本發(fā)明涉及電光學(xué)裝置以及電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

近年來，在如頭戴式顯示器那樣能夠形成虛像的電子設(shè)備中，使用利用oled(organiclightemittingdiode：有機(jī)發(fā)光二極管)來作為發(fā)光元件的電光學(xué)裝置。在這種電光學(xué)裝置中，如專利文獻(xiàn)1所記載的那樣，作為實(shí)現(xiàn)彩色顯示的方法之一，提出一種使用彩色濾光片的方式。

該方式是使用發(fā)白色光的oled作為光源，經(jīng)由紅色、綠色、藍(lán)色這三原色的彩色濾光片而得到紅色、綠色、藍(lán)色的發(fā)光的方式。將oled和三原色的任意一種顏色的濾光片組合來作為子像素，將三原色的子像素組合來作為像素。然后，將該像素排列為矩陣狀來構(gòu)成顯示裝置的畫面，但作為該像素的排列方式，已知有沿畫面的縱向(上下方向)或者橫向(左右方向)排列相同顏色的子像素的方式。

然而，來自發(fā)白色光的oled的發(fā)光是漫射光。另外，在oled與彩色濾光片之間存在用于密封oled的由無機(jī)膜或者樹脂膜構(gòu)成的具有厚度的透明層。因此，在彩色濾光片方式的電光學(xué)裝置中存在如下問題：來自某個(gè)子像素的oled的發(fā)光的一部分透過鄰接的子像素的彩色濾光片，根據(jù)觀察畫面的角度而產(chǎn)生混色。

在沿畫面的縱向(上下方向)排列相同顏色的子像素的方式中，即使從斜向觀察畫面，關(guān)于縱向也幾乎不產(chǎn)生色差。另一方面，對于橫(左右)向，在從斜向觀察面板的情況下，紅色與綠色混色后的光、紅色與藍(lán)色混色后的光、綠色與藍(lán)色混色后的光等混色光被視覺確認(rèn)，所以與從正面觀察的情況相比，產(chǎn)生色差。

專利文獻(xiàn)1提出了：沿橫向(左右方向)排列紅色和綠色的子像素的反射電極，并且相對于紅色和綠色的子像素的反射電極沿縱向(上下方向)排列藍(lán)色的子像素的反射電極。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2013-211147號公報(bào)

然而，在專利文獻(xiàn)1所記載的電光學(xué)裝置中，各種顏色的子像素用的掃描線沿縱向(上下方向)排列，在一水平掃描期間選擇的掃描線數(shù)增加。其結(jié)果是，有可能一水平掃描期間中的各掃描線的選擇時(shí)間變短，從數(shù)據(jù)傳輸線向像素的寫入變難。

另外，如專利文獻(xiàn)1那樣，藍(lán)色的子像素中的反射層的橫向(左右方向)的寬度比紅色的子像素與綠色的子像素結(jié)合而成的一像素中的橫向(左右方向)的寬度短，所以有可能藍(lán)色的光照射到晶體管，晶體管特性發(fā)生變化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明例如是鑒于上述課題而完成的，其課題在于提供一種即使在沿橫(左右)向排列至少一個(gè)顏色的子像素的情況下，也能夠防止來自發(fā)光層的光照射到晶體管且防止各掃描線的選擇時(shí)間變短的電光學(xué)裝置以及具備該電光學(xué)裝置的電子設(shè)備。

為了解決上述課題，本發(fā)明的電光學(xué)裝置的一方式的特征在于，具備：多個(gè)第一導(dǎo)電層，沿第一方向延伸；多個(gè)第二導(dǎo)電層，沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸；以及多個(gè)子像素，同上述多個(gè)第一導(dǎo)電層與上述多個(gè)第二導(dǎo)電層的各個(gè)交叉對應(yīng)地排列，上述多個(gè)子像素的各個(gè)子像素包括：發(fā)光元件的第三導(dǎo)電層；多個(gè)晶體管；第四導(dǎo)電層，被配置成與上述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管重疊；以及第五導(dǎo)電層，與上述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管電連接，并且被配置在上述第三導(dǎo)電層與上述第四導(dǎo)電層之間的層，上述多個(gè)晶體管被配置在上述第一方向的寬度比上述第二方向的寬度窄的像素電路區(qū)域的內(nèi)部，上述多個(gè)第一導(dǎo)電層中的一個(gè)導(dǎo)電層與上述多個(gè)子像素中的在上述第一方向上相鄰的兩個(gè)子像素的各個(gè)子像素所包括的上述多個(gè)晶體管的至少一個(gè)電連接，對于上述多個(gè)子像素中的至少一個(gè)子像素的上述第三導(dǎo)電層而言，上述第一方向的寬度比上述第二方向的寬度寬，并且與上述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管以及上述第四導(dǎo)電層重疊。

根據(jù)該方式，另外，至少一個(gè)子像素中的發(fā)光元件的第三導(dǎo)電層例如反射層的第一方向的寬度比第二方向的寬度寬。例如，對于作為藍(lán)色的顯示色的子像素中的發(fā)光元件的第三導(dǎo)電層的一個(gè)例子的反射層而言，作為第一方向的一個(gè)例子的行方向的寬度比作為第二方向的一個(gè)例子的列方向的寬度寬。因此，在被設(shè)計(jì)成電光學(xué)裝置的主光線較大地傾斜的方向成為第一方向的情況下，能夠?qū)⑾嗤伾淖酉袼嘏帕性陲@示面的第一方向。其結(jié)果是，提供一種即使從斜向觀察顯示面關(guān)于第一方向也幾乎不產(chǎn)生色差的電光學(xué)裝置。

并且，作為第三導(dǎo)電層的一個(gè)例子的反射層被配置成與至少一個(gè)晶體管以及上述第四導(dǎo)電層重疊。因此，來自發(fā)光層的光被作為第三導(dǎo)電層的一個(gè)例子的反射層遮擋，從而防止照射到晶體管。另外，第四導(dǎo)電層被配置成與上述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管重疊，第三導(dǎo)電層被配置成與第四導(dǎo)電層重疊。因此，來自發(fā)光層的光例如被作為第三導(dǎo)電層的一個(gè)例子的反射層遮擋，并且也被第四導(dǎo)電層遮擋，從而可靠地防止該光照射到晶體管。

并且，在第三導(dǎo)電層與第四導(dǎo)電層之間的層配置與上述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管電連接的第五導(dǎo)電層。因此，由作為與上述至少一個(gè)晶體管電連接且流動(dòng)較大的電流的第五導(dǎo)電層的一個(gè)例子的中繼電極產(chǎn)生的噪聲被第四導(dǎo)電層遮擋，從而抑制對晶體管的影響。

在上述的電光學(xué)裝置的一方式中，也可以：上述多個(gè)第一導(dǎo)電層是掃描線。根據(jù)該方式，由于各子像素中的多個(gè)晶體管被配置在上述第一方向的寬度比上述第二方向的寬度窄的像素電路區(qū)域的內(nèi)部，所以能夠使各子像素用的掃描線共用化。因此，不增加掃描線的數(shù)量而防止一個(gè)水平掃描期間中的各掃描線的選擇時(shí)間變短。

在上述的電光學(xué)裝置的一方式中，也可以：上述多個(gè)晶體管中的與上述第三導(dǎo)電層以及上述第四導(dǎo)電層重疊的上述晶體管是驅(qū)動(dòng)晶體管。根據(jù)該方式，來自發(fā)光層的光被第三導(dǎo)電層以及第四導(dǎo)電層遮擋，從而防止照射到驅(qū)動(dòng)晶體管，由此，不使驅(qū)動(dòng)晶體管的特性變化。因此，穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件。

在上述的電光學(xué)裝置的一方式中，也可以：上述第四導(dǎo)電層是與上述驅(qū)動(dòng)晶體管連接的電源配線。根據(jù)該方式，來自發(fā)光層的光也被電源配線遮擋，從而防止照射到驅(qū)動(dòng)晶體管。其結(jié)果是，不使驅(qū)動(dòng)晶體管的特性變化而穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件。

在上述的電光學(xué)裝置的一方式中，也可以：上述第四導(dǎo)電層是沿上述第一方向延伸的電源配線。根據(jù)該方式，來自發(fā)光層的光也被作為第四導(dǎo)電層的一個(gè)例子的電源配線遮擋，該電源配線存在于作為第一方向的一個(gè)例子的行方向，從而防止該光照射到晶體管。

在上述的電光學(xué)裝置的一方式中，也可以：上述多個(gè)子像素中的至少兩個(gè)子像素的上述第三導(dǎo)電層的面積相互不同，上述至少兩個(gè)子像素的各個(gè)子像素的上述第五導(dǎo)電層被配置成與上述至少兩個(gè)子像素的上述第三導(dǎo)電層中的面積最小的上述第三導(dǎo)電層重疊。根據(jù)該方式，能夠縮短與各子像素的至少一個(gè)晶體管連接的第五導(dǎo)電層。因此，減少由流動(dòng)較大的電流的第五導(dǎo)電層所引起的噪聲，抑制該噪聲對晶體管的影響。

在上述的電光學(xué)裝置的一方式中，也可以：將上述多個(gè)子像素中的一個(gè)子像素的上述第五導(dǎo)電層與上述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管電連接的連接部位于上述一個(gè)子像素的上述第三導(dǎo)電層與在上述第一方向上同上述一個(gè)子像素鄰接的子像素的上述第三導(dǎo)電層之間。根據(jù)該方式，能夠使各子像素的與至少一個(gè)晶體管連接的第五導(dǎo)電層的長度均等化，防止由晶體管導(dǎo)致的驅(qū)動(dòng)的偏差。

在上述的電光學(xué)裝置的一方式中，也可以：將上述至少兩個(gè)子像素的各個(gè)的上述第五導(dǎo)電層分別與上述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管電連接的連接部分別位于上述面積最小的上述第三導(dǎo)電層的上述第一方向的中心線上。根據(jù)該方式，能夠使各子像素的與至少一個(gè)晶體管連接的第五導(dǎo)電層的長度最小。因此，減少由流動(dòng)較大的電流的第五導(dǎo)電層產(chǎn)生的噪聲，抑制該噪聲對晶體管的影響。

在上述的電光學(xué)裝置的一方式中，也可以：將上述至少兩個(gè)子像素的各個(gè)的上述第五導(dǎo)電層分別與上述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管電連接的連接部分別被配置成在俯視時(shí)與上述面積最小的上述第三導(dǎo)電層重疊。根據(jù)該方式，能夠縮短將各子像素的晶體管與第三導(dǎo)電層連接的第五導(dǎo)電層的長度。因此，減少噪聲，抑制該噪聲對晶體管的影響。

在上述的電光學(xué)裝置的一方式中，也可以：將上述多個(gè)子像素中的一個(gè)子像素的上述第五導(dǎo)電層與上述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管電連接的連接部位于上述多個(gè)晶體管的上述第二方向上的端部以外的位置。根據(jù)該方式，能夠使第三導(dǎo)電層和第五導(dǎo)電層的連接部與第三導(dǎo)電層的位置容易地相匹配。因此，能夠進(jìn)行通過一像素單位的像素內(nèi)的第三導(dǎo)電層的對一像素單位的像素內(nèi)的晶體管的遮光。

在上述的電光學(xué)裝置的一方式中，也可以：上述多個(gè)子像素中的一個(gè)子像素的上述第五導(dǎo)電層與上述第二導(dǎo)電層形成在同一層，并且位于上述一個(gè)子像素的上述第二導(dǎo)電層與在上述第一方向上同上述一個(gè)子像素鄰接的子像素的上述第二導(dǎo)電層之間。根據(jù)該方式，由于第五導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層形成在同一層，所以使第五導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層的形成工序簡單化。另外，由于第五導(dǎo)電層位于在行方向上相鄰的一個(gè)第二導(dǎo)電層與其它第二導(dǎo)電層之間，所以第五導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的寄生電容與第二導(dǎo)電層串聯(lián)連接，從而減少第二導(dǎo)電層的電容。

在上述的電光學(xué)裝置的一方式中，也可以：上述第五導(dǎo)電層形成在與上述第二導(dǎo)電層不同的層。根據(jù)該方式，形成于第二導(dǎo)電層與上層之間的寄生電容與第二導(dǎo)電層串聯(lián)連接，從而減少第二導(dǎo)電層的電容。

