描述的技術(shù)總體上涉及顯示基底、制造該顯示基底的方法和包括該顯示基底的顯示裝置。

背景技術(shù)：

在諸如有機(jī)發(fā)光二極管(oled)裝置和液晶顯示器(lcd)的顯示裝置中，顯示基底通常包括薄膜晶體管(tft)、電容器和布線。包括電極和發(fā)射層的顯示結(jié)構(gòu)隨后形成在顯示基底上。

隨著顯示分辨率增加，像素或像素電路的尺寸變得越來(lái)越小。因此，為了實(shí)現(xiàn)高分辨率顯示裝置，正在開(kāi)發(fā)形成精細(xì)圖案的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一個(gè)發(fā)明方面涉及一種具有改善的顯示質(zhì)量的顯示基底。

另一方面是一種形成具有改善的顯示質(zhì)量的顯示基底的方法。

另一方面是一種具有改善的顯示質(zhì)量的顯示裝置。

另一方面是一種顯示基底，其包括：基礎(chǔ)基底；下部堆疊結(jié)構(gòu)，在基礎(chǔ)基底上，下部堆疊結(jié)構(gòu)包括有源圖案、柵電極和多個(gè)絕緣層；布線，在下部堆疊結(jié)構(gòu)上；以及彩色覆蓋圖案，在布線中的各條布線上。

在示例實(shí)施例中，下部堆疊結(jié)構(gòu)包括多個(gè)臺(tái)階部分，布線包括具有不同高度的上表面。

在示例實(shí)施例中，彩色覆蓋圖案的上表面位于同一高度處。

在示例實(shí)施例中，彩色覆蓋圖案包括包含彩色材料的非光敏聚合物。

在示例實(shí)施例中，彩色材料包括黑色材料或染料。

在示例實(shí)施例中，染料對(duì)具有在從大約300nm到大約500nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的光具有吸收。

在示例實(shí)施例中，絕緣層包括：阻擋層，在基礎(chǔ)基底的頂表面上；柵極絕緣層，在阻擋層上，柵極絕緣層覆蓋有源圖案；以及絕緣層間層，在柵極絕緣層上，絕緣層間層覆蓋柵電極。

在示例實(shí)施例中，柵電極包括彼此疊置的第一柵電極和第二柵電極。柵極絕緣層可包括：第一柵極絕緣層，位于有源圖案與第一柵電極之間；第二柵極絕緣層，位于第一柵電極與第二柵電極之間。

在示例實(shí)施例中，布線的與有源圖案、第一柵電極和第二柵電極在下部堆疊結(jié)構(gòu)的高度方向上疊置的部分具有在布線的上表面之中的最上部的表面。

在示例實(shí)施例中，布線的與下部堆疊結(jié)構(gòu)的省略有源圖案、第一柵電極和第二柵電極的區(qū)域疊置的部分具有在布線的上表面之中的最下部的表面。

在示例實(shí)施例中，顯示基底還包括穿過(guò)絕緣層間層和柵極絕緣層延伸以接觸有源圖案的第一電極和第二電極。

在示例實(shí)施例中，顯示基底還包括分別設(shè)置在第一電極和第二電極上的第一電極覆蓋圖案和第二電極覆蓋圖案。

在示例實(shí)施例中，第一電極覆蓋圖案和第二電極覆蓋圖案包括與覆蓋圖案的材料相同的材料。第一電極覆蓋圖案和第二電極覆蓋圖案的上表面可位于與覆蓋圖案的高度相同的高度處。

在示例實(shí)施例中，顯示基底還包括：通孔絕緣層，在絕緣層間層上，通孔絕緣層覆蓋第一電極和第二電極；第三電極，在通孔絕緣層上，第三電極電連接到第二電極；以及像素限定層，在通孔絕緣層上，像素限定層部分地覆蓋第三電極。

另一方面是一種顯示裝置，其包括：基礎(chǔ)基底；下部堆疊結(jié)構(gòu)，在基礎(chǔ)基底上，下部堆疊結(jié)構(gòu)包括有源圖案、柵電極和多個(gè)絕緣層；布線，在下部堆疊結(jié)構(gòu)上，布線包括具有不同高度的上表面；覆蓋圖案，在布線中的各條布線上，覆蓋圖案包括在相同高度處的上表面；源電極和漏電極，穿過(guò)絕緣層中的至少一部分延伸以電連接到有源圖案；像素電極，電連接到漏電極；顯示層，在像素電極上；以及對(duì)電極，相對(duì)于顯示層與像素電極面對(duì)。

在示例實(shí)施例中，覆蓋圖案包括彩色非光敏聚合物。

在示例實(shí)施例中，覆蓋圖案包括染料或黑色材料。

在示例實(shí)施例中，顯示裝置還包括與布線交叉的柵極線。柵電極可包括彼此疊置的第一柵電極和第二柵電極。

在示例實(shí)施例中，布線根據(jù)下部堆疊結(jié)構(gòu)的輪廓包括臺(tái)階部分，通過(guò)覆蓋圖案來(lái)使臺(tái)階部分平坦化。

另一方面是一種制造顯示基底的方法。在該方法中，可在基礎(chǔ)基底上形成有源圖案?？稍诨A(chǔ)基底上形成柵極絕緣層以覆蓋有源圖案。可在柵極絕緣層上形成柵電極?？稍跂艠O絕緣層上形成絕緣層間層以覆蓋柵電極。可在絕緣層間層上形成導(dǎo)電層。導(dǎo)電層可在與有源圖案和柵電極中的至少一個(gè)疊置的區(qū)域處包括臺(tái)階部分?？稍趯?dǎo)電層上形成平坦化層?？稍谄教够瘜由闲纬晒庵驴刮g劑層?？赏ㄟ^(guò)部分地去除光致抗蝕劑層來(lái)形成光致抗蝕劑圖案?？衫霉庵驴刮g劑圖案通過(guò)光刻工藝來(lái)部分地去除平坦化層和導(dǎo)電層以形成覆蓋圖案和布線。

在示例實(shí)施例中，平坦化層由彩色非光敏聚合物形成。

在示例實(shí)施例中，通過(guò)執(zhí)行曝光工藝來(lái)形成光致抗蝕劑圖案。平坦化層可包括對(duì)在曝光工藝中使用的光具有吸收的染料。

在示例實(shí)施例中，穿過(guò)絕緣層間層和柵極絕緣層形成電極以與有源圖案接觸?？稍陔姌O上形成電極覆蓋圖案?？赏ㄟ^(guò)光刻工藝分別由導(dǎo)電層和平坦化層來(lái)形成電極和電極覆蓋圖案。

另一方面是一種顯示基底，其包括：基礎(chǔ)基底；堆疊結(jié)構(gòu)，在基礎(chǔ)基底上，堆疊結(jié)構(gòu)包括有源圖案、柵電極和多個(gè)絕緣層；多條布線，在堆疊結(jié)構(gòu)上；以及多個(gè)彩色覆蓋圖案，在布線中的各條布線上。

在以上顯示基底中，堆疊結(jié)構(gòu)包括多個(gè)臺(tái)階部分，其中，布線包括距基礎(chǔ)基底具有不同高度的多個(gè)上表面。

在以上顯示基底中，彩色覆蓋圖案分別包括距基礎(chǔ)基底具有相同距離的多個(gè)上表面。

在以上顯示基底中，彩色覆蓋圖案由包括彩色材料的非光敏聚合物形成。

在以上顯示基底中，彩色材料包括黑色材料或染料。

在以上顯示基底中，染料被構(gòu)造為吸收具有在從大約300nm到大約500nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的光。

在以上顯示基底中，絕緣層包括：阻擋層，在基礎(chǔ)基底的頂表面上；柵極絕緣層，在阻擋層上，柵極絕緣層覆蓋有源圖案；以及絕緣層間層，在柵極絕緣層上，絕緣層間層覆蓋柵電極。

