本發(fā)明涉及顯示裝置及顯示裝置的制作方法。例如涉及可撓性的el顯示裝置及其制作方法。
背景技術:
作為顯示裝置的代表例,能夠列舉在各像素具有液晶元件或發(fā)光元件的液晶顯示裝置和有機el(electroluminescence:電致發(fā)光)顯示裝置等。這些顯示裝置在形成于基板上的多個像素內分別具有液晶元件或者有機發(fā)光元件(以下,發(fā)光元件)。液晶元件和發(fā)光元件在一對電極間分別具有含有液晶或者有機化合物的層(以下,有機el層),通過向一對電極間施加電壓或者供給電流而被驅動。
與液晶元件的情況不同,由于發(fā)光元件作為全固體的顯示元件形成,所以即使對基板賦予可撓性而折彎或彎曲,基板間的縫隙變化也不受影響,原則上對顯示品質沒有影響。于是,制造了在可撓性的基板上設置發(fā)光元件的所謂可撓性顯示器(薄板顯示器)。例如在日本特開2015-72362號公報和日本特開2014-182306號公報中公開有可折彎的可撓性有機el顯示裝置。
但是,在使可撓性的顯示裝置變形的情況下,由于構成顯示裝置的膜的硬度和厚度各自不同,所以在膜的硬度存在大的差別的界面容易發(fā)生剝離,從而出現(xiàn)對發(fā)光元件的損害,導致顯示不良。
技術實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于提供可抑制變形時發(fā)光區(qū)域被破壞而發(fā)生顯示不良的情況的具有可撓性的有機el顯示裝置及其制作方法。
本發(fā)明的一個實施方式為一種顯示裝置,其具有:基材;和在基材的第一面上分別具有發(fā)光區(qū)域的多個發(fā)光元件,在基材的第二面具有第一槽,該第一槽與被夾在選自上述多個發(fā)光元件的相鄰的兩個發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域之間的非發(fā)光區(qū)域重疊。
本發(fā)明的一個實施方式為一種顯示裝置,其基材;在基材的第一面上分別具有發(fā)光元件的多個像素;和第一槽,其在基材的第二面,與被夾在選自多個像素的相鄰的兩個像素之間的區(qū)域重疊,在基材的第一面具有與第一槽重疊且由基材構成的脊部。
本發(fā)明的一個實施方式為一種顯示裝置的制作方法,其包括以下步驟:在具有脊部的支承基板上形成基材,在基材的一個面上,以脊部與夾于多個像素間的區(qū)域重疊的方式形成多個像素,將支承基板從基材分離。
根據上述結構,能夠提供可抑制變形時發(fā)光區(qū)域被破壞而發(fā)生顯示不良的情況的具有可撓性的有機el顯示裝置及其制作方法。
附圖說明
圖1是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖2a、圖2b是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖3是一個實施方式的顯示裝置的剖視示意圖。
圖4是一個實施方式的顯示裝置的剖視示意圖。
圖5是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖6是一個實施方式的顯示裝置的剖視示意圖。
圖7a至圖7c是表示一個實施方式的顯示裝置的制作方法的示意圖。
圖8a至圖8c是表示一個實施方式的顯示裝置的制作方法的示意圖。
圖9a至圖9c是表示一個實施方式的顯示裝置的制作方法的示意圖。
圖10a、圖10b是表示一個實施方式的顯示裝置的制作方法的示意圖。
圖11a、圖11b是表示一個實施方式的顯示裝置的制作方法的示意圖。
圖12是表示一個實施方式的顯示裝置的制作方法的示意圖。
圖13a、圖13b是一個實施方式的顯示裝置的剖視示意圖。
圖14是一個實施方式的顯示裝置的剖視示意圖。
圖15是一個實施方式的顯示裝置的剖視示意圖。
圖16是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖17是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖18是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖19a、圖19b是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖20是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖21是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖22是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖23是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖24是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖25是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖26是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖27是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖28是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖29是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖30是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖31是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖32是一個實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖33a、圖33b是一個實施方式的顯示裝置的剖視示意圖。