在上述的電光學(xué)裝置的一方式中，也可以：對于上述多個(gè)子像素而言，將在上述第一方向上鄰接的顯示色不同的多個(gè)子像素作為一像素單位。根據(jù)該方式，由于各顯示色的子像素中的多個(gè)晶體管被配置在第一方向的寬度比第二方向的寬度窄的像素電路區(qū)域的內(nèi)部，所以能夠使各顯示色的子像素用的掃描線等控制線共用化。因此，不增加控制線的數(shù)量而防止一個(gè)水平掃描期間中的各掃描線的選擇時(shí)間變短。另外，第三導(dǎo)電層例如反射層的第一方向的寬度比第二方向的寬度寬。例如，對于作為藍(lán)色的顯示色的子像素中的發(fā)光元件的第三導(dǎo)電層的一個(gè)例子的反射層而言，作為第一方向的一個(gè)例子的行方向的寬度比作為第二方向的一個(gè)例子的列方向的寬度寬。因此，在被設(shè)計(jì)成電光學(xué)裝置的主光線較大的傾斜的方向成為第一方向的情況下，能夠?qū)⑾嗤伾淖酉袼嘏帕性陲@示面的第一方向。其結(jié)果是，提供一種即使從斜向觀察顯示面關(guān)于第一方向也幾乎不產(chǎn)生色差的電光學(xué)裝置。

接下來，本發(fā)明所涉及的電子設(shè)備具備上述的本發(fā)明所涉及的電光學(xué)裝置。那樣的電子設(shè)備通過具備了oled等發(fā)光元件的電光學(xué)裝置，可提供一種無色差、并且不產(chǎn)生由來自發(fā)光層的光導(dǎo)致的晶體管的特性的變化、而且可靠地進(jìn)行從數(shù)據(jù)傳輸線向像素的寫入的圖像品質(zhì)較高的電子設(shè)備。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的立體圖。

圖2是表示該實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。

圖3是表示像素電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖4是表示像素電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖5是表示子像素的列方向的剖視圖。

圖6是一像素單位的像素的行方向的剖視圖。

圖7是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖8是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖9是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖10是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖11是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖12是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖13是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖14是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖15是形成于本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的基板上的各要素的說明圖。

圖16是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖17是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖18是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖19是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖20是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖21是形成于本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的基板上的各要素的說明圖。

圖22是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖23是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖24是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖25是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖26是形成于基板上的各要素的說明圖。

圖27是一像素單位的像素的行方向的剖視圖。

圖28是子像素的列方向的剖視圖。

圖29是表示電子設(shè)備的例子的說明圖。

圖30是表示電子設(shè)備的其它例子的說明圖。

圖31是表示電子設(shè)備的其它例子的說明圖。

具體實(shí)施方式

使用附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外，在以下的附圖中，為了使各層、各部件成為能夠在附圖上識別的程度的大小，按每層、每個(gè)部件而使比例尺不同。

第一實(shí)施方式

圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置1的結(jié)構(gòu)的立體圖。電光學(xué)裝置1例如是在頭戴式顯示器中顯示圖像的微型顯示器。

如圖1所示，電光學(xué)裝置1具備顯示面板2以及對顯示面板2的動(dòng)作進(jìn)行控制的控制電路3。顯示面板2具備多個(gè)像素電路以及驅(qū)動(dòng)該像素電路的驅(qū)動(dòng)電路。在本實(shí)施方式中，顯示面板2所具備的多個(gè)像素電路以及驅(qū)動(dòng)電路形成于硅基板，像素電路使用作為發(fā)光元件的一個(gè)例子的oled。另外，顯示面板2例如被收納于在顯示部開口的框狀的殼體82中，并且連接fpc(flexibleprintedcircuits：柔性電路板)基板84的一端。

在fpc基板84上通過cof(chiponfilm：覆晶薄膜)技術(shù)安裝半導(dǎo)體芯片的控制電路3，并且設(shè)置有多個(gè)端子86，并與省略圖示的上位電路連接。

圖2是表示本實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置1的結(jié)構(gòu)的框圖。如上述那樣，電光學(xué)裝置1具備顯示面板2以及控制電路3。

從省略圖示的上位電路對控制電路3與同步信號同步地供給數(shù)字的圖像數(shù)據(jù)vdata。這里，所謂圖像數(shù)據(jù)vdata是例如用8位規(guī)定應(yīng)由顯示面板2(嚴(yán)格來說，后述的顯示部100)顯示的圖像的像素的灰度電平的數(shù)據(jù)。另外，所謂同步信號是包括垂直同步信號、水平同步信號以及點(diǎn)時(shí)鐘信號的信號。

控制電路3基于同步信號來生成各種控制信號，并對顯示面板2供給各種控制信號。具體而言，控制電路3對顯示面板2供給控制信號ctr、控制信號sel(1)、sel(2)、sel(3)以及與這些信號處于邏輯反轉(zhuǎn)的關(guān)系的控制信號/sel(1)、/sel(2)、/sel(3)。

這里，控制信號ctr是包括脈沖信號、時(shí)鐘信號、使能信號等多個(gè)信號的信號。

此外，存在將控制信號sel(1)、sel(2)、sel(3)統(tǒng)稱為控制信號sel、將控制信號/sel(1)、/sel(2)、/sel(3)統(tǒng)稱為控制信號/sel的情況。

進(jìn)一步，控制電路3基于圖像數(shù)據(jù)vdata來生成模擬的圖像信號vid。具體而言，在控制電路3設(shè)置有將圖像信號vid表示的電位以及顯示面板2所具備的發(fā)光元件(后述的oled)的亮度建立對應(yīng)地存儲(chǔ)的查找表。而且，控制電路3通過參照該查找表來生成表示與圖像數(shù)據(jù)vdata中所規(guī)定的發(fā)光元件的亮度對應(yīng)的電位的圖像信號vid，并對顯示面板2供給該圖像信號vid。

如圖2所示，顯示面板2具備顯示部100以及驅(qū)動(dòng)該顯示部100的驅(qū)動(dòng)電路(數(shù)據(jù)傳輸線驅(qū)動(dòng)電路5以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路6)。

在顯示部100呈矩陣狀地排列與應(yīng)顯示的圖像的像素對應(yīng)的像素電路110。詳細(xì)而言，在顯示部100中，m行的作為第一導(dǎo)電層的掃描線22在圖中沿作為第一方向的一個(gè)例子的行方向(x方向)延伸設(shè)置。另外，按每三列分組的(3n)列的作為第二導(dǎo)電層的數(shù)據(jù)傳輸線26在圖中沿作為第二方向的一個(gè)例子的列方向(y方向)延伸、且與各掃描線22相互保持電絕緣地設(shè)置。在本實(shí)施方式中，像素電路110按照m行×(3n)列被排列成矩陣狀。

這里，m、n均為自然數(shù)。為了區(qū)分掃描線22以及像素電路110的矩陣中的行(row)，存在在圖中從上至下依次稱為1、2、3、…、(m-1)、m行的情況。同樣為了區(qū)分?jǐn)?shù)據(jù)傳輸線26以及像素電路110的矩陣的列(column)，存在在圖中從左至右依次稱為1、2、3、…、(3n-1)、(3n)列的情況。

這里，為了概括說明數(shù)據(jù)傳輸線26的組，若將1以上的任意的整數(shù)表示為n，則第(3n-2)列、第(3n-1)列以及第(3n)列的數(shù)據(jù)傳輸線26屬于從左數(shù)第n個(gè)組。

此外，與同一行的掃描線22和屬于同一組的三列數(shù)據(jù)傳輸線26對應(yīng)的三個(gè)像素電路110分別與g(綠)、r(紅)、b(藍(lán))的顯示色的子像素對應(yīng)，這三個(gè)子像素表現(xiàn)作為應(yīng)顯示的彩色圖像的一像素單位的一點(diǎn)。即，在本實(shí)施方式中，成為通過與rgb對應(yīng)的oled的發(fā)光并利用加色混合來表現(xiàn)一點(diǎn)的彩色的構(gòu)成。

掃描線驅(qū)動(dòng)電路6根據(jù)控制信號ctr來生成用于在一個(gè)幀期間內(nèi)逐行按順序掃描m條掃描線22的掃描信號gwr。這里，將向第1、第2、第3、…、第m行的掃描線22供給的掃描信號gwr分別記載為gwr(1)、gwr(2)、gwr(3)、…、gwr(m-1)、gwr(m)。

此外，掃描線驅(qū)動(dòng)電路6除了掃描信號gwr(1)～gwr(m)之外，還按每行生成與該掃描信號gwr同步的各種控制信號并供給給顯示部100，但在圖2中省略圖示。另外，所謂幀期間是指電光學(xué)裝置1顯示一個(gè)鏡頭(片段)的圖像所需要的期間，例如若同步信號所包括的垂直同步信號的頻率為120hz，則是其1周期的8.3毫秒的期間。

數(shù)據(jù)傳輸線驅(qū)動(dòng)電路5具備：與(3n)列數(shù)據(jù)傳輸線26的每一條一一對應(yīng)地設(shè)置的(3n)個(gè)數(shù)據(jù)傳輸電路dt、按構(gòu)成各組的每三列數(shù)據(jù)傳輸線26所設(shè)置的n個(gè)多路分配器dm以及數(shù)據(jù)信號供給電路70。

數(shù)據(jù)信號供給電路70基于由控制電路3供給的圖像信號vid和控制信號ctr來生成數(shù)據(jù)信號vd(1)、vd(2)、…、vd(n)。即，數(shù)據(jù)信號供給電路70基于對數(shù)據(jù)信號vd(1)、vd(2)、…、vd(n)進(jìn)行了時(shí)分復(fù)用所得的圖像信號vid來生成數(shù)據(jù)信號vd(1)、vd(2)、…、vd(n)。而且，數(shù)據(jù)信號供給電路70對與第1、第2、…、第n組對應(yīng)的多路分配器dm分別供給數(shù)據(jù)信號vd(1)、vd(2)、…、vd(n)。多路分配器dm根據(jù)來自控制電路3的控制信號sel以及控制信號/sel而接通/斷開，并按順序向構(gòu)成各組的三列數(shù)據(jù)傳輸線26供給數(shù)據(jù)信號。

圖3是位于顯示部100內(nèi)的各子像素的像素電路110的電路圖。如圖3中例示的那樣，像素電路110構(gòu)成為包括發(fā)光元件45、驅(qū)動(dòng)晶體管tdr、寫入控制晶體管twr、電容元件c、發(fā)光控制晶體管tel以及補(bǔ)償晶體管tcmp。此外，在本實(shí)施方式中，雖然將像素電路110的各晶體管(tdr、tel、twr、tcmp)設(shè)為p溝道型，但也能夠利用n溝道型的晶體管。

發(fā)光元件45是使包括有機(jī)el材料(oled)的發(fā)光層的發(fā)光功能層46夾在第一電極(陽極)e1與第二電極(陰極)e2之間的電光學(xué)元件。第一電極e1按每個(gè)像素電路110分別獨(dú)立地形成，第二電極e2遍及多個(gè)像素電路110連續(xù)。如從圖3理解的那樣，發(fā)光元件45被配置在將作為第四導(dǎo)電層的第一電源導(dǎo)電體(以下，作為電源配線)41與第二電源導(dǎo)電體42連結(jié)的路徑上。對電源配線41供給高位側(cè)的電源電位vel。對第二電源導(dǎo)電體42供給低位側(cè)的電源電位(例如接地電位)vct。本實(shí)施方式的像素電路110能夠通過所謂的耦合驅(qū)動(dòng)方式、所謂的電流編程方式的任一種方式驅(qū)動(dòng)。首先，對基于耦合驅(qū)動(dòng)方式的驅(qū)動(dòng)進(jìn)行說明。

