相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2016年1月20日提交韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國(guó)專利申請(qǐng)no.10-2016-0006910的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容通過全文引用結(jié)合于此。

本公開涉及一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

開發(fā)了包括連接到顯示面板的觸摸屏的顯示裝置。觸摸屏是信息輸入裝置之一。用戶可通過按壓或觸摸該觸摸屏上的觸摸傳感器而輸入信息，同時(shí)觀看顯示在顯示面板上的圖像。

近來，已經(jīng)開發(fā)了一種顯示裝置，其包括其中嵌入觸摸屏的顯示面板，從而使諸如智能電話或平板電腦的移動(dòng)終端更加纖薄。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的特征是提供具有觸摸屏的一體化顯示裝置，觸摸屏內(nèi)部包括配置觸摸屏的元件。

根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，顯示裝置包括：第一基板，包括多個(gè)像素區(qū)域；多個(gè)顯示元件，設(shè)置在第一基板上的多個(gè)像素區(qū)域中；第二基板，面對(duì)第一基板；多個(gè)間隔物，設(shè)置在多個(gè)像素區(qū)域之間且保持第一基板和第二基板之間不變的間隔；以及多個(gè)觸摸感應(yīng)電極，在顯示元件和第二基板之間。這里，每個(gè)觸摸感應(yīng)電極可包括至少一個(gè)第一區(qū)域和與第一區(qū)域電隔離的至少一個(gè)第二區(qū)域。多個(gè)間隔物可設(shè)置為對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域。

第二區(qū)域可具有在平面圖上圍繞第一區(qū)域的形狀。

多個(gè)顯示元件的每一個(gè)可包括：第一電極，設(shè)置在像素區(qū)域中；像素限定層，設(shè)置在多個(gè)像素區(qū)域之間且具有延伸到第一電極的開口；發(fā)光層，設(shè)置在第一電極上且至少包括光產(chǎn)生層；以及第二電極，設(shè)置在發(fā)光層上。多個(gè)間隔物可設(shè)置在像素限定層上，并且第二電極可延伸到像素限定層和多個(gè)間隔物。

多個(gè)觸摸感應(yīng)電極可包括彼此交叉的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線。

多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線可包括：多個(gè)第一線，在一個(gè)方向上延伸；以及多個(gè)第二線，在與多個(gè)第一線交叉的方向上延伸。多個(gè)顯示元件可設(shè)置在由彼此相鄰且彼此交叉的多個(gè)第一線和多個(gè)第二線形成的區(qū)域中。

多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線可包括：第一導(dǎo)電層，設(shè)置在第二基板上；第一覆蓋膜，設(shè)置在第一導(dǎo)電層上；以及第二導(dǎo)電層，設(shè)置在第一覆蓋膜上且通過第一覆蓋膜中的接觸孔電連接到第一導(dǎo)電層。

顯示裝置還可包括覆蓋第二導(dǎo)電層的第二覆蓋膜。

多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線可僅設(shè)置在第二區(qū)域中。

顯示裝置還可包括設(shè)置在第二電極上的包封層。

第二電極和第二基板之間的距離可為200μm至300μm，第二電極設(shè)置在多個(gè)間隔物面對(duì)第二基板的上表面上。

顯示裝置還可包括設(shè)置在第一基板和第二基板之間的填充材料。

第一區(qū)域中的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線可與第二區(qū)域中的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線電隔離。

顯示裝置還可包括設(shè)置在第二電極上的包封層。

第二電極和多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線之間的距離可為200μm至300μm，第二電極設(shè)置在多個(gè)間隔物面對(duì)第二基板的上表面上。

顯示裝置還可包括設(shè)置在第一基板和第二基板之間的填充材料。

多個(gè)觸摸感應(yīng)電極的一部分可配置在一個(gè)方向上連接且彼此平行的多個(gè)觸摸感應(yīng)電極行，并且其它觸摸感應(yīng)電極可配置在與多個(gè)觸摸感應(yīng)電極行交叉的方向上連接且彼此平行的多個(gè)觸摸感應(yīng)電極列。

多個(gè)觸摸感應(yīng)電極可設(shè)置成矩陣形式。

根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施例，顯示裝置包括：第一基板，包括多個(gè)像素區(qū)域；多個(gè)第一電極，設(shè)置在多個(gè)像素區(qū)域的每一個(gè)中；像素限定層，設(shè)置在多個(gè)像素區(qū)域之間且具有延伸到第一電極的開口；發(fā)光層，設(shè)置在多個(gè)第一電極上且包括至少一個(gè)光產(chǎn)生層；多個(gè)間隔物，設(shè)置在像素限定層上；第二電極，設(shè)置在發(fā)光層、像素限定層和多個(gè)間隔物上；第二基板，面對(duì)第一基板；以及多個(gè)觸摸感應(yīng)電極，在第二電極和第二基板之間。

每個(gè)觸摸感應(yīng)電極可包括至少一個(gè)開口部分，并且多個(gè)間隔物可設(shè)置在與開口部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。

根據(jù)本公開的再一個(gè)實(shí)施例，顯示裝置包括：第一基板，包括多個(gè)像素區(qū)域；多個(gè)第一電極，設(shè)置在多個(gè)像素區(qū)域的每一個(gè)中；像素限定層，設(shè)置在多個(gè)像素區(qū)域之間且具有延伸到多個(gè)第一電極的開口；發(fā)光層，設(shè)置在多個(gè)第一電極上且包括至少一個(gè)光產(chǎn)生層；多個(gè)間隔物，設(shè)置在像素限定層上；第二電極，設(shè)置在發(fā)光層、像素限定層和多個(gè)間隔物上；第二基板，面對(duì)第一基板；以及多個(gè)觸摸感應(yīng)電極，在第二電極和第二基板之間。

每個(gè)觸摸感應(yīng)電極可內(nèi)部包括與其它區(qū)域電隔離的隔離區(qū)域，并且設(shè)置在隔離區(qū)域中的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線可與設(shè)置在其它區(qū)域中的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線電隔離電隔離。多個(gè)間隔物可設(shè)置在與隔離區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域中。

如上所述，顯示裝置可內(nèi)部包括配置觸摸屏的元件。因此，顯示裝置可更加纖薄。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)本公開的示例的顯示裝置的立體圖。