具體實施方式
以下,參照附圖等對本發(fā)明的各實施方式進行說明。不過,本發(fā)明能夠在不脫離其主旨的范圍內以各種各樣的方式實施,并不限定于以下例示的實施方式的記載內容來解釋。
附圖為了更明確地進行說明而存在與實際的方式相比對各部的寬度、厚度、形狀等進行示意地表示的情況,不過僅是一個例子而已,并不限定本發(fā)明的解釋。在本說明書和各圖中,對與附圖中的已經說明過的要素具有相同功能的要素,有時標注相同的附圖標記,省略重復的說明。
在本發(fā)明中,對某一個膜進行加工而形成多個膜的情況下,存在該多個膜具有不同的功能、作用的情況。但是,該多個膜來自于在同一工序中作為同一層形成的膜。因此,定義為該多個膜存在于同一層。
此外,在本發(fā)明中,表達在一個結構體“之上”配置其它結構體的方式時,在僅記作“之上”的情況下,只要沒有特別禁止,就包括以與一個結構體相接的方式在頂上配置其它結構體的情況,和在一個結構體的上方隔著第三結構體配置其它結構體的情況的雙方。
(第一實施方式)
在本實施方式中,使用圖1至圖6說明本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置。
圖1表示本實施方式的顯示裝置100的上表面圖。顯示裝置100在基材110的一個面(上表面)具有包括多個像素160的顯示區(qū)域120。多個像素160分別規(guī)定了發(fā)光區(qū)域400。配線130從顯示區(qū)域120向基材110的側面延伸。顯示區(qū)域120經配線130與ic芯片150電連接。在基材110的端部,形成有經由連接器(未圖示)將外部電路(未圖示)與ic芯片150和顯示區(qū)域120電連接用的端子140。通過從外部電路供給的影像信號控制多個像素160,在顯示區(qū)域120上再現(xiàn)影像。另外,通過對基材110使用具有可撓性的薄膜等,能夠對整個顯示裝置100賦予可撓性。在本說明書和權利要求書中,基材110有時記作基膜。
雖然未圖示,但是顯示裝置100也可以代替ic芯片150而在顯示區(qū)域120的周邊具有驅動電路?;蛘咭部梢栽陲@示區(qū)域120的周邊具有ic芯片150以及驅動電路。
在各像素160分別設置有發(fā)光元件。能夠在各像素160例如通過設置以紅色、綠色、藍色發(fā)光的發(fā)光元件而進行全彩色顯示?;蛘咭部梢栽谌袼?60中使用白色發(fā)光元件,使用濾色片在每個像素160取出紅色、綠色或者藍色而進行全彩色顯示。最終取出的顏色并不限于紅色、綠色、藍色的組合,例如還能夠從像素160取出紅色、綠色、藍色、白色四種顏色。像素160的排列也沒有限定,能夠采用條紋排列、像素共用排列(pentile排列)、馬賽克排列等。
圖2a、圖2b表示像素160的放大圖。另外,圖2a是從圖2b省略第一電極280而得到的圖。如圖2a所示,在基材110上設置有柵極線200、202、信號線210、212和電流供給線220等配線。由柵極線200、202、信號線210和電流供給線220定義的區(qū)域為一個像素160。柵極線202和信號線212控制與圖2a所示的像素160相鄰的像素160。另外,這些配線的一部分也可以與相鄰的兩個或者兩個以上的像素160共用。例如電流供給線220也可以在像素160和與之相鄰的像素160的雙方共用。
圖2a、圖2b中圖示的像素160具有兩個晶體管260、270。柵極線200具有向晶體管260傳達柵極信號的功能,柵極線200的一部分(圖中,朝下方向突出的部分)作為晶體管260的柵極電極發(fā)揮作用。信號線210具有向晶體管260傳達影像信號的功能,信號線210的一部分(圖中,朝右方向突出的部分)作為晶體管260的源極電極發(fā)揮作用。通過信號線210傳達的影像信號經半導體膜230被傳達至作為晶體管260的漏極電極發(fā)揮作用的配線240。影像信號進一步經配線242被傳達至晶體管270。即,配線242的一部分作為晶體管270的柵極電極發(fā)揮作用,控制晶體管270的導通/截止。晶體管270作為源極電極具有電流供給線220的一部分(圖中,朝左方向突出的部分)。通過電流供給線220供給的電流經半導體膜232被傳達至作為漏極電極發(fā)揮作用的配線244。上述的晶體管260、270根據信號線210、配線240、電流供給線220和配線244的電位還存在源極、漏極的定義逆轉的情況。
配線244經接觸孔250與第一電極280電連接,從電流供給線220供給的電流被供給向第一電極280。在第一電極280上設置有作為分隔壁340發(fā)揮作用的絕緣膜(后述),在其開口部290,第一電極280與有機el層350(后述)接觸。在圖2b中描繪與像素160的上、下、右相鄰的像素160的第一電極280的一部分。