在以上顯示基底中，柵電極包括在顯示基底的深度維度上彼此疊置的第一柵電極和第二柵電極，其中，柵極絕緣層包括：第一柵極絕緣層，置于有源圖案與第一柵電極之間；第二柵極絕緣層，置于第一柵電極與第二柵電極之間。

在以上顯示基底中，布線的與有源圖案、第一柵電極和第二柵電極在堆疊結(jié)構(gòu)的深度方向上疊置的多個(gè)部分具有在布線的多個(gè)上表面之中的最上部的表面。

在以上顯示基底中，布線的與省略有源圖案、第一柵電極和第二柵電極的堆疊結(jié)構(gòu)疊置的多個(gè)部分具有在所述布線的多個(gè)上表面之中的最下部的表面。

以上顯示基底還包括穿過(guò)絕緣層間層和柵極絕緣層延伸以接觸有源圖案的第一電極和第二電極。

以上顯示基底還包括分別設(shè)置在第一電極和第二電極上的第一電極覆蓋圖案和第二電極覆蓋圖案。

在以上顯示基底中，第一電極覆蓋圖案和第二電極覆蓋圖案由與彩色覆蓋圖案的材料相同的材料形成，其中，第一電極覆蓋圖案和第二電極覆蓋圖案的多個(gè)上表面具有與彩色覆蓋圖案的高度相同的高度。

以上顯示基底還包括：通孔絕緣層，在絕緣層間層上，通孔絕緣層覆蓋第一電極和第二電極；第三電極，在通孔絕緣層上，第三電極電連接到第二電極；以及像素限定層，在通孔絕緣層上，像素限定層部分地覆蓋第三電極。

另一方面是一種顯示裝置，其包括：基礎(chǔ)基底；堆疊結(jié)構(gòu)，在基礎(chǔ)基底上，堆疊結(jié)構(gòu)包括有源圖案、柵電極和多個(gè)絕緣層；多條布線，在堆疊結(jié)構(gòu)上，布線包括具有不同高度的多個(gè)上表面；多個(gè)覆蓋圖案，在布線中的各個(gè)上，覆蓋圖案分別包括距基礎(chǔ)基底具有相同距離的多個(gè)上表面；源電極和漏電極，穿過(guò)絕緣層中的至少一部分延伸以電連接到有源圖案；像素電極，電連接到漏電極；顯示層，在像素電極上；以及對(duì)電極，相對(duì)于顯示層與像素電極面對(duì)。

在以上顯示裝置中，覆蓋圖案由彩色非光敏聚合物形成。

在以上顯示裝置中，覆蓋圖案包括染料或黑色材料。

以上顯示裝置還包括分別與布線交叉的多條柵極線，其中，柵電極包括在顯示裝置的深度維度上彼此疊置的第一柵電極和第二柵電極。

在以上顯示裝置中，布線中的每條包括基于堆疊結(jié)構(gòu)的輪廓的臺(tái)階部分，其中，通過(guò)覆蓋圖案來(lái)使每個(gè)臺(tái)階部分平坦化。

在以上顯示裝置中，覆蓋圖案分別具有距基礎(chǔ)基底等距的多個(gè)上表面。

在以上顯示裝置中，覆蓋圖案分別具有距基礎(chǔ)基底不等距的多個(gè)下表面。

在以上顯示裝置中，覆蓋圖案中的至少兩個(gè)具有不同的厚度。

另一方面是一種制造顯示基底的方法，其包括以下步驟：在基礎(chǔ)基底上形成有源圖案；在基礎(chǔ)基底上形成柵極絕緣層以覆蓋所述有源圖案；在柵極絕緣層上形成柵電極；在柵極絕緣層上形成絕緣層間層以覆蓋所述柵電極；在絕緣層間層上形成導(dǎo)電層，導(dǎo)電層在與有源圖案和柵電極中的至少一個(gè)在顯示基底的深度維度上疊置的區(qū)域處包括臺(tái)階部分；在導(dǎo)電層上形成平坦化層；在平坦化層上形成光致抗蝕劑層；部分地去除光致抗蝕劑層從而形成光致抗蝕劑圖案；基于光致抗蝕劑圖案用光刻工藝部分地去除平坦化層和導(dǎo)電層，從而形成多個(gè)覆蓋圖案和多條布線。

在以上方法中，平坦化層由彩色非光敏聚合物形成。

在以上方法中，形成光致抗蝕劑圖案的步驟包括執(zhí)行曝光工藝，其中，平坦化層包括對(duì)在曝光工藝中使用的光具有吸收的染料。

以上方法還包括：穿過(guò)絕緣層間層和柵極絕緣層形成多個(gè)電極以與有源圖案接觸；在電極上形成多個(gè)電極覆蓋圖案，其中，使用光刻工藝分別由導(dǎo)電層和平坦化層來(lái)形成電極和電極覆蓋圖案。

附圖說(shuō)明

圖1是示出根據(jù)示例實(shí)施例的顯示基底的俯視平面圖。

圖2和圖3是示出根據(jù)示例實(shí)施例的顯示基底的剖視圖。

圖4是示出根據(jù)示例實(shí)施例的顯示基底的俯視平面圖。

圖5和圖6是示出根據(jù)示例實(shí)施例的顯示基底的剖視圖。

圖7和圖8分別是示出根據(jù)示例實(shí)施例的與包括在顯示基底中的布線相鄰的區(qū)域的俯視平面圖和剖視圖。

圖9是示出根據(jù)示例實(shí)施例的顯示基底的剖視圖。

圖10至圖24是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造顯示基底的方法的俯視平面圖和剖視圖。

圖25至圖27是示出根據(jù)對(duì)比示例的形成布線的方法的剖視圖。

圖28是示出根據(jù)示例實(shí)施例的顯示裝置的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照示出一些示例實(shí)施例的附圖來(lái)更充分地描述各種示例實(shí)施例。然而，所描述的技術(shù)能以許多不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為受限于在此所闡述的示例實(shí)施例。相反，提供這些示例實(shí)施例使得本描述將是徹底的和完全的，并且將把所描述的技術(shù)的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，能夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。

同樣的符號(hào)始終表示同樣的元件。如在這里使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任何組合和所有組合。

將理解的是，盡管可以在這里使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三、第四等來(lái)描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部件，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部件不應(yīng)該受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用來(lái)將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部件與另一元件、組件、區(qū)域、層或部件區(qū)分開(kāi)。因此，在不脫離所描述的技術(shù)的教導(dǎo)的情況下，可將以下討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部件命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部件。

為了易于描述，在這里可以使用諸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，來(lái)描述如附圖中所示的一個(gè)元件或特征與另外的元件或特征的關(guān)系。將理解的是，除了圖中描繪的方位之外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)還意圖包含裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件隨后將被定位“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在……下方”可包含上方和下方兩種方位。裝置可被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位)并且應(yīng)該相應(yīng)地解釋在這里使用的空間相對(duì)描述語(yǔ)。

在這里使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述具體的示例實(shí)施例的目的而非意圖限制所描述的技術(shù)。如在這里使用的，除非上下文另有明確指示，否則單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種”和“該/所述”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包括”及其變型時(shí)，表明存在陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是不排除存在或添加一個(gè)或更多個(gè)其它的特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

在這里參照是理想化的示例實(shí)施例的示意性圖示(和中間結(jié)構(gòu))的截面圖示來(lái)對(duì)示例實(shí)施例進(jìn)行描述。這樣地，將預(yù)料到由例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，示例實(shí)施例不應(yīng)被解釋為受限于在此示出的區(qū)域的具體形狀，而是將包括例如由制造造成的形狀上的偏差。例如，被示出為矩形的注入?yún)^(qū)域?qū)⒌湫偷鼐哂袌A形的或彎曲的特征和/或在其邊緣處的注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變換。同樣地，通過(guò)注入形成的掩埋區(qū)域可在掩埋區(qū)域與發(fā)生注入所穿過(guò)的表面之間的區(qū)域中引起一些注入。因此，在附圖中示出的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，它們的形狀不意圖示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀并且不意圖限制所描述技術(shù)的范圍。