圖2是示出圖1的第一基板的平面圖。

圖3和圖4是示出圖1的第二基板的平面圖。

圖5是示出與圖3所示的觸摸感應(yīng)電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域的平面圖。

圖6是圖5的區(qū)域ea1的放大平面圖。

圖7是沿著圖6的線i-i’剖取的截面圖。

圖8是沿著圖6的線ii-ii’剖取的截面圖。

圖9是圖8的區(qū)域ea2的放大圖。

圖10和圖11是示出根據(jù)本公開另一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的截面圖。

圖12是示出根據(jù)本公開再一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的部分平面圖。

圖13是圖12的區(qū)域ea3的放大平面圖。

圖14是沿著圖13的線iii-iii’剖取的截面圖。

圖15是沿著圖13的線iv-iv’剖取的截面圖。

圖16和圖17是示出根據(jù)本公開又一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的截面圖。

圖18是示出根據(jù)本公開又一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的部分平面圖。

圖19是圖18的區(qū)域ea4的放大平面圖。

圖20是沿著圖19的線v-v’剖取的截面圖。

圖21是示出根據(jù)本公開再一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的部分平面圖。

圖22是圖21的區(qū)域ea5的放大平面圖。

圖23是沿著圖22的線vi-vi’剖取的截面圖。

具體實(shí)施方式

在下文，將參考附圖詳細(xì)地描述本公開的優(yōu)選實(shí)施例。

圖1是示出根據(jù)本公開的示例的顯示裝置的立體圖，圖2是示出圖1的第一基板110的平面圖，并且圖3和圖4是示出圖1的第二基板120的平面圖。

參見圖1至圖4，顯示裝置可包括第一基板110、設(shè)置在第一基板110中的多個(gè)顯示元件(未示出)、面對(duì)第一基板110的第二基板120、以及設(shè)置在第二基板120面對(duì)第一基板110的表面上的多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse。

第一基板110可包括顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda。顯示區(qū)域da可包括多個(gè)像素區(qū)域。非顯示區(qū)域nda可設(shè)置為相鄰于顯示區(qū)域da。

另外，第一基板110可包括多個(gè)柵極線(未示出)、與多個(gè)柵極線交叉的多個(gè)數(shù)據(jù)線(未示出)、以及連接到多個(gè)柵極線和多個(gè)數(shù)據(jù)線的多個(gè)薄膜晶體管(未示出)。每個(gè)顯示元件可連接到多個(gè)薄膜晶體管之一。

多個(gè)顯示元件可設(shè)置在第一基板110上的多個(gè)像素區(qū)域中。多個(gè)顯示元件可為液晶顯示(lcd)裝置、電泳顯示(epd)裝置、電濕顯示(ewd)裝置和有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置的任何一個(gè)。同樣，為了方便描述起見，在下文將描述有機(jī)發(fā)光顯示元件用于顯示元件的示例。

多個(gè)顯示元件的每一個(gè)可包括連接到薄膜晶體管的第一電極、設(shè)置在第一電極上的發(fā)光層、以及設(shè)置在發(fā)光層上的第二電極。發(fā)光層可包括光產(chǎn)生層，光產(chǎn)生層通過將經(jīng)由第一電極和第二電極注入的電子與空穴結(jié)合而產(chǎn)生光。

第二基板120可包括感應(yīng)區(qū)域sa和非感應(yīng)區(qū)域nsa。感應(yīng)區(qū)域sa可對(duì)應(yīng)于第一基板110的顯示區(qū)域da。非感應(yīng)區(qū)域nsa可設(shè)置為相鄰于感應(yīng)區(qū)域sa。另外，非感應(yīng)區(qū)域nsa可對(duì)應(yīng)于第一基板110的非顯示區(qū)域nda。

多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse可設(shè)置在第二基板120面對(duì)第一基板110的表面上的感應(yīng)區(qū)域sa中，并且可通過感應(yīng)線sl連接到墊部分pda。多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse可根據(jù)顯示裝置的觸摸感應(yīng)類型設(shè)置成各種形式。

例如，顯示裝置的觸摸感應(yīng)類型可為互電容觸摸屏類型，如圖3所示。這里，多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse的某些可連接在一個(gè)方向上，并且可配置彼此平行的多個(gè)觸摸感應(yīng)電極行。另外，其它的觸摸感應(yīng)電極tse可連接在與觸摸感應(yīng)電極行交叉的方向上，并且可配置彼此平行的多個(gè)觸摸感應(yīng)電極列。觸摸感應(yīng)電極行和觸摸感應(yīng)電極列可分別通過多個(gè)感應(yīng)線sl連接到墊部分pda的墊。

另外，顯示裝置的觸摸感應(yīng)類型可為自電容觸摸類型，如圖4所示。這里，多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse可設(shè)置成矩陣形式，并且觸摸感應(yīng)電極tse可通過多個(gè)感應(yīng)線sl連接墊部分pda的墊。

圖5是示出與圖3所示的觸摸感應(yīng)電極tse對(duì)應(yīng)區(qū)域的平面圖，圖6是圖5的區(qū)域ea1的放大平面圖，圖7是沿著圖6的線i-i’剖取的截面圖，圖8是沿著圖6的線ii-ii’剖取的截面圖，圖9是圖8的區(qū)域ea2的放大圖。

參見圖1至圖9，顯示裝置可包括第一基板110、設(shè)置在第一基板110上的多個(gè)顯示元件dd、設(shè)置在多個(gè)顯示元件dd之間的多個(gè)間隔物sp、面對(duì)第一基板110的第二基板120、以及設(shè)置在第二基板120面對(duì)第一基板110的表面上的多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse。

第一基板110可包括顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda。顯示區(qū)域da可包括多個(gè)像素區(qū)域。非顯示區(qū)域nda可設(shè)置為相鄰于顯示區(qū)域da。另外，第一基板110可包括基底基板sub以及設(shè)置在基底基板sub上的每個(gè)像素區(qū)域中的至少一個(gè)薄膜晶體管tft。

光可通過包含透明絕緣材料的基底基板sub。另外，基底基板sub可為剛性基板或柔性基板。剛性基板可包括玻璃基板、石英基板、玻璃陶瓷基板和晶質(zhì)玻璃基板。柔性基板可包括含有有機(jī)聚合物的膜基板和塑料基板。例如，柔性基板可包括聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯(par)、聚酰亞胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、三醋酸纖維素(tac)和醋酸丙酸纖維素(cap)的任何一個(gè)。另外，柔性基板可包括纖維玻璃強(qiáng)化塑料(frp)。

