示例實施例總體上涉及有機發(fā)光顯示裝置。更具體地，本發(fā)明構(gòu)思的實施例涉及包括反射區(qū)域的有機發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
因為與陰極射線管(crt)顯示裝置相比平板顯示(fpd)裝置重量輕且薄，所以fpd裝置被廣泛用為電子設(shè)備的顯示裝置。fpd裝置的典型示例是液晶顯示(lcd)裝置和有機發(fā)光顯示(oled)裝置。與lcd裝置相比，oled裝置具有諸如較高的亮度和較寬的視角的許多優(yōu)點。另外，因為oled裝置不需要背光單元，所以oled裝置可以制得更薄。在oled裝置中，電子和空穴通過陰極和陽極被注入到有機薄層中，然后在有機薄層中復(fù)合以產(chǎn)生激子，從而可以發(fā)射特定波長的光。
最近，已經(jīng)開發(fā)了通過包括反射區(qū)域和像素區(qū)域而能夠反射位于oled裝置前面的物體(或目標物)的圖像的鏡面oled裝置。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
一些示例實施例提供了一種能夠反射位于前面的物體的圖像的有機發(fā)光顯示裝置。
根據(jù)示例實施例的一個方面，有機發(fā)光顯示(oled)裝置包括基底、連接基底、子像素結(jié)構(gòu)、薄膜包封結(jié)構(gòu)和反射圖案。基底均具有像素區(qū)域，并且彼此間隔開。像素區(qū)域包括子像素區(qū)域和圍繞子像素區(qū)域的反射區(qū)域。連接基底將基底之中相鄰的基底連接。子像素結(jié)構(gòu)在每個基底上設(shè)置在子像素區(qū)域中。薄膜包封結(jié)構(gòu)設(shè)置在子像素結(jié)構(gòu)上。反射圖案在薄膜包封結(jié)構(gòu)上設(shè)置在反射區(qū)域中。
在示例實施例中，基底和連接基底可以一體地形成。
在示例實施例中，連接基底可以基本由具有彈性的材料構(gòu)成。
在示例實施例中，基底均可以具有島的形狀，連接基底均可以具有條的平面形狀。當基底被不規(guī)則地布置時，連接基底每個的形狀可以被改變，使得保持基底的不規(guī)則的布置。
在示例實施例中，基底均可以具有島的形狀，連接基底均可以呈基本上u形、基本上s形或基本上w形。當基底被不規(guī)則地布置時，連接基底每個的形狀可以被改變，使得保持基底的不規(guī)則的布置。
在示例實施例中，基底和連接基底可以具有包括多個開口的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，開口可以由基底之中相鄰的四個基底和連接基底之中相鄰的四個連接基底限定。
在示例實施例中，連接基底可以包括第一連接基底和第二連接基底。第一連接基底可以在平行于基底的上表面的第一方向上延伸。第二連接基底可以在垂直于第一方向的第二方向上延伸。
在示例實施例中，基底的第一側(cè)可以與第一連接基底接觸，基底的第二側(cè)可以與第二連接基底接觸。
在示例實施例中，反射圖案可以設(shè)置在連接基底上。
在示例實施例中，反射圖案可以設(shè)置在連接基底的至少一部分上，并且可以不覆蓋連接基底的至少一部分。
在示例實施例中，反射圖案可以包括第一反射圖案和第二反射圖案。第一反射圖案可以在薄膜包封結(jié)構(gòu)上設(shè)置在反射區(qū)域中，并且可以不覆蓋連接基底。第一反射圖案可以具有第一厚度。第二反射圖案可以設(shè)置在第一反射圖案與薄膜包封結(jié)構(gòu)之間，并且可以設(shè)置在基底與連接基底上。第二反射圖案可以具有比第一厚度小的第二厚度。
在示例實施例中，薄膜包封結(jié)構(gòu)可以包括第一薄膜包封層、第二薄膜包封層和第三薄膜包封層。第一薄膜包封層可以設(shè)置在子像素結(jié)構(gòu)上。第二薄膜包封層可以設(shè)置在第一薄膜包封層上。第三薄膜包封層可以設(shè)置在第二薄膜包封層上。第一薄膜包封層和第三薄膜包封層可以包括無機材料，第二薄膜包封層可以包括有機材料。
在示例實施例中，oled裝置還可以包括介于基底與子像素結(jié)構(gòu)之間的緩沖層。緩沖層可以包括無機材料，并且可以在基底的最外側(cè)處與第一薄膜包封層和第三薄膜包封層疊置。緩沖層可以使用相同的材料一體地形成在基底和連接基底上。
在示例實施例中，oled裝置還可以包括介于基底與子像素結(jié)構(gòu)之間的半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體元件可以包括有源層、柵極絕緣層、柵電極、層間絕緣層、源電極和漏電極。有源層可以設(shè)置在基底上，并且可以具有源區(qū)和漏區(qū)。柵極絕緣層可以設(shè)置在有源層上。柵電極可以設(shè)置在柵極絕緣層上。層間絕緣層可以設(shè)置在柵電極上。源電極和漏電極可以設(shè)置在層間絕緣層上，源電極和漏電極每個可以分別與源區(qū)和漏區(qū)接觸。
在示例實施例中，柵極絕緣層使用相同的材料一體地形成在基底和連接基底上，層間絕緣層使用相同的材料一體地形成在基底和連接基底上。
在示例實施例中，oled裝置還可以包括設(shè)置在半導(dǎo)體元件和子像素結(jié)構(gòu)之間的平坦化層。平坦化層可以使用相同的材料一體地形成在基底和連接基底上，并且可以具有開口，所述開口位于連接基底的外部中，暴露設(shè)置在連接基底上的層間絕緣層的上表面的設(shè)置在連接基底上的一部分。
在示例實施例中，子像素結(jié)構(gòu)可以包括下電極、發(fā)光層和上電極。下電極可以在平坦化層上位于子像素區(qū)域中。發(fā)光層可以設(shè)置在下電極上。上電極可以設(shè)置在發(fā)光層上。
在示例實施例中，oled裝置還可以包括像素限定層和阻擋結(jié)構(gòu)。像素限定層可以在平坦化層上設(shè)置在反射區(qū)域中，并且可以覆蓋下電極的兩個側(cè)部。像素限定層可以暴露下電極的一部分。阻擋結(jié)構(gòu)可以與像素限定層間隔開，并且可以與像素限定層在同一水平處。阻擋結(jié)構(gòu)可以在像素區(qū)域的外部中圍繞像素限定層。
在示例實施例中，連接基底可以設(shè)置在阻擋結(jié)構(gòu)之間，所述阻擋結(jié)構(gòu)設(shè)置在基底之中相鄰的兩個基底中。
在示例實施例中，oled裝置可以包括位于像素限定層上的間隔件。像素限定層、間隔件和阻擋結(jié)構(gòu)可以使用相同的材料同時地形成。
因為根據(jù)示例實施例的oled裝置包括基底、柔性連接基底和反射圖案，所以oled裝置可以容易地設(shè)置在彎曲或不規(guī)則的表面上。另外，反射圖案可以反射位于oled裝置前面的物體的圖像。因此，oled裝置可以用作具有彎曲形狀的鏡面oled裝置。
附圖說明
可以通過下面結(jié)合附圖進行的描述更詳細地理解示例實施例，在附圖中：
圖1是示出根據(jù)示例實施例的有機發(fā)光顯示(oled)裝置的透視圖；
圖2、圖3和圖4是示出包括在圖1的oled裝置中的基底和連接基底的示例的透視圖；
圖5a是沿圖1的線i-i’截取的剖視圖；
圖5b是示出圖1的oled裝置的示例的剖視圖；
圖6是沿圖1的線ii-ii’截取的剖視圖；
圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12、圖13、圖14、圖15和圖16是示出根據(jù)示例實施例的制造oled裝置的方法的剖視圖；
圖17是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖；
圖18是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖；
圖19是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖；
圖20是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖；
圖21是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖；
圖22是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。
具體實施方式
在下文中，將參照附圖詳細地解釋本發(fā)明構(gòu)思的實施例。
圖1是示出根據(jù)示例實施例的有機發(fā)光顯示(oled)裝置的透視圖，圖2、圖3和圖4是示出包括在圖1的oled裝置中的基底和連接基底的示例的透視圖。
參照圖1，有機發(fā)光顯示(oled)裝置100可以包括多個像素區(qū)域10和多個連接區(qū)域30。像素區(qū)域10之中的一個像素區(qū)域10可以包括第一子像素區(qū)域11、第二子像素區(qū)域12和第三子像素區(qū)域13以及反射區(qū)域20。例如，像素區(qū)域10均可以包括第一子像素區(qū)域11、第二子像素區(qū)域12和第三子像素區(qū)域13以及反射區(qū)域20。反射區(qū)域20可以基本圍繞第一子像素區(qū)域11、第二子像素區(qū)域12和第三子像素區(qū)域13。在示例實施例中，像素區(qū)域10可以彼此間隔開。連接區(qū)域30可以位于像素區(qū)域10之中的相鄰的像素區(qū)域10之間。即，連接區(qū)域30可以置于彼此間隔開的像素區(qū)域10之間。
第一子像素至第三子像素可以分別設(shè)置在第一子像素區(qū)域11、第二子像素區(qū)域12和第三子像素區(qū)域13中。例如，第一子像素可以發(fā)射紅色的光，第二子像素可以發(fā)射綠色的光。另外，第三子像素可以發(fā)射藍色的光。第一子像素至第三子像素可以設(shè)置在基底110上的同一水平處。
反射圖案可以設(shè)置在反射區(qū)域20中。反射圖案可以反射外部光。例如，反射圖案可以反射位于oled裝置100的與第一方向d1和第二方向d2垂直的第三方向d3上的物體的圖像。這里，第一方向d1可以平行于基底110的上表面，第二方向d2可以垂直于第一方向d1。另外，像素區(qū)域10可以包括多個開口。例如，像素區(qū)域10可以包括位于第一子像素區(qū)域11至第三子像素區(qū)域13中的每個中的開口。第一子像素至第三子像素可以經(jīng)由開口發(fā)光，oled裝置100可以在第三方向d3上顯示顯示的圖像。
在示例實施例中，oled裝置100的一個像素區(qū)域10包括第一子像素區(qū)域11、第二子像素區(qū)域12和第三子像素區(qū)域13，但是不限于此。
導(dǎo)電布線(例如，掃描信號布線、數(shù)據(jù)信號布線、電源電壓布線等)可以設(shè)置在連接區(qū)域30中。這里，導(dǎo)電布線可以電連接到子像素結(jié)構(gòu)。
在示例實施例中，均包括在oled裝置100中的多個基底110可以包括像素區(qū)域10，均包括在oled裝置100中的多個連接基底120可以包括連接區(qū)域30。基底110均可以具有島的形狀，連接基底120均可以具有條的平面形狀。另外，基底110和連接基底120可以具有擁有多個開口200的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。例如，開口200可以由基底110之中相鄰的四個基底110以及連接基底120之中相鄰的四個連接基底120來限定。
在示例實施例中，基底110的形狀具有基本上矩形的形狀的平面形狀，但其不限于此。例如，基底110的形狀可以代替地具有基本上三角形的形狀、基本上菱形的形狀、基本上多邊形的形狀、基本上圓形的形狀、基本上軌道的形狀或基本上橢圓形的形狀的平面形狀。
在示例實施例中，當基底110的形狀具有基本上矩形的形狀的平面形狀時，連接基底120可以包括第一連接基底121和第二連接基底122。第一連接基底121可以在平行于基底110的上表面的第一方向d1(例如，列方向)上延伸，并且可以在第一方向d1上重復(fù)地布置。第二連接基底122可以在垂直于第一方向d1的第二方向d2(例如，行方向)上延伸，并且可以在第二方向d2上重復(fù)地布置。例如，基底110的第一側(cè)(例如，基底110的平行于第二方向d2的側(cè)壁)可以與第一連接基底121接觸，基底110的第二側(cè)(例如，基底110的平行于第一方向d1的側(cè)壁)可以與第二連接基底122接觸。
連接基底120可以基本上由具有彈性(或柔性)的材料構(gòu)成。在示例實施例中，當基底110被不規(guī)則地布置時，連接基底120的形狀均可以改變，使得保持基底110的不規(guī)則的布置。例如，連接基底120可以被拉伸、彎曲或折疊。在這種情況下，可以改變開口200的形狀。
參照圖2、圖3和圖4，連接基底120可以具有不同的形狀。在示例實施例中，如圖2中所示，當基底110被規(guī)則地布置時，連接基底420可以呈基本上u形。另外，如圖3中所示，當基底110被規(guī)則地布置時，連接基底421可以呈基本上s形。此外，如圖4中所示，當基底110被規(guī)則地布置時，連接基底422可以具有基本上w形。在這種情況下，可以增大連接基底420、421和422的彈性。例如，因為連接基底420、421和422可以具有基本上彈簧的形狀，所以連接基底420、421和422均可以比具有條的平面形狀的連接基底120更多地被拉伸。另外，連接基底420、421和422均可以相對容易地被彎曲或被折疊。
在示例實施例中，連接基底420、421和422分別呈基本上u形、基本上s形和基本上w形，但不限于此。例如，連接基底120可以具有各種形狀。
再參照圖1，基底110和連接基底120可以一體地形成。例如，在設(shè)置初始基底之后，可以在初始基底中形成開口200，然后可以設(shè)置基底110和連接基底120。即，基底110和連接基底120可以使用相同的材料同時地形成。
因為根據(jù)示例實施例的oled裝置100包括基底110、連接基底120和反射圖案，所以oled裝置100可以容易地設(shè)置在彎曲的或不規(guī)則的表面上。另外，在oled裝置100中，位于oled裝置100的前面的物體的圖像可以從反射圖案被反射，所以可以同步(或同時)顯示顯示的圖像和位于oled裝置100前面的物體的圖像。因此，oled裝置100可以用作具有彎曲形狀的鏡面oled裝置。
圖5a是沿圖1的線i-i’截取的剖視圖，圖5b是示出圖1的oled裝置的示例的剖視圖。圖6是沿圖1的線ii-ii’截取的剖視圖。