除非另外定義，否則在這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與所描述的技術(shù)所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還將理解的是，除非這里明確這樣定義，否則諸如在通用字典中定義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與在相關(guān)領(lǐng)域的上下文中的它們的含義一致的含義，而不將以理想化或過(guò)于形式化的意思來(lái)解釋。

盡管可以不示出一些剖視圖的相應(yīng)的平面圖和/或透視圖，但在這里示出的裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖為如將在平面圖中示出的沿兩個(gè)不同的方向延伸的多個(gè)裝置結(jié)構(gòu)和/或如將在透視圖中示出的在三個(gè)不同方向上延伸的多個(gè)裝置結(jié)構(gòu)提供支持。兩個(gè)不同的方向可以彼此正交或者可以彼此不正交。三個(gè)不同的方向可包括可與所述兩個(gè)不同方向正交的第三方向。多個(gè)裝置結(jié)構(gòu)可集成到同一電子裝置中。例如，當(dāng)在剖視圖中示出裝置結(jié)構(gòu)(例如，存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)或晶體管結(jié)構(gòu))時(shí)，如將通過(guò)電子裝置的平面圖示出，電子裝置可包括多個(gè)裝置結(jié)構(gòu)(例如，存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)或晶體管結(jié)構(gòu))。多個(gè)裝置結(jié)構(gòu)可以布置為陣列和/或二維圖案。在本公開(kāi)中，術(shù)語(yǔ)“基本上(基本)”包括完全地、幾乎完全地或者在一些應(yīng)用下以及根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員達(dá)到的任何顯著程度的含義。而且，“形成在、設(shè)置在或者位于……上方”也可意味著“形成在、設(shè)置在或者位于……上”。術(shù)語(yǔ)“連接”包括電連接。

圖1是示出根據(jù)示例實(shí)施例的顯示基底的俯視平面圖。圖2和圖3是示出根據(jù)示例實(shí)施例的顯示基底的剖視圖。

例如，圖1包括包含在顯示基底中的像素的電路布局。例如，圖1示出彼此鄰近的兩個(gè)像素。為了便于描述，在圖1中省略了絕緣結(jié)構(gòu)的示出。將與基礎(chǔ)基底100的頂表面平行并且彼此垂直的兩個(gè)方向限定為第一方向和第二方向。貫穿在此提供的附圖，對(duì)方向的限定可是相同的。

圖2包括沿圖1中標(biāo)示的線i-i’和ii-ii’截取的剖視圖。圖3包括沿圖1中標(biāo)示的線iii-iii’和iv-iv’截取的剖視圖。

參照?qǐng)D1至圖3，顯示基底包括可設(shè)置在基礎(chǔ)基底100上的有源圖案110、柵極線132、134和136、柵電極130以及布線160、162和164。覆蓋圖案170和172可形成在布線160、162和164上。

顯示基底還可包括具有多個(gè)絕緣層的絕緣結(jié)構(gòu)和電極。絕緣結(jié)構(gòu)可包括阻擋層105、柵極絕緣層120、絕緣層間層140、通孔絕緣層180和像素限定層195。電極可包括第一電極150、第二電極155和第三電極190。

玻璃基底或塑料基底可用作基礎(chǔ)基底100。在一些實(shí)施例中，基礎(chǔ)基底100包括具有透明和柔性性質(zhì)的聚合物材料。在這種情況下，顯示基底可實(shí)施為透明柔性顯示裝置。例如，基礎(chǔ)基底100由聚酰亞胺、環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂、丙烯酰類(lèi)樹(shù)脂或聚酯等形成。在實(shí)施例中，基礎(chǔ)基底100由聚酰亞胺形成。

阻擋層105可形成在基礎(chǔ)基底100的頂表面上。阻擋層105可防止雜質(zhì)和濕氣在基礎(chǔ)基底100與在其上的結(jié)構(gòu)之間擴(kuò)散。

例如，阻擋層105由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅形成。這些可單獨(dú)使用或者使用其組合。阻擋層105可具有包括氧化硅層和氮化硅層的多層結(jié)構(gòu)。

有源圖案110可設(shè)置在阻擋層105上。有源圖案110可按每個(gè)像素布置為重復(fù)的形狀。有源圖案110可包括諸如多晶硅的硅化合物?？稍谟性磮D案110的一些部分處摻雜p型雜質(zhì)或n型雜質(zhì)以增加其導(dǎo)電性。

在一些實(shí)施例中，有源圖案110由氧化物半導(dǎo)體(例如，銦鎵鋅氧化物(igzo)、鋅錫氧化物(zto)或銦錫鋅氧化物(itzo))形成。

柵極絕緣層120可形成在阻擋層105上，并且可覆蓋有源圖案110。柵極絕緣層120可包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。這些可單獨(dú)使用或者使用其組合。柵極絕緣層120可具有包括氧化硅層和氮化硅層的多層結(jié)構(gòu)。

如圖2和圖3中所示，柵極絕緣層120可沿著阻擋層105和有源圖案110的表面具有共形表面輪廓。在一些實(shí)施例中，柵極絕緣層120在與有源圖案110疊置的區(qū)域處包括臺(tái)階部分。

柵電極130以及第一至第三柵極線132、134和136可設(shè)置在柵極絕緣層120上。

在示例實(shí)施例中，柵極線132、134和136沿第一方向延伸，并且與有源圖案110的多個(gè)區(qū)域疊置。此外，柵極線132、134和136可與包括在多個(gè)像素中的有源圖案110疊置。

柵電極130可具有與有源圖案110的區(qū)域疊置的平板形狀。

在一些實(shí)施例中，將第一柵極線132用作發(fā)射控制線。第二柵極線134和第三柵極線136可用作掃描線。柵電極130在平面圖中可置于第一柵極線132與第二柵極線134之間。

p型雜質(zhì)或n型雜質(zhì)可在有源圖案110的不與柵電極130以及柵極線132、134和136疊置的區(qū)域中進(jìn)行摻雜以提供導(dǎo)電性。有源圖案110的與柵電極130以及柵極線132、134和136基本疊置的區(qū)域可用作溝道區(qū)。

因此，可通過(guò)柵電極130、柵極線132、134和136以及有源圖案110來(lái)限定多個(gè)晶體管。在一些實(shí)施例中，如在圖1中所示，將第一晶體管tr1限定在柵電極130與有源圖案110的疊置區(qū)域處?？蓪⒌诙w管至第七晶體管tr2、tr3、tr4、tr5、tr6和tr7限定在柵極線132、134和136與有源圖案110的疊置區(qū)域處。

在一些實(shí)施例中，第一晶體管tr1用作將驅(qū)動(dòng)電流供應(yīng)到顯示基底或包括顯示基底的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)晶體管。例如，第七晶體管tr7用作開(kāi)關(guān)晶體管。

柵電極130以及柵極線132、134和136包括諸如鋁(al)、銀(ag)、鎢(w)、銅(cu)、鎳(ni)、鉻(cr)、鉬(mo)、鈦(ti)、鉑(pt)、鉭(ta)、釹(nd)和鈧(sc)的金屬、它們的合金或它們的氮化物。這些可單獨(dú)使用或者使用其組合。柵電極130以及柵極線132、134和136可包括具有不同物理和化學(xué)性質(zhì)的至少兩個(gè)金屬層。例如，柵電極130以及柵極線132、134和136具有諸如al/mo結(jié)構(gòu)或ti/cu結(jié)構(gòu)的多層結(jié)構(gòu)。