基底基板sub中所含的材料可在制造顯示裝置時(shí)具有耐高溫(或熱阻)。

緩沖層bul可設(shè)置在基底基板sub和薄膜晶體管tft之間。緩沖層bul可包括氧化硅和氮化硅的至少一個(gè)。例如，緩沖層bul可包括含有氧化硅的第一絕緣膜和設(shè)置在第一絕緣膜上且包括氮化硅的第二絕緣膜。緩沖層bul可防止雜質(zhì)從基底基板sub擴(kuò)散進(jìn)入薄膜晶體管tft中。另外，緩沖層bul可平坦化基底基板sub的表面。

薄膜晶體管tft可連接到柵極線和數(shù)據(jù)線。薄膜晶體管tft可包括半導(dǎo)體層scl、柵極電極ge、源極電極se和漏極電極de。

半導(dǎo)體層scl可設(shè)置在緩沖層bul上。半導(dǎo)體層scl可包含非晶硅si、多晶硅si、氧化物半導(dǎo)體和有機(jī)半導(dǎo)體之一。連接到源極電極se和漏極電極de的區(qū)域可分別為其中摻雜或注入雜質(zhì)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。源極電極se和漏極電極de之間的區(qū)域可為溝道區(qū)域。

同樣，如果半導(dǎo)體層scl包含氧化物半導(dǎo)體，則用于阻擋入射在半導(dǎo)體層scl上的光的擋光膜可設(shè)置在半導(dǎo)體層scl之上或之下，盡管沒有示出。

柵極絕緣膜gi可設(shè)置在半導(dǎo)體層scl上。柵極絕緣膜gi可覆蓋半導(dǎo)體層scl，并且可絕緣半導(dǎo)體層scl和柵極電極ge。柵極絕緣膜gi可包含氧化硅和氮化硅的至少一個(gè)。

柵極電極ge可設(shè)置在柵極絕緣膜gi上。柵極電極ge可連接到柵極線。柵極電極ge可包含低電阻導(dǎo)電材料，并且可與半導(dǎo)體層scl重疊。

層間絕緣膜ild可設(shè)置在柵極電極ge上。層間絕緣膜ild可包括與柵極絕緣膜gi相同的材料。層間絕緣膜ild可絕緣源極電極se、漏極電極de和柵極電極ge。

穿透柵極絕緣膜gi和層間絕緣膜ild的接觸孔可暴露半導(dǎo)體層scl的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。

源極電極se和漏極電極de可設(shè)置在層間絕緣膜ild上以彼此分開。源極電極se和漏極電極de可包含低電阻導(dǎo)電材料。源極電極se的一端可連接到數(shù)據(jù)線。源極電極se的另一端可通過接觸孔之一連接到源極區(qū)域。漏極電極de的一端可通過另一個(gè)接觸孔連接到漏極區(qū)域。漏極電極de的另一端可連接到多個(gè)顯示元件dd的任何一個(gè)。

同樣，本實(shí)施例通過采用薄膜晶體管tft具有頂柵極結(jié)構(gòu)作為示例進(jìn)行描述，但不限于此。例如，薄膜晶體管tft可具有底柵極結(jié)構(gòu)。

保護(hù)膜psv可設(shè)置在其中設(shè)置薄膜晶體管tft的基底基板sub上。保護(hù)膜psv可覆蓋薄膜晶體管tft?？赏ㄟ^去除保護(hù)膜psv的部分而暴露漏極電極de。

保護(hù)膜psv可包括至少一個(gè)膜。例如，保護(hù)膜psv可包括無機(jī)保護(hù)膜和設(shè)置在無機(jī)保護(hù)膜上的有機(jī)保護(hù)膜。無機(jī)保護(hù)膜可包含氧化硅和氮化硅的至少一個(gè)。有機(jī)保護(hù)膜可包括丙烯酸塑料(acryl)、聚酰亞胺(pi)、聚酰胺(pa)和苯并環(huán)丁烯(bcb)的任何一個(gè)。另外，有機(jī)保護(hù)膜可為透明且柔軟的，因此能通過降低粗糙度而平坦化下部結(jié)構(gòu)。

多個(gè)顯示元件dd可設(shè)置在保護(hù)膜psv上。多個(gè)顯示元件dd可包括連接到漏極電極de的第一電極ae、設(shè)置在第一電極ae上的發(fā)光層ol、以及設(shè)置在發(fā)光層ol上的第二電極ce。

第一電極ae和第二電極ce之一可為陽極，并且另一個(gè)電極可為陰極。例如，第一電極ae可為陽極，并且第二電極ce可為陰極。

另外，第一電極ae和第二電極ce的至少一個(gè)可為透射式電極。例如，如果顯示元件為后發(fā)光型有機(jī)發(fā)光元件，則第一電極ae可為透射式電極，并且第二電極ce可為反射式電極。如果顯示元件是前表面發(fā)光型的有機(jī)發(fā)光元件，則第一電極可為反射式電極，并且第二電極可為透射式電極。如果顯示元件是兩側(cè)發(fā)光型的有機(jī)發(fā)光元件，則第一電極ae和第二電極ce二者可為透射式電極。作為示例，本實(shí)施例可通過采用顯示元件dd為前表面發(fā)光型的有機(jī)發(fā)光元件且第一電極ae為陽極電極的情況進(jìn)行描述。

第一電極ae可在每個(gè)像素區(qū)域設(shè)置在保護(hù)膜psv上。第一電極ae可包括能反射光的反射膜(未示出)以及設(shè)置在反射膜的上部或下部上的導(dǎo)電膜(未示出)。透明導(dǎo)電膜和反射膜的至少一個(gè)可連接到漏極電極de。

反射膜可包含能反射光的材料。例如，反射膜可包括鋁(al)、銀(ag)、鉻(cr)、鉬(mo)、鉑(pt)、鎳(ni)及它們的合金的至少一個(gè)。

透明導(dǎo)電膜可包括透明導(dǎo)電氧化物。例如，透明導(dǎo)電膜可包含銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)、鋁鋅氧化物(azo)、鎵摻雜鋅氧化物(gzo)、鋅錫氧化物(zto)、鎵錫氧化物(gto)和氟摻雜錫氧化物(fto)的至少一個(gè)透明導(dǎo)電氧化物。