參照圖5a和圖6，oled裝置100可以包括基底110、連接基底120、緩沖層115、半導(dǎo)體元件250、平坦化層270、子像素結(jié)構(gòu)、像素限定層310、間隔件390、阻擋結(jié)構(gòu)370、薄膜包封結(jié)構(gòu)450、反射圖案380等。這里，半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230，子像素結(jié)構(gòu)可以包括下電極290、發(fā)光層330和上電極340。另外，薄膜包封(tfe)結(jié)構(gòu)450可以包括第一tfe層451、第二tfe層452和第三tfe層453。
如上所述，oled裝置100可以包括多個像素區(qū)域10和多個連接區(qū)域30。這里，像素區(qū)域10之中的一個像素區(qū)域10可以包括子像素區(qū)域12和反射區(qū)域20。子像素區(qū)域12可以位于反射區(qū)域20之間。子像素結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在子像素區(qū)域12中，半導(dǎo)體元件250可以設(shè)置在像素區(qū)域10中。另外，可以在從基底110到tfe結(jié)構(gòu)450的第三方向d3(例如，與第一方向d1和第二方向d2垂直的第三方向d3)上顯示顯示的圖像。此外，反射圖案380可以設(shè)置在反射區(qū)域20和連接區(qū)域30中，位于oled裝置100的前面的物體(例如，位于與反射圖案380的上表面豎直的第三方向d3上的目標物)的圖像可以在第三方向d3上顯示在反射圖案380上。因為oled裝置100包括能夠反射位于oled裝置100的前面的物體的圖像的反射圖案380，所以oled裝置100可以用作具有頂發(fā)射結(jié)構(gòu)的鏡面oled裝置。
可以提供基底110?；?10可以包括透明絕緣材料。在示例實施例中，基底110可以基本上由透明聚酰亞胺基底構(gòu)成。透明聚酰亞胺基底可以由柔性透明樹脂基底形成。在這種情況下，透明聚酰亞胺基底可以包括至少一個聚酰亞胺層和至少一個阻擋層。例如，透明聚酰亞胺基底可以具有聚酰亞胺層和阻擋層堆疊在剛性玻璃基底上的結(jié)構(gòu)。在制造oled裝置100時，在將緩沖層115設(shè)置在透明聚酰亞胺基底的阻擋層上之后，可以將半導(dǎo)體元件250和子像素結(jié)構(gòu)設(shè)置在緩沖層115上。在形成半導(dǎo)體元件250和子像素結(jié)構(gòu)之后，可以去除剛性玻璃基底。因為透明聚酰亞胺基底是相對薄且柔性的，所以會難以在透明聚酰亞胺基底上直接形成半導(dǎo)體元件250和子像素結(jié)構(gòu)。因此，在具有附著到透明聚酰亞胺基底的剛性玻璃基底的透明聚酰亞胺基底上形成半導(dǎo)體元件250和子像素結(jié)構(gòu)，然后在去除剛性玻璃基底之后，包括聚酰亞胺層和阻擋層的透明聚酰亞胺基底可以用作oled裝置100的基底110。因為oled裝置100包括包含子像素區(qū)域12和反射區(qū)域20的像素區(qū)域10，所以基底110也可以包括包含子像素區(qū)域12和反射區(qū)域20的像素區(qū)域10。
聚酰亞胺層可以包括無規(guī)共聚物或嵌段共聚物。另外，聚酰亞胺層可以具有高透明度、低熱膨脹系數(shù)和高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。因為聚酰亞胺層包括酰亞胺基團，所以耐熱性、耐化學性、耐磨性和電特性可以是優(yōu)異的。
阻擋層可以包括有機材料或無機材料。有機材料可以包括光致抗蝕劑、聚丙烯酰類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、聚酰胺類樹脂、硅氧烷類樹脂、丙烯酰類樹脂、環(huán)氧類樹脂等。另外，無機材料可以包括硅化合物、金屬氧化物等。例如，阻擋層可以包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)、碳氮化硅(sicxny)、氧化鋁(alox)、氮化鋁(alnx)、氧化鉭(taox)、氧化鉿(hfox)、氧化鋯(zrox)、氧化鈦(tiox)等。在一些示例實施例中，基底110可以包括石英基底、人造石英基底、氟化鈣基底、摻氟石英基底、鈉鈣玻璃基底、無堿玻璃基底等。
如圖1中所示，連接基底120和基底110可以一體地形成。例如，在提供初始基底之后，可以在初始基底中形成開口200，然后可以提供基底110和連接基底120。即，可以使用相同的材料同時地形成基底110和連接基底120。在示例實施例中，多個基底110可以彼此間隔開，連接基底120可以設(shè)置在基底110之中的相鄰的基底110之間。即，連接基底120可以包括連接區(qū)域30，連接區(qū)域30可以介于彼此間隔開的像素區(qū)域10之間。在示例實施例中，連接基底120可以設(shè)置在阻擋結(jié)構(gòu)370之間。連接基底120可以具有條的平面形狀。另外，基底110和連接基底120可以包括具有多個開口的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。例如，可以由基底110之中相鄰的四個基底110以及連接基底120之中相鄰的四個連接基底120限定開口。連接基底120可以基本由具有彈性的材料構(gòu)成。因此，當不規(guī)則地布置基底110時，均可以改變連接基底120的形狀，使得保持基底110的不規(guī)則的布置。例如，可以拉伸、彎曲或折疊連接基底120。在這種情況下，可以改變開口200的形狀。
緩沖層115可以設(shè)置在基底110和連接基底120上。緩沖層115可以設(shè)置在整個基底110和整個連接基底120上。緩沖層115可以防止金屬原子和/或雜質(zhì)從基底110擴散到半導(dǎo)體元件250和子像素結(jié)構(gòu)中。此外，緩沖層115可以控制用于形成有源層130的結(jié)晶工藝中熱傳遞的速率，從而獲得基本均勻的有源層130。此外，當基底110的表面相對不規(guī)則時，緩沖層115可以改善基底110的表面平坦度。根據(jù)基底110的類型，可以在基底110上設(shè)置至少兩個緩沖層，或者可以不設(shè)置緩沖層115。在示例實施例中，緩沖層115可以包括無機材料，并且可以阻擋經(jīng)由基底110滲透的濕氣或水。如圖6中所示，緩沖層115可以在基底110的最外側(cè)處與第一tfe層451和第三tfe層453疊置。即，緩沖層115與tfe結(jié)構(gòu)450一起可以保護子像素結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體元件250。例如，緩沖層115可以包括siox、sinx、sioxny等。
有源層130可以在緩沖層115上設(shè)置在子像素區(qū)域12中。有源層130可以包括源區(qū)和漏區(qū)。例如，有源層130可以包括氧化物半導(dǎo)體、無機半導(dǎo)體(例如，非晶硅、多晶硅等)、有機半導(dǎo)體等。
柵極絕緣層150可以設(shè)置在緩沖層115和有源層130上。柵極絕緣層150可以在緩沖層115上覆蓋子像素區(qū)域12中的有源層130，并且可以設(shè)置在整個基底110和整個連接基底120上。例如，柵極絕緣層150可以充分地覆蓋有源層130，并且可以具有基本水平的表面，而沒有在有源層130周圍的臺階?？蛇x擇地，柵極絕緣層150可以覆蓋有源層130，并且可以沿有源層130的輪廓設(shè)置為基本均勻的厚度。柵極絕緣層150可以包括有機材料或無機材料。