在圖2b中,第一電極280大致為正方形,開口部290按鉤狀的形狀描繪,第一電極280和開口部290的形狀沒有限定。第一電極280和開口部290也可以為正方形、菱形,長方形等多角形,還可以為圓形。在開口部290為多角形的情況下,其角也可以為曲線狀。此處像素160具有兩個晶體管260、270,不過晶體管的個數(shù)沒有限定,也可以具有三各以上晶體管。此外,像素160除了晶體管以外還可以具有用于形成電容的配線。
圖3、圖4分別表示沿著圖2b中的直線a-b、c-d的截面的示意圖。如圖3所示,像素160在基材110上隔著基底膜300具有半導體膜230。在半導體膜230上設置有柵極絕緣膜310、柵極線200、層間絕緣膜320。為了吸收由于作為晶體管260的構成要素的半導體膜230的柵極線200引起的凹凸而獲得平坦的表面,在層間絕緣膜320上設置有平坦化膜330。在平坦化膜330上形成有像素160和與之相鄰的像素160的第一電極280。像素160還具有覆蓋第一電極280的端部的分隔壁340,由此,相鄰的像素160的第一電極280彼此被相互電絕緣。
在第一電極280、分隔壁340之上設置有含有有機化合物的有機el層350,在其上形成有第二電極360。在分隔壁340的開口部290,有機el層350與第一電極280物理接觸,由第一電極280、有機el層350、第二電極360形成發(fā)光元件。在有機el層350與第一電極280接觸的區(qū)域獲得自有機el層350發(fā)出的光,該區(qū)域為發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域400。因此,發(fā)光區(qū)域400的形狀與分隔壁340的開口部290的形狀相同。被彼此相鄰的兩個像素160的發(fā)光區(qū)域400夾著的區(qū)域為非發(fā)光區(qū)域410。在第二電極360上設置有密封膜380。如后所述,該密封膜380為至少1層以上即可,例如也可以為3層結構。在密封膜380之上,作為任意的結構,例如設置有偏光板390等。雖然此處未圖示,但是在密封膜380上也可以設置濾色片、遮光膜或者在它們之上形成的覆蓋膜等。
此處,在非發(fā)光區(qū)域410,即在被相鄰的兩個像素160夾著的區(qū)域,在基材110的另一個面(底面)設置有槽(第一槽)170。該第一槽170的基材110的厚度t1比發(fā)光區(qū)域400之下的基材110的厚度t2小。圖5示意地表示第一槽170與像素160的位置關系,第一槽170沿柵極線200延伸。
同樣如圖3所示,在設置在第二電極360上的密封膜380也設置有槽(第二槽)180。該第二槽180的密封膜380的厚度t3比發(fā)光區(qū)域400之上的密封膜380的厚度t4小。如圖5所示,第二槽180也沿柵極線200延伸。
參照圖4的截面,構成晶體管260或者270的柵極絕緣膜310、層間絕緣膜320隔著基底膜300形成在基材110上。在層間絕緣膜320上設置有電流供給線220和與像素160相鄰的像素160的信號線212。在這些配線上形成有晶體管260或者在270上形成的平坦化膜330。與圖3一樣,在平坦化膜330上設置有像素160和與之相鄰的像素160的第一電極280、分隔壁340、有機el層350、第二電極360、密封膜380。此外,作為任意的結構設置有偏光板390等。與圖3一樣,也可以在密封膜380上設置濾色片、遮光膜或者在它們之上形成的覆蓋膜等。
與圖3的截面結構一樣,在圖4所示的基材110的底面也設置有槽(第一槽)170。該第一槽170的基材110的厚度t1比發(fā)光區(qū)域400之下的基材110的厚度t2小。此外,如圖5所示,第一槽170沿信號線210和電流供給線220延伸。
如圖4所示,在設置于第二電極360上的密封膜380也設置有槽(第二槽)180。該第二槽180的密封膜380的厚度t3比發(fā)光區(qū)域400之上的密封膜380的厚度t4小。如圖5所示,第二槽180也沿信號線210和電流供給線220延伸。另外,第一槽170與第二槽180也可以一部分不重疊。此外,第一槽170與第二槽180也可以與柵極線200、信號線210、電流供給線220重疊,還可以一部分與這些配線不重疊。
如上所述,通過使用具有可撓性的薄膜作為基材110,能夠令顯示裝置100具有可撓性。在上述結構中,非發(fā)光區(qū)域410具有基材110以及密封膜380的厚度局部較小的區(qū)域。因此該區(qū)域的基材110以及密封膜380的厚度t1、t3分別比發(fā)光區(qū)域400的基材和密封膜的t2、t4小。因此如圖6中示意地表示的那樣,在將顯示裝置100折彎或彎曲等而變形時,與發(fā)光區(qū)域400相比非發(fā)光區(qū)域410變形更大。換言之,能夠通過使發(fā)光區(qū)域400不變形或者使變形最小且使非發(fā)光區(qū)域410有選擇地變形來將整個顯示裝置100變形。
在將可撓性的顯示裝置變形的情況下,由于構成顯示裝置的膜的硬度和厚度各自不同,所以在膜的硬度存在大的差別的界面容易發(fā)生剝離。例如基材110和密封膜380與其它層相比膜厚大,硬度高。因此,在變形時基材110和密封膜380容易剝離。在發(fā)光區(qū)域400或其附近發(fā)生界面剝離的情況下,出現(xiàn)對發(fā)光元件的損害,導致顯示不良。