絕緣層間層140可形成在柵極絕緣層120上，并且可覆蓋柵電極130以及柵極線132、134和136。絕緣層間層140可由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅形成。這些可單獨(dú)使用或者使用其組合。絕緣層間層140可具有包括氧化硅層和氮化硅層的多層結(jié)構(gòu)。

如圖2和圖3中所示，絕緣層間層140可沿著柵極絕緣層120、柵電極130以及柵極線132、134和136的表面具有共形表面輪廓。在一些實(shí)施例中，絕緣層間層140可在與有源圖案110、柵電極130和/或柵極線132、134和136疊置的區(qū)域處具有臺(tái)階部分。

如圖2中所示，第一電極150和第二電極155穿過(guò)絕緣層間層140和柵極絕緣層120延伸以接觸有源圖案110。例如，第一電極150和第二電極155與有源圖案110的雜質(zhì)區(qū)域接觸。例如，有源圖案110的在雜質(zhì)區(qū)域之間與第三柵極線136疊置的一部分可用作電荷可通過(guò)其傳輸或移動(dòng)的溝道區(qū)。

在一些實(shí)施例中，第一電極150和第二電極155分別用作源電極和漏電極。

如圖1和圖3中所示，第一布線至第三布線160、162和164設(shè)置在絕緣層間層140上。

第一布線160和第二布線162可在第二方向上延伸，并且可與柵極線132、134和136交叉。第一布線160和第二布線162可共用地設(shè)置在像素中，并且可沿第一方向重復(fù)地布置。

第一布線160可基本設(shè)置在在第一方向上相鄰的像素的邊界處。如圖1和圖3中所示，第一布線160與包括在相鄰的兩個(gè)像素中的有源圖案110共同地且部分地疊置。在一些實(shí)施例中，第一布線160用作顯示基底或顯示裝置的電力線(例如，elvdd線)。

第二布線162可沿第一方向相鄰于第一布線160，并且可在第二方向上延伸以與柵極線132、134和136以及柵電極130疊置。在一些實(shí)施例中，第二布線162用作顯示基底或顯示裝置的數(shù)據(jù)線。

第二布線162可相對(duì)于絕緣層間層140而與柵電極130或柵極線132、134和136疊置，因此，可在每個(gè)像素中形成至少一個(gè)電容器。

第三布線164可與第二柵極線134交叉，并且可電連接到柵電極130和有源圖案110。例如，第三布線164用作顯示基底或顯示裝置的源極線。

在示例實(shí)施例中，第一布線至第三布線160、162和164根據(jù)下部結(jié)構(gòu)的輪廓而包括臺(tái)階部分。例如，第一布線至第三布線160、162和164包括具有不同高度的上表面。此外，第一布線至第三布線160、162和164中的每個(gè)可包括具有不同高度的多個(gè)上表面。

如圖3中所示，第二布線162的一部分(表示為第一部分162a)設(shè)置在包括柵電極130和有源圖案110的堆疊結(jié)構(gòu)上。因此，第一部分162a可具有相對(duì)高的上表面。第一布線160的一部分可設(shè)置在省略柵電極130的堆疊結(jié)構(gòu)上，并且可具有比第二布線162的第一部分162a的上表面低的上表面。第二布線162的第二部分162b可設(shè)置在省略柵電極130和有源圖案110的堆疊結(jié)構(gòu)上。因此，第二部分162b可包括在布線中最低的上表面。

在彼此相鄰的有源圖案110之間的堆疊結(jié)構(gòu)可包括凹進(jìn)，因此，在所述堆疊結(jié)構(gòu)上的第一布線160也可包括凹進(jìn)或臺(tái)階部分。

第一布線至第三布線160、162和164可由諸如ag、mg、al、w、cu、ni、cr、mo、ti、pt、ta、nd、sc等的金屬、金屬的合金和/或金屬的氮化物形成。第一布線至第三布線160、162和164可具有包括至少兩個(gè)不同的金屬層的多層結(jié)構(gòu)。

在一些實(shí)施例中，絕緣層間層140包括多個(gè)層。例如，第一電極150和第二電極155設(shè)置在第一絕緣層間層上，覆蓋第一電極150和第二電極155的第二絕緣層間層可形成在第一絕緣層間層上。第一布線至第三布線160、162和164可設(shè)置在第二絕緣層間層上。

第一布線至第三布線160、162和164可通過(guò)接觸來(lái)電連接到有源圖案110。

如圖1中所示，第一布線160通過(guò)第一接觸152a來(lái)電連接到有源圖案110。在一些實(shí)施例中，第一接觸152a共用地連接到包括在兩個(gè)相鄰的像素中的有源圖案110?？赏ㄟ^(guò)第一接觸152a將驅(qū)動(dòng)電流從第一布線160供應(yīng)到有源圖案110。

第二布線162可通過(guò)第二接觸152b電連接到有源圖案110。第三布線164可分別通過(guò)第三接觸152c和第四接觸152d電連接到柵電極130和有源圖案110。

在示例實(shí)施例中，如圖3中所示，覆蓋圖案170和172設(shè)置在布線160、162和164的上表面上。因此，布線160、162和164的上表面可由覆蓋圖案170和172覆蓋，并且可以不暴露在外部。

第一覆蓋圖案170可設(shè)置在第一布線160上，第二覆蓋圖案172可設(shè)置在第二布線162上。第三覆蓋圖案(未示出)可設(shè)置在第三布線164上。

在示例實(shí)施例中，覆蓋圖案包括具有同一高度的上表面。覆蓋圖案可在具有相對(duì)高的上表面的布線上具有相對(duì)小的厚度。布線圖案可在具有相對(duì)低的上表面的布線上具有相對(duì)大的厚度。

因此，第一覆蓋圖案170、第二覆蓋圖案172和第三覆蓋圖案的上表面可基本上彼此共面。例如，如圖3中所示，第一覆蓋圖案170、第二覆蓋圖案172和第三覆蓋圖案的上表面位于距基礎(chǔ)基底100的頂表面相同的高度(表示為“h”)處。

在示例實(shí)施例中，覆蓋圖案由彩色聚合物材料形成。在一些實(shí)施例中，覆蓋圖案由其中可分散或結(jié)合彩色材料的非光敏聚合物材料形成。例如，非光敏聚合物材料包括線型酚醛清漆、聚苯乙烯、聚羥基苯乙烯(phs)、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯酯、聚乙烯醚、聚烯烴、聚降冰片烯、聚酯、聚酰胺、聚碳酸酯等的主鏈結(jié)構(gòu)。在曝光工藝中具有反應(yīng)活性的官能團(tuán)(例如，保護(hù)基團(tuán)或離去基團(tuán))可以不包括在主鏈結(jié)構(gòu)中。

包括在覆蓋圖案中的彩色材料可包括諸如碳黑的黑色材料或光吸收染料材料。在一些實(shí)施例中，染料材料對(duì)具有在從大約300nm到大約500nm范圍中的波長(zhǎng)的光具有吸收。

覆蓋圖案可覆蓋布線160、162和164，從而可吸收或阻擋從布線160、162和164反射的光。因此，可防止由外部光引起的顯示質(zhì)量的劣化。

如圖2中所示，通孔絕緣層180形成在絕緣層間層140上，并且覆蓋第一電極150、第二電極155和覆蓋圖案。為了便于描述，在圖3中省略對(duì)通孔絕緣層180的示出。

用于將第二電極155和第三電極190連接的通孔結(jié)構(gòu)可形成在通孔絕緣層180中。在一些實(shí)施例中，通孔絕緣層180用作顯示基底的平坦化層。通孔絕緣層180可包括諸如聚酰亞胺、環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂、丙烯酰類(lèi)樹(shù)脂或聚酯等的有機(jī)材料。