柵電極170可以在柵極絕緣層150上設(shè)置在子像素區(qū)域12中。柵電極170可以設(shè)置在有源層130位于其下方的柵極絕緣層150上。柵電極170可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。可以單獨使用或以其合適的組合使用這些材料?？蛇x擇地，柵電極170可以具有多層結(jié)構(gòu)。
層間絕緣層190可以設(shè)置在柵極絕緣層150和柵電極170上。層間絕緣層190可以在基底110上覆蓋子像素區(qū)域12中的柵電極170，并且可以設(shè)置在整個基底110和整個連接基底120上。例如，層間絕緣層190可以充分地覆蓋柵電極170，并且可以具有基本水平的表面，而沒有位于柵電極170周圍的臺階。可選擇地，層間絕緣層190可以覆蓋柵電極170，并且可以沿柵電極170的輪廓設(shè)置為基本均勻的厚度。層間絕緣層190可以包括有機材料或無機材料。
源電極210和漏電極230可以在層間絕緣層190上設(shè)置在子像素區(qū)域12中。源電極210可以經(jīng)由接觸孔與有源層130的源區(qū)接觸，接觸孔通過去除柵極絕緣層150和層間絕緣層190每個的一部分來形成。漏電極230可以經(jīng)由接觸孔與有源層130的漏區(qū)接觸，接觸孔通過去除柵極絕緣層150和層間絕緣層190每個的一部分來形成。源電極210和漏電極230中的每個可以包括金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等?？梢詥为毷褂没蛞云浜线m的組合使用這些材料?？蛇x擇地，源電極210和漏電極230中的每個可以具有多層結(jié)構(gòu)。因此，可以設(shè)置包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230的半導(dǎo)體元件250。
平坦化層270可以設(shè)置在層間絕緣層190、源電極210和漏電極230上。平坦化層270可以在基底110上覆蓋子像素區(qū)域12中的源電極210和漏電極230，并且可以設(shè)置在整個基底110和整個連接基底120上。例如，平坦化層270可以被設(shè)置為高厚度，以充分地覆蓋層間絕緣層190以及源電極210和漏電極230。在這種情況下，平坦化層270可以具有基本平坦的上表面，可以對平坦化層270進一步執(zhí)行平坦化工藝，以實現(xiàn)平坦化層270的平坦的上表面。平坦化層270可以包括有機材料或無機材料。
下電極290可以在平坦化層270上設(shè)置在子像素區(qū)域12中。例如，下電極290的厚度可以比上電極340的厚度大，使得下電極290在第三方向d3上反射從發(fā)光層330發(fā)射的光。下電極290可以經(jīng)由接觸孔與漏電極230接觸，接觸孔通過去除平坦化層270的一部分來形成。另外，下電極290可以電連接到半導(dǎo)體元件250。例如，下電極290可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等?？梢詥为毷褂没蛞云浜线m的組合使用這些材料。在一些示例實施例中，下電極290可以具有多層結(jié)構(gòu)。
像素限定層310可以設(shè)置在下電極290的一部分和平坦化層270上。例如，像素限定層310可以覆蓋下電極290的兩個側(cè)部(或者，平面圖中的側(cè)部)，使得下電極290的上表面的一部分被暴露。在這種情況下，發(fā)光層330可以設(shè)置在下電極290的被像素限定層310暴露的部分上。像素限定層310可以包括有機材料或無機材料。
發(fā)光層330可以設(shè)置在被像素限定層310暴露的下電極290的上表面的一部分中。發(fā)光層330可以根據(jù)子像素使用能夠產(chǎn)生不同顏色的光(例如，紅色光、藍色光和綠色光等)的發(fā)光材料中的至少一種來形成?？蛇x擇地，發(fā)光層330可以通過堆疊多個能夠產(chǎn)生不同顏色的光(諸如紅色光、藍色光和綠色光等)的發(fā)光材料來總體上產(chǎn)生白色光。在這種情況下，可以在發(fā)光層330上設(shè)置濾色器。例如，濾色器可以設(shè)置為在tfe結(jié)構(gòu)450上與發(fā)光層330疊置，或可以設(shè)置在反射圖案380的開口中。濾色器可以包括從紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器中選擇的至少一種?？蛇x擇地，濾色器可以包括黃色濾色器、藍綠色濾色器和品紅色濾色器。濾色器可以由光敏樹脂(或彩色光致抗蝕劑)等形成。
阻擋結(jié)構(gòu)370可以在平坦化層270上設(shè)置在反射區(qū)域20中。阻擋結(jié)構(gòu)370和像素限定層310可以設(shè)置在同一水平處，并且可以彼此間隔開。另外，阻擋結(jié)構(gòu)370可以在像素區(qū)域10的外部中圍繞像素限定層310。另外，阻擋結(jié)構(gòu)370可以具有能夠最終阻擋第二tfe層452的漏出(溢出)的預(yù)定的高度。在示例實施例中，因為像素限定層310與阻擋結(jié)構(gòu)370間隔開，所以第一tfe層451和第三tfe層453可以設(shè)置在像素限定層310與阻擋結(jié)構(gòu)370之間。在這種情況下，所述結(jié)構(gòu)可以阻擋從外部滲透到oled裝置100的內(nèi)部的濕氣或水。阻擋結(jié)構(gòu)370可以包括有機材料或無機材料。可選擇地，阻擋結(jié)構(gòu)370還可以包括最終阻擋第二tfe層452的漏出的額外阻擋結(jié)構(gòu)。
間隔件390可以在像素限定層310上設(shè)置在反射區(qū)域20中。間隔件390可以執(zhí)行與能夠最終阻擋第二tfe層452的漏出的阻擋結(jié)構(gòu)370相同的功能，并且可以執(zhí)行支撐金屬掩模的功能。間隔件390可以包括有機材料或無機材料。在示例實施例中，像素限定層310、間隔件390和阻擋結(jié)構(gòu)370可以使用半色調(diào)狹縫掩模由相同的材料同時形成。
上電極340可以在像素限定層310、間隔件390和發(fā)光層330上設(shè)置在反射區(qū)域20的一部分和子像素區(qū)域12中。在子像素區(qū)域12中，oled裝置100可以發(fā)射用于在第三方向d3上顯示圖像的預(yù)定的光(例如，頂發(fā)射方法)。因此，上電極340的厚度可以比下電極290的厚度小，使得從發(fā)光層330發(fā)射的光在第三方向d3上透射通過上電極340。上電極340可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等?？蛇x擇地，上電極340可以具有多層結(jié)構(gòu)。因此，可以設(shè)置包括下電極290、發(fā)光層330和上電極340的子像素結(jié)構(gòu)。