發(fā)光控制晶體管tel作為對驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的一對電流端中的另一方(漏極或者源極)與發(fā)光元件45的第一電極e1的導(dǎo)通狀態(tài)(導(dǎo)通/非導(dǎo)通)進(jìn)行控制的開關(guān)發(fā)揮作用。驅(qū)動(dòng)晶體管tdr生成與自身的柵極-源極間的電壓對應(yīng)的電流量的驅(qū)動(dòng)電流。在發(fā)光控制晶體管tel被控制為導(dǎo)通狀態(tài)的狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)電流從驅(qū)動(dòng)晶體管tdr經(jīng)由發(fā)光控制晶體管tel供給給發(fā)光元件45，由此發(fā)光元件45以與驅(qū)動(dòng)電流的電流量對應(yīng)的亮度發(fā)光。另外，在發(fā)光控制晶體管tel被控制為截止?fàn)顟B(tài)的狀態(tài)下，針對發(fā)光元件45的驅(qū)動(dòng)電流的供給被切斷，由此發(fā)光元件45熄滅。發(fā)光控制晶體管tel的柵極與控制線28連接。

補(bǔ)償晶體管tcmp具有對驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的閾值電壓的變動(dòng)進(jìn)行補(bǔ)償?shù)墓δ?。在發(fā)光控制晶體管tel為截止?fàn)顟B(tài)、寫入控制晶體管twr以及驅(qū)動(dòng)晶體管tdr被控制為導(dǎo)通狀態(tài)的狀態(tài)下，進(jìn)行如下那樣的動(dòng)作。若補(bǔ)償晶體管tcmp被控制為導(dǎo)通狀態(tài)，則驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的柵極電位與漏極或者源極電位相等，驅(qū)動(dòng)晶體管tdr成為二極管連接。因此，在驅(qū)動(dòng)晶體管tdr中流動(dòng)的電流對柵極節(jié)點(diǎn)以及數(shù)據(jù)傳輸線26進(jìn)行充電。詳細(xì)而言，電流按照電源配線41→驅(qū)動(dòng)晶體管tdr→補(bǔ)償晶體管tcmp→數(shù)據(jù)傳輸線26這個(gè)路徑流動(dòng)。因此，通過將驅(qū)動(dòng)晶體管tdr控制為導(dǎo)通狀態(tài)而處于相互連接狀態(tài)的數(shù)據(jù)傳輸線26以及柵極節(jié)點(diǎn)從初始狀態(tài)的電位開始上升。但是，若將驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的閾值電壓設(shè)為|vth|，則在上述路徑流動(dòng)的電流隨著柵極節(jié)點(diǎn)越接近電位(vel-|vth|)而難以流動(dòng)。其結(jié)果是，直至使補(bǔ)償晶體管tcmp成為截止?fàn)顟B(tài)的補(bǔ)償期間的結(jié)束為止，數(shù)據(jù)傳輸線26以及柵極節(jié)點(diǎn)在電位(vel-|vth|)飽和。因此，電容元件c直至使補(bǔ)償晶體管tcmp成為截止?fàn)顟B(tài)的補(bǔ)償期間的結(jié)束為止保持驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的閾值電壓|vth|。

在本實(shí)施方式中，在水平掃描期間內(nèi)具有補(bǔ)償期間與寫入期間，掃描線驅(qū)動(dòng)電路6通過向各掃描線22供給掃描信號而依次在每個(gè)水平掃描期間選擇多條掃描線22的每一條。與掃描線驅(qū)動(dòng)電路6所選擇的掃描線22對應(yīng)的各像素電路110的寫入控制晶體管twr轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因此，各像素電路110的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr也轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。另外，掃描線驅(qū)動(dòng)電路6通過向各控制線27供給控制信號而依次在每個(gè)補(bǔ)償期間選擇多條控制線27的每一條。與掃描線驅(qū)動(dòng)電路6所選擇的控制線27對應(yīng)的各像素電路110的補(bǔ)償晶體管tcmp轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。而且，電容元件c直至補(bǔ)償晶體管tcmp成為截止?fàn)顟B(tài)的補(bǔ)償期間的結(jié)束為止保持驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的閾值電壓|vth|。若通過掃描線驅(qū)動(dòng)電路6向各控制線27供給控制信號而將各像素電路110的補(bǔ)償晶體管tcmp控制為截止?fàn)顟B(tài)，則從數(shù)據(jù)傳輸線26至驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的柵極節(jié)點(diǎn)為止的路徑變?yōu)楦≈脿顟B(tài)。但是，被電容元件c維持為(vel-|vth|)。接下來，數(shù)據(jù)傳輸線驅(qū)動(dòng)電路5在每個(gè)寫入期間對電容元件cref并列地供給與按每個(gè)像素電路110指定從外部電路供給的圖像信號的灰度對應(yīng)的灰度電位(數(shù)據(jù)信號)。而且，灰度電位使用電容元件cref使電平移位，該電位經(jīng)由數(shù)據(jù)傳輸線26和寫入控制晶體管twr被供給給各像素電路110的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的柵極。在電容元件c中補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的閾值電壓|vth|并且保持與灰度電位對應(yīng)的電壓。另一方面，若寫入期間中的掃描線22的選擇結(jié)束，則掃描線驅(qū)動(dòng)電路6通過向各控制線28供給控制信號而將與該控制線28對應(yīng)的各像素電路110的發(fā)光控制晶體管tel控制為導(dǎo)通狀態(tài)。因此，與緊接之前的寫入期間被電容元件c保持的電壓對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流從驅(qū)動(dòng)晶體管tdr經(jīng)由發(fā)光控制晶體管tel被供給給發(fā)光元件45。如以上那樣，各發(fā)光元件45以與灰度電位對應(yīng)的亮度發(fā)光，從而圖像信號所指定的任意圖像被顯示于顯示部100。而且，從驅(qū)動(dòng)晶體管tdr向發(fā)光元件45供給的驅(qū)動(dòng)電流抵消閾值電壓的影響，所以即使驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的閾值電壓在每個(gè)像素電路110有偏差，也可補(bǔ)償該偏差。另外，由于與灰度電平對應(yīng)的電流被供給給發(fā)光元件45，所以抑制損害顯示畫面的一致性那樣的顯示不均的產(chǎn)生，其結(jié)果是，能夠進(jìn)行高品質(zhì)的顯示。

接下來，參照圖4對基于電流編程方式的驅(qū)動(dòng)進(jìn)行說明。若掃描線22的掃描信號變?yōu)閘電平，則寫入控制晶體管twr成為導(dǎo)通狀態(tài)。另外，若控制線27的控制信號變?yōu)閘電平，則補(bǔ)償晶體管tcmp成為導(dǎo)通狀態(tài)。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管tdr同柵極電位和與發(fā)光控制晶體管tel的連接側(cè)的源極電位或者漏極電位相等，從而作為二極管發(fā)揮作用。而且，若數(shù)據(jù)傳輸線26的數(shù)據(jù)信號變?yōu)閘電平，則電流idata按照電源配線41→驅(qū)動(dòng)晶體管tdr→補(bǔ)償晶體管tcmp→數(shù)據(jù)傳輸線26這個(gè)路徑流動(dòng)。另外，此時(shí)，與驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的柵極節(jié)點(diǎn)的電位對應(yīng)的電荷被積蓄于電容元件c。

若控制線27的控制信號變?yōu)閔電平，則補(bǔ)償晶體管tcmp成為截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，電容元件c的兩端的電壓保持為流動(dòng)電流idata時(shí)的電壓。若控制線28的控制信號成為l電平，則發(fā)光控制晶體管tel成為導(dǎo)通狀態(tài)，在驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的源極·漏極間流動(dòng)與柵極電壓對應(yīng)的電流ioled。詳細(xì)而言，該電流按照電源配線41→驅(qū)動(dòng)晶體管tdr→發(fā)光控制晶體管tel→發(fā)光元件45這個(gè)路徑流動(dòng)。

這里，在發(fā)光元件45中流動(dòng)的電流ioled由驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的柵極節(jié)點(diǎn)和與電源配線41的連接側(cè)的漏極節(jié)點(diǎn)或者與源極節(jié)點(diǎn)之間的電壓規(guī)定。該電壓是在根據(jù)l電平的掃描信號而電流idata流到數(shù)據(jù)傳輸線26時(shí)被電容元件c保持的電壓。因此，在控制線28的控制信號變成l電平時(shí)，在發(fā)光元件45中流動(dòng)的電流ioled與緊接之前流動(dòng)的電流idata大致一致。這樣，在電流編程方式的驅(qū)動(dòng)的情況下，根據(jù)電流idata來規(guī)定發(fā)光亮度。此外，掃描線22為與控制線27不同的配線，但也可以將掃描線22和控制線27設(shè)為一條配線。

以下對第一實(shí)施方式的電光學(xué)裝置1的具體的構(gòu)造進(jìn)行詳述。此外，在以下的說明所參照的各附圖中，為了便于說明，使各要素的尺寸、比例尺與實(shí)際的電光學(xué)裝置1不同。圖5是用圖10所示的i-i’線將g(綠)的顯示色的子像素切斷的剖視圖。圖6是用圖10所示的ii-ii’線將一像素單位的像素切斷的剖視圖。圖7～圖12是著眼于一像素單位的一個(gè)或者兩個(gè)像素來對形成電光學(xué)裝置1的各要素的各階段中的基板10的表面的樣子進(jìn)行圖示的俯視圖。在圖7～圖12中，從將各要素的視覺上的掌握容易化的觀點(diǎn)來看，在與圖5以及圖6共用的各要素附加與圖5以及圖6相同方式的陰影線。

如從圖5～圖7理解的那樣，在由硅等半導(dǎo)體材料形成的基板10的表面形成像素電路110的各晶體管(tdr、twr、tel、tcmp)的有源區(qū)域10a(源極/漏極區(qū)域)。在有源區(qū)域10a注入離子。像素電路110的各晶體管(tdr、twr、tel、tcmp)的活性層存在于源極區(qū)域與漏極區(qū)域之間，注入與有源區(qū)域10a不同的種類的離子，但為了方便，與有源區(qū)域10a一體地記載。如從圖5～圖7理解的那樣，形成有有源區(qū)域10a的基板10的表面被絕緣膜l0(柵極絕緣膜)覆蓋，各晶體管的柵極層gt(gtdr、gtwr、gtel、gtcmp)形成于絕緣膜l0的面上。各晶體管的柵極層gt隔著絕緣膜l0與活性層對置。

另外，在本實(shí)施方式中，如圖7所示，g(綠)、r(紅)、b(藍(lán))的各子像素中的多個(gè)晶體管(tdr、twr、tel、tcmp)被配置在行方向(x方向)的寬度比列方向(y方向)的寬度窄的像素電路區(qū)域的內(nèi)部。此外，在圖7～圖12中，將g(綠)的各子像素中的多個(gè)晶體管表示為gtr。另外，將r(紅)的各子像素中的多個(gè)晶體管表示為rtr。并且，將b(藍(lán))的各子像素中的多個(gè)晶體管表示為btr。

如從圖5以及圖6理解的那樣，在形成有各晶體管的柵極層gt的絕緣膜l0的面上形成交替層疊了多個(gè)絕緣層l(la～le)和多個(gè)導(dǎo)電層(配線層)而成的多層配線層。各絕緣層l例如由硅化合物(典型的為氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機(jī)材料形成。此外，在以下的說明中，將通過導(dǎo)電層(單層或者多層)的選擇性的除去而在相同工序中一并形成多個(gè)要素的關(guān)系記載為“由同一層形成”。

絕緣層la形成于形成有各晶體管的柵極層gt的絕緣膜l0的面上。如從圖5、圖6以及圖8理解的那樣，在絕緣層la的面上由同一層形成多個(gè)中繼電極qb(qb1、qb2、qb3、qb4、qb5、qb6、qb7、qb8)。

如從圖5～圖8理解的那樣，中繼電極qb1經(jīng)由貫通絕緣膜l0和絕緣層la的導(dǎo)通孔ha1與形成驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

中繼電極qb2經(jīng)由貫通絕緣層la的導(dǎo)通孔hb1與驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的柵極層gtdr導(dǎo)通。另外，中繼電極qb2經(jīng)由貫通絕緣層la和絕緣膜l0的導(dǎo)通孔ha4與形成寫入控制晶體管twr的源極區(qū)域或者漏極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

中繼電極qb3經(jīng)由貫通絕緣膜l0和絕緣層la的導(dǎo)通孔ha2與形成驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。中繼電極qb3還經(jīng)由貫通絕緣膜l0和絕緣層la的導(dǎo)通孔ha6與形成補(bǔ)償晶體管tcmp的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。并且，中繼電極qb3經(jīng)由貫通絕緣膜l0和絕緣層la的導(dǎo)通孔ha8與形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