第三電極190可設(shè)置在通孔絕緣層180上，并且可包括穿過(guò)通孔絕緣層180延伸的通孔結(jié)構(gòu)，以電連接到第二電極155。在示例實(shí)施例中，使第三電極190單獨(dú)地形成在每個(gè)像素上。第三電極190可用作顯示基底或顯示裝置的陽(yáng)極或像素電極。

在實(shí)施例中，第三電極190包括具有高逸出功的透明導(dǎo)電材料。例如，第三電極190由銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)、氧化鋅或氧化銦形成。

在實(shí)施例中，第三電極190用作反射電極。在這種情況下，第三電極190可包括諸如al、ag、w、cu、ni、cr、mo、ti、pt、ta、nd或sc的金屬或它們的合金。

在實(shí)施例中，第三電極190具有包括透明導(dǎo)電材料和金屬的多層結(jié)構(gòu)。

顯示裝置的背板(bp)結(jié)構(gòu)可通過(guò)設(shè)置在基礎(chǔ)基底100上的絕緣結(jié)構(gòu)、有源圖案110、柵電極130、柵極線132、134和136、布線160、162和164以及電極150、155和190來(lái)限定。

bp結(jié)構(gòu)還可包括像素限定層195。像素限定層195可形成在通孔絕緣層180上，并且可覆蓋第三電極190的外圍部分。像素限定層195可包括例如聚酰亞胺或丙烯酰類(lèi)樹(shù)脂的有機(jī)材料。

圖4是示出根據(jù)示例實(shí)施例的顯示基底的俯視平面圖。圖5和圖6是示出根據(jù)示例實(shí)施例的顯示基底的剖視圖。圖5包括沿圖4中標(biāo)示的線i-i’和ii-ii’截取的剖視圖。圖6包括沿圖4中標(biāo)示的線iii-iii’和iv-iv’截取的剖視圖。

除了柵電極和柵極絕緣層的構(gòu)造之外，圖4至圖6的顯示基底具有與在圖1至圖3中示出的元件和/或構(gòu)造基本相同或相似的元件和/或構(gòu)造。因此，在此省略對(duì)重復(fù)的元件和/或結(jié)構(gòu)的詳細(xì)描述，且同樣的附圖標(biāo)記用來(lái)表示同樣的元件。

參照?qǐng)D4至圖6，包括在顯示基底中的柵電極和柵極絕緣層均具有多層結(jié)構(gòu)。在示例實(shí)施例中，與圖1至圖3的柵電極130基本相同的第一柵電極130a設(shè)置在第一柵極絕緣層120a上。第一柵極絕緣層120a可包括與在圖1至圖3中示出的柵極絕緣層120的材料和輪廓基本相同或相似的材料和輪廓。

第二柵極絕緣層120b可形成在第一柵極絕緣層120a上，并且可覆蓋第一柵電極130a、柵極線132、134和136。第二柵極絕緣層120b可包括在與有源圖案110、第一柵電極130a以及柵極線132、134和136疊置的區(qū)域處的臺(tái)階部分。

第二柵電極138可設(shè)置在第二柵極絕緣層120b上。如圖4中所示，第二柵電極138可在第一柵極線132與第二柵極線134之間與第一柵電極130a疊置。在一些實(shí)施例中，第二柵電極138沿第一方向延伸以對(duì)多個(gè)像素共用地設(shè)置。

第二柵電極138可相對(duì)于第二柵極絕緣層120b與第一柵電極130a疊置。在示例實(shí)施例中，顯示基底或顯示裝置的存儲(chǔ)電容器(cst)由第二柵電極138、第二柵極絕緣層120b和第一柵電極130a限定。

絕緣層間層140可形成在第二柵極絕緣層120b上，并且可覆蓋第二柵電極138。絕緣層間層140可在與有源圖案110、第一柵電極130a和/或第二柵電極138疊置的區(qū)域處包括具有不同高度的臺(tái)階部分。

還如參照?qǐng)D1至圖3示出的，包括位于不同高度處的上表面的第一布線至第三布線160、162和164可形成在絕緣層間層140上。

如圖6中所示，第二布線162的第一部分162a設(shè)置在包括第二柵電極138、第一柵電極130a和有源圖案110的堆疊結(jié)構(gòu)上。因此，第一部分162a可具有相對(duì)高的上表面。第一布線160的一部分可設(shè)置在省略了第一柵電極130a的堆疊結(jié)構(gòu)上，并且可具有比第二布線162的第一部分162a的上表面低的上表面。第二布線162的第二部分162b可設(shè)置在省略了柵電極130a和138以及有源圖案110的堆疊結(jié)構(gòu)上。因此，第二部分162b可包括在布線之中最低的上表面。此外，彼此相鄰的有源圖案110之間的堆疊結(jié)構(gòu)可包括凹進(jìn)，因此，在所述堆疊結(jié)構(gòu)上的第一布線160還可包括凹進(jìn)或臺(tái)階部分。

還如參照?qǐng)D1至圖3所示的，覆蓋圖案設(shè)置在布線160、162和164上。第一覆蓋圖案170可設(shè)置在第一布線160上，第二覆蓋圖案172可設(shè)置在第二布線162上。第三覆蓋圖案(未示出)可設(shè)置在第三布線164上。

如上所述，覆蓋圖案可具有不同的厚度，并且可包括位于同一高度處的上表面。

第一電極150和第二電極155可穿過(guò)絕緣層間層140、第二柵極絕緣層120b和第一柵極絕緣層120a延伸以接觸有源圖案110。通孔絕緣層180可形成在絕緣層間層140上，并且可覆蓋第一電極150和第二電極155。

第三電極190可設(shè)置在通孔絕緣層180上，并且可電連接到第二電極155。像素限定層195可形成在通孔絕緣層180上以部分地覆蓋第三電極190。

圖7和圖8分別是示出根據(jù)示例實(shí)施例的與包括在顯示基底中的布線相鄰的區(qū)域的俯視平面圖和剖視圖。例如，圖7和圖8示出了包括在圖4至圖6的顯示基底中的第一布線160的一部分和在第一布線160的該部分周?chē)亩询B結(jié)構(gòu)。

參照?qǐng)D7和圖8，第一布線160沿第二方向延伸，并且包括具有不同高度的多個(gè)上表面。如圖8中所示，第一布線160在與第二柵電極138和有源圖案110疊置的區(qū)域(例如，表示為“a”的區(qū)域)處具有相對(duì)高的上表面。第一布線160可在省略了第二柵電極138和有源圖案110并且增加了第二柵極線134的區(qū)域(例如，表示為“c”的區(qū)域)處具有相對(duì)低的上表面。第一布線160可在省略了第二柵電極138、有源圖案110和第二柵極線134的區(qū)域(例如，表示為“b”的區(qū)域)處具有最低的上表面。

第一覆蓋圖案170可覆蓋第一布線160，并且可與第一布線160一起沿第二方向延伸。如在圖8中所示，第一覆蓋圖案170的厚度可根據(jù)第一布線160的臺(tái)階結(jié)構(gòu)而改變。

例如，第一覆蓋圖案170在區(qū)域“a”處具有相對(duì)小的厚度，并且在區(qū)域“c”處具有相對(duì)大的厚度。第一覆蓋圖案170可在區(qū)域“b”處具有最大的厚度。

在示例實(shí)施例中，第一覆蓋圖案170具有可變的厚度并且包括基本上平坦的頂表面。因此，由第一布線160下方的堆疊結(jié)構(gòu)引起的第一布線160的臺(tái)階部分可通過(guò)第一覆蓋圖案170平坦化。

圖9是示出根據(jù)示例實(shí)施例的顯示基底的剖視圖。除了電極覆蓋圖案之外，圖9的顯示基底可具有與參照?qǐng)D1至圖3或圖4至圖6示出的元件和/或構(gòu)造基本相同或相似的元件和/或構(gòu)造。因此，在此省略對(duì)重復(fù)的元件和/或結(jié)構(gòu)的詳細(xì)描述，且同樣的附圖標(biāo)記用來(lái)表示同樣的元件。