tfe結(jié)構(gòu)450可以在上電極340和阻擋結(jié)構(gòu)370上設(shè)置在像素區(qū)域10中。例如，tfe結(jié)構(gòu)450的第一tfe層451可以設(shè)置在子像素結(jié)構(gòu)上。第一tfe層451可以覆蓋上電極340和阻擋結(jié)構(gòu)370，并且可以沿上電極340和阻擋結(jié)構(gòu)370的輪廓設(shè)置為基本均勻的厚度。第一tfe層451可以防止子像素結(jié)構(gòu)由濕氣、水、氧等的滲透而導(dǎo)致的劣化。另外，第一tfe層451可以保護子像素結(jié)構(gòu)免受外部沖擊的影響。第一tfe層451可以包括無機材料。
第二tfe層452可以設(shè)置在第一tfe層451上。第二tfe層452可以改善oled裝置100的平坦度，并且可以保護設(shè)置在子像素區(qū)域12中的子像素結(jié)構(gòu)。第二tfe層452可以包括有機材料。
第三tfe層453可以設(shè)置在第二tfe層452和第一tfe層451上。第三tfe層453可以覆蓋第二tfe層452和第一tfe層451，并且可以沿第二tfe層452和第一tfe層451的輪廓設(shè)置為基本均勻的厚度。第三tfe層453與第一tfe層451和第二tfe層452一起可以防止子像素結(jié)構(gòu)由濕氣、水、氧等的滲透而導(dǎo)致的劣化。另外，第三tfe層453與第一tfe層451和第二tfe層452一起可以保護子像素結(jié)構(gòu)免受外部沖擊的影響。第三tfe層453可以包括無機材料。
可選擇地，tfe結(jié)構(gòu)450可以具有第一tfe層至第五tfe層堆疊的五層結(jié)構(gòu)或者第一tfe層至第七tfe層堆疊的七層結(jié)構(gòu)。在一些示例實施例中，當基底110形成為剛性玻璃基底時，tfe結(jié)構(gòu)450可以形成為剛性玻璃基底，諸如石英基底、人造石英基底、氟化鈣基底、氟摻雜石英基底、鈉鈣玻璃基底、無堿玻璃基底等。
反射圖案380可以設(shè)置在tfe結(jié)構(gòu)450和平坦化層270上。即，反射圖案380可以在基底110和連接基底120上完全地設(shè)置在像素區(qū)域10和連接區(qū)域30中。反射圖案380可以暴露子像素區(qū)域12。如上所述，因為oled裝置100包括反射圖案380，所以oled裝置100可以在第三方向d3上反射位于oled裝置100的前面的物體的圖像。
在一些示例實施例中，如圖5b中所示，反射圖案380可以暴露像素區(qū)域10的至少一部分。即，反射圖案380可以暴露子像素區(qū)域12，并且可以在基底110上完全地設(shè)置在反射區(qū)域20中。另外，反射圖案380可以設(shè)置在連接基底120的一部分上。在這種情況下，因為反射圖案380設(shè)置在連接基底120的一部分上，所以可以相對增大連接基底120的彈性。
反射圖案380可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。例如，反射圖案380可以由金(au)、銀(ag)、鋁(al)、鉑(pt)、鎳(ni)、鈦(ti)、鈀(pd)、鎂(mg)、鈣(ca)、鋰(li)、鉻(cr)、鉭(ta)、鎢(w)、銅(cu)、鉬(mo)、鈧(sc)、釹(nd)、銥(ir)、鋁合金、氮化鋁(alnx)、銀合金、氮化鎢(wnx)、銅合金、鉬合金、氮化鈦(tinx)、氮化鉻(crnx)、氮化鉭(tanx)、氧化鍶釕(sro)、氧化鋅(znox)、氧化銦錫(ito)、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)、氧化銦鋅(izo)等形成。可以單獨使用或以其合適的組合使用這些材料?？蛇x擇地，反射圖案380可以具有多層結(jié)構(gòu)。
因為根據(jù)示例實施例的oled裝置100包括基底110、連接基底120和反射圖案380，所以oled裝置100可以容易地設(shè)置在彎曲的或不規(guī)則的表面上。另外，在oled裝置100中，可以從反射圖案380反射位于oled裝置100的前面的物體的圖像，并且可以同時顯示顯示的圖像和位于oled裝置100的前面的物體。因此，oled裝置100可以用作具有彎曲形狀的鏡面oled裝置。
圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12、圖13、圖14、圖15和圖16是示出根據(jù)示例實施例的制造oled裝置的方法的剖視圖。
參照圖7和圖8，可以提供初始基底511。初始基底511可以具有板形狀。初始基底511可以包括像素區(qū)域10和連接區(qū)域30。這里，像素區(qū)域10可以包括子像素區(qū)域12和反射區(qū)域20。
初始基底511可以基本由透明聚酰亞胺基底構(gòu)成。可以使用柔性透明樹脂基底形成透明聚酰亞胺基底。在這種情況下，透明聚酰亞胺基底可以包括至少一個聚酰亞胺層和至少一個阻擋層。
可以使用無規(guī)共聚物和嵌段共聚物形成聚酰亞胺層。另外，聚酰亞胺層可以具有高透明度、低熱膨脹系數(shù)和高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。因為聚酰亞胺層包括酰亞胺基團，所以耐熱性、耐化學性、耐磨性和電特性可以是優(yōu)異的。
阻擋層可以包括有機材料或無機材料?？梢允褂霉庵驴刮g劑、聚丙烯酰類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、聚酰胺類樹脂、硅氧烷類樹脂、丙烯酰類樹脂、環(huán)氧類樹脂等形成所述有機材料。另外，可以使用硅化合物、金屬氧化物等形成所述無機材料。例如，可以由siox、sinx、sioxny、sioxcy、sicxny、alox、alnx、taox、hfox、zrox、tiox等形成阻擋層。
可以在初始基底511上形成緩沖層515?？梢栽谡麄€初始基底511上形成緩沖層515。緩沖層可以防止金屬原子和/或雜質(zhì)從初始基底511擴散到半導(dǎo)體元件和子像素結(jié)構(gòu)中。此外，緩沖層515可以控制用于形成有源層的結(jié)晶工藝中的熱傳遞速率，從而獲得基本均勻的有源層。此外，當初始基底511的表面相對不規(guī)則時，緩沖層515可以改善初始基底511的表面平坦度。根據(jù)初始基底511的類型，可以在初始基底511上設(shè)置至少兩個緩沖層，或者可以不設(shè)置緩沖層515。在示例實施例中，緩沖層515可以包括無機材料，并且可以阻擋經(jīng)由初始基底511滲透的濕氣或水。例如，可以由siox、sinx、sioxny等形成緩沖層515。
參照圖9，可以在緩沖層515上在子像素區(qū)域12中設(shè)置有源層530。有源層530可以包括源區(qū)和漏區(qū)。例如，可以由氧化物半導(dǎo)體、無機半導(dǎo)體、有機半導(dǎo)體等形成有源層530。
可以在緩沖層515和有源層530上形成柵極絕緣層550。柵極絕緣層550可以在緩沖層515上覆蓋子像素區(qū)域12中的有源層530，并且可以形成在整個初始基底511上。例如，柵極絕緣層550可以充分地覆蓋有源層530，并且可以具有基本水平的表面，而沒有在有源層530周圍的臺階。可選擇地，柵極絕緣層550可以覆蓋有源層530，并且可以沿有源層530的輪廓形成為基本均勻的厚度。可以使用有機材料或無機材料形成柵極絕緣層550。