與此相對,通過如本實施方式的結構那樣,在基材110、密封膜380的一部分形成槽170、180而有選擇地使非發(fā)光區(qū)域410變形,能夠使得發(fā)光區(qū)域400不會被施加大的負載。因而,難以發(fā)生顯示不良,能夠提供可靠性高的可撓性顯示裝置。
(第二實施方式)
在本實施方式中,使用圖7至圖12對第一實施方式中說明的顯示裝置100的制作方法的一個例子進行說明。在各圖中表示沿著圖2b的直線a-b和c-d的截面結構。
首先,準備形成有脊部422、424的支承基板420(圖7a)。在支承基板420能夠使用玻璃或石英、陶瓷或者金屬等。脊部422、424例如既可以對平坦的基板進行蝕刻而形成,或者也可以通過在平坦的基板上形成絕緣物等結構體而設置。
接著,在支承基板420上形成基材110(圖7b)。在基材110使用具有可撓性的材料即可,例如能夠使用聚酰亞胺、聚酰胺、聚酯纖維、環(huán)氧樹脂等高分子材料或其前驅物。也可以在這些材料中混合玻璃的微粒、纖維?;?10能夠使用旋涂法、噴墨法、印刷法、浸涂法等形成?;蛘咭部梢詫⑵瑺畹母叻肿訅航佑谥С谢?20上而形成基材110。在圖7a,圖7b,以吸收起因于支承基板420上的脊部422、424的凹凸而形成平坦的表面的方式設置有基材110。作為基材110的膜厚,為3μm以上100μm以下,優(yōu)選為5μm以上50μm以下,更優(yōu)選為10μm以上20μm以下。
之后,在基材110上形成基底膜300(圖7c)?;啄?00具有防止雜質自基材110和支承基板420擴散的功能,例如使用氧化硅、氮氧化硅、氧氮化硅、氮化硅等無機化合物,利用化學氣相生長法(cvd)等形成。在圖7c中以基底膜300具有單層結構的方式描繪,不過基底膜300也可以具有疊層有多個無機化合物的層的結構。
接著,如圖8a所示那樣,在基底膜300上形成半導體膜230(和半導體膜232)。半導體膜230能夠含有硅/氧化物半導體,能夠利用cvd或濺射法形成。結晶性也能夠任意地選擇,可以為非晶、微晶、多晶、單晶中的任一種。在半導體膜230(和半導體膜232)上,以單層或者疊層結構形成柵極絕緣膜310(圖8b)。柵極絕緣膜310能夠將基底膜300中使用的材料適當組合地形成。
接著,如圖8c所示,在柵極絕緣膜310上形成柵極線200。柵極線200能夠將鋁、銅、鈦、鉬、鉭或鎢等金屬以單層或者疊層結構形成。例如也可以將鋁或銅等導電性高的金屬與鈦或鉬等阻擋性高的金屬疊層而形成柵極線200。作為柵極線200的形成方法,例如能夠列舉cvd法和濺射法等。柵極線200與半導體膜230重疊的區(qū)域作為晶體管260的柵極電極發(fā)揮作用。另外,雖然未圖示,但是與柵極線200存在于同一層的配線242等也同時形成。
接著,在柵極線200上形成層間絕緣膜320(圖9a)。層間絕緣膜320能夠將基底膜300和柵極絕緣膜310中使用的材料適當?shù)亟M合,以單層或者疊層結構形成。另外,雖然未圖示,但是在形成層間絕緣膜320之后,形成信號線210、212、電流供給線220等配線。此外,柵極線200、信號線210、212、電流供給線220等配線沿脊部422、424形成。這些配線也可以各自與脊部422、424的一部分或者全部重疊。
通過以上的步驟,在支承基板420上產生凹凸,不過能夠通過在層間絕緣膜320上形成平坦化膜330而吸收該凹凸,形成平坦的表面(圖9b)。平坦化膜330例如能夠使用環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、聚硅氧烷等高分子材料,利用旋涂法、浸涂法、印刷法等形成。另外,雖然未圖示,但是也可以在平坦化膜330上進一步形成保護膜,例如以無機絕緣膜形成的保護膜。
接著,在平坦化膜330上形成發(fā)光元件的第一電極280(圖9c)。在第一電極280,能夠使用反射可見光的金屬或使可見光透射的導電性氧化物等。在從基材110側取出自發(fā)光元件發(fā)出的光的情況下,例如使用銦錫氧化物(ito)和銦鋅氧化物(izo)等具有透光性的導電性氧化物,運用濺射法或溶膠凝膠法等形成第一電極280即可。相反,在從與基材110相反的一側取出自發(fā)光元件發(fā)出的光的情況下,例如在第一電極280使用鋁和銀等反射率高的金屬即可。此時,也可以在這些金屬上疊層導電性氧化物。
接著,以覆蓋第一電極280的端部的方式形成絕緣膜,形成分隔壁340(圖10a)。分隔壁340通過覆蓋第一電極280的端部而具有不僅防止第一電極280與第二電極360間短路而且將相鄰的像素160彼此分離的功能。分隔壁340例如能夠使用聚酰亞胺、聚酰胺、環(huán)氧樹脂、聚硅氧烷等高分子材料。
形成分隔壁340后,形成有機el層350以及第二電極360(圖10b)。有機el層350是負擔從第一電極280和第二電極360注入的電荷的復合的層,將各種功能層組合而形成。例如有機el層350將空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層、空穴阻擋層、電子阻擋層等組合而形成。作為成膜方法,能夠使用蒸鍍法、噴墨法、旋涂法等。在第二電極360,能夠使用與第一電極280相同的材料。在從第一電極280側取出自有機el層350發(fā)出的光的情況下,優(yōu)選在第二電極360使用相對于可見光具有高的反射率的材料,例如能夠使用銀和鋁等。能夠對這些材料利用蒸鍍法或者濺射法等形成第二電極360。另一方面,在從第二電極360側取出光的情況下,能夠使用ito和izo等導電性氧化物?;蛘?,能夠使用鎂或銀或者它們的合金,以透射可見光的程度的厚度(幾~幾十nm)形成第二電極360。也可以在這些金屬或者合金上疊層導電性氧化物而形成第二電極360。