參照?qǐng)D9，第一電極150a和第二電極155a穿過(guò)絕緣層間層140、第二柵極絕緣層120b和第一柵極絕緣層120a延伸以與有源圖案110接觸。在一些實(shí)施例中，第一電極150a和第二電極155a根據(jù)下部堆疊結(jié)構(gòu)(或堆疊結(jié)構(gòu))的輪廓而均包括臺(tái)階部分或具有不同高度的上表面。

在示例實(shí)施例中，第一電極覆蓋圖案178a和第二電極覆蓋圖案178b分別設(shè)置在第一電極150a和第二電極155a上。第一電極覆蓋圖案178a和第二電極覆蓋圖案178b均可具有基本上平坦的上表面。第一電極覆蓋圖案178a和第二電極覆蓋圖案178b的上表面可位于基本上同一高度處，或者可彼此共面。

可通過(guò)第一電極覆蓋圖案178a和第二電極覆蓋圖案178b將包括在第一電極150a和第二電極155a中的臺(tái)階部分平坦化或去除。

在一些實(shí)施例中，第一電極覆蓋圖案178a和第二電極覆蓋圖案178b由與如上所述包括在覆蓋圖案170和172中的材料基本相同或相似的材料形成。例如，第一電極覆蓋圖案178a和第二電極覆蓋圖案178b包括彩色非光敏聚合物材料。

在一些實(shí)施例中，第一電極覆蓋圖案178a和第二電極覆蓋圖案178b的上表面位于與覆蓋圖案170和172的上表面的高度基本相同的高度處。

第三電極190可穿過(guò)通孔絕緣層180和第二電極覆蓋圖案178b延伸以電連接到第二電極155a。

圖10至圖24是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造顯示基底的方法的俯視平面圖和剖視圖。例如，圖10至圖24示出制造在圖4至圖6中示出的顯示基底的方法。

具體地，圖10、圖13和圖16是示出方法的步驟的俯視平面圖。為了便于描述，在圖10、圖13和圖16中省略了對(duì)絕緣結(jié)構(gòu)的示出。圖11、圖14、圖17、圖19和圖24包括沿在俯視平面圖中標(biāo)示的線i-i’和ii-ii’截取的剖視圖。圖12、圖15、圖18以及圖20至圖23包括沿在俯視平面圖中標(biāo)示的線iii-iii’和iv-iv’截取的剖視圖。

參照?qǐng)D10至圖12，在基礎(chǔ)基底100上形成阻擋層105，在阻擋層105上形成有源圖案110。

玻璃基底或塑料基底可用作基礎(chǔ)基底100。在一些實(shí)施例中，基礎(chǔ)基底100由具有透明和柔性性質(zhì)的聚合材料形成。

阻擋層105可覆蓋基礎(chǔ)基底100的整個(gè)上表面。阻擋層105可由氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅形成。

可由例如非晶硅或多晶硅在阻擋層105上形成半導(dǎo)體層，然后可使半導(dǎo)體層圖案化以形成有源圖案110。

在一些實(shí)施例中，在形成半導(dǎo)體層后，可進(jìn)一步對(duì)半導(dǎo)體層執(zhí)行諸如低溫多晶硅(ltps)工藝或激光結(jié)晶工藝的結(jié)晶工藝。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體層由諸如igzo、zto或itzo的氧化物半導(dǎo)體形成。

如圖10中所示，使有源圖案110圖案化以按每個(gè)像素重復(fù)地布置。

參照?qǐng)D13至圖15，在阻擋層105上形成第一柵極絕緣層120a以覆蓋有源圖案110?？稍诘谝粬艠O絕緣層120a上形成第一柵電極130a以及柵極線132、134和136。

可沿阻擋層105和有源圖案110的表面共形地形成第一柵極絕緣層120a。第一柵極絕緣層120a可包括在有源圖案110上的突出。第一柵極絕緣層120a可由氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅形成。

可在第一柵極絕緣層120a上形成第一導(dǎo)電層，然后可使第一導(dǎo)電層圖案化以形成第一柵電極130a以及柵極線132、134和136。第一導(dǎo)電層可由金屬、合金或金屬氮化物形成。第一導(dǎo)電層可形成為包括多個(gè)金屬層。

可使第一柵電極130a圖案化以具有與有源圖案110的區(qū)域疊置的平板形狀?？墒箹艠O線132、134和136圖案化以在第一方向上延伸。

例如，第一柵極線132用作發(fā)射控制線，第二柵極線134和第三柵極線136用作掃描線。

在一些實(shí)施例中，在形成第一柵電極130a以及柵極線132、134和136之后，通過(guò)離子注入工藝將p型雜質(zhì)或n型雜質(zhì)摻雜在有源圖案110中。例如，在離子注入工藝期間將第一柵電極130a以及柵極線132、134和136用作離子注入掩模。因此，可在有源圖案110的不與第一柵電極130a以及柵極線132、134和136疊置的部分處形成雜質(zhì)區(qū)域以提供期望的導(dǎo)電性。

如參照?qǐng)D1或圖4所述，通過(guò)有源圖案110與第一柵電極130a的疊置區(qū)域以及有源圖案110與柵極線132、134和136的疊置區(qū)域來(lái)限定晶體管。

參照?qǐng)D16至圖18，在第一柵極絕緣層120a上形成第二柵極絕緣層120b以覆蓋第一柵電極130a以及柵極線132、134和136?？稍诘诙艠O絕緣層120b上形成第二柵電極138。

可沿第一柵極絕緣層120a、第一柵電極130a以及柵極線132、134和136的表面共形地形成第二柵極絕緣層120b。第二柵極絕緣層120b可在有源圖案110、第一柵電極130a以及柵極線132、134和136上包括突出或臺(tái)階部分。第二柵極絕緣層120b可由氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅形成。

例如，在第二柵極絕緣層120b上形成第二導(dǎo)電層，使第二導(dǎo)電層圖案化以形成第二柵電極138。第二導(dǎo)電層可由金屬、合金或金屬氮化物形成。第二導(dǎo)電層可形成為包括多個(gè)金屬層。

第二柵電極138可相對(duì)于第二柵極絕緣層120b而與第一柵電極130a疊置。第二柵電極138可沿第一方向延伸，并且可在多個(gè)像素上方連續(xù)地延伸。

參照?qǐng)D19和圖20，在第二柵極絕緣層120b上形成絕緣層間層140以覆蓋第二柵電極138。絕緣層間層140可在與有源圖案110、第一柵電極130a和第二柵電極138以及柵極線132、134和136疊置的區(qū)域處包括具有不同高度的臺(tái)階部分。絕緣層間層140可由氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅形成。

隨后，可穿過(guò)絕緣層間層140、第二柵極絕緣層120b和第一柵極絕緣層120a形成第一電極150和第二電極155以接觸在第三柵極線136的兩側(cè)區(qū)域處的有源圖案110。

例如，可部分地蝕刻絕緣層間層140、第二柵極絕緣層120b和第一柵極絕緣層120a以形成通過(guò)其在第三柵極線136的兩側(cè)區(qū)域處暴露有源圖案110的接觸孔。可在絕緣層間層140上形成填充接觸孔的第三導(dǎo)電層，并且可通過(guò)光刻工藝使第三導(dǎo)電層圖案化以形成第一電極150和第二電極155。第三導(dǎo)電層可由金屬、金屬氮化物和/或合金形成。