可以在柵極絕緣層550上在子像素區(qū)域12中形成柵電極570?？梢栽谟性磳?30位于其下方的柵極絕緣層550上形成柵電極570?？梢允褂媒饘?、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成柵電極570?？梢詥为毷褂没蛞云浜线m的組合使用這些材料?？蛇x擇地，可以將柵電極570形成為多層結(jié)構(gòu)。
參照圖10，可以在柵極絕緣層550和柵電極570上形成層間絕緣層590。層間絕緣層590可以在初始基底511上覆蓋子像素區(qū)域12中的柵電極570，并且可以形成在整個初始基底511上。例如，層間絕緣層590可以充分地覆蓋柵電極570，并且可以具有基本水平的表面，而沒有在柵電極570周圍的臺階。可選擇地，層間絕緣層590可以覆蓋柵電極570，并且可以沿柵電極570的輪廓形成為基本均勻的厚度?？梢允褂糜袡C材料或無機材料形成層間絕緣層590。
可以在層間絕緣層590上在子像素區(qū)域12中形成源電極610和漏電極630。源電極610可以經(jīng)由接觸孔與有源層530的源區(qū)接觸，接觸孔通過去除柵極絕緣層550和層間絕緣層590每個的一部分來形成。漏電極630可以經(jīng)由接觸孔與有源層530的漏區(qū)接觸，接觸孔通過去除柵極絕緣層550和層間絕緣層590每個的一部分來形成?？梢允褂媒饘?、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成源電極610和漏電極630中的每個?？梢詥为毷褂没蛞云浜线m的組合使用這些材料?？蛇x擇地，源電極610和漏電極630中的每個可以具有多層結(jié)構(gòu)。因此，可以形成包括有源層530、柵極絕緣層550、柵電極570、層間絕緣層590、源電極610和漏電極630的半導(dǎo)體元件650。
參照圖11，可以在層間絕緣層590、源電極610和漏電極630上形成平坦化層670。平坦化層670可以在初始基底511上覆蓋子像素區(qū)域12中的源電極610和漏電極630，并且可以形成在整個初始基底511上。例如，平坦化層670可以形成為高厚度，以充分地覆蓋層間絕緣層590以及源電極610和漏電極630。在這種情況下，平坦化層670可以具有基本平坦的上表面，可以對平坦化層670進一步執(zhí)行平坦化工藝，以實現(xiàn)平坦化層670的平坦的上表面?？梢允褂糜袡C材料或無機材料形成平坦化層670。
可以在平坦化層670上在子像素區(qū)域12中形成下電極690。下電極690可以經(jīng)由接觸孔與漏電極630接觸，接觸孔通過去除平坦化層670的一部分來形成。另外，下電極690可以電連接到半導(dǎo)體元件650。例如，可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成下電極690?？梢詥为毷褂没蛞云浜线m的組合使用這些材料。在一些示例實施例中，下電極690可以具有多層結(jié)構(gòu)。
參照圖12，可以在下電極690的一部分和平坦化層670上形成像素限定層710。例如，像素限定層710可以覆蓋下電極690的兩個側(cè)部，使得下電極690的上表面的一部分被暴露。在這種情況下，發(fā)光層可以位于下電極690的被像素限定層710暴露的一部分上。可以使用有機材料或無機材料形成像素限定層710。
可以在平坦化層670上在反射區(qū)域20中形成阻擋結(jié)構(gòu)770。阻擋結(jié)構(gòu)770和像素限定層710可以形成在同一水平處，并且可以彼此間隔開。另外，阻擋結(jié)構(gòu)770可以在像素區(qū)域10的外部中圍繞像素限定層710。另外，阻擋結(jié)構(gòu)770可以具有預(yù)定的高度?？梢允褂糜袡C材料或無機材料形成阻擋結(jié)構(gòu)770。
可以在像素限定層710上在反射區(qū)域20中形成間隔件790。間隔件790可以執(zhí)行支撐金屬掩模的功能?？梢允褂糜袡C材料或無機材料形成間隔件790。在示例實施例中，可以使用半色調(diào)狹縫掩模由相同的材料同時地形成像素限定層710、間隔件790和阻擋結(jié)構(gòu)770。例如，可以在平坦化層670上形成初始絕緣層。在形成初始絕緣層之后，可以使用半色調(diào)狹縫掩模形成初始絕緣層不被去除的第一部分、初始絕緣層的一部分被去除的第二部分以及初始絕緣層被完全地去除的第三部分。因此，可以形成像素限定層710、間隔件790和阻擋結(jié)構(gòu)770。
參照圖13和圖14，可以部分地去除初始基底511。例如，可以在初始基底511中形成多個開口600。在形成開口600之后，可以形成基底510和連接基底520。即，可以一體地形成基底510和連接基底520。在示例實施例中，多個基底510可以彼此間隔開，可以在基底510之中相鄰的基底510之間形成連接基底520。即，連接基底520可以包括連接區(qū)域30，連接區(qū)域30可以介于彼此間隔開的像素區(qū)域10之間。連接基底520可以具有條的平面形狀。連接基底520可以包括第一連接基底521和第二連接基底522。第一連接基底521可以在平行于基底510的上表面的第一方向d1上延伸，并且可以在第一方向d1上重復(fù)地布置。第二連接基底522可以在垂直于第一方向d1的第二方向d2上延伸，并且可以在第二方向d2上重復(fù)地布置。例如，基底510的第一側(cè)(例如，基底510的平行于第二方向d2的側(cè)壁)可以與第一連接基底521接觸，基底510的第二側(cè)(例如，基底510的平行于第一方向d1的側(cè)壁)可以與第二連接基底522接觸。連接基底520可以基本由具有彈性(或柔性)的材料構(gòu)成。因此，當不規(guī)則地布置基底510時，可以改變連接基底520每個的形狀，使得可以保持基底510的不規(guī)則的布置。例如，可以拉伸、彎曲或折疊連接基底520。在這種情況下，可以改變開口600的形狀。
參照圖15，可以在下電極690的上表面被像素限定層710暴露的一部分中形成發(fā)光層730?？梢愿鶕?jù)子像素使用能夠產(chǎn)生不同顏色的光(例如，紅色光、藍色光和綠色光等)的發(fā)光材料中的至少一種形成發(fā)光層730?？蛇x擇地，發(fā)光層730可以通過堆疊能夠產(chǎn)生不同顏色的光(諸如紅色光、綠色光、藍色光等)的多種發(fā)光材料來產(chǎn)生白色光。在這種情況下，可以在發(fā)光層730上形成濾色器。濾色器可以包括從紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器中選擇的至少一種。可選擇地，濾色器可以包括黃色濾色器、藍綠色濾色器和品紅色濾色器?？梢杂晒饷舨牧?或者光致抗蝕劑)等形成濾色器。
可以在像素限定層710、間隔件790和發(fā)光層730上在反射區(qū)域20的一部分和子像素區(qū)域12中形成上電極740?？梢允褂媒饘佟⒔饘俸辖?、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成上電極740。可選擇地，上電極740可以具有多層結(jié)構(gòu)。因此，可以形成包括下電極690、發(fā)光層730和上電極740的子像素結(jié)構(gòu)。
可以在上電極740和阻擋結(jié)構(gòu)770上在像素區(qū)域10中形成第一tfe層851。例如，第一tfe層851可以覆蓋上電極740和阻擋結(jié)構(gòu)770，并且可以沿上電極740和阻擋結(jié)構(gòu)770的輪廓形成為基本均勻的厚度。第一tfe層851可以防止子像素結(jié)構(gòu)由濕氣、水、氧等的滲透而導(dǎo)致的劣化。另外，第一tfe層851可以保護子像素結(jié)構(gòu)免受外部沖擊的影響?？梢允褂脽o機材料形成第一tfe層851。