接著,在第二電極360上形成密封膜380(圖11a)。該密封膜380具有防止水和氧等雜質從外部向發(fā)光元件侵入的功能。在密封膜380設置有第二槽180。通過第二槽180,能夠在非發(fā)光區(qū)域410令密封膜380的厚度局部變小。第二槽180能夠沿柵極線200、信號線210、212、電流供給線220等配線形成。此外,第二槽180也可以以與這些配線各自的一部分或者全部重疊的方式形成。
此處,密封膜380具有防止氧和水等雜質向發(fā)光元件的侵入的封閉功能,例如能夠使用由氧化硅、氮化硅、氧化氮化硅、氮化氧化硅等無機化合物構成的無機絕緣膜?;蛘?,也可以使用由丙烯酸樹脂等有機化合物構成的有機絕緣膜。這些材料既可以被疊層,例如也可以將具有利用氮化硅或氧化硅的膜夾持由丙烯酸樹脂構成的有機絕緣膜的結構的薄膜用作密封膜380。在這種情況下,能夠通過在多個層中一個以上的層形成槽而形成第二槽180。上述無機絕緣膜和有機絕緣膜能夠通過將濺射法、蒸鍍法等物理的氣相生長法、cvd法、旋涂法、噴墨法、印刷法等液相法或者疊片法等適當組合而形成。此外,第二槽180能夠通過蝕刻或納米壓印法等形成。
另外,圖33a、圖33b表示上述3層結構的例子。在圖33a、圖33b,密封膜380由無機絕緣膜381、383和被這兩個膜夾持的有機絕緣膜382這3層構成。在圖33a,第二槽180設置在無機絕緣膜381,其形狀反映于有機絕緣膜382和無機絕緣膜383。在這種情況下,能夠通過使得無機絕緣膜381的厚度在非發(fā)光區(qū)域410內比在發(fā)光區(qū)域400內小而形成第二槽180。另一方面,在圖33b,第二槽180設置在有機絕緣膜382,其形狀反映于無機絕緣膜383。在這種情況下,能夠通過使得有機絕緣膜382的厚度在非發(fā)光區(qū)域410內比在發(fā)光區(qū)域400內小而形成第二槽180。如圖33b所示,也可以在非發(fā)光區(qū)域410使兩個無機絕緣膜381與383相互接觸。
接著,在密封膜380之上形成偏光板390(圖11b)。作為偏光板390能夠使用直線偏光板和圓偏光板等,能夠使用疊片法等形成。另外,也可以不形成偏光板390。雖然未圖示,但是也可以在密封膜380、偏光板390上或下形成濾色片、遮光膜等。
接著,將支承基板420沿圖11b中箭頭表示的界面從基材110分離(圖12)。分離能夠通過利用吸引夾具等將顯示裝置100的上下固定、將支承基板420物理地撕下而進行。也可以在分離前對基材110照射激光,使基材110與支承基板420間的粘接力降低。
經過以上的工序,能夠制作基材110和密封膜380的厚度在非發(fā)光區(qū)域410局部小的可撓性的顯示裝置100。該顯示裝置100能夠有選擇地使非發(fā)光區(qū)域410變形,不會對發(fā)光區(qū)域400施加負載地使整個顯示裝置100變形。其結果是,能夠抑制顯示不良的產生,提高可靠性。
(第三實施方式)
在本實施方式中,使用圖13a、圖13b對具有與第一、第二實施方式中說明的像素160不同的結構的像素160進行說明。圖13a、圖13b分別相當于沿圖2b的直線a-b、c-d的截面圖。對與第一、第二實施方式相同的結構省略說明。
如圖13a、圖13b所示,與第一、第二實施方式不同,在本實施方式的顯示裝置100的像素160中,基材110具有第一槽170,密封膜380不具有第二槽180。在這種情況下,基材110的厚度也在非發(fā)光區(qū)域410一部分變小。在該部分,基材110的厚度t1比發(fā)光區(qū)域400的基材110的厚度t2小。因而能夠有選擇地使非發(fā)光區(qū)域410變形,能夠不對發(fā)光區(qū)域400施加負載地使整個顯示裝置100變形。其結果是,能夠抑制顯示不良的產生,提高可靠性。
(第四實施方式)
在本實施方式中,使用圖14、15對與第一至第三實施方式說明的像素160不同的結構的像素160進行說明。圖14、15相當于沿圖2b的直線a-b的截面圖。對與第一至第三實施方式相同的結構省略說明。
如圖14所示,本實施方式的像素160的基材110具有第一槽170,密封膜380具有第二槽180。但是與第一至第三實施方式不同,基材110由于第一槽170而在其上表面具有突起。即,基材110具有與第一槽170重疊的脊部190。該脊部190能夠通過在形成基材110時例如使用疊片法等形成?;蛘撸軌蛲ㄟ^使基材110的厚度比第一至第三實施方式小而形成脊部190。
另外,本實施方式的像素160的密封膜380也可以如圖15所示那樣不具有第二槽180,與第一槽170重疊的區(qū)域具有平坦的上表面。
通過以具有脊部190的方式形成基材110,能夠進一步減小非發(fā)光區(qū)域410的基材110的一部分的厚度,能夠更加有選擇性地使非發(fā)光區(qū)域410變形。因此,能夠在顯示裝置100的變形時進一步減小對發(fā)光區(qū)域400負載。其結果是,能夠抑制顯示不良的產生,提高可靠性。
(第五實施方式)
在本實施方式中,使用圖16至圖18對第一槽170和第二槽180的布局與第一至第四實施方式說明的布局不同的顯示裝置100進行說明。對與第一至第四實施方式相同的結構省略說明。另外,考慮到觀看的方便,在圖16至圖18中未圖示柵極線200、信號線210、電流供給線220等配線。