像素限定層pdl可設(shè)置在第一電極ae上。像素限定層pdl可設(shè)置在多個(gè)像素區(qū)域之間，并且可包括開口部分，有時(shí)稱為開口，其延伸到且暴露第一電極ae。另外，像素限定層pdl可重疊第一電極ae的邊緣部分。因此，像素限定層pdl的開口部分可暴露第一電極ae面對(duì)第二基板120的表面的大部分。

像素限定層pdl可包含有機(jī)絕緣材料。例如，像素限定層pdl可包含聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚丙烯腈(pan)、聚酰胺(pa)、聚酰亞胺(pi)、聚芳醚(pae)、雜環(huán)聚合物、聚對(duì)二甲苯、環(huán)氧樹脂、苯并環(huán)丁烯(bcb)、硅氧烷基樹脂、硅烷基樹脂的至少一個(gè)。

多個(gè)間隔物sp可設(shè)置在像素限定層pdl上。多個(gè)間隔物sp可保持第一基板110和第二基板120之間不變的間隔。即使外部壓力施加到第一基板110或第二基板120，多個(gè)間隔物sp也可防止多個(gè)顯示元件dd損壞，因?yàn)榉乐沽说诙?20與多個(gè)顯示元件dd接觸。

間隔物sp可包含有機(jī)絕緣材料。例如，間隔物sp可包含與像素限定層pdl相同的材料。

發(fā)光層ol可設(shè)置在第一電極ae由像素限定層pdl的開口部分暴露的表面上。發(fā)光層ol可具有多層薄膜結(jié)構(gòu)，至少包括光產(chǎn)生層(lgl)。例如，發(fā)光層ol可包括其中注入空穴的空穴注入層(hil)、具有良好傳輸性且通過抑制光產(chǎn)生層中沒有結(jié)合的電子運(yùn)動(dòng)增加空穴和電子再結(jié)合機(jī)會(huì)的空穴傳輸層(htl)(該光產(chǎn)生層通過注入的電子和空穴的再結(jié)合而發(fā)光)、抑制光產(chǎn)生層中沒有結(jié)合的空穴的運(yùn)動(dòng)的空穴阻擋層(hbl)、將電子順暢傳輸?shù)焦猱a(chǎn)生層的電子傳輸層、以及注入電子的電子注入層(eil)。

光產(chǎn)生層中產(chǎn)生的光的顏色可為紅、綠、藍(lán)和白的任何一個(gè)，并且本實(shí)施例不限于此。例如，發(fā)光層ol的光產(chǎn)生層中產(chǎn)生的光的顏色可為洋紅、青和黃之一。

空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層可為在相鄰的像素區(qū)域彼此連接的共用膜。

第二電極ce可設(shè)置在發(fā)光層ol上。另外，第二電極ce可延伸到像素限定層pdl和多個(gè)間隔物sp。

第二電極ce可為半透射半反射膜。例如，第二電極ce可為厚度可透射光的薄金屬層。光產(chǎn)生層中產(chǎn)生的光的一部分可通過第二電極ce透射，并且來自光產(chǎn)生層的其它光可從第二電極ce反射。

第二電極ce可包含功函低于第一電極ae的透明導(dǎo)電膜的材料。例如，第二電極ce可包含鉬(mo)、鎢(w)、銀(ag)、鎂(mg)、鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)、鋰(li)、鈣(ca)及其合金的至少一個(gè)。

從發(fā)光層ol發(fā)射的光的一部分可不通過第二電極ce透射，并且從第二電極ce反射的光可從第一電極ae的反射膜反射。就是說，從發(fā)光層ol發(fā)射的光可在第一電極ae的反射膜和第二電極ce之間共振。多個(gè)顯示元件dd的光提取效率可通過光的共振而提高。

第一電極ae的反射膜和第二電極ce之間的距離可根據(jù)發(fā)光層ol的光產(chǎn)生層中產(chǎn)生的光的顏色而不同。就是說，第一電極ae的反射膜和第二電極ce之間的距離可根據(jù)發(fā)光層ol的光產(chǎn)生層中產(chǎn)生的光的顏色調(diào)整為與共振距離一致。

第二基板120可分開多個(gè)顯示元件dd與外部環(huán)境。另外，第二基板120可包含與基底基板sub相同的材料。第二基板120可由密封劑粘合到第一基板110。

第二基板120可包括感應(yīng)區(qū)域sa以及設(shè)置為相鄰于感應(yīng)區(qū)域sa的非感應(yīng)區(qū)域nsa。感應(yīng)區(qū)域sa可對(duì)應(yīng)于第一基板110的顯示區(qū)域da。非感應(yīng)區(qū)域nsa可設(shè)置為相鄰于感應(yīng)區(qū)域sa。另外，非感應(yīng)區(qū)域nsa可對(duì)應(yīng)于第一基板110的非顯示區(qū)域nda。

觸摸感應(yīng)電極tse可設(shè)置在顯示元件dd的第二電極ce和感應(yīng)區(qū)域sa中的第二基板120之間。例如，觸摸感應(yīng)電極tse可設(shè)置在第二基板120面對(duì)第一基板110的表面上的感應(yīng)區(qū)域sa中。

觸摸感應(yīng)電極tse可包括至少一個(gè)第一區(qū)域tse1以及與第一區(qū)域tse1電隔離的第二區(qū)域tse2。第一區(qū)域tse1可電隔離。另外，第二區(qū)域tse2可具有在平面圖上看圍繞第一區(qū)域tse1的形狀。就是說，第一區(qū)域tse1可具有在第二區(qū)域tse2內(nèi)分開的島狀形狀。

多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse可包括金屬網(wǎng)。具體而言，多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse可包括彼此交叉的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl。多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可包括在一個(gè)方向上延伸的多個(gè)第一線cfl1以及在與多個(gè)第一線cfl1交叉(例如垂直)的方向上延伸的多個(gè)第二線cfl2。

導(dǎo)電細(xì)線cfl可包括至少一個(gè)導(dǎo)電層。例如，導(dǎo)電細(xì)線cfl可包括單一導(dǎo)電層，包括ag、al、cu、cr、ni、au及其合金的至少一個(gè)。