中繼電極qb4經(jīng)由貫通絕緣層la的導(dǎo)通孔hb2與寫入控制晶體管twr的柵極層gtwr導(dǎo)通。

中繼電極qb5經(jīng)由貫通絕緣膜l0和絕緣層la的導(dǎo)通孔ha3與形成寫入控制晶體管twr的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。中繼電極qb5還經(jīng)由貫通絕緣膜l0和絕緣層la的導(dǎo)通孔ha5與形成補(bǔ)償晶體管tcmp的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

中繼電極qb6經(jīng)由貫通絕緣層la的導(dǎo)通孔hb3與補(bǔ)償晶體管tcmp的柵極層gtcmp導(dǎo)通。

中繼電極qb7經(jīng)由貫通絕緣層la的導(dǎo)通孔hb4與發(fā)光控制晶體管tel的柵極層gtel導(dǎo)通。

中繼電極qb8經(jīng)由貫通絕緣膜l0和絕緣層la的導(dǎo)通孔ha7與形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

如從圖5以及圖6理解的那樣，絕緣層lb形成于形成有多個(gè)中繼電極qb(qb1、qb2、qb3、qb4、qb5、qb6、qb7、qb8)的絕緣層la的面上。如從圖5、圖6以及圖9理解的那樣，在絕緣層lb的面上形成電源配線41、掃描線22、補(bǔ)償晶體管tcmp的控制線27、發(fā)光控制晶體管tel的控制線28以及多個(gè)中繼電極qc(qc1、qc2)。

作為第四導(dǎo)電層的電源配線41經(jīng)由多層配線層內(nèi)的配線(圖示省略)與供給高位側(cè)的電源電位vel的安裝端子(圖示省略)導(dǎo)通。此外，電源配線41形成于顯示部100的顯示區(qū)域(圖示省略)內(nèi)。另外，雖然省略圖示，但在顯示區(qū)域的周邊區(qū)域內(nèi)形成其它電源配線。該電源配線經(jīng)由多層配線層內(nèi)的配線(圖示省略)與供給低位側(cè)的電源電位vct的安裝端子(圖示省略)導(dǎo)通。電源配線41以及供給低位側(cè)的電源電位vct的電源配線例如由含有銀、鋁的導(dǎo)電材料例如形成為100nm左右的膜厚。

另外，如從圖9理解的那樣，電源配線41遍及多個(gè)像素電路110在行方向(x方向)上呈直線狀地延伸。換句話說，電源配線41以俯視時(shí)與各色的子像素的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr重疊的方式沿行方向(x方向)配置。

電源配線41經(jīng)由貫通絕緣層lb的導(dǎo)通孔hc1與各色的子像素中的形成驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

另外，電源配線41通過絕緣層lc與后述的數(shù)據(jù)傳輸線26電絕緣。

如從圖6以及圖9理解的那樣，作為第一導(dǎo)電層的掃描線22遍及多個(gè)像素電路110在行方向(x方向)上呈直線狀地延伸設(shè)置。掃描線22經(jīng)由貫通絕緣層lb的導(dǎo)通孔hc2與各色的子像素的寫入控制晶體管twr的柵極層gtwr導(dǎo)通。掃描線22通過絕緣層lc與后述的數(shù)據(jù)傳輸線26電絕緣。

如從圖6以及圖9理解的那樣，補(bǔ)償晶體管tcmp的控制線27遍及多個(gè)像素電路110在行方向(x方向)上呈直線狀地延伸設(shè)置?？刂凭€27經(jīng)由絕貫通緣層lb的導(dǎo)通孔hc4與各色的子像素的補(bǔ)償晶體管tcmp的柵極層gtcmp導(dǎo)通?？刂凭€27通過絕緣層lc與后述的數(shù)據(jù)傳輸線26電絕緣。

如從圖6以及圖9理解的那樣，發(fā)光控制晶體管tel的控制線28遍及多個(gè)像素電路110在行方向(x方向)上呈直線狀地延伸設(shè)置?？刂凭€28經(jīng)由貫通絕緣層lb的導(dǎo)通孔hc5與各色的子像素的發(fā)光控制晶體管tel的柵極層gtel導(dǎo)通?？刂凭€28通過絕緣層lc與后述的數(shù)據(jù)傳輸線26電絕緣。

如從圖6以及圖9理解的那樣，中繼電極qc1經(jīng)由貫通絕緣層lb的導(dǎo)通孔hc3與中繼電極qb5導(dǎo)通。另外，中繼電極qc2經(jīng)由貫通絕緣層lb的導(dǎo)通孔hc6與中繼電極qb8導(dǎo)通。

絕緣層lc形成于形成有電源配線41、掃描線22、補(bǔ)償晶體管tcmp的控制線27、發(fā)光控制晶體管tel的控制線28以及多個(gè)中繼電極qc(qc1、qc2)的絕緣層lb的面上。如從圖5、圖6以及圖10理解的那樣，在絕緣層lc的面上形成數(shù)據(jù)傳輸線26以及作為第五導(dǎo)電層的多個(gè)中繼電極qd(qd1、qd2、qd3)。

作為第二導(dǎo)電層的數(shù)據(jù)傳輸線26遍及多個(gè)像素電路在列方向(y方向)上呈直線狀地延伸，并通過絕緣層ld與后述的反射層43b、43g、43r電絕緣。如從圖10理解的那樣，數(shù)據(jù)傳輸線26經(jīng)由貫通絕緣層lc的導(dǎo)通孔hd2與中繼電極qc1導(dǎo)通。換句話說，數(shù)據(jù)傳輸線26經(jīng)由導(dǎo)通孔hd2、中繼電極qc1、導(dǎo)通孔hc3、中繼電極qb5、導(dǎo)通孔ha3以及導(dǎo)通孔ha5與形成寫入控制晶體管twr和補(bǔ)償晶體管tcmp的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

如從圖5、圖6以及圖10理解的那樣，中繼電極qd1經(jīng)由貫通絕緣層lc的導(dǎo)通孔hd1與b(藍(lán))的顯示色的子像素中的中繼電極qc2導(dǎo)通。因此，中繼電極qd1經(jīng)由導(dǎo)通孔hd1、中繼電極qc2、導(dǎo)通孔hc6、中繼電極qb8以及導(dǎo)通孔ha7與b(藍(lán))的顯示色的子像素中的形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

如從圖5、圖6以及圖10理解的那樣，中繼電極qd2經(jīng)由貫通絕緣層lc的導(dǎo)通孔hd1與r(紅)的顯示色的子像素中的中繼電極qc2導(dǎo)通。因此，中繼電極qd1經(jīng)由導(dǎo)通孔hd1、中繼電極qc2、導(dǎo)通孔hc6、中繼電極qb8以及導(dǎo)通孔ha7與r(紅)的顯示色的子像素中的形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

如從圖5、圖6以及圖10理解的那樣，中繼電極qd3經(jīng)由貫通絕緣層lc的導(dǎo)通孔hd1與g(綠)的顯示色的子像素中的中繼電極qc2導(dǎo)通。因此，中繼電極qd1經(jīng)由導(dǎo)通孔hd1、中繼電極qc2、導(dǎo)通孔hc6、中繼電極qb8以及導(dǎo)通孔ha7與g(綠)的顯示色的子像素中的形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

絕緣層ld形成于形成有數(shù)據(jù)傳輸線26以及多個(gè)中繼電極qd(qd1、qd2、qd3)的絕緣層lc的面上。如從圖5、圖6以及圖11理解的那樣，在絕緣層ld的面上形成作為第三導(dǎo)電層的反射層43b、43g、43r。反射層43b是b(藍(lán))的顯示色的子像素中的反射層，反射層43g是g(綠)的顯示色的子像素中的反射層。另外，反射層43r是r(紅)的顯示色的子像素中的反射層。

如從圖11理解的那樣，對于反射層43b而言，行方向的寬度比列方向的寬度寬、且以俯視時(shí)與各色的子像素的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr重疊的方式沿行方向(x方向)配置。因此，反射層43b以俯視時(shí)與b(藍(lán))的子像素的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr、r(紅)的子像素的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr以及g(綠)的子像素的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr、即與構(gòu)成應(yīng)顯示的彩色圖像的一像素單位的三個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管tdr重疊的方式沿行方向(x方向)配置。

反射層43b經(jīng)由貫通絕緣層ld的導(dǎo)通孔he1與中繼電極qd1導(dǎo)通。換句話說，反射層43b經(jīng)由導(dǎo)通孔he1、中繼電極qd1、導(dǎo)通孔hd1、中繼電極qc2、導(dǎo)通孔hc6、中繼電極qb8以及導(dǎo)通孔ha7與b(藍(lán))的子像素的形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

此外，如圖11所示，以俯視時(shí)按照反射層43b、43g、43r的順序設(shè)置反射層，與這些反射層43b、43g、43r重疊的各色的子像素的多個(gè)晶體管成為一像素單位的像素中的多個(gè)晶體管。因此，反射層43b在列方向(y方向)上與前一個(gè)的一像素單位的像素中的b(藍(lán))的子像素的形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

反射層43r經(jīng)由貫通絕緣層ld的導(dǎo)通孔he2與中繼電極qd2導(dǎo)通。換句話說，反射層43r經(jīng)由導(dǎo)通孔he2、中繼電極qd2、導(dǎo)通孔hd1、中繼電極qc2、導(dǎo)通孔hc6、中繼電極qb8以及導(dǎo)通孔ha7與r(紅)的子像素的形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

反射層43g經(jīng)由貫通絕緣層ld的導(dǎo)通孔he3與中繼電極qd3導(dǎo)通。換句話說，反射層43g經(jīng)由導(dǎo)通孔he3、中繼電極qd3、導(dǎo)通孔hd1、中繼電極qc2、導(dǎo)通孔hc6、中繼電極qb8以及導(dǎo)通孔ha7與g(綠)的子像素的形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

反射層43b、43g、43r例如由含有銀、鋁的光反射性的導(dǎo)電材料例如形成為100nm左右的膜厚。如圖11所示，反射層43b、43g、43r被配置成俯視時(shí)與各色的子像素的晶體管重疊。因此，存在通過反射層43b、43g、43r防止外光的侵入、能夠防止由光照射所引起的各晶體管的電流泄漏這些優(yōu)點(diǎn)。

另外，在本實(shí)施方式中，各色的子像素中的多個(gè)晶體管被配置在行方向(x方向)的寬度比列方向(y方向)的寬度窄的像素電路區(qū)域的內(nèi)部，但各色的子像素中的反射層43b、43g、43r沿行方向(x方向)配置。因此，能夠使掃描線22在各色的子像素的寫入控制晶體管twr中共用化，并且使各色的子像素的顯示區(qū)域在行方向(x方向)上形成為長方形的形式。

絕緣層le形成于形成有反射層43b、43g、43r的絕緣層ld的面上。如圖5所例示的那樣，在絕緣層le的表面形成中繼電極qe1。

中繼電極qe1經(jīng)由貫通絕緣層le的導(dǎo)通孔hf1與反射層43b、43g、43r導(dǎo)通。中繼電極qe1是構(gòu)成像素電極導(dǎo)通部的中繼電極之一，如從圖5～圖11理解的那樣，經(jīng)由反射層43b、43g、43r、多個(gè)中繼電極以及多個(gè)導(dǎo)通孔與形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

如圖5所例示的那樣，在形成有中繼電極qe1的絕緣層le的面上形成光路調(diào)整層60。光路調(diào)整層60是規(guī)定各像素電路110的共振結(jié)構(gòu)的共振波長(即顯示色)的透光性的膜體。在顯示色相同的像素中，共振結(jié)構(gòu)的共振波長大致相同，在顯示色不同的像素中，共振結(jié)構(gòu)的共振波長不同。