在第一實施方式的顯示裝置100,如圖5所示那樣,在相鄰的像素160之間的全部非發(fā)光區(qū)域410具有第一槽170和第二槽180。與此相對,在本實施方式中,如圖16至圖18所示那樣,在非發(fā)光區(qū)域410的一部分有選擇地形成第一槽170和第二槽180。
更具體而言,能夠如圖16所示那樣,第一槽170和第二槽180分別按每多個像素160與柵極線200、信號線210、電流供給線220等配線平行地形成。在圖16,第一槽170和第二槽180按每兩個像素160形成,在以第一槽170和第二槽180分別定義的最小面積呈二行二列的矩陣狀配置有四個像素160。不過本實施方式的顯示裝置100并不限定于該結構,例如也可以按每三個像素或者每四個像素形成第一槽170和第二槽180。此外,由第一槽170和第二槽180分別形成的最小面積中所含的像素160的數(shù)量也不存在制約,矩陣的行和列的也彼此不同。
通過采用圖16中所示的結構,與第一至第四實施方式中所示的顯示裝置100相比較,能夠對顯示裝置100賦予一定程度的物理強度。換言之,能夠容易地控制顯示裝置100的柔軟性。
或者,也可以如圖17所示那樣,第一槽170和第二槽180僅在與柵極線200和信號線210中的任一者平行的方向形成。在圖17中以沿信號線210延伸的方式形成第一槽170和第二槽180。另外,第一槽170和第二槽180也可以按每多個像素160形成,在這種情況下,相鄰的第一槽170或者第二槽180隔著在多行或者多列配置的多個像素160形成。
通過采用圖17那樣的結構,能夠根據顯示裝置100彎曲方向改變柔軟性。在圖17的結構中,與以信號線210彎曲的方式變形相比,以柵極線200彎曲的方式變形更容易進行。這樣,圖17所示的結構適合于控制顯示裝置100的變形方向的情況。
或者,也可以如圖18所示那樣,第一槽170以在與柵極線200和信號線210平行的方向上延伸且成為相互被分斷的多個槽的方式形成。第二槽180也同樣,能夠以在與柵極線200和信號線210平行的方向上延伸且成為相互被分斷的多個槽的方式形成。在這種情況下,第一槽170、第二槽180形成十字。
通過采用圖18的結構,與圖16的結構一樣,能夠對顯示裝置100賦予一定程度的物理強度,能夠容易地控制顯示裝置100的柔軟性。
另外,在本實施方式中,也可以如第三實施方式所示那樣,不形成第二槽180。此外,第一槽170與第二槽180的形狀也可以彼此不同。例如也可以使第一槽170如圖16所示那樣配置,第二槽180如圖17所示那樣配置。
與第一至第四實施方式同樣,在本實施方式的顯示裝置100,在非發(fā)光區(qū)域410,基材110和密封膜380的厚度局部較小。因而能夠有選擇地使非發(fā)光區(qū)域410變形,能夠不會對發(fā)光區(qū)域400施加負載地使整個顯示裝置100變形。其結果是,能夠抑制顯示不良的產生,提高可靠性。
(第六實施方式)
在本實施方式中,使用圖19至圖22對第一槽170和第二槽180的布局以及像素160的布局與第一至第五實施方式中說明的各布局不同的顯示裝置100進行說明。對與第一至第四實施方式相同的結構省略說明。另外,考慮到觀看的方便,在圖20至圖22沒有圖示柵極線200、信號線210、電流供給線220等配線。
如圖19a所示,在本實施方式的顯示裝置100,像素160具有像素共用排列。柵極線200和信號線210具有按每像素彎曲的結構,作為整體在顯示區(qū)域120的短邊或者長邊方向上延伸。另外,本實施方式的顯示裝置100的像素160的排列并不限定于像素共用排列,既可以為條紋排列也可以為馬賽克排列。發(fā)光區(qū)域400的形狀在圖19a也為菱形的形狀,但是并不限定于此,也可以為圓形或者正方形、長方形等多角形。發(fā)光區(qū)域400的角也不限定于曲線形狀。
如圖19b所示,本實施方式的顯示裝置100的第一槽170和第二槽180以在相對于顯示區(qū)域120的短邊或者長邊傾斜的方向上延伸的方式形成。因而,第一槽170與柵極線200、信號線210、電流供給線220均交叉。同樣,第二槽180也與柵極線200、信號線210、電流供給線220均交叉。
通過按圖19b所示那樣的布局形成第一槽170和第二槽180,將顯示裝置100向相對于顯示區(qū)域120的短邊或者長邊傾斜的方向彎曲或折彎變得容易。
或者,如圖20所示那樣,第一槽170和第二槽180分別能夠按每多個像素160形成。在圖20,第一槽170和第二槽180按每兩個像素160形成,在由第一槽170和第二槽180分別定義的最小面積配置有四個像素160。不過本實施方式的顯示裝置100并不限定于該結構,例如也可以按每三個像素160或者每四個像素160形成第一槽170和第二槽180。此外,由第一槽170和第二槽180分別形成的最小面積所含的像素160的數(shù)量有不存在制約。
通過采用圖20中所示的結構,與第一至第四實施方式中所示的顯示裝置100相比較,能夠對顯示裝置100賦予一定程度的物理強度。換言之,能夠容易地控制顯示裝置100的柔軟性。
或者如圖21所示,第一槽170和第二槽180能夠分別在一個方向延伸地形成。即,以整個第一槽170、整個第二槽180具有相同方向的向量的方式形成。
通過采用圖21示的結構,更容易在相對于顯示區(qū)域120的短邊或長邊傾斜的方向且一個方向變形。即,能夠控制變形方向。