參照圖16，可以在第一tfe層851上形成第二tfe層852。第二tfe層852可以改善oled裝置的平坦度，并且可以保護形成在子像素區(qū)域12中的子像素結(jié)構(gòu)。可以使用有機材料形成第二tfe層852。
可以在第二tfe層852和第一tfe層851上形成第三tfe層853。第三tfe層853可以覆蓋第二tfe層852和第一tfe層851，并且可以沿第二tfe層852和第一tfe層851的輪廓形成為基本均勻的厚度。第三tfe層853與第一tfe層851和第二tfe層852一起可以防止子像素結(jié)構(gòu)由濕氣、水、氧等的滲透而導(dǎo)致的劣化。另外，第三tfe層853與第一tfe層851和第二tfe層852一起可以保護子像素結(jié)構(gòu)免受外部沖擊的影響?？梢允褂脽o機材料形成第三tfe層853。因此，可以形成包括第一tfe層851、第二tfe層852和第三tfe層853的tfe結(jié)構(gòu)850。
可以在tfe結(jié)構(gòu)850和平坦化層670上形成反射圖案780。即，可以在基底510和連接基底520上的像素區(qū)域10和連接區(qū)域30中完全地形成反射圖案780。反射圖案780可以暴露子像素區(qū)域12。可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成反射圖案780。例如，可以由au、ag、al、pt、ni、ti、pd、mg、ca、li、cr、ta、w、cu、mo、sc、nd、ir、鋁合金、alnx、銀合金、wnx、銅合金、鉬合金、tinx、crnx、tanx、sro、znox、ito、snox、inox、gaox、izo等形成反射圖案780。可以單獨使用或以其合適的組合使用這些材料?？蛇x擇地，可以將反射圖案780形成為多層結(jié)構(gòu)。因此，可以制造圖5a中示出的oled裝置。
圖17是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。除了反射圖案381之外，圖17中示出的oled裝置可以具有與參照圖1、圖2、圖3、圖4、圖5a和圖6描述的顯示裝置100的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。在圖17中，將省略針對與參照圖1、圖2、圖3、圖4、圖5a和圖6描述的元件基本相同或相似的元件的詳細描述。
參照圖1、圖2、圖3、圖4、圖5a、圖6和圖17，oled裝置可以包括基底110、連接基底120、緩沖層115、半導(dǎo)體元件250、平坦化層270、子像素結(jié)構(gòu)、像素限定層310、間隔件390、阻擋結(jié)構(gòu)370、tfe結(jié)構(gòu)450、反射圖案381等。這里，半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230，子像素結(jié)構(gòu)可以包括下電極290、發(fā)光層330和上電極340。另外，tfe結(jié)構(gòu)450可以包括第一tfe層451、第二tfe層452和第三tfe層453。
反射圖案381可以設(shè)置在tfe結(jié)構(gòu)450上。即，反射圖案381可以設(shè)置在基底110的一部分上，并且可以不覆蓋連接基底120和阻擋結(jié)構(gòu)370。另外，反射圖案381可以暴露子像素區(qū)域12。當反射圖案381不設(shè)置在連接基底120上時，可以相對增大連接基底120的彈性。例如，當改變連接基底120每個的形狀以保持基底110的不規(guī)則的布置時，可以相對容易地被拉伸、彎曲或折疊連接基底120。
圖18是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖，圖19是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。除了平坦化層271、第一tfe層461、第三tfe層463和反射圖案381之外，圖18和圖19中示出的oled裝置可以具有與參照圖1、圖2、圖3、圖4、圖5a和圖6描述的顯示裝置100的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。在圖18和圖19中，將省略針對與參照圖1、圖2、圖3、圖4、圖5a和圖6描述的元件基本相同或相似的元件的詳細描述。
參照圖1、圖2、圖3、圖4、圖5a、圖6和圖18，oled裝置可以包括基底110、連接基底120、緩沖層115、半導(dǎo)體元件250、平坦化層271、子像素結(jié)構(gòu)、像素限定層310、間隔件390、阻擋結(jié)構(gòu)370、tfe結(jié)構(gòu)450、反射圖案380等。這里，半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230，子像素結(jié)構(gòu)可以包括下電極290、發(fā)光層330和上電極340。另外，tfe結(jié)構(gòu)450可以包括第一tfe層461、第二tfe層452和第三tfe層463。平坦化層271可以設(shè)置在層間絕緣層190、源電極210和漏電極230上。平坦化層271可以在基底110上覆蓋子像素區(qū)域12中的源電極210和漏電極230，并且可以設(shè)置在連接基底120的一部分和整個基底110上。在示例實施例中，平坦化層271可以具有開口，開口位于連接基底120的外部中，暴露設(shè)置在連接基底120上的層間絕緣層190的上表面的一部分。第一tfe層461和第三tfe層463可以設(shè)置在開口中。在這種情況下，所述結(jié)構(gòu)可以阻擋經(jīng)由連接基底120滲透到子像素結(jié)構(gòu)中的濕氣或水。另外，因為開口形成在平坦化層271中，所以可以相對容易被拉伸、彎曲或折疊連接基底120。
如圖19所示，當反射圖案381不設(shè)置在連接基底120上時，可以相對增大連接基底120的彈性。
圖20是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。除了反射圖案1380之外，圖20中示出的oled裝置可以具有與參照圖1、圖2、圖3、圖4、圖5a和圖6描述的顯示裝置100的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。在圖20中，將省略針對與參照圖1、圖2、圖3、圖4、圖5a和圖6描述的元件基本相同或相似的元件的詳細描述。
參照圖1、圖2、圖3、圖4、圖5a、圖6和圖20，oled裝置可以包括基底110、連接基底120、緩沖層115、半導(dǎo)體元件250、平坦化層270、子像素結(jié)構(gòu)、像素限定層310、間隔件390、阻擋結(jié)構(gòu)370、tfe結(jié)構(gòu)450、反射圖案1380等。這里，半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230，子像素結(jié)構(gòu)可以包括下電極290、發(fā)光層330和上電極340。另外，tfe結(jié)構(gòu)450可以包括第一tfe層451、第二tfe層452和第三tfe層453。此外，反射圖案1380可以包括第一反射圖案1381和第二反射圖案1382。