如圖5、圖6以及圖12所例示的那樣，在光路調(diào)整層60的面上形成各色的每個(gè)子像素的第一電極e1。第一電極e1例如由ito(indiumtinoxide：銦錫氧化物)等透光性的導(dǎo)電材料形成。如參照圖3以及圖4前述的那樣，第一電極e1是作為發(fā)光元件45的陽極發(fā)揮作用的大致矩形狀的電極(像素電極)。如從圖5、圖6以及圖12理解的那樣，第一電極e1經(jīng)由形成在光路調(diào)整層60的導(dǎo)通孔hg1與中繼電極qe1導(dǎo)通。因此，如從圖5～圖12理解的那樣，第一電極e1經(jīng)由光路調(diào)整層60、反射層43b、43g、43r、多個(gè)中繼電極以及多個(gè)導(dǎo)通孔與形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

如圖5、圖6以及圖12所例示的那樣，在形成有第一電極e1的光路調(diào)整層60的面上遍及基板10的整個(gè)區(qū)域形成像素定義層65。像素定義層65例如由硅化合物(典型的為氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機(jī)材料形成。如從圖12理解的那樣，通過像素定義層65形成與各顯示色的子像素中的第一電極e1對應(yīng)的開口部。

對于開口部的大小而言，b(藍(lán))色的子像素的開口部的大小最大，g(綠)色和r(紅)色的子像素的開口部的大小成為相同的大小。但是，在顯示色不同的子像素間，也可以使開口部的大小不同。

開口部在列方向(y方向)上，按照b(藍(lán))色、g(綠)色以及r(紅)色的子像素的順序以共同的間距排列。另外，相同顏色的子像素的開口部遍及行方向(x方向)以共同的間距排列。

如圖5以及圖6所示，在第一電極e1的上層層疊發(fā)光功能層46、第二電極e2以及密封體47，在形成有以上的各要素的基板10的表面例如用粘合劑接合密封基板(圖示省略)。密封基板是用于保護(hù)基板10上的各要素的透光性的板狀部件(例如玻璃基板)。此外，在密封基板的表面或者密封體47的表面按照每個(gè)子像素的像素電路形成彩色濾光片。作為彩色濾光片，使用b(藍(lán))色的彩色濾光片cfb、g(綠)色的彩色濾光片cfg以及r(紅)色的彩色濾光片cfr。

如以上說明的那樣，在本實(shí)施方式中，由于各色的子像素中的多個(gè)晶體管沿行方向(x方向)的寬度比列方向(y方向)的寬度窄的像素電路區(qū)域配置，所以能夠使掃描線22在各色的子像素的寫入控制晶體管twr中共用化，而不使一個(gè)水平掃描期間中選擇的掃描線22的數(shù)量增加。其結(jié)果是，能夠防止一個(gè)水平掃描期間中的各掃描線22的選擇時(shí)間變短，并可靠地從數(shù)據(jù)傳輸線26向第一電極e1寫入數(shù)據(jù)。

另外，在本實(shí)施方式中，將各色的子像素中的多個(gè)晶體管沿行方向(x方向)的寬度比列方向(y方向)的寬度窄的像素電路區(qū)域配置，并且各色的子像素中的反射層43b、43g、43r的行方向(x方向)的寬度比列方向(y方向)的寬度寬。因此，即使在被設(shè)計(jì)為電光學(xué)裝置1的主光線較大地傾斜的方向成為行方向(x方向)的情況下，也能夠不增加掃描線22的數(shù)量而在顯示面的行方向(x方向)上排列相同顏色的子像素。其結(jié)果是，提供一種即使從斜向觀察顯示面關(guān)于行方向(x方向)也幾乎不產(chǎn)生色差的電光學(xué)裝置1。

在本實(shí)施方式中，各色的子像素中的反射層43b、43g、43r以與各色的子像素中的晶體管重疊的方式沿行方向(x方向)配置。因此，能夠防止來自發(fā)光功能層46的光照射到晶體管，并不使晶體管的特性變化。特別是面積最大的藍(lán)色的子像素中的反射層43b被配置成與各色的子像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr重疊。因此，可靠地防止來自發(fā)光功能層46的光對給精細(xì)灰度顯示造成影響的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的照射，防止驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的特性的變化，能夠進(jìn)行準(zhǔn)確的灰度顯示。

在本實(shí)施方式中，在藍(lán)色的子像素中的反射層43b與各色的子像素中的晶體管之間設(shè)置有以與各色的子像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr重疊的方式沿行方向(x方向)配置的電源配線41。因此，來自發(fā)光功能層46的光不僅被反射層43b遮擋，也被面積與其它配線相比比較大的電源配線41遮擋，從而能夠更進(jìn)一步可靠地防止照射到驅(qū)動(dòng)晶體管tdr。因此，更進(jìn)一步可靠地防止來自發(fā)光功能層46的光對給精細(xì)灰度顯示造成影響的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的照射，防止驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的特性的變化，能夠進(jìn)行準(zhǔn)確的灰度顯示。

另外，在本實(shí)施方式中，將各色的子像素中的反射層43b、43g、43r與各色的子像素中的發(fā)光控制晶體管tel連接的中繼電極qd1、qd2、qd3形成在形成有電源配線41的層與形成有反射層43b、43g、43r的層之間的層。因此，來自流動(dòng)較大的電流的中繼電極qd1、qd2、qd3的噪聲被電源配線41遮擋，能夠抑制噪聲對驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的影響。

在本實(shí)施方式中，反射層43b的面積與反射層43g、43r的面積不同。反射層43b的面積最大，反射層43g、43r的面積相互相同，且小于反射層43b的面積。換句話說，被設(shè)置成反射層43b、43g、43r中的至少兩個(gè)反射層的面積相互不同。而且，將各色的子像素中的反射層43b、43g、43r和各色的子像素中的發(fā)光控制晶體管tel連接的中繼電極qd1、qd3、qd2形成于面積最小的反射層43g、43r的下層。因此，能夠縮短中繼電極qd1、qd3、qd2的長度。其結(jié)果是，來自流動(dòng)較大的電流的中繼電極qd1、qd3、qd2的噪聲減少，能夠?qū)⒃撛肼晫︱?qū)動(dòng)晶體管tdr的影響抑制得較低。

另外，在本實(shí)施方式中，作為將中繼電極qd1、qd2、qd3和發(fā)光控制晶體管tel連接的連接部的導(dǎo)通孔hd1在俯視時(shí)位于最小的反射層亦即反射層43g、43r的附近的下層。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，也能夠縮短中繼電極qd1、qd2、qd3的長度。其結(jié)果是，使來自流動(dòng)較大的電流的中繼電極qd1、qd2、qd3的噪聲減少，能夠?qū)⒃撛肼晫︱?qū)動(dòng)晶體管tdr的影響抑制得較低。

并且，中繼電極qd1、qd2、qd3與數(shù)據(jù)傳輸線26形成在同一層，并位于行方向上相鄰的一條數(shù)據(jù)傳輸線26與其它數(shù)據(jù)傳輸線26之間。因此，在數(shù)據(jù)傳輸線26與中繼電極qd1、qd2、qd3之間形成寄生電容。為了減少寄生電容，中繼電極qd1、qd2、qd3優(yōu)選位于相鄰的一條數(shù)據(jù)傳輸線26與其它數(shù)據(jù)傳輸線26的大致中央。能夠縮短數(shù)據(jù)向數(shù)據(jù)傳輸線26的寫入時(shí)間以及從數(shù)據(jù)傳輸線26向第一電極e1的數(shù)據(jù)的寫入時(shí)間。

此外，在上述的實(shí)施方式中，如從圖10以及圖11理解的那樣，作為將中繼電極qd1、qd2、qd3與發(fā)光控制晶體管tel連接的連接部的導(dǎo)通孔hd1的位置被配置成與反射層43r的行方向的中心線錯(cuò)開的位置。

但是，本發(fā)明并不限定于這樣的結(jié)構(gòu)，例如，如圖13以及圖14所示，也可以將作為連接中繼電極qd1、qd2、qd3與發(fā)光控制晶體管tel的連接部的導(dǎo)通孔hd1的位置配置于反射層43r的行方向的中心線上。

圖13是與圖10對應(yīng)的圖，圖14是與圖11對應(yīng)的圖。如從圖13以及圖14理解的那樣，作為將中繼電極qd1、qd2、qd3與發(fā)光控制晶體管tel連接的連接部的導(dǎo)通孔hd1的位置被配置在反射層43r的行方向的中心線iii-iii’上。通過這樣進(jìn)行配置，能夠使中繼電極qd1和中繼電極qd3的長度相等。其結(jié)果是，能夠?qū)⒏髯酉袼刂械钠钜种频妮^低。另外，由于能夠使中繼電極qd1和中繼電極qd3的長度最短，所以能夠減少來自流動(dòng)較大的電流的中繼電極qd1、qd2、qd3的噪聲，并將該噪聲對驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的影響抑制得較低。

第二實(shí)施方式

接下來，參照圖15～圖20對本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖15～圖20是分別與第一實(shí)施方式的圖7～圖12對應(yīng)的圖。對與第一實(shí)施方式的共同位置標(biāo)注同一符號并省略說明。

在第一實(shí)施方式中，如圖7所示，對沿列方向(y方向)按照驅(qū)動(dòng)晶體管tdr、寫入控制晶體管twr、補(bǔ)償晶體管tcmp以及發(fā)光控制晶體管tel的順序配置各子像素的晶體管的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說明。

但是，在第二實(shí)施方式中，如圖15所示，沿列方向(y方向)按照發(fā)光控制晶體管tel、驅(qū)動(dòng)晶體管tdr、寫入控制晶體管twr以及補(bǔ)償晶體管tcmp的順序配置各子像素的晶體管。

另外，在第一實(shí)施方式中，如圖11所示，沿列方向(y方向)按照藍(lán)色的子像素的反射層43b、綠色的子像素的反射層43g以及紅色的子像素的反射層43r的順序配置了各反射層。但是，在本實(shí)施方式中，如圖19所示，沿列方向(y方向)按照綠色的子像素的反射層43g、藍(lán)色的子像素的反射層43b以及紅色的子像素的反射層43r的順序配置了各反射層。

如從圖15～圖20理解的那樣，在本實(shí)施方式中，各色的子像素中的多個(gè)晶體管也被配置在行方向(x方向)的寬度比列方向(y方向)的寬度窄的像素電路區(qū)域的內(nèi)部。因此，能夠使掃描線22在各色的子像素的寫入控制晶體管twr中共用化，而不使一個(gè)水平掃描期間中選擇的掃描線22的數(shù)量增加。其結(jié)果是，能夠防止一個(gè)水平掃描期間中的各掃描線22的選擇時(shí)間變短，并可靠地從數(shù)據(jù)傳輸線26向第一電極e1寫入數(shù)據(jù)。

另外，在本實(shí)施方式中，也將各色的子像素中的多個(gè)晶體管配置在行方向(x方向)的寬度比列方向(y方向)的寬度窄的像素電路區(qū)域的內(nèi)部，并且各色的子像素中的反射層43g、43b、43r的行方向(x方向)的寬度比列方向(y方向)的寬度寬。因此，即使在被設(shè)計(jì)成電光學(xué)裝置1的主光線較大地傾斜的方向成為行方向(x方向)的情況下，也能夠不增加掃描線22的數(shù)量而將相同顏色的子像素排列在顯示面的行方向(x方向)上。其結(jié)果是，提供一種即使從斜向觀察顯示面關(guān)于行方向(x方向)也幾乎不產(chǎn)生色差的電光學(xué)裝置1。

并且，在本實(shí)施方式中，各色的子像素中的反射層43b、43g、43r也以與各色的子像素中的晶體管重疊的方式沿行方向(x方向)配置。因此，能夠防止來自發(fā)光功能層46的光照射到晶體管，且不使晶體管的特性變化。特別是，面積最大的藍(lán)色的子像素中的反射層43b被配置成與各色的子像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr重疊。因此，可靠地防止來自發(fā)光功能層46的光對給精細(xì)灰度顯示造成影響的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的照射，防止驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的特性的變化，能夠進(jìn)行準(zhǔn)確的灰度顯示。

此外，在本實(shí)施方式中，各色的子像素中的反射層43b、43g、43r的面積不同。藍(lán)色的子像素中的反射層43b的面積最大，綠色的子像素中的反射層43g的面積小于反射層43b的面積。而且，紅色的子像素中的反射層43r的面積最小。

