。第一模塑料40及第二模塑料50例如環(huán)氧樹脂與二氧化硅填充劑的混和物，但并不限于此。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一模塑料40及第二模塑料50可以具有彼此不相同的組成，而且可以在不同的溫度下進行固化，但不限于此。

根據(jù)本發(fā)明實施例，在第一中介元件21的下表面21b及第二中介元件22的下表面22b上，設有一重分布層(redistributionlayer，rdl)結構30。rdl結構30可以包含至少一金屬層310與至少一介電層320。上述介電層320可包含有機材料，例如，聚亞酰胺(polyimide，pi)，或者無機材料，例如氮化硅、氧化硅等，但不限于此。金屬層310可包含鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦或類似的材料。需理解的是，在其它實施例中，rdl結構30可以包含多個金屬層或多個層繞線。

根據(jù)本發(fā)明實施例，在第一中介元件21中包含tsv210的電路及在第二中介元件22中包含tsv220的電路可以經(jīng)由至少一金屬繞線(或架橋繞線)310a而彼此電連接。金屬繞線310a跨過細縫200。rdl結構30的金屬繞線310a與金屬層310可以傳遞第一晶粒11與第二晶粒22之間的信號。接點510，例如錫球、球格矩陣(ballgridarray，bga)錫球、c4凸塊、金屬凸塊或金屬柱等，可以被形成在rdl結構30的下表面上，并電連接至金屬繞線310a與金屬層310。

根據(jù)本發(fā)明實施例，半導體封裝1可以是一2.5d多晶粒封裝，具有兩個晶粒及兩個并列的中介元件21、22。各個中介元件21、22所占面積小于常規(guī)技藝中對同等半導體封裝中所通常要求的中介襯底的面積。因此，在制造所述等中介元件時的工藝良率可以提升。此外，借由采用多個共面且具有較小尺寸的中介元件，半導體封裝的翹曲現(xiàn)象得以獲得改善。

彼此分離獨立的兩個中介元件21、22并不會互相直接接觸。中介元件21、22是經(jīng)由形成在中介元件21、22的下表面上的rdl結構30彼此電鏈接在一起。本發(fā)明另一結構上特征在于半導體封裝1另包含兩個模塑料40、50。模塑料40、50可以具有彼此不同的組成。中介元件21、22之間的細縫200被第二模塑料50所填滿。

圖4至圖10是剖面示意圖，例示制造圖1中具有兩個中介元件的半導體封裝的方法，其中相同的區(qū)域、層或元件仍沿用相同的符號來表示。圖1中具有兩個中介元件的半導體封裝可以利用一晶圓級封裝(wafer-levelpackaging)方法來制造。

首先，如圖4所示，提供一載板100。載板100可以是一可卸式襯底，具有一黏著層101，但不限于此。在載板100上以覆晶方式設置有多個半導體晶粒10。各個晶粒10在其有源面上包含多個連接件10a。所述連接件10a可以貼附在載板100的黏著層101上。

如圖5所示，形成一第一模塑料40，使第一模塑料40覆蓋住安置在載板100上的多個晶粒10以及黏著層101的上表面。后續(xù)可以對第一模塑料40進行一固化工藝。第一模塑料40可以包含環(huán)氧樹脂與二氧化硅填充劑的混和物，但并不限于此。后續(xù)可以再對第一模塑料40進行一研磨工藝或一拋光工藝，去除第一模塑料40的上部。此時，晶粒10的上表面被顯露出來，并且與第一模塑料40的上表面齊平。

如圖6所示，將載板100及黏著層101去除，如此顯露出晶粒10的有源面及連接件10a。在移除載板100之前，可選擇使晶粒10的有源面貼附至另一載板(圖未示)上，以提供臨時的支撐。上述去除載板100可以利用激光工藝或紫外線(uv)照射工藝，但不限于此。

如圖7所示，接著在連接件10a上設置多個預先制造的第一中介元件21及多個預先制造的第二中介元件22。如前所述，第一中介元件21及第二中介元件22可以在晶圓或矩陣型態(tài)下制造，再從晶圓切割下來，形成個別分離的中介元件。各個中介元件可以包含有源、無源元件(圖未示)或穿硅通孔。根據(jù)本發(fā)明實施例，在預先制造的第一中介元件21中的電路可以與在預先制造的第二中介元件22中的電路不相同。

根據(jù)本發(fā)明實施例，例如，第一中介元件21中的穿硅通孔210與第二中介元件22中的穿硅通孔220可以分別對準連接件10a。需理解的是，在中介元件中可以制造有金屬層或接墊結構(圖未示)。根據(jù)本發(fā)明實施例，各個穿硅通孔210、220其一端電連接至各個連接件10a，而另一端此時仍被埋在中介元件的本體中。

