技術(shù)編號:12307766
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體封裝技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種具有多個共面中介元件的半導體封裝。背景技術(shù)如本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的,集成電路芯片通常是先被組裝成封裝構(gòu)件,再以焊錫連接至印刷電路板上。各個集成電路芯片可以利用常規(guī)控制崩潰芯片接合(ControlledCollapsedChipConnection,簡稱C4)工藝所形成的焊錫凸塊與封裝構(gòu)件內(nèi)的基材電連接。已知,在半導體封裝中,有時會利用一中介襯底(interposersubstrate),例如具有穿硅通孔(throughsiliconvia,TSV)的硅...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。