另外，導(dǎo)電細(xì)線cfl可包括堆疊的多個(gè)導(dǎo)電層。例如，導(dǎo)電細(xì)線cfl可包括設(shè)置在第二基板120上的第一導(dǎo)電層mcl1、覆蓋第一導(dǎo)電層mcl1的第一覆蓋膜cvl1、以及設(shè)置在第一覆蓋膜cvl1上的第二導(dǎo)電層mcl2。

第一導(dǎo)電層mcl1和第二導(dǎo)電層mcl2可分別包含具有高導(dǎo)電率的材料。例如，第一導(dǎo)電層mcl1和第二導(dǎo)電層mcl2可包含ag、al、cu、cr、ni、au及其合金的至少一個(gè)。第一導(dǎo)電層mcl1和第二導(dǎo)電層mcl2可通過第一覆蓋膜cvl1中形成的接觸孔彼此電連接。

另外，第二覆蓋膜cvl2可設(shè)置在第二導(dǎo)電層mcl2上。

第一覆蓋膜cvl1和第二覆蓋膜cvl2可分別包含絕緣材料。例如，第一覆蓋膜cvl1和第二覆蓋膜cvl2可包含氧化硅和氮化硅的至少一個(gè)。

如上所述，導(dǎo)電細(xì)線cfl可包括彼此電連接的第一導(dǎo)電層mcl1和第二導(dǎo)電層mcl2。因此，導(dǎo)電細(xì)線cfl的電阻可降低。

由多個(gè)第一線cfl1與多個(gè)第二線cfl2形成的區(qū)域可對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域。就是說，多個(gè)顯示元件dd可設(shè)置在通過多個(gè)第一線cfl1與多個(gè)第二線cfl2交叉形成的區(qū)域中。

導(dǎo)電細(xì)線cfl可僅設(shè)置在第二區(qū)域tse2中。多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可不設(shè)置在第一區(qū)域tse1中。就是說，第一區(qū)域tse1可為觸摸感應(yīng)電極tse中設(shè)置的開口部分。

同樣，多個(gè)間隔物sp可僅設(shè)置在與第一區(qū)域tse1對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，并且可不設(shè)置在與第二區(qū)域tse2對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。另外，觸摸感應(yīng)電極tse中包括的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可不設(shè)置在第一區(qū)域tse1中。因此，能防止寄生電容器形成在第二電極ce和導(dǎo)電細(xì)線cfl之間，第二電極ce設(shè)置在間隔物sp面對(duì)第二基板120的上表面上。

如果多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl設(shè)置在第一區(qū)域tse1中，則第二電極ce和導(dǎo)電細(xì)線cfl可彼此接觸。如果第二電極ce和導(dǎo)電細(xì)線cfl可彼此接觸，則可能不進(jìn)行觸摸顯示裝置。

另外，如果導(dǎo)電細(xì)線cfl設(shè)置在第一區(qū)域tse1中，寄生電容可形成在第二電極ce和導(dǎo)電細(xì)線cfl之間。設(shè)置在間隔物sp面對(duì)第二基板120的上表面的第二電極ce和導(dǎo)電細(xì)線cfl之間的距離可遠(yuǎn)小于其中設(shè)置多個(gè)間隔物sp的區(qū)域之外的其他區(qū)域中的第二電極ce和導(dǎo)電細(xì)線cfl之間的距離。因此，設(shè)置在間隔物sp面對(duì)第二基板120的上表面上的第二電極ce和導(dǎo)電細(xì)線cfl之間形成的寄生電容的寄生電容量可遠(yuǎn)大于其中設(shè)置多個(gè)間隔物sp的區(qū)域之外的其他區(qū)域中的第二電極ce和導(dǎo)電細(xì)線cfl之間形成的寄生電容的寄生電容量。寄生電容可降低顯示裝置的觸摸敏感度。

在下文，將參考圖10至圖16描述本公開的另一個(gè)實(shí)施例。在圖10至圖16中，相同的符號(hào)或附圖標(biāo)記表示圖1至圖8中相同的配置元件，并且對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)短的描述。另外，為了避免其重復(fù)描述，將主要描述與圖1至圖8的那些不同之處。

圖10和圖11是示出根據(jù)本公開另一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的截面圖。圖10是沿著圖6的線i-i’剖取的截面圖，并且圖11是沿著圖6的線ii-ii’剖取的截面圖。

參見圖1至圖6以及圖10和圖11，顯示裝置可包括第一基板110、設(shè)置在第一基板110上的多個(gè)顯示元件dd、設(shè)置在多個(gè)顯示元件dd之間的多個(gè)間隔物sp、面對(duì)第一基板110的第二基板120、以及設(shè)置在第二基板120面對(duì)第一基板110的表面上的多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse。

第一基板110可包括顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda。顯示區(qū)域da可包括多個(gè)像素區(qū)域。非顯示區(qū)域nda可設(shè)置為相鄰于顯示區(qū)域da。另外，第一基板110可包括基底基板sub以及設(shè)置在基底基板sub上的每個(gè)像素區(qū)域中的至少一個(gè)薄膜晶體管tft。

保護(hù)膜psv可設(shè)置在其中設(shè)置薄膜晶體管tft的基底基板sub上。就是說，保護(hù)膜psv可覆蓋薄膜晶體管tft。

多個(gè)顯示元件dd和多個(gè)間隔物sp可設(shè)置在保護(hù)膜psv上。多個(gè)顯示元件dd可包括連接到薄膜晶體管tft的第一電極ae、暴露第一電極ae的像素限定層pdl、設(shè)置在由像素限定層pdl暴露的第一電極ae上的發(fā)光層ol、以及設(shè)置在發(fā)光層ol上的第二電極ce。多個(gè)間隔物sp可設(shè)置在像素限定層pdl上。第二電極ce可延伸到像素限定層pdl和多個(gè)間隔物sp。多個(gè)間隔物sp可保持第一基板110和第二基板120之間不變的間隔。

填充材料fm可設(shè)置在第一基板110和第二基板120之間。填充材料fm可包含能減小外部沖擊或外部壓力的材料。例如，填充材料fm可包含聚合物。填充材料fm可防止第一基板110或第二基板120因外部沖擊或外部壓力而損壞。另外，填充材料fm可防止多個(gè)顯示元件dd因外部沖擊或外部壓力而損壞。