另外，在本實(shí)施方式中，在藍(lán)色的子像素中的反射層43b與各色的子像素中的晶體管之間設(shè)置以與各色的子像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr重疊的方式沿行方向(x方向)配置的電源配線41。因此，來自發(fā)光功能層46的光不僅被反射層43b遮擋，也被面積與其它配線相比比較大的電源配線41遮擋，從而能夠更進(jìn)一步可靠地防止照射到驅(qū)動(dòng)晶體管tdr。因此，更進(jìn)一步可靠地防止來自發(fā)光功能層46的光對給精細(xì)灰度顯示造成影響的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的照射，防止驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的特性的變化，能夠進(jìn)行準(zhǔn)確的灰度顯示。

如從圖18以及圖19理解的那樣，在本實(shí)施方式中，作為與多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管亦即發(fā)光控制晶體管tel電連接的第五導(dǎo)電層的中繼電極qd1、qd2、qd3被配置在形成有電源配線41的層與形成有反射層43g、43b、43r的層之間的層。因此，來自流動(dòng)較大的電流的中繼電極qd1、qd2、qd3的噪聲被電源配線41遮擋，能夠抑制噪聲對驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的影響。

如從圖19理解的那樣，在本實(shí)施方式中，作為將中繼電極qd1、qd2、qd3與發(fā)光控制晶體管tel連接的連接部的導(dǎo)通孔hd1在俯視時(shí)位于面積最小的反射層亦即反射層43g的附近的下層。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，也能夠縮短中繼電極qd1、qd2、qd3的長度。其結(jié)果是，使來自流動(dòng)較大的電流的中繼電極qd1、qd2、qd3的噪聲減少，能夠?qū)⒃撛肼晫︱?qū)動(dòng)晶體管tdr的影響抑制得較低。

另外，在本實(shí)施方式中，如從圖19理解的那樣，作為將中繼電極qd1、qd2、qd3與發(fā)光控制晶體管tel連接的連接部的導(dǎo)通孔hd1被設(shè)置在列方向上相鄰的反射層43g與反射層43b之間的位置。因此，如圖18所示，至少能夠使中繼電極qd1、qd3的長度均等化。其結(jié)果是，至少在相鄰的子像素間，能夠抑制由中繼電極的長度的不同導(dǎo)致的偏差。

在本實(shí)施方式中，沿列方向(y方向)在發(fā)光控制晶體管tel的下一個(gè)配置驅(qū)動(dòng)晶體管tdr。因此，作為將中繼電極qd1、qd2、qd3與發(fā)光控制晶體管tel連接的連接部的導(dǎo)通孔hd1的位置位于沿列方向(y方向)配置的多個(gè)晶體管的列方向(y方向)上的端部以外的位置。該結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式不同。通過這樣構(gòu)成，容易使成為像素接觸部的導(dǎo)通孔hd1的位置與反射層43g、43b、43r的配置相匹配。其結(jié)果是，在相同的一像素單位內(nèi)，能夠通過反射層43g、43b、43r防止來自發(fā)光功能層46的光對驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的照射。

如從圖18理解的那樣，在本實(shí)施方式中，中繼電極qd1、qd2、qd3也與數(shù)據(jù)傳輸線26形成在同一層，位于行方向上相鄰的一條數(shù)據(jù)傳輸線26與其它數(shù)據(jù)傳輸線26之間。因此，在數(shù)據(jù)傳輸線26與中繼電極qd1、qd2、qd3之間形成寄生電容。為了減少寄生電容，優(yōu)選中繼電極qd1、qd2、qd3位于相鄰的一條數(shù)據(jù)傳輸線26與其它數(shù)據(jù)傳輸線26的大致中央。能夠縮短向數(shù)據(jù)傳輸線26寫入數(shù)據(jù)的寫入時(shí)間以及從數(shù)據(jù)傳輸線26向第一電極e1的數(shù)據(jù)的寫入時(shí)間。

第三實(shí)施方式

接下來，參照圖21～圖28對本發(fā)明的第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，各子像素的晶體管由驅(qū)動(dòng)晶體管tdr、發(fā)光控制晶體管tel以及寫入控制晶體管twr這三個(gè)晶體管構(gòu)成。

圖21～圖26是用于對形成于本實(shí)施方式的電光學(xué)裝置1中的基板10上的各要素進(jìn)行說明的俯視圖。圖27是與包括圖26中的iv-iv’線的剖面對應(yīng)的剖視圖。圖28是與包括圖26中的v-v’線的剖面對應(yīng)的剖視圖。此外，圖21～圖26是俯視圖，但從使各要素的視覺上的掌握容易化的觀點(diǎn)來看，為了方便而在與圖27以及圖28共用的各要素附加與圖27以及圖28相同方式的陰影線。

此外，在圖21～圖26中，虛線所示的長方形表示各子像素的反射層的位置。

如從圖21理解的那樣，對于本實(shí)施方式而言，各子像素的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr、發(fā)光控制晶體管tel以及寫入控制晶體管twr的溝道長方向?yàn)榱蟹较?y方向)，發(fā)光控制晶體管tel與寫入控制晶體管twr呈一直線狀地并列配置。

相對于各子像素的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr，發(fā)光控制晶體管tel以及寫入控制晶體管twr被配置在行方向(x方向)上。但是，在按照g(綠)、r(紅)、b(藍(lán))的各子像素單位觀察的情況下，在本實(shí)施方式中，子像素中的多個(gè)晶體管也沿列方向(y方向)配置。

另外，在本實(shí)施方式中，各晶體管的柵極層gtdr、gtwr、gtel與控制線等的連接部不設(shè)置于溝道上的位置，而設(shè)置于行方向(x方向)上錯(cuò)開的位置。

如從圖21、圖27以及圖28理解的那樣，在由硅等半導(dǎo)體材料形成的基板10的表面形成像素電路110的各晶體管(tdr、twr、tel)的有源區(qū)域10a(源極/漏極區(qū)域)。在有源區(qū)域10a注入有離子。像素電路110的各晶體管(tdr、twr、tel)的活性層存在于源極區(qū)域與漏極區(qū)域之間，且注入與有源區(qū)域10a不同種類的離子，但為了方便而與有源區(qū)域10a一體記載。如從圖21、圖27以及圖28理解的那樣，形成有有源區(qū)域10a的基板10的表面被絕緣膜l0(柵極絕緣膜)覆蓋，各晶體管的柵極層gt(gtdr、gtwr、gtel)形成于絕緣膜l0的面上。各晶體管的柵極層gt隔著絕緣膜l0與活性層對置。

如從圖27以及圖28理解的那樣，在形成有各晶體管的柵極層gt的絕緣膜l0的面上形成交替層疊了多個(gè)絕緣層l(la～lf)和多個(gè)導(dǎo)電層(配線層)而成的多層配線層。各絕緣層l例如由硅化合物(典型的為氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機(jī)材料形成。此外，在以下的說明中，將通過導(dǎo)電層(單層或者多層)的選擇性的除去而在相同工序中一并形成多個(gè)要素的關(guān)系記載為“由同一層形成”。

絕緣層la形成于形成有各晶體管的柵極層gt的絕緣膜l0的面上。如從圖21、圖27以及圖28理解的那樣，在絕緣層la的面上由同一層形成發(fā)光控制晶體管tel的控制線28、掃描線22以及多個(gè)中繼電極qb(qb10、qb11、qb12、qb13、qb14)。

如從圖22、圖27以及圖28理解的那樣，作為第一導(dǎo)電層的掃描線22遍及多個(gè)像素電路110在行方向(x方向)上呈直線狀地延伸設(shè)置。掃描線22經(jīng)由貫通絕緣層la的導(dǎo)通孔hb12與各色的子像素的寫入控制晶體管twr的柵極層gtwr導(dǎo)通。掃描線22通過絕緣層lb與后述的數(shù)據(jù)傳輸線26電絕緣。

如從圖22、圖27以及圖28理解的那樣，發(fā)光控制晶體管tel的控制線28遍及多個(gè)像素電路110在行方向(x方向)上呈直線狀地延伸設(shè)置?？刂凭€28經(jīng)由貫通絕緣層la的導(dǎo)通孔hb11與各色的子像素的發(fā)光控制晶體管tel的柵極層gtel導(dǎo)通?？刂凭€28通過絕緣層lb與后述的數(shù)據(jù)傳輸線26電絕緣。

如從圖22、圖27以及圖28理解的那樣，中繼電極qb10經(jīng)由貫通絕緣膜l0和絕緣層la的導(dǎo)通孔ha11與形成驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

另外，中繼電極qb10經(jīng)由貫通絕緣膜l0和絕緣層la的導(dǎo)通孔ha12與形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

中繼電極qb11經(jīng)由貫通絕緣層la的導(dǎo)通孔hb10與驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的柵極層gtdr導(dǎo)通。另外，中繼電極qb11經(jīng)由貫通絕緣層la和絕緣膜l0的導(dǎo)通孔ha14與形成寫入控制晶體管twr的源極區(qū)域或者漏極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

中繼電極qb12經(jīng)由貫通絕緣膜l0和絕緣層la的導(dǎo)通孔ha10與形成驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

中繼電極qb13經(jīng)由貫通絕緣膜l0和絕緣層la的導(dǎo)通孔ha13與形成驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

中繼電極qb14經(jīng)由貫通絕緣膜l0和絕緣層la的導(dǎo)通孔ha15與形成寫入控制晶體管twr的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

如從圖23、圖27以及圖28理解的那樣，絕緣層lb形成于形成有控制線28、掃描線22以及多個(gè)中繼電極qb(qb10、qb11、qb12、qb13、qb14)的絕緣層la的面上。在絕緣層lb的面上形成數(shù)據(jù)傳輸線26以及多個(gè)中繼電極qc(qc10、qc11、qc12)。

作為第二導(dǎo)電層的數(shù)據(jù)傳輸線26遍及多個(gè)像素電路在列方向(y方向)上呈直線狀地延伸，并通過絕緣層lc與后述的反射層43b、43g、43r電絕緣。如從圖23理解的那樣，數(shù)據(jù)傳輸線26與相對于數(shù)據(jù)傳輸線26而沿行方向(x方向)延伸的中繼電極qc12一體形成。中繼電極qc12經(jīng)由貫通絕緣層lb的導(dǎo)通孔hc12與形成寫入控制晶體管twr的源極區(qū)域或者漏極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

如從圖23、圖27以及圖28理解的那樣，中繼電極qc10經(jīng)由貫通絕緣層lb的導(dǎo)通孔hc10與中繼電極qb12導(dǎo)通。中繼電極qc11經(jīng)由貫通絕緣層lb的導(dǎo)通孔hc11與中繼電極qb13導(dǎo)通。

絕緣層lc形成于形成有數(shù)據(jù)傳輸線26以及多個(gè)中繼電極qc(qc10、qc11、qc12)的絕緣層lb的面上。如從圖24、圖27以及圖28理解的那樣，在絕緣層lc的面上形成作為第四導(dǎo)電層的電源配線41以及中繼電極qd10。

作為第四導(dǎo)電層的電源配線41經(jīng)由多層配線層內(nèi)的配線(圖示省略)與供給高位側(cè)的電源電位vel的安裝端子(圖示省略)導(dǎo)通。此外，電源配線41形成于顯示部100的顯示區(qū)域(圖示省略)內(nèi)。另外，雖然省略圖示，但在顯示區(qū)域的周邊區(qū)域內(nèi)形成其它電源配線。該電源配線經(jīng)由多層配線層內(nèi)的配線(圖示省略)與供給低位側(cè)的電源電位vct的安裝端子(圖示省略)導(dǎo)通。電源配線41以及供給低位側(cè)的電源電位vct的電源配線例如由含有銀、鋁的導(dǎo)電材料例如形成為100nm左右的膜厚。

另外，如從圖24理解的那樣，除了形成有中繼電極qd10的部分之外，在整個(gè)面形成有電源配線41。換句話說，電源配線41以俯視時(shí)與r(紅)色、g(綠)色以及b(藍(lán))色的子像素的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr、寫入控制晶體管twr以及發(fā)光控制晶體管tel重疊的方式，按照每個(gè)子像素沿列方向(y方向)配置。在第一實(shí)施方式以及第二實(shí)施方式中，電源配線41被配置成與各色的子像素的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr重疊。但是，在本實(shí)施方式中，電源配線41被配置成與各色的子像素的所有晶體管重疊。