如圖8所示，接著形成一第二模塑料50，使第二模塑料50覆蓋住第一中介元件21及第二中介元件22。第二模塑料50可以填入介于中介元件與晶粒之間的間隙，并且圍繞連接件10a。后續(xù)可以對第二模塑料50進行一固化工藝。第二模塑料50可以包含環(huán)氧樹脂與二氧化硅填充劑的混和物，但并不限于此。后續(xù)可以再對第二模塑料50進行一研磨工藝或一拋光工藝，去除第二模塑料50的上部、部分的第一中介元件21及部分的第二中介元件22，顯露出穿硅通孔210、220的另一端。

如圖9所示，形成一重分布層(rdl)結構30。rdl結構30可以包含至少一金屬層310與至少一介電層320。上述介電層320可包含有機材料，例如，聚亞酰胺(pi)，或者無機材料，例如氮化硅、氧化硅等，但不限于此。金屬層310可包含鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦或類似的材料。在其它實施例中，rdl結構30可以包含多個金屬層或多個層繞線。

根據(jù)本發(fā)明實施例，在第一中介元件21中包含tsv210的電路及在第二中介元件22中包含tsv220的電路可以經(jīng)由至少一金屬繞線(或架橋繞線)310a而彼此電連接。金屬繞線310a跨過第一中介元件21及第二中介元件22之間的細縫200。在rdl結構30中可以形成多個開孔320a，顯露出金屬層310中的焊墊。

如圖10所示，接著在開孔320a內(nèi)形成接點510，例如錫球、球格矩陣(bga)錫球、c4凸塊、金屬凸塊或金屬柱等，并電連接至金屬繞線310a與金屬層310。再對此晶圓級封裝進行一晶圓切割工藝，將個別的半導體封裝1彼此分離。舉例來說，在進行晶圓切割工藝之前，可以將此晶圓級封裝先貼合至一切割膠帶(圖未示)，其中接點510面朝向所述切割膠帶且可以接觸所述切割膠帶。

請參閱圖11至圖13，其中圖11是依據(jù)本發(fā)明另一實施例所繪示的具有三個中介元件的半導體封裝的上視圖，圖12是沿著圖11中切線iii-iii’所視的剖面示意圖，圖13是沿著圖11中切線iv-iv’所視的剖面示意圖。

如圖11至圖13所示，半導體封裝2具有三個獨立分離的中介元件：第一中介元件21、第二中介元件22及第三中介元件23。第一中介元件21、第二中介元件22及第三中介元件23可以具有相同的尺寸大小且是并列排列。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一中介元件21、第二中介元件22及第三中介元件23是沿著參考x軸方向上平行排列。

根據(jù)本發(fā)明實施例，從上往下看時，第一中介元件21、第二中介元件22及第三中介元件23均為矩形，具有長度l及寬度w。根據(jù)本發(fā)明實施例，例如，長度l可以小于或等于32mm，寬度w可以小于或等于26mm，但不限于此。

在第一中介元件21與第二中介元件22之間，可以設有一連續(xù)的狹長細縫200a，在第二中介元件22與第三中介元件23之間，可以設有一連續(xù)的狹長細縫200b。通過細縫200a、200b，第一中介元件21、第二中介元件22及第三中介元件23彼此分離。

根據(jù)本發(fā)明實施例，第一中介元件21、第二中介元件22及第三中介元件23可以是由硅、玻璃或有機材料所構成。在不脫離本發(fā)明范疇下，中介元件也可以是由其它材料所構成。第一中介元件21、第二中介元件22及第三中介元件23可以在晶圓或矩陣型態(tài)下制造，并且可以包括有源、無源元件(圖未示)或穿硅通孔210、220、230。

在第一中介元件21、第二中介元件22及第三中介元件23上以覆晶方式設置有一第一晶粒11及一第二晶粒12。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11與第二晶粒12位于共平面上。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11與第二晶粒12是沿著參考x軸方向上平行排列。雖然圖中僅顯示兩個晶粒11及12，但應理解在其它實施例中，可以有更多的晶粒，例如3個或4個晶粒，被安裝在圖中的三個中介元件上。

根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11是設置在第一中介元件21及第二中介元件22之間，且跨越細縫200a。根據(jù)本發(fā)明實施例，第二晶粒12是設置在第二中介元件22及第三中介元件23之間，且跨越細縫200b。從圖12及圖13中可看出，第一晶粒11是通過多個連接件110，例如焊錫凸塊或金屬凸塊，電連接至第一中介元件21及第二中介元件22。第二晶粒12是通過多個連接件120，例如焊錫凸塊或金屬凸塊，電連接至第二中介元件22及第三中介元件23。