第二基板120可包括感應(yīng)區(qū)域sa以及設(shè)置為相鄰于感應(yīng)區(qū)域sa的非感應(yīng)區(qū)域nsa。感應(yīng)區(qū)域sa可對(duì)應(yīng)于第一基板110的顯示區(qū)域da。非感應(yīng)區(qū)域nsa可設(shè)置為相鄰于感應(yīng)區(qū)域sa。另外，非感應(yīng)區(qū)域nsa可對(duì)應(yīng)于第一基板110的非顯示區(qū)域nda。

觸摸感應(yīng)電極tse可設(shè)置在顯示元件dd的第二電極ce和感應(yīng)區(qū)域sa中的第二基板120之間。例如，多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse可設(shè)置在第二基板120面對(duì)第一基板110的表面上的感應(yīng)區(qū)域sa中。

觸摸感應(yīng)電極tse可包括至少一個(gè)第一區(qū)域tse1以及與第一區(qū)域tse1分開的第二區(qū)域tse2。第二區(qū)域tse2可具有圍繞第一區(qū)域tse1的形狀。就是說，第一區(qū)域tse1可具有在第二區(qū)域tse2內(nèi)分隔開的島狀形狀。

多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse可包括彼此交叉的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl。另外，多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可僅設(shè)置在第二區(qū)域tse2中。就是說，多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可不設(shè)置在第一區(qū)域tse1中。

多個(gè)間隔物sp可僅設(shè)置在對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域tse1的區(qū)域中，并且可不設(shè)置在對(duì)應(yīng)于第二區(qū)域tse2的區(qū)域中。

同樣，包封層ecl可設(shè)置在第二電極ce上。包封層ecl可防止氧氣和濕氣滲入多個(gè)顯示元件dd中。

包封層ecl可包括多個(gè)無機(jī)膜(未示出)和多個(gè)有機(jī)膜(未示出)。例如，包封層ecl可包括多個(gè)單元包封層，其每一個(gè)包括無機(jī)膜和設(shè)置在無機(jī)膜上的有機(jī)膜。另外，無機(jī)膜可設(shè)置在包封層ecl的最下部和最上部上。無機(jī)膜可包含氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯和氧化錫的至少一個(gè)。包封層ecl的厚度可為200μm至300μm。設(shè)置在間隔物sp面對(duì)第二基板120的上表面上的第二電極ce和第二基板120之間的距離可為200μmto300μm。

即使導(dǎo)體可設(shè)置在第一區(qū)域tse1中，包封層ecl也將設(shè)置在多個(gè)間隔物sp面對(duì)第二基板120的表面上的第二電極ce與導(dǎo)體分開，并且因此寄生電容的寄生電容量可得到減小。

圖12是示出根據(jù)本公開再一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的部分平面圖，圖13是圖12的區(qū)域ea3的放大平面圖，圖14是沿著圖13的線iii-iii’剖取的截面圖，并且圖15是沿著圖13的線iv-iv’剖取的截面圖。

參見圖1至圖4以及圖12至圖15，顯示裝置可包括第一基板110、設(shè)置在第一基板110上的多個(gè)顯示元件dd、設(shè)置在多個(gè)顯示元件dd之間的多個(gè)間隔物sp、面對(duì)第一基板110的第二基板120、以及設(shè)置在第二基板120面對(duì)第一基板110的表面上的多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse。

第一基板110可包括顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda。顯示區(qū)域da可包括多個(gè)像素區(qū)域。非顯示區(qū)域nda可設(shè)置為相鄰于顯示區(qū)域da。另外，第一基板110可包括基底基板sub以及設(shè)置在基底基板sub上的每個(gè)像素區(qū)域中的至少一個(gè)薄膜晶體管tft。

保護(hù)膜psv可設(shè)置在其中設(shè)置薄膜晶體管tft的基底基板sub上。

多個(gè)顯示元件dd可設(shè)置在保護(hù)膜psv上。多個(gè)顯示元件dd可包括連接到薄膜晶體管tft的第一電極ae、暴露第一電極ae的像素限定層pdl、設(shè)置在由像素限定層pdl暴露的第一電極ae上的發(fā)光層ol、以及設(shè)置在發(fā)光層ol上的第二電極ce。多個(gè)間隔物sp可設(shè)置在像素限定層pdl上。第二電極ce可延伸到像素限定層pdl和多個(gè)間隔物sp。間隔物sp可保持第一基板110和第二基板120之間不變的間隔。

包封層ecl可設(shè)置在第二電極ce上。包封層ecl可包括多個(gè)無機(jī)膜(未示出)和多個(gè)有機(jī)膜(未示出)。包封層ecl的厚度可為200μm至300μm。

填充材料fm可設(shè)置在第一基板110和第二基板120之間。填充材料fm可填充第一基板110和第二基板120之間的間隔，并且因此可減小施加到第一基板110或第二基板120的外部沖擊。

第二基板120可包括感應(yīng)區(qū)域sa以及設(shè)置為相鄰于感應(yīng)區(qū)域sa的非感應(yīng)區(qū)域nsa。感應(yīng)區(qū)域sa可對(duì)應(yīng)于第一基板110的顯示區(qū)域da。非感應(yīng)區(qū)域nsa可設(shè)置為相鄰于感應(yīng)區(qū)域sa。另外，非感應(yīng)區(qū)域nsa可對(duì)應(yīng)于第一基板110的非顯示區(qū)域nda。

觸摸感應(yīng)電極tse可設(shè)置在顯示元件dd的第二電極ce和感應(yīng)區(qū)域sa中的第二基板120之間。例如，多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse可設(shè)置在第二基板120面對(duì)第一基板110的表面上的感應(yīng)區(qū)域sa中。

觸摸感應(yīng)電極tse可包括至少一個(gè)第一區(qū)域tse1以及與第一區(qū)域tse1電隔離的第二區(qū)域tse2。第一區(qū)域tse1可電隔離。另外，第二區(qū)域tse2可具有在平面圖上圍繞第一區(qū)域tse1的形狀。就是說，第一區(qū)域tse1可具有在第二區(qū)域tse2內(nèi)分開的島狀形狀。