或者,也可以如圖22所示那樣,以第一槽170全部在一個方向上延伸且成為被相互分斷的多個槽的方式形成。第二槽180也同樣,可以以全部在一個方向延伸且成為被相互分斷的多個槽的方式形成。在這種情況下,第一槽170和第二槽180也均具有相同方向的向量。
通過采用圖22的結構,能夠對顯示裝置100賦予一定程度的物理強度,能夠容易地控制顯示裝置100的柔軟性。
另外,在本實施方式中,第二槽180也可以如第三實施方式所示那樣形成。此外,第一槽170和第二槽180的形狀也可以彼此不同。例如也可以如圖19所示那樣配置第一槽170,如圖20所示那樣配置第二槽180。
與第一至第五實施方式一樣,在本實施方式的顯示裝置100,在非發(fā)光區(qū)域410,基材110和密封膜380的厚度局部較小。因而能夠有選擇地使非發(fā)光區(qū)域410變形,能夠不對發(fā)光區(qū)域400施加負載地使整個顯示裝置100變形。其結果是,能夠抑制顯示不良的產生,提高可靠性。
(第七實施方式)
在本實施方式中,使用圖23至圖26對第一槽170和第二槽180的形狀與第一至第六實施方式中說明的形狀不同的顯示裝置100進行說明。對與第一至第六實施方式相同的結構省略說明。另外,考慮到觀看的方便,在圖24至圖26中沒有圖示柵極線200、信號線210、電流供給線220等配線。
在本實施方式的顯示裝置100,第一槽170和第二槽180以由曲線表示的那樣形成。具體而言,例如如圖23所示那樣,第一槽170和第二槽180沿柵極線200、信號線210和電流供給線220中的任一者呈波狀延伸。通過形成具有這樣的形狀的第一槽170和第二槽180,顯示裝置100能夠向各種方向變形。
或者,能夠如圖24所示那樣,第一槽170和第二槽180分別具有波狀的形狀而且按每多個像素160形成。在圖24,第一槽170和第二槽180按每兩個像素160形成,在由第一槽170和第二槽180分別定義的最小面積呈二行二列的矩陣狀配置有四個像素160。不過本實施方式的顯示裝置100并不限定于該結構,例如第一槽170和第二槽180也可以按每三個像素或者每四個像素形成。此外,由第一槽170和第二槽180分別形成的最小面積中所含的像素160的數(shù)量也不存在制約,矩陣的行和列的數(shù)量也彼此不同。
通過采用圖24中所示的結構,與第一至第四實施方式中所示的顯示裝置100相比較,能夠對顯示裝置100賦予一定程度的物理強度。換言之,能夠容易地控制顯示裝置100的柔軟性。
或者,也可以如圖25和26所示那樣,第一槽170和第二槽180具有波狀的形狀而且僅在與柵極線200和信號線210中的任一者平行的方向形成。第一槽170和第二槽180也可以按每多個像素160形成,在這種情況下,相鄰的第一槽170或者第二槽180隔著在多行或者多列配置的像素160形成。
通過采用圖25、26那樣的結構,能夠根據顯示裝置100的彎曲方向改變柔軟性。在圖25的結構中,與以信號線210彎曲的方式變形相比,以柵極線200彎曲的方式使顯示裝置100變形更容易。相反,在圖26的結構中,與以柵極線200彎曲的方式使顯示裝置100變形相比,以使得信號線210彎曲的方式變形更容易。這樣,圖24、25所示的結構適合于控制顯示裝置100的變形方向的情況。
另外,在本實施方式中,也可以如第三實施方式所示那樣不形成第二槽180。此外,第一槽170和第二槽180的形狀也可以彼此不同。例如也可以如圖23所示那樣配置第一槽170,以圖24所示那樣配置第二槽180。
與第一至第六實施方式一樣,在本實施方式的顯示裝置100,在非發(fā)光區(qū)域410,基材110和密封膜380的厚度局部較小。因而能夠有選擇地使非發(fā)光區(qū)域410變形,能夠不對發(fā)光區(qū)域400施加負載地使整個顯示裝置100變形。其結果是,能夠抑制顯示不良的產生,提高可靠性。
(第八實施方式)
在本實施方式中,使用圖27、28對第一槽170和第二槽180的形狀與第一至第七實施方式中說明的形狀不同的顯示裝置100進行說明。對與第一至第七實施方式相同的結構省略說明。另外,考慮到觀看的方便,在圖28中未圖示柵極線200、信號線210、電流供給線220等配線。
在本實施方式的顯示裝置100,第一槽170形成多個彼此獨立且閉合的平面形狀。同樣,第二槽180也形成多個彼此獨立且閉合的平面形狀。例如如圖27所示,顯示裝置100具有三角排列的像素160,以形成平行四邊形的閉合的形狀的方式形成第一槽170、第二槽180,以包圍相鄰的四個像素160。
在該結構中,在由第一槽170和第二槽180分別定義的最小面積配置有四個像素160。不過本實施方式的顯示裝置100并不限定于該結構,由第一槽170和第二槽180分別定義的最小面積中所含的像素160的數(shù)量不存在制約。此外,像素160的排列也不限定于三角排列,第一槽170、第二槽180形成的閉合的形狀也不限定于平行四邊形。
通過采用圖27中所示的結構,與第一至第四實施方式中所示的顯示裝置100相比較,能夠對顯示裝置100賦予一定程度的物理強度。換言之,能夠容易地控制顯示裝置100的柔軟性。此外,不僅顯示區(qū)域120的短邊或者長邊方向而且斜方向(圖27中的箭頭的方向)的變形變得容易。