根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11及第二晶粒12被一第一模塑料40所圍繞。根據(jù)本發(fā)明實施例，連接件110、連接件120、第一中介元件21、第二中介元件22及第三中介元件23則是被一第二模塑料50所包覆住。細縫200a、200b被第二模塑料50填滿。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一模塑料40及第二模塑料50可以具有彼此不相同的組成，而且可以在不同的溫度下進行固化，但不限于此。

半導體封裝2可以另包含一重分布層(rdl)結構30。rdl結構30可以包含至少一金屬層310與至少一介電層320。上述介電層320可包含有機材料，例如，聚亞酰胺(polyimide，pi)，或者無機材料，例如氮化硅、氧化硅等，但不限于此。金屬層310可包含鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦或類似的材料。需理解的是，在其它實施例中，rdl結構30可以包含復數(shù)金屬層或復數(shù)層繞線。

根據(jù)本發(fā)明實施例，在第一中介元件21中包含tsv210的電路及在第二中介元件22中包含tsv220的電路可以經(jīng)由至少一金屬繞線(或架橋繞線)310a而彼此電連接。金屬繞線310a跨過細縫200a。根據(jù)本發(fā)明實施例，在第二中介元件22中包含tsv220的電路及在第三中介元件23中包含tsv230的電路可以經(jīng)由至少一金屬繞線(或架橋繞線)310b而彼此電連接。金屬繞線310b跨過細縫200b。rdl結構30的金屬繞線310a、金屬繞線310b與金屬層310可以傳遞第一晶粒11與第二晶粒22之間的信號。接點510，例如錫球、球格矩陣(bga)錫球、c4凸塊、金屬凸塊或金屬柱等，可以被形成在rdl結構30的下表面上，并電連接至金屬繞線310a、310b與金屬層310。

請參閱圖14至圖16，其中圖14是依據(jù)本發(fā)明另一實施例所繪示的具有兩個中介元件的半導體封裝的上視圖，圖15是沿著圖14中切線v-v’所視的剖面示意圖，圖16是沿著圖14中切線vi-vi’所視的剖面示意圖。

如圖14至圖16所示，半導體封裝3包含兩個獨立分離的中介元件：第一中介元件21及第二中介元件22。第一中介元件21及第二中介元件22可以具有相同的尺寸大小且并列排列。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一中介元件21及第二中介元件22是沿著參考x軸方向上平行排列。根據(jù)本發(fā)明實施例，從上往下看時，第一中介元件21及第二中介元件22均為矩形。在第一中介元件21與第二中介元件22之間，設有一連續(xù)的狹長細縫200a。通過細縫200a，第一中介元件21與第二中介元件22彼此分離。

根據(jù)本發(fā)明實施例，第一中介元件21及第二中介元件22可以是由硅、玻璃或有機材料所構成。在不脫離本發(fā)明范疇下，中介元件也可以是由其它材料所構成。第一中介元件21及第二中介元件22可以在晶圓或矩陣型態(tài)下制造，并且可以包括有源、無源元件(圖未示)或穿硅通孔210、220。

在第一中介元件21上以覆晶方式設置有一第一晶粒11，在第二中介元件22上以覆晶方式設置有一第二晶粒12。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11與第二晶粒12位于共平面上。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11與第二晶粒12是沿著參考x軸方向上平行排列。雖然圖中僅顯示兩個晶粒11及12，但應理解在其它實施例中，可以有更多的晶粒，例如3個或4個晶粒，被安裝在圖中的兩個中介元件上。

根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11及第二晶粒12均不跨越細縫200a或與細縫200a重疊。從圖15及圖16中可看出，第一晶粒11是通過多個連接件110，例如焊錫凸塊或金屬凸塊，電連接至第一中介元件21。第二晶粒12是通過多個連接件120，例如焊錫凸塊或金屬凸塊，電連接至第二中介元件22。

根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11及第二晶粒12被一第一模塑料40所圍繞。根據(jù)本發(fā)明實施例，連接件110、連接件120、第一中介元件21、第二中介元件22則是被一第二模塑料50所包覆住。細縫200a被第二模塑料50填滿。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一模塑料40及第二模塑料50可以具有彼此不相同的組成，而且可以在不同的溫度下進行固化，但不限于此。

半導體封裝3可以另包含一重分布層(rdl)結構30。rdl結構30可以包含至少一金屬層310與至少一介電層320。上述介電層320可包含有機材料，例如，聚亞酰胺(pi)，或者無機材料，例如氮化硅、氧化硅等，但不限于此。金屬層310可包含鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦或類似的材料。需理解的是，在其它實施例中，rdl結構30可以包含多個金屬層或多個層繞線。