多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse可包括彼此交叉的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl。多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可包括在一個(gè)方向上延伸的多個(gè)第一線cfl1以及在與多個(gè)第一線cfl1交叉的方向上延伸的多個(gè)第二線cfl2。

同樣，設(shè)置在第一區(qū)域tse1中的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可與設(shè)置在第二區(qū)域tse2中的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl電隔離。就是說，設(shè)置在第一區(qū)域tse1中的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可處于彼此電隔離的狀態(tài)。

同樣，多個(gè)間隔物sp可僅設(shè)置在與第一區(qū)域tse1對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，并且可不設(shè)置在與第二區(qū)域tse2對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。另外，設(shè)置在第一區(qū)域tse1中的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可彼此電隔離。因此，能防止寄生電容形成在第二電極ce和導(dǎo)電細(xì)線cfl之間，第二電極ce設(shè)置在間隔物sp面對(duì)第二基板120的表面上。

另外，因?yàn)榘鈱觘cl的厚度可為200μm至300μm，所以設(shè)置在間隔物sp的上表面上的第二電極ce和觸摸感應(yīng)電極tse的導(dǎo)電細(xì)線cfl之間的距離可為200μm至300μm。因此，寄生電容的寄生電容量可由設(shè)置在間隔物sp的上表面上的第二電極ce和觸摸感應(yīng)電極tse的導(dǎo)電細(xì)線cfl之間的距離減小。

圖16和圖17是示出根據(jù)本公開再一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的截面圖。圖16是沿著圖13的線iii-iii’剖取的截面圖，并且圖17是沿著圖13的線iv-iv’剖取的截面圖。

參見圖1至圖4、圖12、圖13、圖16和圖17，顯示裝置可包括第一基板110、設(shè)置在第一基板110上的多個(gè)顯示元件dd、設(shè)置在多個(gè)顯示元件dd之間的多個(gè)間隔物sp、面對(duì)第一基板110的第二基板120、以及設(shè)置在第二基板120面對(duì)第一基板110的表面上的多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse。

第一基板110可包括顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda。顯示區(qū)域da可包括多個(gè)像素區(qū)域。非顯示區(qū)域nda可設(shè)置為相鄰于顯示區(qū)域da。另外，第一基板110可包括基底基板sub以及設(shè)置在基底基板sub上的每個(gè)像素區(qū)域中的至少一個(gè)薄膜晶體管tft。

保護(hù)膜psv可設(shè)置在其中設(shè)置薄膜晶體管tft的基底基板sub上。

多個(gè)顯示元件dd可設(shè)置在保護(hù)膜psv上。多個(gè)顯示元件dd可包括連接到薄膜晶體管tft的第一電極ae、暴露第一電極ae的像素限定層pdl、設(shè)置在由像素限定層pdl暴露的第一電極ae上的發(fā)光層ol、以及設(shè)置在發(fā)光層ol上的第二電極ce。多個(gè)間隔物sp可設(shè)置在像素限定層pdl上。第二電極ce可延伸到像素限定層pdl和多個(gè)間隔物sp。多個(gè)間隔物sp可保持第一基板110和第二基板120之間不變的間隔。

第二基板120可包括感應(yīng)區(qū)域sa以及設(shè)置為相鄰于感應(yīng)區(qū)域sa的非感應(yīng)區(qū)域nsa。感應(yīng)區(qū)域sa可對(duì)應(yīng)于第一基板110的顯示區(qū)域da。非感應(yīng)區(qū)域nsa可設(shè)置為相鄰于感應(yīng)區(qū)域sa。另外，非感應(yīng)區(qū)域nsa可對(duì)應(yīng)于第一基板110的非顯示區(qū)域nda。

觸摸感應(yīng)電極tse可設(shè)置在顯示元件dd的第二電極ce和感應(yīng)區(qū)域sa中的第二基板120之間。例如，多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse可設(shè)置在第二基板120面對(duì)第一基板110的表面上的感應(yīng)區(qū)域sa中。

觸摸感應(yīng)電極tse可包括至少一個(gè)第一區(qū)域tse1以及與第一區(qū)域tse1分開的第二區(qū)域tse2。第二區(qū)域tse2可具有圍繞第一區(qū)域tse1的形狀。就是說，第一區(qū)域tse1可具有在第二區(qū)域tse2內(nèi)分開的島狀形狀。

多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse可包括彼此交叉的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl。設(shè)置在第一區(qū)域tse1中的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可與設(shè)置在第二區(qū)域tse2上的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl電隔離。就是說，設(shè)置在第一區(qū)域tse1中的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可彼此電隔離。

填充材料fm可設(shè)置在第一基板110和第二基板120之間。填充材料fm可填充第一基板110和第二基板120之間的間隔，并且因此可減小施加到第一基板110或第二基板120的外部沖擊。

另外，填充材料fm可保持第一基板110和第二基板120之間不變的間隔。特別是，填充材料fm可保持設(shè)置在間隔物sp的上表面上的第二電極ce和多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl之間的距離為200μm至300μm。

寄生電容的寄生電容量可由設(shè)置在間隔物sp的上表面上的第二電極ce和多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl之間的距離減小。

圖18是示出根據(jù)本公開再一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的部分平面圖，圖19是圖18的區(qū)域ea4的放大平面圖，并且圖20是沿著圖19的線v-v’剖取的截面圖。

參見圖1至圖4以及圖18至圖20，顯示裝置可包括第一基板110、設(shè)置在第一基板110上的多個(gè)顯示元件dd、設(shè)置在多個(gè)顯示元件dd之間的多個(gè)間隔物sp、面對(duì)第一基板110的第二基板120、以及設(shè)置在第二基板120面對(duì)第一基板110的表面上的多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse。

第一基板110可包括顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda。顯示區(qū)域da可包括多個(gè)像素區(qū)域。非顯示區(qū)域nda可設(shè)置為相鄰于顯示區(qū)域da。另外，第一基板110可包括基底基板sub以及設(shè)置在基底基板sub上的每個(gè)像素區(qū)域中的至少一個(gè)薄膜晶體管tft。