在一些實(shí)施例中，第一電極150和第二電極155分別用作源電極和漏電極。

在一些實(shí)施例中，絕緣層間層140形成為具有多層結(jié)構(gòu)。例如，在第二柵極絕緣層120b和第二柵電極138上形成第一絕緣層間層?？纱┻^(guò)第一絕緣層間層、第二柵極絕緣層120b和第一柵極絕緣層120a來(lái)形成第一電極150和第二電極155?？稍诘谝唤^緣層間層上形成覆蓋第一電極150和第二電極155的第二絕緣層間層。

參照?qǐng)D21，在絕緣層間層140上形成第四導(dǎo)電層165，在第四導(dǎo)電層165上形成平坦化層175。

第四導(dǎo)電層165可包括具有不同高度的上表面或臺(tái)階部分。例如，第四導(dǎo)電層165的形成在包括有源圖案110、第一柵電極130a和第二柵電極138的堆疊結(jié)構(gòu)上的一部分具有相對(duì)高的上表面，第四導(dǎo)電層165的一部分在可省略有源圖案110、第一柵電極130a和/或第二柵電極138的堆疊結(jié)構(gòu)上具有相對(duì)低的上表面。第四導(dǎo)電層165可由例如金屬、金屬氮化物和/或合金形成。

平坦化層175可完全地覆蓋第四導(dǎo)電層，可通過(guò)平坦化層175使包括在第四導(dǎo)電層165中的臺(tái)階部分基本上去除或平坦化。在示例實(shí)施例中，平坦化層175通過(guò)諸如旋轉(zhuǎn)涂覆工藝的涂覆工藝來(lái)由彩色聚合物材料形成。

在一些實(shí)施例中，平坦化層175由其中可分散或結(jié)合彩色材料的非光敏聚合物材料形成。例如，非光敏聚合物材料在聚合物主鏈結(jié)構(gòu)中不包含在曝光工藝期間具有反應(yīng)活性的官能團(tuán)(例如，保護(hù)基團(tuán)或離去基團(tuán))。

彩色材料可包括諸如碳黑的碳基材料或光吸收染料材料。在一些實(shí)施例中，染料材料對(duì)具有在從大約300nm到大約500nm范圍中的波長(zhǎng)的光具有吸收。

參照?qǐng)D22，在平坦化層175上形成光致抗蝕劑圖案177。

在示例實(shí)施例中，通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂覆工藝在平坦化層175上涂覆包括光致抗蝕劑聚合物的光致抗蝕劑組合物以形成光致抗蝕劑層?？蓪?duì)光致抗蝕劑層執(zhí)行曝光工藝。例如，可通過(guò)顯影工藝來(lái)去除光致抗蝕劑層的曝光部分以形成光致抗蝕劑圖案177。

光致抗蝕劑聚合物可包括光敏聚合物。例如，光致抗蝕劑聚合物包括在其主鏈結(jié)構(gòu)中的重復(fù)單元?？蓞⑴c由曝光工藝誘導(dǎo)的光化學(xué)反應(yīng)的離去基團(tuán)或保護(hù)基團(tuán)可與重復(fù)單元結(jié)合。

主鏈結(jié)構(gòu)可包括例如線型酚醛清漆、聚苯乙烯、聚羥基苯乙烯(phs)、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯酯、聚乙烯醚、聚烯烴、聚降冰片烯、聚酯、聚酰胺、聚碳酸酯等。

光致抗蝕劑組合物可以是化學(xué)放大抗蝕劑(car)型組合物。在這種情況下，光致抗蝕劑組合物可包括光致產(chǎn)酸劑(pag)。

在一些實(shí)施例中，包括i線、g線和/或h線光源的紫外(uv)光源被用在曝光工藝中。如上所述，平坦化層175可對(duì)具有在從大約300nm到大約500nm范圍中的波長(zhǎng)的光具有吸收，從而可吸收由不規(guī)則的下部堆疊結(jié)構(gòu)引起的漫反射。

另外，可通過(guò)平坦化層175來(lái)使第四導(dǎo)電層165的臺(tái)階部分平坦化或去除，因此，可使光致抗蝕劑層形成為具有基本均勻的厚度。因此，可以防止或減少由光致抗蝕劑層的厚度差引起的曝光量的分布或變化。

因此，可通過(guò)吸收不規(guī)則的反射光和減少曝光量的變化來(lái)獲得具有期望的或預(yù)定的間距和/或?qū)挾鹊墓庵驴刮g劑圖案177。

參照?qǐng)D23，利用光致抗蝕劑圖案177作為蝕刻掩模使平坦化層175和第四導(dǎo)電層165圖案化。因此，可在絕緣層間層140上形成第一布線160和第二布線162以及第一覆蓋圖案170和第二覆蓋圖案172。在形成布線和覆蓋圖案之后可通過(guò)例如灰化工藝和/或剝離工藝來(lái)去除光致抗蝕劑圖案177。

第一覆蓋圖案170和第二覆蓋圖案172可分別覆蓋第一布線160和第二布線162的上表面，并且可包括在基本同一高度處的上表面。此外，如圖4中所示，第三布線164與第一布線160和第二布線162一起形成，第三覆蓋圖案形成在第三布線164上。

在一些示例實(shí)施例中，如圖9中所示，分別覆蓋第一電極150和第二電極155的上表面的第一電極覆蓋圖案178a和第二電極覆蓋圖案178b與覆蓋圖案一起由平坦化層形成。在一些實(shí)施例中，第一電極覆蓋圖案178a和第二電極覆蓋圖案178b包括具有與覆蓋圖案的上表面的高度基本相同的高度的上表面。

參照?qǐng)D24，在絕緣層間層140上形成通孔絕緣層180以覆蓋布線和覆蓋圖案。例如，通孔絕緣層180通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂覆工藝由有機(jī)聚合物材料形成，并且具有基本水平或平坦的頂表面。

可部分蝕刻通孔絕緣層180以形成通過(guò)其可暴露第二電極155的通孔?？稍谕捉^緣層180上形成至少部分地填充通孔的第五導(dǎo)電層，可使第五導(dǎo)電層圖案化以形成第三電極190。第三電極190可用作例如像素電極或陽(yáng)極。第五導(dǎo)電層可由金屬、合金和/或透明導(dǎo)電氧化物形成。

可在通孔絕緣層180上形成像素限定層195。像素限定層195可覆蓋第三電極190的外圍部分。例如，可在通孔絕緣層180上涂覆包括例如聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂或丙烯酰類(lèi)樹(shù)脂的光敏有機(jī)材料，然后可執(zhí)行曝光和顯影工藝以形成像素限定層195。在一些實(shí)施例中，通過(guò)諸如噴墨印刷工藝的印刷工藝來(lái)使用聚合物材料或無(wú)機(jī)材料形成像素限定層195。

可通過(guò)化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)工藝、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(hdp-cvd)工藝、熱蒸鍍工藝、真空蒸鍍工藝、旋轉(zhuǎn)涂覆工藝、濺射工藝、原子層沉積(ald)工藝或印刷工藝中的至少一種來(lái)形成阻擋層105、半導(dǎo)體層、第一柵極絕緣層120a和第二柵極絕緣層120b、第一導(dǎo)電層至第五導(dǎo)電層以及絕緣層間層140。

圖25至圖27是示出根據(jù)對(duì)比示例的形成布線的方法的剖視圖。

參照?qǐng)D25，可執(zhí)行與參照?qǐng)D10至圖20示出的工藝基本相同或相似的工藝。因此，可在基礎(chǔ)基底100上順序地形成阻擋層105、有源圖案110、第一柵極絕緣層120a、第一柵電極130a、第二柵極絕緣層120b、第二柵電極138和絕緣層間層140?？稍诮^緣層間層140上形成用于形成布線的第四導(dǎo)電層165。在對(duì)比示例中，為了對(duì)第四導(dǎo)電層165的光刻工藝，直接在第四導(dǎo)電層165上形成光致抗蝕劑層300。光致抗蝕劑層300的厚度可根據(jù)下部堆疊結(jié)構(gòu)的輪廓而改變。