電源配線41經(jīng)由貫通絕緣層lc的導(dǎo)通孔hd10與各色的子像素中的形成驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

電源配線41通過絕緣層lc與數(shù)據(jù)傳輸線26電絕緣。

如圖24所示，在電源配線41中，在中心部附近形成有開口部，在該開口部內(nèi)形成中繼電極qd10。中繼電極qd10經(jīng)由貫通絕緣層lc的導(dǎo)通孔hd11與中繼電極qc11導(dǎo)通。

絕緣層ld形成于形成有電源配線41以及中繼電極qd10的絕緣層lc的面上。如從圖25、圖27以及圖28理解的那樣，在絕緣層ld的面上形成作為第五導(dǎo)電層的中繼電極qe10、qe11、qe12。

如從圖25、圖27以及圖28理解的那樣，中繼電極qe10經(jīng)由貫通絕緣層ld的導(dǎo)通孔he10與r(紅)的顯示色的子像素中的中繼電極qd10導(dǎo)通。因此，中繼電極qe10經(jīng)由導(dǎo)通孔he10、中繼電極qd10、導(dǎo)通孔hd11、中繼電極qc11、導(dǎo)通孔hc11、中繼電極qb13以及導(dǎo)通孔ha13與r(紅)的顯示色的子像素中的發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域?qū)ā?/p>

如從圖25、圖27以及圖28理解的那樣，中繼電極qe11經(jīng)由貫通絕緣層ld的導(dǎo)通孔he10與g(綠)的顯示色的子像素中的中繼電極qd10導(dǎo)通。因此，中繼電極qe11經(jīng)由導(dǎo)通孔he10、中繼電極qd10、導(dǎo)通孔hd11、中繼電極qc11、導(dǎo)通孔hc11、中繼電極qb13以及導(dǎo)通孔ha13與g(綠)的顯示色的子像素中的發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域?qū)ā?/p>

如從圖25、圖27以及圖28理解的那樣，中繼電極qe12經(jīng)由貫通絕緣層ld的導(dǎo)通孔he10與b(藍(lán))的顯示色的子像素中的中繼電極qd10導(dǎo)通。因此，中繼電極qe12經(jīng)由導(dǎo)通孔he10、中繼電極qd10、導(dǎo)通孔hd11、中繼電極qc11、導(dǎo)通孔hc11、中繼電極qb13以及導(dǎo)通孔ha13與b(藍(lán))的顯示色的子像素中的發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域?qū)ā?/p>

絕緣層le形成于形成有作為第五導(dǎo)電層的多個(gè)中繼電極qe10、qe11、qe12的絕緣層ld的面上。如從圖26～圖28理解的那樣，在絕緣層le的面上形成作為第三導(dǎo)電層的反射層43b、43g、43r。反射層43b是b(藍(lán))的顯示色的子像素中的反射層，反射層43g是g(綠)的顯示色的子像素中的反射層。另外，反射層43r是r(紅)的顯示色的子像素中的反射層。

如從圖26理解的那樣，反射層43b的行方向(x方向)的寬度比列方向(y方向)的寬度寬，以使在俯視時(shí)與各色的子像素的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的至少漏極區(qū)域重疊。

反射層43g的行方向(x方向)的寬度比列方向(y方向)的寬度寬，以使在俯視時(shí)與各色的子像素的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的柵極層gtdr重疊。

反射層43r的行方向(x方向)的寬度比列方向(y方向)的寬度寬，以使在俯視時(shí)與各色的子像素的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的漏極區(qū)域重疊的。

反射層43b經(jīng)由貫通絕緣層le的導(dǎo)通孔hf12與中繼電極qe12導(dǎo)通。換句話說，反射層43b經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)通孔和多個(gè)中繼電極與b(藍(lán))的顯示色的子像素中的形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。多個(gè)導(dǎo)通孔是指導(dǎo)通孔hf12、導(dǎo)通孔he10、導(dǎo)通孔hd11、導(dǎo)通孔hc11以及導(dǎo)通孔ha13。另外，多個(gè)中繼電極是指中繼電極qe12、中繼電極qd10、中繼電極qc11以及中繼電極qb13。

反射層43g經(jīng)由貫通絕緣層le的導(dǎo)通孔hf11與中繼電極qe11導(dǎo)通。換句話說，反射層43g經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)通孔和多個(gè)中繼電極與g(綠)的顯示色的子像素中的形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通至。多個(gè)導(dǎo)通孔是指導(dǎo)通孔hf11、導(dǎo)通孔he10、導(dǎo)通孔hd11、導(dǎo)通孔hc11以及導(dǎo)通孔ha13。另外，多個(gè)中繼電極是指中繼電極qe11、中繼電極qd10、中繼電極qc11以及中繼電極qb13。

反射層43r經(jīng)由貫通絕緣層le的導(dǎo)通孔hf10與中繼電極qe10導(dǎo)通。換句話說，反射層43r經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)通孔和多個(gè)中繼電極與r(紅)的顯示色的子像素中的形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。多個(gè)導(dǎo)通孔是指導(dǎo)通孔hf10、導(dǎo)通孔he10、導(dǎo)通孔hd11、導(dǎo)通孔hc11以及導(dǎo)通孔ha13。另外，多個(gè)中繼電極是指中繼電極qe10、中繼電極qd10、中繼電極qc11以及中繼電極qb13。

此外，如圖26所示，在俯視時(shí)，按照反射層43b、43g、43r的順序設(shè)置反射層，與這些反射層43b、43g、43r重疊的各色的子像素的多個(gè)晶體管成為一像素單位的像素中的多個(gè)晶體管。

反射層43b、43g、43r例如由含有銀、鋁的光反射性的導(dǎo)電材料例如形成為100nm左右的膜厚。如圖26所示，反射層43b、43g、43r被配置成俯視時(shí)與各色的子像素的晶體管重疊。因此，存在通過反射層43b、43g、43r防止外光的侵入、能夠防止由光照射所引起的各晶體管的電流泄漏這些優(yōu)點(diǎn)。

另外，在本實(shí)施方式中，各色的子像素中的多個(gè)晶體管被配置在行方向(x方向)的寬度比列方向(y方向)的寬度窄的像素電路區(qū)域的內(nèi)部，但各色的子像素中的反射層43b、43g、43r的行方向(x方向)的寬度比列方向(y方向)的寬度窄。因此，能夠使掃描線22在各色的子像素的寫入控制晶體管twr中共用化，并且將各色的子像素的顯示區(qū)域在行方向(x方向)上形成為長方形的形式。

對于本實(shí)施方式中的反射層的面積，反射層43b和反射層43r的面積相同，反射層43r的面積被設(shè)定為最小。

絕緣層lf形成于形成有反射層43b、43g、43r的絕緣層le的面上。如圖27所例示的那樣，在絕緣層lf的表面形成中繼電極qf10。

中繼電極qf10經(jīng)由貫通絕緣層lf的導(dǎo)通孔hg10與反射層43b、43g、43r導(dǎo)通。中繼電極qf10是構(gòu)成像素電極導(dǎo)通部的中繼電極之一，如從圖21～圖28理解的那樣，反射層43b、43g、43r經(jīng)由多個(gè)中繼電極以及多個(gè)導(dǎo)通孔與形成發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10a導(dǎo)通。

如圖27所例示的那樣，在形成有中繼電極qf10的絕緣層lf的面上形成光路調(diào)整層60。光路調(diào)整層60是規(guī)定各像素電路110的共振結(jié)構(gòu)的共振波長(即顯示色)的透光性的膜體。在顯示色相同的像素中，共振結(jié)構(gòu)的共振波長大致相同，在顯示色不同的像素中，共振結(jié)構(gòu)的共振波長不同。在本實(shí)施方式中，如圖28所示，在r(紅)的顯示色的子像素中光路調(diào)整層60形成為三層。另外，在g(綠)的顯示色的子像素中光路調(diào)整層60形成為兩層。而且，在b(藍(lán))的顯示色的子像素中光路調(diào)整層60形成為一層。

如圖27以及圖28所例示的那樣，在光路調(diào)整層60的面上形成各色的每個(gè)子像素的第一電極e1。第一電極e1例如由ito(indiumtinoxide：銦錫氧化物)等透光性的導(dǎo)電材料形成。如參照圖3以及圖4前述的那樣，第一電極e1是作為發(fā)光元件45的陽極發(fā)揮作用的大致矩形狀的電極(像素電極)。如從圖27理解的那樣，第一電極e1經(jīng)由形成在光路調(diào)整層60的導(dǎo)通孔hh10與中繼電極qf10導(dǎo)通。因此，第一電極e1經(jīng)由光路調(diào)整層60、反射層43b、43g、43r、多個(gè)中繼電極以及多個(gè)導(dǎo)通孔與發(fā)光控制晶體管tel的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域?qū)ā?/p>

如圖27以及圖28所例示的那樣，在形成有第一電極e1的光路調(diào)整層60的面上遍及基板10的整個(gè)區(qū)域形成像素定義層65。像素定義層65例如由硅化合物(典型的為氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機(jī)材料形成。雖然省略圖示，但通過像素定義層65形成與各顯示色的子像素中的第一電極e1對應(yīng)的開口部。

對于開口部的大小，b(藍(lán))色的子像素和r(紅)的子像素的開口部的大小相同，且g(綠)色和r(紅)色的子像素的開口部最小。但是，在顯示色不同的子像素間，也可以使開口部的大小不同。

開口部在列方向(y方向)上按照b(藍(lán))色、g(綠)色以及r(紅)色的子像素的順序以共同的間距排列。另外，相同顏色的子像素的開口部遍及行方向(x方向)以共同的間距排列。

如圖27以及圖28所示，在第一電極e1的上層層疊發(fā)光功能層46、第二電極e2以及密封體47，在形成有以上的各要素的基板10的表面例如用粘合劑接合有密封基板(圖示省略)。密封基板是用于保護(hù)基板10上的各要素的透光性的板狀部件(例如玻璃基板)。此外，在密封基板的表面或者密封體47的表面按照子像素的每個(gè)像素電路形成彩色濾光片。作為彩色濾光片，使用b(藍(lán))色的彩色濾光片cfb、g(綠)色的彩色濾光片cfg以及r(紅)色的彩色濾光片cfr。

如以上說明的那樣，在本實(shí)施方式中，由于各色的子像素中的多個(gè)晶體管沿列方向(y方向)配置，所以能夠使掃描線22在各色的子像素的寫入控制晶體管twr中共用化，而不使一個(gè)水平掃描期間中選擇的掃描線22的數(shù)量增加。其結(jié)果是，能夠防止一個(gè)水平掃描期間中的各掃描線22的選擇時(shí)間變短，并可靠地從數(shù)據(jù)傳輸線26向第一電極e1寫入數(shù)據(jù)。

另外，在本實(shí)施方式中，將各色的子像素中的多個(gè)晶體管配置在行方向(x方向)的寬度比列方向(y方向)的寬度窄的像素電路區(qū)域的內(nèi)部，并且各色的子像素中的反射層43b、43g、43r的行方向(x方向)的寬度比列方向(y方向)的寬度寬。因此，即使被設(shè)計(jì)成電光學(xué)裝置1的主光線較大地傾斜的方向成為行方向(x方向)的情況下，也能夠不增加掃描線22的數(shù)量而將相同顏色的子像素排列在顯示面的行方向(x方向)上。其結(jié)果是，提供一種即使從斜向觀察顯示面關(guān)于行方向(x方向)也幾乎不產(chǎn)生色差的電光學(xué)裝置1。

在本實(shí)施方式中，各色的子像素中的反射層43b、43g、43r以與各色的子像素中的晶體管重疊的方式沿行方向(x方向)配置。因此，能夠防止來自發(fā)光功能層46的光照射到晶體管，且不使晶體管的特性變化。特別是，面積最大的藍(lán)色的子像素中的反射層43b被配置成與各色的子像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的漏極區(qū)域重疊。另外，與藍(lán)色的子像素的反射層43b相同的面積的紅色的子像素中的反射層43r被配置成與各色的子像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的漏極區(qū)域重疊。并且，面積最小的綠色的子像素中的反射層43g被配置成與各色的子像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的柵極層gtdr重疊。因此，可靠地防止來自發(fā)光功能層46的光對給精細(xì)灰度顯示造成影響的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的照射，防止驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的特性的變化，能夠進(jìn)行準(zhǔn)確的灰度顯示。