保護(hù)膜psv可設(shè)置在其中設(shè)置薄膜晶體管tft的基底基板sub上。

多個(gè)顯示元件dd可設(shè)置在保護(hù)膜psv上。多個(gè)顯示元件dd可包括連接到薄膜晶體管tft的第一電極ae、暴露第一電極ae的像素限定層pdl、設(shè)置在由像素限定層pdl暴露的第一電極ae上的發(fā)光層ol、以及設(shè)置在發(fā)光層ol上的第二電極ce。

多個(gè)間隔物sp可設(shè)置在像素限定層pdl上。第二電極ce可延伸到像素限定層pdl和多個(gè)間隔物sp。間隔物sp可保持第一基板110和第二基板120之間不變的間隔。

第二基板120可將多個(gè)顯示元件dd與外部環(huán)境分開。另外，第二基板120可包含與基底基板sub相同的材料。第二基板120可由密封劑粘合到第一基板110。

觸摸感應(yīng)電極tse可設(shè)置在顯示元件dd和感應(yīng)區(qū)域sa中的第二基板120之間。例如，多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse可設(shè)置在第二基板120面對(duì)第一基板110的表面上。觸摸感應(yīng)電極tse可包括至少一個(gè)第一區(qū)域tse1以及與第一區(qū)域tse1電隔離的至少一個(gè)第二區(qū)域tse2。第一區(qū)域tse1可彼此電隔離。另外，第二區(qū)域tse2可具有在平面圖上圍繞第一區(qū)域tse1的形狀。就是說，第一區(qū)域tse1可具有在第二區(qū)域tse2內(nèi)分開的島狀形狀。第一區(qū)域tse1可重疊多個(gè)間隔物sp。

多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse可包括彼此交叉的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl。多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可包括在一個(gè)方向上延伸的多個(gè)第一線cfl1以及在與多個(gè)第一線cfl1交叉的方向上延伸的多個(gè)第二線cfl2。

另外，導(dǎo)電細(xì)線cfl可不提供在第一區(qū)域tse1中。因此，多個(gè)間隔物sp和多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可在第一區(qū)域tse1不彼此重疊。

因?yàn)槎鄠€(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl和多個(gè)間隔物sp在第一區(qū)域tse1中不彼此重疊，所以能防止寄生電容形成在多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl和多個(gè)間隔物sp上的第二電極ce之間。因此，能防止顯示裝置的觸摸敏感性因寄生電容的寄生電容量而降低。

圖21是示出根據(jù)本公開再一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的部分平面圖，圖22是圖21的區(qū)域ea5的放大平面圖，并且圖23是沿著圖22的線vi-vi’剖取的截面圖。

參見圖1至圖4以及圖21至圖23，顯示裝置可包括第一基板110、設(shè)置在第一基板110上的多個(gè)顯示元件dd、設(shè)置在多個(gè)顯示元件dd之間的多個(gè)間隔物sp、面對(duì)第一基板110的第二基板120、以及設(shè)置在第二基板120面對(duì)第一基板110的表面上的多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse。

第一基板110可包括顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda。顯示區(qū)域da可包括多個(gè)像素區(qū)域。非顯示區(qū)域nda可設(shè)置為相鄰于顯示區(qū)域da。另外，第一基板110可包括基底基板sub以及設(shè)置在基底基板sub上的每個(gè)像素區(qū)域中的至少一個(gè)薄膜晶體管tft。

保護(hù)膜psv可設(shè)置在其中設(shè)置薄膜晶體管tft的基底基板sub上。

多個(gè)顯示元件dd可設(shè)置在保護(hù)膜psv上。多個(gè)顯示元件dd可包括連接到薄膜晶體管tft的第一電極ae、暴露第一電極ae的像素限定層pdl、設(shè)置在由像素限定層pdl暴露的第一電極ae上的發(fā)光層ol、以及設(shè)置在發(fā)光層ol上的第二電極ce。

多個(gè)間隔物sp可設(shè)置在像素限定層pdl上。第二電極ce可延伸到像素限定層pdl和多個(gè)間隔物sp。間隔物sp可保持第一基板110和第二基板120之間不變的間隔。

第二基板120可將多個(gè)顯示元件dd與外部環(huán)境分開。另外，第二基板120可包含與基底基板sub相同的材料。第二基板120可由密封劑粘合到第一基板110。

觸摸感應(yīng)電極tse可設(shè)置在顯示元件dd和感應(yīng)區(qū)域sa中的第二基板120之間。例如，多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse可設(shè)置在第二基板120面對(duì)第一基板110的表面上。觸摸感應(yīng)電極tse可包括至少一個(gè)第一區(qū)域tse1以及與第一區(qū)域tse1電隔離的至少一個(gè)第二區(qū)域tse2。第一區(qū)域tse1可與其它區(qū)域電隔離。另外，第二區(qū)域tse2可具有在平面圖上圍繞第一區(qū)域tse1的形狀。就是說，第一區(qū)域tse1可具有在第二區(qū)域tse2內(nèi)分開的島狀形狀。第一區(qū)域tse1可重疊多個(gè)間隔物sp。

多個(gè)觸摸感應(yīng)電極tse可包括彼此交叉的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl。多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可包括在一個(gè)方向上延伸的多個(gè)第一線cfl1以及在與多個(gè)第一線cfl1交叉的方向上延伸的多個(gè)第二線cfl2。

設(shè)置在第一區(qū)域tse1中的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可與設(shè)置在第二區(qū)域tse2中的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl電隔離。就是說，重疊多個(gè)間隔物sp的多個(gè)導(dǎo)電細(xì)線cfl可與第一區(qū)域tse1中的其它區(qū)域電隔離。因此，即使導(dǎo)電細(xì)線cfl可能重疊第一區(qū)域tse1中的多個(gè)間隔物sp，也能防止寄生電容形成在導(dǎo)電細(xì)線cfl和多個(gè)間隔物sp上的第二電極ce之間。因此，能防止顯示裝置的觸摸敏感性因寄生電容的寄生電容量而降低。

上面的詳細(xì)描述示例和說明了本公開。另外，前面的描述僅表達(dá)且說明本公開的實(shí)施例。如上所述，本公開可用于各種組合、修改和環(huán)境，并且可在本說明書中描述的本公開概念的范圍、所描述內(nèi)容的等效范圍和/或本領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí)范圍內(nèi)進(jìn)行改變或修改。因此，上述本公開的描述旨在不限制本公開到所描述的實(shí)施例。另外，伴隨的范圍可解釋為包括其它實(shí)施例。