根據(jù)本發(fā)明實施例，在第一中介元件21中包含tsv210的電路及在第二中介元件22中包含tsv220的電路可以經(jīng)由至少一金屬繞線(或架橋繞線)310a而彼此電連接。金屬繞線310a跨過細縫200a。rdl結構30的金屬繞線310a與金屬層310可以傳遞第一晶粒11與第二晶粒22之間的信號。接點510，例如錫球、球格矩陣(bga)錫球、c4凸塊、金屬凸塊或金屬柱等，可以被形成在rdl結構30的下表面上，并電連接至金屬繞線310a與金屬層310。

請參閱圖17至圖19，其中圖17是依據(jù)本發(fā)明另一實施例所繪示的具有四個中介元件的半導體封裝的上視圖，圖18是沿著圖17中切線vii-vii’所視的剖面示意圖，圖19是沿著圖17中切線viii-viii’所視的剖面示意圖。

如圖17至圖19所示，半導體封裝4包含四個獨立分離的中介元件：第一中介元件21、第二中介元件22、第三中介元件23及第四中介元件24。上述四個中介元件可以具有相同的尺寸大小且并列排列。根據(jù)本發(fā)明實施例，上述四個中介元件可以分別位于一參考坐標的四個象限。根據(jù)本發(fā)明實施例，從上往下看時，上述四個中介元件均為矩形。

在第一中介元件21與第二中介元件22之間、在第三中介元件23與第四中介元件24之間，設有一連續(xù)的狹長細縫200a，其沿著參考y軸延伸。通過細縫200a，第一中介元件21與第二中介元件22彼此分離，第三中介元件23與第四中介元件24彼此分離。在第一中介元件21與第三中介元件23之間、在第二中介元件22與第四中介元件24之間，設有一連續(xù)的狹長細縫200b，其沿著參考x軸延伸。細縫200a與細縫200b交錯。

根據(jù)本發(fā)明實施例，上述四個中介元件可以是由硅、玻璃或有機材料所構成。在不脫離本發(fā)明范疇下，中介元件也可以是由其它材料所構成。上述四個中介元件可以在晶圓或矩陣型態(tài)下制造，并且可以包括有源、無源元件(圖未示)或穿硅通孔。

在第一中介元件21及第三中介元件23上，以覆晶方式設置有一第一晶粒11，且第一晶粒11與細縫200b重疊。在第二中介元件22及第四中介元件24上，以覆晶方式設置有一第二晶粒12，且第二晶粒12與細縫200b重疊。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11及第二晶粒12不會與細縫200a重疊。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11與第二晶粒12位于共平面上。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11與第二晶粒12是沿著參考x軸方向上平行排列。雖然圖中僅顯示兩個晶粒11及12，但應理解在其它實施例中，可以有更多的晶粒，例如3個或4個晶粒，被安裝在圖中的中介元件上。

從圖18及圖19中可看出，第一晶粒11是通過多個連接件110，例如焊錫凸塊或金屬凸塊，電連接至第一中介元件21及第三中介元件23。第二晶粒12是通過多個連接件120，例如焊錫凸塊或金屬凸塊，電連接至第二中介元件22及第四中介元件24。

根據(jù)本發(fā)明實施例，第一晶粒11及第二晶粒12被一第一模塑料40所圍繞。根據(jù)本發(fā)明實施例，連接件110、連接件120、第一至第四中介元件21～24則是被一第二模塑料50所包覆住。細縫200a、200b則是被第二模塑料50填滿。根據(jù)本發(fā)明實施例，第一模塑料40及第二模塑料50可以具有彼此不相同的組成，而且可以在不同的溫度下進行固化，但不限于此。

半導體封裝4可以另包含一重分布層(rdl)結構30。rdl結構30可以包含至少一金屬層310與至少一介電層320。上述介電層320可包含有機材料，例如，聚亞酰胺(pi)，或者無機材料，例如氮化硅、氧化硅等，但不限于此。金屬層310可包含鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦或類似的材料。需理解的是，在其它實施例中，rdl結構30可以包含多個金屬層或多個層繞線。

根據(jù)本發(fā)明實施例，在第一中介元件21中包含tsv210的電路及在第二中介元件22中包含tsv220的電路可以經(jīng)由至少一金屬繞線(或架橋繞線)310a而彼此電連接。金屬繞線310a跨過細縫200a。rdl結構30的金屬繞線310a與金屬層310可以傳遞第一晶粒11與第二晶粒22之間的信號。接點510，例如錫球、球格矩陣(bga)錫球、c4凸塊、金屬凸塊或金屬柱等，可以被形成在rdl結構30的下表面上，并電連接至金屬繞線310a與金屬層310。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。