1.一種堿金屬元素摻雜的銅銦鎵硒吸收層薄膜的制備方法，其具體步驟是：
(1)首先，在鈉鈣玻璃襯底上制作氮化硅阻擋層；
(2)然后，在上述襯底上沉積摻有堿金屬元素的背接觸Mo層；
(3)在上述沉積的摻有堿金屬元素的背接觸Mo層上疊層沉積CIG金屬預(yù)制層；
(4)制備堿金屬元素摻雜的銅銦鎵硒吸收層薄膜：將上述背接觸層與CIG金屬預(yù)制層放入真空退火爐內(nèi)，抽真空并通入保護性反應(yīng)氣體，在高溫進行快速熱硒化處理，隨后停止氣體供應(yīng)自然降溫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堿金屬元素摻雜的銅銦鎵硒吸收層薄膜的制備方法，其特征在于：上述步驟(2)所述的在襯底上沉積背接觸層Mo層的具體步驟是：
(21)將襯底導(dǎo)入濺射沉積的封閉設(shè)備中進行預(yù)濺射Mo靶材；
(22)第一步預(yù)濺射Mo靶材之后首先沉積高阻Mo層；
(23)第二步沉積低阻Mo層；
(24)第三步沉積摻堿金屬元素層；
(25)第四步沉積高氣壓的頂部純Mo蓋層；
(26)以得到摻堿金屬元素的Mo薄膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的堿金屬元素摻雜的銅銦鎵硒吸收層薄膜的制備方法，其特征在于：上述步驟(21)中封閉設(shè)備后抽真空至低于4×10-4Pa的真空度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的堿金屬元素摻雜的銅銦鎵硒吸收層薄膜的制備方法，其特征在于：上述步驟(22)中，靶材選擇為高純Mo靶材，氣壓選擇在0.6～1.0Pa，功率密度維持在4W/cm2，濺射時間為10分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的堿金屬元素摻雜的銅銦鎵硒吸收層薄膜的制備方法，其特征在于：上述步驟(23)中靶材選擇為高純Mo靶材，氣壓選擇在0.1～0.3Pa，功率密度維持在4W/cm2，濺射時間為60分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的堿金屬元素摻雜的銅銦鎵硒吸收層薄膜的制備方法，其特征在于：上述步驟(24)中，靶材選擇為摻入了NaF或者KF的Mo靶材，其中Na或者K元素的原子個數(shù)比在1～3at％，濺射氣壓選擇在0.1～0.3Pa，功率密度維持在4W/cm2，濺射時間為1～5分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的堿金屬元素摻雜的銅銦鎵硒吸收層薄膜的制備方法，其特征在于：上述步驟(25)中：靶材選擇為高純Mo靶材，氣壓選擇在0.6～1.0Pa，功率密度維持在4W/cm2，濺射時間為8～10分鐘，此濺射時間過短會導(dǎo)致Mo層在硒化過程中被硒化，摻堿金屬元素的Mo薄膜層總厚度為1.2μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堿金屬元素摻雜的銅銦鎵硒吸收層薄膜的制備方法，其特征在于：上述步驟(3)具體包括：
(31)首先將上述背接觸層導(dǎo)入濺射沉積設(shè)備，封閉后抽真空至低于4×10-4Pa，靶材選擇為高純In金屬靶材和CuGa合金靶材；
(32)預(yù)濺射之后第一步沉積In薄膜，工作氣壓選擇為0.2～0.3Pa，功率密度維持在1w/cm2，濺射時間8分鐘；
(33)第二步沉積CuGa薄膜，工作氣壓與上一步相同，功率密度維持在0.7W/cm2，濺射時間6分鐘；
(34)第三步沉積In薄膜，各項沉積參數(shù)與第一步相同；
(35)第四部沉積CuGa薄膜，參數(shù)與第二步相同；后續(xù)繼續(xù)交替沉積In與CuGa薄膜，總疊層次數(shù)為10～12層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堿金屬元素摻雜的銅銦鎵硒吸收層薄膜的制備方法，其特征在于：上述步驟(4)具體是：將上述背接觸層與CIG金屬預(yù)制層放入真空退火爐內(nèi)，抽真空至低于6×10-4Pa后通入保護性Ar氣及H2Se反應(yīng)氣體，在550℃進行快速熱硒化處理，隨后停止氣體供應(yīng)自然降溫。