第一反射圖案1381可以在tfe結(jié)構(gòu)450上設(shè)置在反射區(qū)域20中。第一反射圖案1381可以不覆蓋連接基底120和基底110的子像素區(qū)域12，并且可以具有第一厚度。第一反射圖案1381可以具有多個開口(例如，位于子像素區(qū)域12中的開口)。開口均可以對應(yīng)于(或疊置)子像素區(qū)域12。第一反射圖案1381的上表面可以反射從外部入射的光(例如，位于oled裝置前面的物體的圖像可以顯示在第一反射圖案1381的上表面中)，從oled裝置的發(fā)光層330發(fā)射的光可以經(jīng)由位于子像素區(qū)域12中的開口而傳播。第一反射圖案1381可以具有擁有相對高反射率的材料。例如，第一反射圖案1381可以由au、ag、al、pt、ni、ti等形成?？蛇x擇地，第一反射圖案1381可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。
第二反射圖案1382可以設(shè)置在第一反射圖案1381和tfe結(jié)構(gòu)450之間。第二反射圖案1382可以完全地設(shè)置在基底110和連接基底120上，并且可以具有比第一厚度小的第二厚度。即，第二反射圖案1382可以設(shè)置在子像素區(qū)域12中。第二反射圖案1382可以部分地透射光且部分地反射光(例如，第二反射圖案1382可以透射光的一部分并且可以反射光的剩余的部分)。例如，因為第二反射圖案1382的厚度比第一反射圖案1381的厚度小，所以第二反射圖案1382的透光率可以比第一反射圖案1381的透光率大。另外，第二反射圖案1382可以設(shè)置在tfe結(jié)構(gòu)450與第一反射圖案1381之間，以防止能夠從具有多個開口的第一反射圖案1381產(chǎn)生的光的衍射現(xiàn)象。因此，oled裝置可以用作oled裝置的可視性被改善的鏡面顯示裝置。例如，第二反射圖案1382可以由au、ag、al、pt、ni、ti等形成?？蛇x擇地，第二反射圖案1382可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。
圖21是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖，圖22是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。除了第一柔性膜492、第二柔性膜494、第一粘附層496、第二粘附層498以及反射圖案380和381之外，圖21和圖22中示出的oled裝置可以具有與參照圖1、圖2、圖3、圖4、圖5a和圖6描述的顯示裝置100的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。在圖21和圖22中，將省略針對與參照圖1、圖2、圖3、圖4、圖5a和圖6描述的元件基本相同或相似的元件的詳細的描述。
參照圖1、圖2、圖3、圖4、圖5a、圖6和圖21，oled裝置可以包括基底110、連接基底120、緩沖層115、半導(dǎo)體元件250、平坦化層270、子像素結(jié)構(gòu)、像素限定層310、間隔件390、阻擋結(jié)構(gòu)370、tfe結(jié)構(gòu)450、反射圖案380、第一柔性膜492、第二柔性膜494、第一粘附層496、第二粘附層498等。這里，半導(dǎo)體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230，子像素結(jié)構(gòu)可以包括下電極290、發(fā)光層330和上電極340。另外，tfe結(jié)構(gòu)450可以包括第一tfe層451、第二tfe層452和第三tfe層453。
第一粘附層496可以設(shè)置在基底110的下表面上。第一粘附層496可以設(shè)置在基底110與第一柔性膜492之間，使得基底110和第一柔性膜492附著到彼此。第一粘附層496可以完全地設(shè)置在基底110的下表面和連接基底120的下表面上，或者可以僅設(shè)置在連接基底120的下表面上。第一粘附層496可以是透明的。例如，第一粘附層496可以包括光學透明粘合劑(oca)、壓敏粘合劑(psa)等。
第一柔性膜492可以設(shè)置在第一粘附層496的下表面上。因為設(shè)置了第一柔性膜492，所以可以保護基底110和連接基底120，并且可以增大連接基底120的彈性。第一柔性膜492可以具有擁有彈性的材料。例如，第一柔性膜492可以由硅樹脂、聚氨酯、熱塑性聚氨酯(tpu)等形成。
第二粘附層498可以設(shè)置在反射圖案380上。第二粘附層498可以設(shè)置在包括第一柔性膜492、第一粘附層496、基底110、緩沖層115、半導(dǎo)體元件250、平坦化層270、子像素結(jié)構(gòu)、像素限定層310、間隔件390、阻擋結(jié)構(gòu)370、tfe結(jié)構(gòu)450、反射圖案380等的顯示結(jié)構(gòu)與第二柔性膜494之間，使得顯示結(jié)構(gòu)和第二柔性膜494粘附到彼此。第二粘附層498可以整個設(shè)置在基底110和連接基底120上，或者可以僅設(shè)置在連接基底120上。第二粘附層498和第一粘附層496可以具有基本相同的材料。
第二柔性膜494可以設(shè)置在第二粘附層498上。因為設(shè)置了第二柔性膜494，所以可以保護反射圖案380、tfe結(jié)構(gòu)450、子像素結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體元件250等，并且可以增大連接基底120的彈性。第二柔性膜494和第一柔性膜492可以具有基本相同的材料。
如圖22中所示，反射圖案381不設(shè)置在像素區(qū)域10的最外側(cè)處，因為反射圖案381不設(shè)置在不規(guī)則的上表面上，所以oled裝置可以用作oled裝置的可視性被改善的鏡面顯示裝置。
本發(fā)明可以應(yīng)用于包括有機發(fā)光顯示裝置的各種顯示裝置。例如，本發(fā)明可以應(yīng)用于車輛顯示裝置、船舶顯示裝置、飛行器顯示裝置、便攜式通信裝置、用于顯示或用于信息傳輸?shù)娘@示裝置、醫(yī)療顯示裝置等。
前述是示例實施例的說明并且不解釋為其限制。盡管已經(jīng)描述了一些示例實施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易領(lǐng)會的是，在實質(zhì)上不脫離本發(fā)明構(gòu)思的新穎的指導(dǎo)和優(yōu)點的情況下，在示例實施例中許多修改是可能的。因此，所有這樣的修改意圖包括在本發(fā)明構(gòu)思的如權(quán)利要求所限定的范圍之內(nèi)。因此，將理解的是，前述是各種示例實施例的說明，并且不解釋為限制于公開的具體示例實施例，針對公開的示例實施例的修改和其他示例實施例意圖包括在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。