如圖28所示,在本實施方式的顯示裝置100,第一槽170、第二槽180分別形成的多個閉合的平面形狀也可以為彼此線對稱的關系。在圖28例示的顯示裝置100,一對閉合的形狀a、b相對于閉合像素160a在內的行處于線對稱的關系。通過采用這樣的結構,也能夠使得不僅顯示區(qū)域120的短邊或者長邊方向而且兩個斜方向(圖28中的箭頭的方向)的變形也變得容易。
另外在本實施方式中,也可以如第三實施方式中所示那樣不形成第二槽180。此外,第一槽170和第二槽180的形狀也可以彼此不同。例如也可以以第一槽170形成圖27所示那樣的形狀、第二槽180形成圖28所示那樣的形狀的方式配置。
與第一至第七實施方式一樣,在本實施方式的顯示裝置100,在非發(fā)光區(qū)域410,基材110和密封膜380的厚度局部較小。因而能夠有選擇地使非發(fā)光區(qū)域410變形,能夠不對發(fā)光區(qū)域400施加負載地使整個顯示裝置100變形。其結果是,能夠抑制顯示不良的產生,提高可靠性。
(第九實施方式)
在本實施方式中,使用圖29、30對第一槽170和第二槽180的形狀與第一至第八實施方式中說明的形狀不同的顯示裝置100進行說明。對與第一至第八實施方式相同的結構省略說明。另外,考慮到觀看的方便,在圖30中未圖示柵極線200、信號線210、電流供給線220等配線。
如圖29所示,在本實施方式的顯示裝置100,多個第一槽170、多個第二槽180具有鋸齒結構,分別在被沿柵極線200相鄰的兩個像素160夾著的區(qū)域與信號線210斜向交叉。此外,該區(qū)域的多個第一槽170的向量彼此相同。通過采用這樣的結構,使得不僅顯示區(qū)域120的長邊方向而且斜方向(圖29中的箭頭的方向)的變形也變得容易。
或者如圖30所示那樣,多個第一槽170、多個第二槽180具有鋸齒結構,分別在被沿柵極線200相鄰的兩個像素160夾著的區(qū)域與信號線210斜向交叉。此外,進一步,以該區(qū)域的第一槽170的向量與相鄰的第一槽170不同的方式形成多個第一槽170。同樣,以該區(qū)域的多個第二槽180的向量與相鄰的第二槽180不同的方式形成第二槽180。通過采用這樣的結構,使得不僅顯示區(qū)域120的長邊方向而且兩個斜方向(圖30中的箭頭的方向)的變形也變得容易。
另外,在本實施方式中,也可以如第三實施方式所示那樣不形成第二槽180。此外,第一槽170和第二槽180的形狀也可以彼此不同。例如也可以第一槽170如圖29所示那樣配置,第二槽180如圖30所示那樣配置。
與第一至第八實施方式一樣,在本實施方式的顯示裝置100,在非發(fā)光區(qū)域410,基材110和密封膜380的厚度局部較小。因而能夠有選擇地使非發(fā)光區(qū)域410變形,能夠不對發(fā)光區(qū)域400施加負載地使整個顯示裝置100變形。其結果是,能夠抑制顯示不良的產生,提高可靠性。
(第十實施方式)
在本實施方式中,使用圖31、32對第一槽170和第二槽180的形狀與第一至第九實施方式中說明的形狀不同的顯示裝置100進行說明。對與第一至第九實施方式相同的結構省略說明。另外,考慮到觀看的方便,在圖31、32中沒有圖示柵極線200、信號線210、電流供給線220等配線。
在本實施方式的顯示裝置100,第一槽170、第二槽180以形成多個閉合的形狀的多角形的方式且以在相鄰的多角形之間共用一個邊的方式形成。例如如圖31所示那樣,第一槽170以形成閉合的形狀的六角形的方式形成。此外,相鄰的六角形共有一個邊。因此,多個閉合的形狀形成蜂巢圖案。
在一個閉合的形狀的中包含七個像素160,其中六個像素160位于六角形的頂點。不過,本實施方式并不限定于這樣的方式,一個閉合的形狀中所含的像素160的數(shù)量并不限定于七個。
此外,閉合的形狀的多角形并不限定于六角形,例如也可以如圖32所示那樣為三角形。此處三角形的一邊也由相鄰的三角形共用。在圖32表示一個閉合的形狀的三角形的中包含三個像素160的例子,不過本實施方式并不限定于此,也可以包含四個以上像素160。通過采用這樣的結構,使得不僅顯示區(qū)域120的長邊方向而且兩個斜方向(圖31、32中的箭頭的方向)的變形也變得容易。
另外,在本實施方式中,也可以如第三實施方式那樣不形成第二槽180。此外,第一槽170和第二槽180的形狀也可以彼此不同。例如也可以以第一槽170形成圖31中所示那樣的形狀、第二槽180形成圖32中所示那樣的形狀的方式配置。
與第一至第九實施方式一樣,在本實施方式的顯示裝置100,在非發(fā)光區(qū)域410,基材110和密封膜380的厚度局部較小。因而能夠有選擇地使非發(fā)光區(qū)域410變形,能夠不對發(fā)光區(qū)域400施加負載地使整個顯示裝置100變形。其結果是,能夠抑制顯示不良的產生,提高可靠性。
作為本發(fā)明的實施方式,上述的各實施方式只要不相互矛盾就能夠適當?shù)亟M合實施。此外,以各實施方式的顯示裝置為基礎,本領域技術人員適當?shù)剡M行構成要素的追加、刪除或設計變更、或者工序的追加、省略或條件變更后的結構,只要具有本發(fā)明的主旨,就包含在本發(fā)明的范圍內。
在本說明書中,作為公開例主要例示了el顯示裝置的情況,作為其它應用例,能夠列舉其它自發(fā)光型顯示裝置、液晶顯示裝置或具有電泳元件等的電子紙型顯示裝置等所謂的平板面板型顯示裝置。此外,從中小型到大型,能夠不受特別限定地應用。
即使是與上述的各實施方式獲得的作用效果不同的其它作用效果,對基于本說明書的記載而明白的作用效果或本領域技術人員能夠容易地預測到的作用效果,當然也解釋為來自本發(fā)明。