參照?qǐng)D26，對(duì)光致抗蝕劑層300執(zhí)行曝光工藝。例如，設(shè)置包括透明基底310和光屏蔽圖案320的曝光掩模330?？赏ㄟ^(guò)透明基底310的在光屏蔽圖案320之間的部分來(lái)照射曝光光線。

如圖26中所示，曝光光線在下部堆疊結(jié)構(gòu)的相對(duì)厚的部分(例如，表示為“d”的區(qū)域)處被橫向散射。

參照?qǐng)D27，通過(guò)顯影工藝去除光致抗蝕劑層300的暴露部分以形成第一光致抗蝕劑圖案至第三光致抗蝕劑圖案303、305和307。

如參照?qǐng)D26所述，在區(qū)域“d”處光被橫向散射，因此，第一光致抗蝕劑圖案303具有過(guò)度過(guò)蝕刻的形狀。結(jié)果，會(huì)使第一光致抗蝕劑圖案303的寬度過(guò)度減小。因此，會(huì)引起短路，并且會(huì)使布線的電阻增加。

然而，根據(jù)如上所述的示例實(shí)施例，在形成光致抗蝕劑層之前形成包括彩色聚合物材料的平坦化層175。因此，可基本上去除或減小由下部堆疊結(jié)構(gòu)引起的臺(tái)階部分，從而光致抗蝕劑層可具有完全均勻的厚度。

因此，可減少發(fā)生在對(duì)比示例中由光致抗蝕劑層300的厚度差引起的曝光量的變化，從而可獲得具有期望的精細(xì)尺寸的光致抗蝕劑圖案和布線。

圖28是示出根據(jù)示例實(shí)施例的顯示裝置的剖視圖。例如，圖28示出包括根據(jù)如上所述的示例實(shí)施例的顯示基底的oled。在此省略對(duì)顯示基底的元件和/或結(jié)構(gòu)的詳細(xì)描述。

利用沿在圖1或圖4中標(biāo)示的線i-i’和iv-iv’截取的剖視圖來(lái)舉例說(shuō)明圖28中的顯示基底。例如，顯示基底可具有參照?qǐng)D9所述的構(gòu)造。

如上所述，覆蓋圖案(例如，第二覆蓋圖案172)可形成在布線(例如，第二布線162)上。在一些實(shí)施例中，第一電極覆蓋圖案178a和第二電極覆蓋圖案178b分別形成在第一電極150a和第二電極155a上。

在一些實(shí)施例中，覆蓋圖案、第一電極覆蓋圖案178a和第二電極覆蓋圖案178b的上表面是彼此共面的。

顯示裝置還可包括設(shè)置在顯示基底上的顯示層200、第四電極210、鈍化層220、填充層230和包封基底240。

顯示層200可設(shè)置在像素限定層195和第三電極190上。例如，顯示層200形成在像素限定層195的側(cè)壁和第三電極190的通過(guò)像素限定層195暴露的頂表面上。

顯示層200可包括有機(jī)發(fā)光層，有機(jī)發(fā)光層可包括用于產(chǎn)生不同顏色的光(例如，紅色的光、綠色的光或藍(lán)色的光)的發(fā)光材料。發(fā)光材料可包括通過(guò)空穴和電子激發(fā)的宿主材料和用于促進(jìn)能量的吸收和釋放并且改善發(fā)光效率的摻雜材料。可按每個(gè)像素單獨(dú)地圖案化顯示層200。

在一些實(shí)施例中，顯示層200還包括設(shè)置在第三電極190與有機(jī)發(fā)光層之間的空穴傳輸層(htl)。顯示層200還可包括設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層上的電子傳輸層(etl)。

htl可包括空穴傳輸材料，例如，4,4’-雙[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯基(npb)、4,4’-雙[n-(3-甲基苯基)-n-苯基氨基]聯(lián)苯基(tpd)、n,n’-二-1-萘基-n,n’-二苯基-1,1’-聯(lián)苯基-4,4’-二胺(npd)、n-苯基咔唑、聚乙烯咔唑或它們的組合物。

etl可包括電子傳輸材料，例如，三(8-羥基喹啉)鋁(alq3)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-4-叔丁基苯基-1,3,4-噁二唑(pbd)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚–鋁(balq)、浴銅靈(bcp)、三唑(taz)、苯基喹唑啉或它們的組合物。

在一些實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光層、htl或etl中的至少一個(gè)不是按每個(gè)像素來(lái)單獨(dú)地圖案化，而是對(duì)多個(gè)像素共用地設(shè)置。在實(shí)施例中，對(duì)像素設(shè)置有機(jī)發(fā)光層，通過(guò)濾色器來(lái)實(shí)現(xiàn)每個(gè)像素的顏色。在這種情況下，顯示裝置可為白色-oled(w-oled)裝置。

在一些實(shí)施例中，顯示層200包括替代有機(jī)發(fā)光層的液晶層。在這種情況下，顯示裝置可為lcd裝置。

第四電極210可設(shè)置在像素限定層195和顯示層200上。第四電極210可用作可相對(duì)于顯示層200與第三電極190面對(duì)的對(duì)電極。

在示例實(shí)施例中，第四電極210用作在像素上連續(xù)延伸的共電極。此外，第四電極210可用作顯示裝置的陰極。

例如，第四電極210由諸如al、ag、w、cu、ni、cr、mo、ti、pt、ta、nd或sc的金屬或它們的合金形成。

鈍化層220可形成在第四電極210上。鈍化層220可用作用于保護(hù)第四電極210和顯示層200的覆蓋層。

包封基底240可設(shè)置在鈍化層220上，填充層230可置于鈍化層220與包封基底240之間。

包封基底240可包括例如玻璃基底或聚合物基底。填充層230可包括例如具有透光或透明性質(zhì)的有機(jī)材料。

在一些實(shí)施例中，可利用有機(jī)/無(wú)機(jī)混合膜作為替代包封基底240和填充層230的密封膜。在一些實(shí)施例中，利用薄膜包封(tfe)膜作為密封膜。

根據(jù)所公開(kāi)實(shí)施例中的至少一個(gè)，形成用于形成顯示基底或顯示裝置的布線的導(dǎo)電層，平坦化層和光致抗蝕劑層形成在導(dǎo)電層上?？赏ㄟ^(guò)平坦化層使導(dǎo)電層的臺(tái)階部分平坦化。因此，當(dāng)對(duì)光致抗蝕劑層執(zhí)行光刻工藝時(shí)，可減少或避免由臺(tái)階部分引起的曝光量的不規(guī)則分布。因此，可由導(dǎo)電層形成具有期望的精細(xì)尺寸的布線。此外，可由平坦化層在布線上形成覆蓋圖案?？赏ㄟ^(guò)覆蓋圖案來(lái)吸收從布線反射的光，因此可改善顯示裝置的顯示質(zhì)量。上文是對(duì)示例實(shí)施例的舉例說(shuō)明，而將不被解釋為對(duì)其的限制。雖然已經(jīng)描述了一些示例實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員容易領(lǐng)會(huì)的是，在本質(zhì)上不脫離本發(fā)明構(gòu)思的新穎的教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的情況下，能夠在示例實(shí)施例中進(jìn)行許多修改。因此，所有這些修改意圖包括在本發(fā)明構(gòu)思的如權(quán)利要求中限定的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求中，方法加功能項(xiàng)意圖覆蓋在此描述的如執(zhí)行所敘述功能的結(jié)構(gòu)以及結(jié)構(gòu)的等同物和等同的結(jié)構(gòu)。因此，將理解的是，上文對(duì)各種示例實(shí)施例是說(shuō)明性的，將不被解釋為限制于公開(kāi)的具體示例實(shí)施例，并且對(duì)公開(kāi)的示例實(shí)施例的修改以及其它示例實(shí)施例意圖包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。