在本實(shí)施方式中，在各色的子像素中的反射層43b、43g、43r與各色的子像素中的多個(gè)晶體管之間設(shè)置有以與各色的子像素中的多個(gè)晶體管重疊的方式沿列方向(y方向)配置的電源配線41。因此，來自發(fā)光功能層46的光不僅被反射層43b、43g、43r遮擋，也被電源配線41全面遮擋，從而能夠更進(jìn)一步可靠地防止照射到驅(qū)動(dòng)晶體管tdr。因此，更進(jìn)一步可靠地防止來自發(fā)光功能層46的光對給精細(xì)灰度顯示造成影響的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的照射，防止驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的特性的變化，能夠進(jìn)行準(zhǔn)確的灰度顯示。

另外，在本實(shí)施方式中，將各色的子像素中的反射層43b、43g、43r與各色的子像素中的發(fā)光控制晶體管tel連接的中繼電極qd1、qd2、qd3形成在形成有電源配線41的層與形成有反射層43b、43g、43r的層之間的層。因此，來自流動(dòng)較大的電流的中繼電極qd1、qd2、qd3的噪聲被電源配線41遮擋，能夠抑制噪聲對驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的影響。

在本實(shí)施方式中，反射層43b的面積與反射層43g、43r的面積不同。反射層43b和反射層43r的面積最大，反射層43g的面積最小。換句話說，被設(shè)定成反射層43b、43g、43r中的至少兩個(gè)反射層的面積相互不同。而且，將各色的子像素中的反射層43b、43g、43r與各色的子像素中的發(fā)光控制晶體管tel連接的中繼電極qe12、qe11、qe10形成于面積最小的反射層43g的下層。因此，能夠縮短中繼電極qe12、qe11、qe10的長度。其結(jié)果是，來自流動(dòng)較大的電流的中繼電極qe12、qe11、qe10的噪聲減少，能夠?qū)⒃撛肼晫︱?qū)動(dòng)晶體管tdr的影響抑制得較低。

另外，在本實(shí)施方式中，作為將中繼電極qe12、qe11、qe10與發(fā)光控制晶體管tel連接的連接部的導(dǎo)通孔he10在俯視時(shí)位于最小的反射層亦即反射層43g的附近的下層。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，也能夠縮短中繼電極qe12、qe11、qe10的長度。其結(jié)果是，來自流動(dòng)較大的電流的中繼電極qe12、qe11、qe10的噪聲減少，能夠?qū)⒃撛肼晫︱?qū)動(dòng)晶體管tdr的影響抑制得較低。

在本實(shí)施方式中，沿列方向(y方向)在發(fā)光控制晶體管tel的下一個(gè)配置有寫入控制晶體管twr。因此，作為將中繼電極qe12、qe11、qe10與發(fā)光控制晶體管tel連接的連接部的導(dǎo)通孔he10的位置位于沿列方向(y方向)配置的多個(gè)晶體管的列方向(y方向)上的端部以外的位置。通過這樣構(gòu)成，容易使成為像素接觸部的導(dǎo)通孔he10的位置與反射層43g、43b、43r的配置相匹配。其結(jié)果是，在相同的一像素單位內(nèi)，能夠通過反射層43g、43b、43r防止來自發(fā)光功能層46的光對驅(qū)動(dòng)晶體管tdr的照射。

并且，中繼電極qe12、qe11、qe10形成在與數(shù)據(jù)傳輸線26不同的層。因此，在數(shù)據(jù)傳輸線26與其它層特別是電源配線41之間形成寄生電容。為了減少寄生電容，中繼電極qe12、qe11、qe10優(yōu)選位于相鄰的一條數(shù)據(jù)傳輸線26與其它數(shù)據(jù)傳輸線26的大致中央。能夠縮短數(shù)據(jù)向數(shù)據(jù)傳輸線26的寫入時(shí)間以及從數(shù)據(jù)傳輸線26向第一電極e1的數(shù)據(jù)的寫入時(shí)間。

變形例

本發(fā)明并不限定于上述的各實(shí)施方式，例如能夠進(jìn)行以下所述的各種變形。另外，當(dāng)然也可以適當(dāng)?shù)亟M合各實(shí)施方式以及各變形例。

(1)在上述的實(shí)施方式中，對在反射層與像素電極之間設(shè)置了光路調(diào)整層的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于該結(jié)構(gòu)。也可以是省略光路調(diào)整層并使用具有反射性的像素電極的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，第三導(dǎo)電層可以是反射層以及像素電極形成為一體的結(jié)構(gòu)。

(2)在上述的實(shí)施方式中，對在oled上層疊密封膜和彩色濾光片的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于該結(jié)構(gòu)。也可以是在對置基板設(shè)置有彩色濾光片的結(jié)構(gòu)。

(3)在上述的實(shí)施方式中，在一像素單位的像素內(nèi)，以沿行方向(x方向)延伸的方式設(shè)置各種顏色的子像素的開口部，并且將相同顏色的子像素的開口部遍及多個(gè)一像素單位的像素地在行方向(x方向)上以共同的間距排列。另外，在一像素單位的像素內(nèi)，以各種顏色的子像素中的開口部的行方向(x方向)的寬度相等的方式進(jìn)行了排列。換句話說，各種顏色的子像素中的反射層以與各種顏色的子像素中的至少一個(gè)晶體管重疊的方式沿行方向(x方向)排列。

但是，本發(fā)明并不限定于這樣的結(jié)構(gòu)。例如，也可以是至少一種顏色的子像素中的反射層以與各種顏色的子像素中的至少一個(gè)晶體管重疊的方式沿行方向(x方向)排列。此時(shí)，其它顏色的子像素中的反射層以與至少一種顏色的子像素中的至少一個(gè)晶體管重疊的方式排列，不同顏色子像素中的反射層沿行方向(x方向)排列。

例如，使藍(lán)色的子像素中的開口部構(gòu)成為遍及一像素單位的像素內(nèi)地沿行方向(x方向)延伸，行方向(x方向)的寬度最大。而且，也可以使紅色的子像素中的開口部和綠色的子像素中的開口部在一像素單位的像素內(nèi)沿行方向(x方向)并列排列。

(4)在上述的實(shí)施方式中，在反射層與驅(qū)動(dòng)晶體管之間配置了電源配線，但也可以配置電源配線以外的金屬制的配線。將金屬制的配線配置在反射層與驅(qū)動(dòng)晶體管之間，由此，能夠可靠地進(jìn)行驅(qū)動(dòng)晶體管的遮光。

(5)在上述的實(shí)施方式中，作為電光學(xué)材料的一個(gè)例子列舉了oled，但本發(fā)明也可應(yīng)用于使用除它們以外的電光學(xué)材料的電光學(xué)裝置。電光學(xué)材料是指通過電信號(電流信號或者電壓信號)的供給使透過率、亮度這種光學(xué)的特性發(fā)生變化的材料。例如，對于使用了液晶、無機(jī)el、發(fā)光聚合物等發(fā)光元件的顯示面板，也能與上述實(shí)施方式同樣地應(yīng)用本發(fā)明。另外，對于將包括被著色的液體和分散在該液體中的白色的粒子的微型膠囊作為電光學(xué)材料使用的電泳顯示面板，也能與上述實(shí)施方式同樣地應(yīng)用本發(fā)明。并且，對于將在每個(gè)極性不同的區(qū)域分別涂布為不同的顏色的扭轉(zhuǎn)球作為電光學(xué)材料使用的扭轉(zhuǎn)球顯示面板，也能與上述實(shí)施方式同樣地應(yīng)用本發(fā)明。對于將黑色調(diào)色劑作為電光學(xué)材料使用的調(diào)色劑顯示面板、或者將氦、氖等高壓氣體作為電光學(xué)材料使用的等離子顯示面板等各種電光學(xué)裝置，也能與上述實(shí)施方式同樣地應(yīng)用本發(fā)明。

應(yīng)用例

本發(fā)明可利用于各種電子設(shè)備。圖29～圖31對成為本發(fā)明的應(yīng)用對象的電子設(shè)備的具體形態(tài)進(jìn)行例示。

圖29是表示作為采用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置的電子設(shè)備的頭戴式顯示器的外觀的立體圖。如圖29所示，頭戴式顯示器300在外觀上與普通的眼鏡同樣地具有眼鏡腿310、鼻架320以及投射光學(xué)系統(tǒng)301l、301r。雖然省略圖示，但在鼻架320附近且投射光學(xué)系統(tǒng)301l、301r的里側(cè)設(shè)置左眼用的電光學(xué)裝置1和右眼用的電光學(xué)裝置1。

圖30是采用了電光學(xué)裝置的攜帶型的個(gè)人計(jì)算機(jī)的立體圖。個(gè)人計(jì)算機(jī)2000具備顯示各種圖像的電光學(xué)裝置1以及設(shè)置有電源開關(guān)2001、鍵盤2002的主體部2010。

圖31是便攜式電話的立體圖。便攜式電話3000具備多個(gè)操作按鈕3001和滾動(dòng)按鈕3002以及顯示各種圖像的電光學(xué)裝置1。通過操作滾動(dòng)按鈕3002，顯示于電光學(xué)裝置1的畫面被滾動(dòng)。本發(fā)明也能夠應(yīng)用于這樣的便攜式電話。

此外，作為應(yīng)用有本發(fā)明的電子設(shè)備，除了圖29～圖31中例示的設(shè)備之外，還例舉便攜信息終端(pda：personaldigitalassistants：個(gè)人數(shù)字助理)。其它也例舉數(shù)碼相機(jī)、電視機(jī)、攝像機(jī)、汽車導(dǎo)航裝置、車載用的顯示器(儀表板)、電子記事本、電子紙、電子計(jì)算器、文字處理器、工作站、可視電話機(jī)、pos終端。并且，例舉打印機(jī)、掃描儀、復(fù)印機(jī)、視頻播放器、具備觸摸面板的設(shè)備等。

附圖標(biāo)記說明：1…電光學(xué)裝置；2…顯示面板；3…控制電路；5…數(shù)據(jù)傳輸線驅(qū)動(dòng)電路；6…掃描線驅(qū)動(dòng)電路；10…基板；10a…有源區(qū)域；22…掃描線；26…數(shù)據(jù)傳輸線；27…控制線；28…控制線；41…第一電源導(dǎo)電體(電源配線)；42…第二電源導(dǎo)電體；45…發(fā)光元件；46…發(fā)光功能層；60…光路調(diào)整層；70…數(shù)據(jù)信號供給電路；82…殼體；84…fpc基板；86…端子；100…顯示部；110…像素電路；ctr…控制信號；dm…多路分配器；dt…數(shù)據(jù)傳輸電路；e1…第一電極；e2…第二電極；ha1～ha8…導(dǎo)通孔；ha10～ha15…導(dǎo)通孔；hb1～hb4…導(dǎo)通孔；hb10～hb12…導(dǎo)通孔；hc1～hc5…導(dǎo)通孔；hc10～hc12…導(dǎo)通孔；hd1～hd2…導(dǎo)通孔；hd10～hd11…導(dǎo)通孔；he10…導(dǎo)通孔；hf10～hf12…導(dǎo)通孔；hg10…導(dǎo)通孔；hh10…導(dǎo)通孔；gtcmp…柵極層；gtdr…柵極層；gtel…柵極層；gtwr…柵極層；gwr…掃描信號；l0…絕緣膜；la～lf…絕緣層；qb1～qb8…中繼電極；qb10～qb14…中繼電極；qc1～qc2…中繼電極；qc10～qc12…中繼電極；qd1～qd3…中繼電極；qd10…中繼電極；qe1…中繼電極；qe10～qe11…中繼電極；qe12…中繼電極；qf10…中繼電極；sel…控制信號；/sel…控制信號；tcmp…補(bǔ)償晶體管；tdr…驅(qū)動(dòng)晶體管；tel…發(fā)光控制晶體管；twr…寫入控制晶體管；vdata…圖像數(shù)據(jù)；vd…數(shù)據(jù)信號；vid…圖像信號。